Как проверить полевой моп (mosfet) - транзистор цифровым мультиметром - интернет-журнал "электрон" выпуск №5

Транзистор полевой

Первоначально определимся с терминологией. Полевой транзистор является полупроводниковым прибором, через который движется поток носителей зарядов. Он регулируется электрическим полем поперечного типа, которое, в свою очередь, создаётся напряжением, что приложено между стоком и затвором или истоком и затвором. Благодаря тому, что принцип функционирования полевых транзисторов базируется на перемещении основных носителей однотипного заряда (дырок или электронов), их называют униполярными.

На практике чаще всего используются схема включения транзистора с общим эмиттером. Дело в том, что использование в первую очередь истока позволяет получить значительное усиление тока и мощности. При этом, когда используется схема включения транзистора с общей базой, не увеличивается показатель тока. Поэтому показатель мощности увеличивается значительно меньше, чем в случае с эмиттером. Также при ставке на базу необходимо понимать, что схема тогда имеет низкий показатель входного сопротивления. Поэтому использование такого подхода на практике сильного ограничено в усилительной технике. Что ж, начнём рассматривать схемы включения полевых транзисторов.

Защита от помех AC

Момент выключения

Напряжение в сети является синусоидой, которая 100 раз в секунду пересекает значение 0. Если выключить нагрузку в тот момент, когда напряжение в сети равно нулю – это сильно уменьшит выброс. Для этих целей проще всего использовать твердотельные реле (SSR) с детектором нуля (Zero-Crossing Detector): такие реле сами отключают и включают нагрузку в нужный момент. Детектор нуля есть почти во всех моделях SSR, но лучше уточнить в документации. Для самодельных симисторных ключей, работающих в режиме вкл/выкл (без диммирования) рекомендуется ставить управляющую оптопару с детектором нуля: она тоже будет включать и выключать нагрузку в лучший для этого момент, то есть в ближайшем нуле.

Искрогасящие цепи AC

Также обратите внимание на то, что в некоторых твердотельных реле уже стоит снабберная цепь, об этом можно узнать из даташита на конкретную модель. На самодельный симисторный диммер такую цепь желательно не лениться и всё таки ставить, чтобы уменьшить помехи в сети

Режим усиления МОП-транзистора

Более распространенным у транзисторов MOSFET является режим усиления, он обратный для режима истощения. Здесь проводящий канал слаболегированный или даже нелегированный, что делает его непроводящим. Это приводит к тому, что устройство в режиме покоя не проводит ток (когда напряжение смещения затвора равно нулю). На схемах для обозначения МОП-транзисторов такого типа используют ломаную линию, чтобы обозначить нормально открытый токоизолирующий канал.

Для повышения N-канального МОП-транзистора ток стока будет течь только тогда, когда напряжение на затворе прикладывается к затвору больше, чем пороговое напряжение. При подаче положительного напряжения на затвор к п-типа MOSFET (что это, режимы работы, схемы включения, описаны в статье) привлекает большее количество электронов в направлении оксидного слоя вокруг затвора, тем самым увеличивая усиление (отсюда название) толщины канала, позволяя свободнее протекать току.

Что такое MOSFET?

MOSFET представляет собой четырехполюсный полупроводниковый полевой транзистор, изготовленный контролируемым окислением кремния и где приложенное напряжение определяет электропроводность устройства. MOSFET представляет собой транзистор с полевым эффектом на основе оксида металла. Затвор, который расположен между каналами источника и стока, электрически изолирован от канала тонким слоем оксида металла. Идея состоит в том, чтобы контролировать напряжение и ток между каналами источника и стока. МОП-транзисторы играют важную роль в интегральных схемах из-за их высокого входного импеданса. Они в основном используются в усилителях мощности и переключателях, а также играют важную роль в разработке встроенных систем в качестве функциональных элементов.

Они обычно подразделяются на две конфигурации:

Режим истощения MOSFET — Устройства обычно «ВКЛЮЧЕНЫ», когда напряжение затвор-источник равно нулю. Напряжение приложения ниже, чем напряжение стока от источника
Режим улучшения MOSFET — Устройства обычно «ВЫКЛ», когда напряжение затвор-источник равно нулю.

Защитные и контрольные функции драйверов

Защита силовых ключей от разного рода аварийных ситуаций является одной из важнейших функций схемы управления. Для ее реализации драйверы снабжаются блоками оперативного мониторинга перегрузки по току и КЗ, перенапряжения на коллекторе и затворе, перегрева, а также падения напряжения управления V_GG+/V_GG-.

Защита от перегрузки по току

Измерение тока коллектора/стока производится с помощью резистивных шунтов, токовых трансформаторов, индукционных сенсоров и т. д. Одним из самых распространенных методов мониторинга состояния токовой перегрузки является измерение напряжения насыщения транзистора. Выход из насыщения (Desaturation), при котором величина V_CEsat достигает определенного порога, рассматривается как аварийная ситуация. При этом драйвер блокирует силовые транзисторы и формирует сигнал неисправности ERROR, который через изолирующий барьер передается на входной каскад и далее на контроллер. Интеллектуальные модули высокой степени интеграции (например, SKiiP компании SEMIKRON) имеют в своем составе датчики тока, информация с которых используется схемой защиты вместе с напряжением насыщения, что позволяет сократить время реакции и отключить IGBT при меньшем уровне перегрузки.

Защита от перенапряжения на затворе

Функцию ограничения напряжения на затворе рекомендуется реализовывать в любом драйвере, независимо от наличия аварийной ситуации. Кроме защиты затвора от пробоя, это позволяет ограничить ток КЗ. Подробнее данный вопрос будет рассмотрен далее.

Защита от перенапряжения на коллекторе (стоке)

Ограничение напряжения на силовых терминалах может осуществляться самим модулем (большинство MOSFET обладает стойкостью к лавинному пробою), внешними пассивными снабберами, а также активными цепями, переводящими транзистор в линейный режим при возникновении опасного перенапряжения.

В ряде интеллектуальных модулей (например, SKiiP) реализована функция запрета коммутации при достижении напряжением DC-шины порогового уровня. Эта опция не способна защитить от внешних перенапряжений, однако она позволяет исключить влияние коммутационных выбросов в критических режимах, что существенно повышает надежность работы преобразовательного устройства. Мониторинг напряжения питания производится «квази-изолированным» датчиком на основе высокоомного дифференциального усилителя, передающего аналоговый сигнал, пропорциональный V_DC, на схему управления. Если величина V_DC превышает заданный уровень, силовые транзисторы отключаются, и схема защиты формирует сигнал неисправности. В ряде случаев параллельно цепи питания инвертора устанавливается тормозной чоппер, активно разряжающий конденсаторы звена постоянного тока при опасном увеличении напряжения. Такая схема чаще всего применяется в приводах, где используется режим динамического торможения (электротранспорт, лифты и т. д.).

Защита от перегрева

Температура силовых кристаллов, а также изолирующей подложки рядом с чипами, корпуса модуля и радиатора может быть определена расчетным методом или с помощью сенсоров. Если термодатчик гальванически изолирован, то его выходной сигнал передается на схему управления и используется для отключения силового каскада и формирования сигнала неисправности.

Защита от падения напряжения управления V_GG+, V_GG- (Under Voltage LockOut, UVLO)

Падение напряжения питания выходного каскада драйвера и, соответственно, уровня V_GE нежелательно по многим причинам. В первую очередь при этом возрастает опасность перехода ключа в линейный режим работы и резкого увеличения рассеиваемой мощности. Кроме того, в этом случае теряется управляемость: транзистор не может быть полностью открыт или заблокирован. Мониторинг критического состояния производится путем измерения величин V_GG+, V_GG- с последующим отключением силового каскада при их снижении до опасного уровня.

Резюме полевых полетов против полевого МОП-транзистора

JFET и MOSFET являются двумя наиболее популярными полевыми транзисторами, обычно используемыми в электронных схемах. Как JFET, так и MOSFET являются полупроводниковыми устройствами, управляемыми напряжением, используемыми для усиления слабых сигналов с использованием эффекта электрического поля. Само название указывает на атрибуты устройства. Хотя они имеют общие атрибуты, соответствующие усилению и переключению, они имеют свою долю различий. JFET работает только в режиме истощения, тогда как MOSFET работает как в режиме истощения, так и в режиме улучшения. МОП-транзисторы используются в схемах СБИС из-за их дорогостоящего производственного процесса против менее дорогих JFET, которые в основном используются в приложениях с малым сигналом.

Пороговое напряжение

Пороговое напряжение V_th определяется как минимальное открывающее напряжение на затворе, инвертирующее тип проводимости и создающее канал между областями истока и стока. V_th обычно измеряется при токе стока 250 мкА. Нормальные значения порогового напряжения 2–4 В для высоковольтных устройств с толстым оксидным слоем и 1–2 В для низковольтных устройств с тонким оксидным слоем, совместимых с логическими уровнями напряжений. С увеличением применяемости MOSFET в портативной и беспроводной электронике, где основным типом питания является батарейное, желательным является снижение порогового напряжения и сопротивления открытого транзистора.

FQPF10N50CF Datasheet (PDF)

1.1. fqp10n50cf fqpf10n50cf.pdf Size:987K _fairchild_semi

December 2006
TM
FRFET
FQP10N50CF / FQPF10N50CF
500V N-Channel MOSFET
Features Description
• 10A, 500V, RDS(on) = 0.61 Ω @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-
tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,
• Low gate charge (typical 43 nC)
DMOS technology.
• Low Crss (typical 16pF)
This advanced technology has been espe

3.1. fqpf10n20.pdf Size:764K _fairchild_semi

April 2000
TM
QFET
QFET
QFET
QFET

200V N-ChanneI MOSFET
GeneraI Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect • 6.8A, 200V, RDS(on) = 0.36Ω @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 13.5 nC)
planar stripe, DMOS technology.
• Low Crss ( typical 13 pF)
This advanced technology has be

3.2. fqpf10n60ct fqpf10n60cydtu.pdf Size:1020K _fairchild_semi

April 2007

QFET
FQP10N60C / FQPF10N60C
600V N-Channel MOSFET
Features Description
• 9.5A, 600V, RDS(on) = 0.73Ω @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-
tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,
• Low gate charge ( typical 44 nC)
DMOS technology.
• Low Crss ( typical 18 pF)
This advanced technology has been especiall

3.3. fqp10n20c fqpf10n20c.pdf Size:875K _fairchild_semi

TM
QFET
FQP10N20C/FQPF10N20C
200V N-Channel MOSFET
General Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect • 9.5A, 200V, RDS(on) = 0.36Ω @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 20 nC)
planar stripe, DMOS technology.
• Low Crss ( typical 40.5 pF)
This advanced technology has been especially tailor

3.4. fqp10n60c fqpf10n60c.pdf Size:1122K _fairchild_semi

April 2007

3.5. fqp10n60cf fqpf10n60cf.pdf Size:933K _fairchild_semi

February 2007
TM
FRFET
FQP10N60CF / FQPF10N60CF
600V N-Channel MOSFET
Features Description
• 9A, 600V, RDS(on) = 0.8Ω @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis-
tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,
• Low gate charge ( typical 44 nC)
DMOS technology.
• Low Crss ( typical 18 pF)
This advanced technology has been especia

3.6. fqpf10n20c.pdf Size:201K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor FQPF10N20C
·FEATURES
·With low gate drive requirements
·Easy to drive
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS
·Switching applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Drain-Source Voltage 200 V
DSS
V Gat

Полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)

Термин «МДП-транзистор» используется для обозначения полевых транзисторов, в которых управляющий электрод – затвор – отделен от активной области полевого транзистора диэлектрической прослойкой – изолятором. Основным элементом для этих транзисторов является структура металл-диэлектрик-полупроводник (М-Д-П).

Технология МДП-транзистора с встроенным затвором приведена на рисунке:

Исходный полупроводник, на котором изготовлен МДП-транзистор, называется подложкой (вывод П). Две сильнолегированные области n+ называется истоком (И) и стоком (С). Область подложки под затвором (З) называется встроенным каналом (n-канал).

Физической основой работы полевого транзистора со структурой металл-диэлектрик-полупроводник является эффект поля. Эффект поля состоит в том, что под действием внешнего электрического поля изменяется концентрация свободных носителей заряда в приповерхностной области полупроводника. В полевых приборах со структурой МДП внешнее поле обусловлено приложенным напряжением на металлический электрод-затвор. В зависимости от знака и величины приложенного напряжения могут быть два состояния области пространственного заряда (ОПЗ) в канале – обогащение, обеднение.

Режиму обеднения соответствует отрицательное напряжение Uзи, при котором концентрация электронов в канале уменьшается, что приводит к уменьшению тока стока. Режиму обогащения соответствует положительное напряжение Uзи и увеличение тока стока.

ВАХ представлена на рисунке:

Топология МДП-транзистора с индуцированным (наведенным) каналом р-типа приведена на рисунке:

При Uзи = 0 канал отсутствует и Ic = 0. Транзистор может работать только в режиме обогащения Uзи < 0. Если отрицательное напряжение Uзи превысит пороговое Uзи.пор, то происходит формирование инверсионного канала. Изменяя величину напряжения на затворе Uзи в области выше порогового Uзи.пор, можно менять концентрацию свободных носителей в инверсионном канале и сопротивление канала. Источник напряжения в стоковой цепи Uси вызовет ток стока Iс.

ВАХ представлена на рисунке:

В МДП-транзисторах затвор отделен от полупроводника слоем окисла SiO2. Поэтому входное сопротивление таких транзисторов порядка 1013…1015 Ом.

К основным параметрам полевых транзисторов относятся:

Крутизна характеристики при Uсп = const, Uпи = const. Типичные значения параметра (0,1…500) мА/В;
Крутизна характеристики по подложке при Uсп = const, Uзи = const. Типичные значения параметра (0.1…1) мА/В;
Начальный ток стока Iс.нач. – ток стока при нулевом значении напряжения Uзи. Типичные значения параметра: (0,2…600) мА – для транзисторов с управляющим каналом p-n переходом; (0,1…100) мА – для транзисторов со встроенным каналом; (0,01…0,5) мкА – для транзисторов с индуцированным каналом;
Напряжение отсечки Uзи.отс.. Типичные значения (0,2…10) В; пороговое напряжение Uп. Типичные значения (1…6) В;
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии. Типичные значения (2..300) Ом
Дифференциальное сопротивление (внутреннее): при Uзи = const;
Статистический коэффициент усиления: μ = S · ri

Проверка элемента без выпаивания его из схемы

Часто возникает вопрос, как проверить smd транзистор мультиметром. SMD – это аббревиатура от английского Surface Mounted Device (устройство, монтируемое на поверхность). Такие полупроводники не вставляются в отверстия плат. Их просто напаивают сверху на контактные дорожки. В современных платах плотность таких дорожек невероятно велика. Более того, часто они располагаются в несколько слоев. Поэтому если какая-то из дорожек располагается в середине такого «пирога», то ее может быть просто не видно.

Становится понятно, что поскольку демонтаж и обратный монтаж smd компонентов на контактные дорожки печатных плат зачастую сопряжен со значительными сложностями, то лучше всего было бы осуществить проверку функциональности элемента, не выпаивая его. К сожалению, такое подход возможен только для биполярных транзисторов. Однако даже при положительных итогах проверки нельзя быть полностью уверенным в результате. В большинстве же случаев только лишь демонтаж элемента с печатной планы позволяет гарантированно проверить его работоспособность.

Проверка полевого MOSFET транзистора цифровым мультиметром

Для примера возьмем полевой МОП-транзистор с каналом n-типа IRF 640. Условно-графическое обозначение такого транзистора и его цоколевку вы видите на следующем рисунке.

Перед началом проверки транзистора замкните все его выводы между собой, что бы снять возможный заряд с транзистора.

Проверка встроенного диода

Для начал следует подготовить мультимер и перевести его в режим проверки диодов. Для этого переключатель режимов/пределов установите в положение с изображением диода.

В этом режиме мультиметр при подключении диода в прямом направлении (плюс прибора на анод, минус прибора на катод) показывает падение напряжения на p-n переходе диода. При включении диода в обратном направлении мультиметр показывает «1».

Итак, подключаем щупы мультиметра, как было сказано выше, в прямом включении диода. Таким образом, красный шум (+) подключаем на исток, а черный (-) на сток.

Мультиметр должен показать падение напряжение на переходе порядка 0,5-0,7.

Меняем полярность подключения встроенного диода, при этом мультиметр, при исправности диода покажет «1».

Проверка работы полевого МОП транзистора

Проверяемый нами МОП-транзистор имеет канал n-типа, поэтому, что бы канал стал электропроводен необходимо на затвор транзистора относительно истока либо стока подать положительный потенциал. При этом электроны из подложки переместятся в канал, а дырки будут вытолкнуты из канала. В результате канал между истоком и стоком станет электропроводен и через транзистор потечет ток.

Для открытия транзистора будет достаточно напряжения на щупах мультиметра в режиме прозвонки диодов.

Поэтому черный (отрицательный) щуп мультиметра подключаем на исток (или сток), а красным касаемся затвора.

Если транзистор исправен, то канал исток-сток станет электропроводным, то есть транзистор откроется.

Теперь если прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет какое-то значение падение напряжения на канале, в виду того, что через транзистор потечет ток.

Таким образом черный щуп транзистора ставим на исток, а красный на сток и мультиметр покажет падение напряжение на канале.

Если поменять полярность щупов, то показания мультиметра будут примерно одинаковыми.

Что бы закрыть транзистор достаточно относительно истока на затвор подать отрицательный потенциал.

Следовательно, подключаем положительный (красный) щуп мультиметра на исток, а черным касаемся затвор.

При этом исправный транзистор закроется. И если после этого прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет лишь падение напряжения на встроенном диоде.

Если транзистор управляется напряжением с мультиметра (то есть открывается и закрывается), значит можно сделать вывод, что транзистор исправен.

Проверка полевого МОП – транзистора с каналом p-типа осуществляется подобным образом. За тем исключением, что во всех пунктах проверки полярность подключения щупов меняется на противоположную.

Более подробно и просто всю методику проверки полевого транзистора я изложил в следующем видеоуроке:

Расшифровка основных параметров MOSFET-транзисторов

Тип транзистора – в реальных устройствах могут использоваться полевые транзисторы разных типов: транзистор с управляющим p-n – переходом (J-FET) или
униполярные транзисторы МДП-типа (MOSFET).

Полярность — полевые транзисторы могут быть прямой проводимости или обратной, то есть с P-каналом или N-каналом.

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) — необходимо убедиться, что выбранный транзистор может рассеивать достаточную мощность. Этот параметр зависит от
максимальной рабочей температуры транзистора — при повышении температуры максимальная рассеиваемая мощность уменьшается. Если рассеиваемая мощность
недостаточна — ухудшаются некоторые характеристики транзистора. Например, сопротивление Rds может удвоиться при возрастании температуры от 25°C до 125°C.

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Vds) – это максимальное напряжение сток-исток не вызывающее лавинного пробоя при температуре 25°C. Оно
имеет зависимость от температуры: напряжение уменьшаться при уменьшении температуры транзистора. Например, при -50°C, напряжение, не вызывающее
лавинного пробоя, может составлять 90% от Vds при 25°C.

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) – при подаче на затвор напряжения более допустимого, возможно повреждение изолирующего оксидного слоя
затвора (это может быть и статическое электричество). Не стоит использовать транзисторы с большим запасом по напряжениям Vds и Vgs, т.к. обычно они имеют
худшие скоростные характеристики.

Пороговое напряжение включения Vgs(th) — если напряжение на затворе выше Vgs(th), MOSFET транзистор начинает проводить ток через канал сток-исток. Vgs(th)
имеет отрицательный температурный коэффициент: с увеличением температуры MOSFET-транзистор начинает открываться при более низком напряжении затвор-исток.

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id) – следует иметь ввиду, что иногда выводы из корпуса транзистора ограничивают максимально допустимый
постоянный ток стока (переключаемый ток может быть больше). С ростом температуры максимально допустимый ток уменьшается.

Максимальная температура канала (Tj) — этот параметр ограничивает температуру канала транзистора во включенном состоянии. Если ее превысить,
срок службы транзистора может сократиться.

Общий заряд затвора (Qg) — заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора. Чем меньше этот параметр, тем меньшая мощность требуется для управления транзистором.

Время нарастания (tr) — время, за которое ток стока увеличится с 10% до 90% от указанного.

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds) — сопротивление открытого канала сток-исток при заданных параметрах: Id, Vgs и Tj.

Выше описаны наиболее важные параметры MOSFET-транзисторов. В даташитах производитель указывает много дополнительных параметров: заряд затвора,
ток утечки затвора, импульсный ток стока, входная емкость и др.

Частота коммутации

На рис. 7 показаны эпюры процесса включения MOSFET- и IGBT-модуля в конкретной рабочей точке. Не касаясь значений V_DS/V_CE и I_D/I_C, отметим, что текущая величина рассеиваемой мощности p(t) определяется произведением мгновенных значений тока и напряжения. Интеграл p(t) отражает общую мощность рассеяния ключа за определенный период времени, включающую в себя потери на всех транзисторах и диодах, входящих в состав модуля.

Рис. 7. Процесс «жесткого» включения и выключения на резистивно?индуктивную нагрузку: а) MOSFET; б) IGBT

Поскольку потери растут пропорционально частоте коммутации Fsw, для ее увеличения приходится применять более мощный ключ или модуль с лучшими динамическими характеристиками. Существуют также ограничения, связанные со временем задержки включения и выключения td(on), td(off), временем обратного восстановления диодов trr, мощностью потребления драйвера (растет пропорционально частоте), минимальной величиной «мертвого времени» tdt, а также мониторинговыми и защитными функциями драйвера

При использовании цепей формирования траектории переключения (снабберов) для снижения динамических потерь или ограничения уровня перенапряжения необходимо принимать во внимание рассеиваемую ими мощность и время перезаряда. В ряде случаев период восстановления снаббера надо добавлять к «мертвому» времени

Время переключения современных силовых транзисторов находится в диапазоне от единиц до сотен наносекунд. Для MOSFET и IGBT прежних поколений величины t_f, t_r во многом определялись импедансом схемы управления, однако у кристаллов Trench 4 зависимость времени включения от R_G выражена менее ярко, а для времени выключения она практически отсутствует (рис. 8).

Рис. 8. Зависимость времен коммутации IGBT 4 от величины «внешнего» сопротивления затвора RG

С каждым новым поколением силовых ключей скорость переключения возрастает, в результате чего основными факторами, ограничивающими расширение частотного диапазона, становятся распределенные индуктивности терминалов модулей и динамические свойства кристаллов диодов (время t_rr и заряд Q_rr обратного восстановления). В первую очередь сказанное относится к режиму «жесткой» коммутации при высоких уровнях напряжения на DC-шине, поскольку скорость выключения ограничена уровнем коммутационного перенапряжения, а максимальная скорость включения определяется допустимой величиной пикового тока, являющегося суммой тока нагрузки и тока обратного восстановления I_rr оппозитного диода (зависящего от di/dt).

Высокие значения dv/dt и di/dt современных инверторов являются причиной генерации мощных электромагнитных помех, кроме того, их воздействие приводит к ухудшению изоляционных свойств определенных видов электрических машин. Особенно сильно эти проблемы проявляются в диапазоне высоких мощностей. Для решения данного вопроса необходим поиск разумного компромисса между техническими требованиями для конкретного применения (например, использование рабочей частоты вне звуковой зоны), скоростью коммутации и уровнем потерь, рассеиваемой мощностью и электромагнитной совместимостью (EMC).

Как проверить полевой моп (mosfet) — транзистор цифровым мультиметром