Транзистор 2n2222: характеристики, аналоги, datasheet и распиновка

Содержание

Технические характеристики

Рассмотрим более подробно транзистор 2N2222, его технические характеристики и особенности. Они справедливы при температуре окружающей среды (Т_А) не более +25оС. В datasheet указано, что устройство предназначено для работы с высокой скоростью переключений и обеспечивает эффективное усиление в широком диапазоне частот.

Максимальные параметры

2n2222 имеет следующие максимально допустимые эксплуатационные параметры (при Т_А < +25оС):

предельное напряжение между выводами: К-Б (V_CBO) до 60 В (при I_E=0); К-Э (V_CEO) до 30 В (при I_B=0); Э-Б (V_EBO) до 5 В (при I_B=0);
пиковый ток коллектор (I_B) до 0,8 А;
рассеиваемая мощность (P_tot) до 500 мВт (при Т_С_ase <+25оС); 1,2 Вт (с теплоотводом);
температура хранения (T_STG) -65 … +200оС;
температура кристалла (T_J) до +175оС.

Новые устройства изготавливаются с использованием безсвинцовых технологий (Lead Free) и соответствуют европейскому стандарту RoHS. У некоторых из них рабочая температура кристалла (T_J), согласно datasheet, может достигать +200 оС.

Электрические параметры

Электрические характеристики 2N2222 (на русском языке) сведены в единую таблицу, которая представлена ниже. Их величины, как и для максимальных указаны для температуры (Т_А) не более +25 оС. В отдельном столбце выведены условия измерений.

Коэффициент усиления

Коэффициент усиления по току (H_FE) рассматриваемого триода, как и у большинства подобных электронных компонентов из 60-х, сильно разнится и находится в диапазоне от 100 до 300. Даже у устройств одного производителя значения параметра H_FE могут быть разные. Обычно их H_FE выясняют предварительно, зачастую с помощью мультиметра и непосредственно перед использованием в проекте.

Комплементарная пара

Комплементарной парой считается 2N2907(ТО-18). Можно сказать, что последний имеет «зеркальные» характеристики, по отношению к рассматриваемому и отличается только PNP-структурой. Внешне они очень похожи между собой и довольно часто встречаются вместе в схемах дифференциальных каскадов усиления.

Технические характеристики

2N3055 являются низкочастотным транзистором. Вместе с тем считается, что типовая граничная частота его перехода находится в диапазоне 3-6 МГц. Но так было не всегда. Впервые данный параметр на устройства появился в техописаниях компании RCA в 1971 г. и составлял всего 0,8 МГц. Постепенно он рос, вместе с совершенствованием технического процесса изготовления. В 1977 г принял современное значение в 2,5 МГц.

Основные параметры рассматриваемого транзистора, с момента начала его производства (с 1967 г.) практически не изменялись. У разных производителей могут быть они могут незначительно отличатся. Вот типовые значения максимально допустимых эксплуатационных характеристик 2N3055:

предельное напряжение К-Б (V_{КБО макс}) до 100 В, при разомкнутой цепи Э;
предельное напряжение К-Э (V_{КЭО макс}) до 70 В, при обрыве на Б;
максимальный коллекторный ток (I_К_макс) до 15 А;
рассеиваемая мощность (P_К_макс) до 115 Вт;
статический коэффициент передачи тока (H_FE) 20 … 70;
температура перехода (T_К) до 200 oC, хранения (Т_Хран) -65…+200 oC.

Превышение любого из этих значений может привести к выходу устройства из строя. С повышением температуры окружающей среды рассеиваемая мощность падает линейно.

Аналоги

Самым популярным российским аналогом 2N3055 считается мощный биполярный транзистор KT819ГM от АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ». От зарубежных производителей, в качестве замены можно использовать современный варианты с большим номинальным напряжением 2N3055HV (VКЭО = 100 В), MJ15015G (VКЭО = 120 В). Хорошей альтернативой является: T2N6371HV

Стоит обратить внимание на появившиеся в настоящее время версии в пластиковом корпусе ТО-3PN типа TIP3055 с мощностью до 90 Вт

В 70-хх компания Philips выпускала очень похожие устройства с маркировкой BDY20 (V_КЭО до 60 В) и позиционировала их для применения в аппаратуре Hi-Fi. Очень надежными и качественными эквивалентами у радиолюбителей до сих пор считаются KD502, KD503 бывшего Чехословацского производителя Teslа. К сожалению найти их сейчас очень сложно, так как они больше не выпускаются, а предприятие после распада СССР пришло в упадок.

Комплементарная пара

У устройства есть комплементарная пара MJ2955 с переходом типа PNP. По своим параметрам, кроме кремниевой структуры, он является почти полной копией транзистора 2N3055. Применяется вместе с ним в выходных каскадах мощных усилителей до 40 Вт с нагрузкой до 8 Ом, и 60 Вт на 4 Ом.

Характеристики

JEDEC регистрация номера устройства обеспечивает определенные номинальные значения будут выполнены все части предлагаемых под этим номером. Параметры, зарегистрированные в JEDEC, включают габаритные размеры, усиление тока слабого сигнала , , максимальные значения выдерживаемого напряжения, номинальный ток, мощность рассеивания и температуру и другие параметры, измеренные в стандартных условиях испытаний. Другие номера деталей будут иметь другие параметры. Точные характеристики зависят от производителя, типа корпуса и разновидности

Поэтому важно обращаться к техническому описанию, чтобы узнать точный номер детали и производителя.

Производитель	V _ce	Я _c	P _D	f _T
СТ Микроэлектроника 2Н2222А	40 В	800 мА	500 мВт / 1,8 Вт	300 МГц

Все варианты имеют коэффициент или текущий коэффициент усиления (h _fe ) не менее 100 в оптимальных условиях. Он используется в различных приложениях аналогового усиления и коммутации.

PZT2222A Datasheet (PDF)

0.1. pzt2222a.pdf Size:136K _motorola

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby PZT2222AT1/DNPN Silicon PlanarPZT2222AT1Epitaxial TransistorMotorola Preferred DeviceThis NPN Silicon Epitaxial transistor is

0.2. pzt2222a 3.pdf Size:51K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThandbook, halfpageM3D087PZT2222ANPN switching transistor1999 Apr 14Product specificationSupersedes data of 1997 Jun 02Philips Semiconductors Product specificationNPN switching transistor PZT2222AFEATURES PINNING High current (max. 600 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40 V).1 base2, 4 collectorAPPLICATIONS3 emitter

0.3. pzt2222a.pdf Size:124K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEEThandbook, halfpageM3D087PZT2222ANPN switching transistorProduct data sheet 1999 Apr 14Supersedes data of 1997 Jun 02 NXP Semiconductors Product data sheetNPN switching transistor PZT2222AFEATURES PINNING High current (max. 600 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40 V).1 base2, 4 collectorAPPLICATIONS3 emitter Swi

0.4. pn2222a mmbt2222a pzt2222a.pdf Size:174K _fairchild_semi

August 2010PN2222A / MMBT2222A / PZT2222ANPN General Purpose AmplifierFeatures This device is for use as a medium power amplifier and switch requiring collector currents up to 500mA. Sourced from process 19.PN2222A MMBT2222A PZT2222ACCEECBTO-92 SOT-23 SOT-223BMark:1PEBCAbsolute Maximum Ratings * Ta = 25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value U

0.5. pzt2222at1-d.pdf Size:129K _onsemi

PZT2222AT1NPN Silicon PlanarEpitaxial TransistorThis NPN Silicon Epitaxial transistor is designed for use in linearand switching applications. The device is housed in the SOT—223package which is designed for medium power surface mounthttp://onsemi.comapplications.Features SOT—223 PACKAGE PNP Complement is PZT2907AT1 NPN SILICON TRANSISTOR The SOT—223 Package Can be

0.6. pzt2222a.pdf Size:284K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD PZT2222A NPN SILICON TRANSISTOR NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER FEATURES * This device is for use as a medium power amplifier and switch requiring collector currents up to 500mA. 1SOT-223 ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 PZT2222AL-AA3-R PZT2222AG-AA3-R SOT-223 B C E Tape Ree

0.7. pzt2222a.pdf Size:176K _secos

PZT2222ANPN SiliconElektronische BauelementeGeneral Purpose TransistorRoHS Compliant ProductSOT-223 C 1. BASE 2. COLLECTORFEATURES 3. EMITTERE CPower dissipationB PCM : 1 W Tamb=25 Collector currentICM : 0.6 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 75 V Operating and stora

0.8. pzt2222a.pdf Size:1032K _lge

PZT2222A SOT-223 Transistor(NPN)1. BASE SOT-2232. COLLECTOR 1 3. EMITTER Features Epitaxial planar die construction Complementary PNP Type available (PZT2907A) MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 75 V VCEO Collector-Emitter Voltage 40 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V Dimensions in inches and

0.9. pzt2222a.pdf Size:189K _wietron

PZT2222ANPN Silicon Planar Epitaxial TransistorCOLLECTOR2, 4 SOT-22341. BASE BASE2.COLLECTOR1 13.EMITTER24.COLLECTOR33EM ITTERABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C)Rating SymbolValue UnitCollector-Emitter Voltage VCEO 40 VdcCollector-Base Voltage VCBOVdc75Emitter-Base Voltage VEBOVdc6.0Collector Current (DC) IC(DC)Adc0.61.5Total Device D

0.10. pzt2222al3.pdf Size:163K _cystek

Spec. No. : C825L3 Issued Date : 2006.04.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/4 NPN Epitaxial Planar Transistor PZT2222AL3 Features High current, max. 600mA Low voltage, max. 40V Pb-free package Applications Switching and linear amplification Symbol Outline PZT2222AL3 SOT-223 C E C BBase B CCollector EEmitter

0.11. pzt2222a.pdf Size:691K _kexin

SMD Type TransistorsNPN TransistorsPZT2222A (KZT2222A)Unit:mmSOT-2236.500.23.000.1 Features4 Epitaxial planar die construction Complementary to PZT2907A1 2 30.2502.30 (typ)Gauge Plane1.Base 2.Collector0.700.13.Emitter4.60 (typ) 4.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector — Base Voltage VC

2N2222AU Datasheet (PDF)

0.1. 2n2222aub.pdf Size:250K _optek

Product Bulletin JANTX, JANTXV, 2N2222AUBSeptember 1996Surface Mount NPN General Purpose TransistorType JANTX, JANTXV, 2N2222AUBFeature Absolute Maximum Ratings (TA = 25o C unless otherwise noted)Collector-Base Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75 VCeramic surface mount packageCollector-Emitter Voltage. . . . . . .

0.2. 2n2222aua.pdf Size:186K _optek

0.3. 2n2222aubc.pdf Size:138K _microsemi

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com RADIATION HARDENED NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/255 DEVICES LEVELS JANSM 3K Rads (Si) 2N2221A 2N2222A JANSD 10K Rads (Si) 2N2221AL 2N2222AL JANSP 30K Rads (Si) 2N2221AUA 2N2222AUA

0.4. 2n2222au.pdf Size:326K _first_silicon

SEMICONDUCTOR2N2222AUTECHNICAL DATAGeneral Purpose TransistorNPN SiliconThese transistors are designed for general purpose amplifierapplications. They are housed in the SC-323/SC-70 package which 3is designed for low power surface mount applications.Features 12compliance with RoHS requirements. We declare that the material of product SC-70 / SOT 323 ORDERING INFO

0.5. 2n2221a 2n2221al 2n2221aua 2n2221aub 2n2222a 2n2222al 2n2222aua 2n2222aub.pdf Size:377K _aeroflex

Radiation Hardened NPN Silicon Switching Transistors2N2221A, 2N2221AL, 2N2221AUA, 2N2221AUB2N2222A, 2N2222AL, 2N2222AUA, 2N2222AUBFeatures Qualified to MIL-PRF-19500/255 Levels: CommericalJANSJANSM-3K Rads (Si) JANSD-l0K Rads (Si) JANSP-30K Rads (Si) JANSL-50K Rads (Si) JANSR-l00K Rads (Si) TO-18 (TO-206AA), Surface mount UA & UB PackagesAbsolute Maximum Ra

Биполярный транзистор 2N2222AUA — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N2222AUA

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30

Корпус транзистора:

2N2222AUA
Datasheet (PDF)

0.1. 2n2222aua.pdf Size:186K _optek

0.2. 2n2221a 2n2221al 2n2221aua 2n2221aub 2n2222a 2n2222al 2n2222aua 2n2222aub.pdf Size:377K _aeroflex

6.1. 2n2222aub.pdf Size:250K _optek

6.2. 2n2222aubc.pdf Size:138K _microsemi

6.3. 2n2222au.pdf Size:326K _first_silicon

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

P2N2222 Datasheet (PDF)

0.1. mtp2n2222a p2n2222a.pdf Size:238K _motorola

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby P2N2222A/DAmplifier TransistorsNPN SiliconP2N2222ACOLLECTOR12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit

0.2. p2n2222a-d.pdf Size:164K _onsemi

P2N2222AAmplifier TransistorsNPN SiliconFeatures These are Pb—Free Devices*http://onsemi.comCOLLECTOR1MAXIMUM RATINGS (TA =25C unless otherwise noted)Characteristic Symbol Value Unit2BASECollector—Emitter Voltage VCEO 40 VdcCollector—Base Voltage VCBO 75 Vdc3Emitter—Base Voltage VEBO 6.0 VdcEMITTERCollector Current — Continuous IC 600 mAdcTotal Devi

0.3. p2n2222ag.pdf Size:165K _onsemi

0.4. p2n2222 a.pdf Size:240K _cdil

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR SWITCHING TRANSISTORS P2N2222P2N2222AEBCTO-92Complementary Silicon Transistors For Switching And Linear Applications DC Amplifier & Driver For Industrial Applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified)DESCRIPTION SYMBOL 2222 2222A UNITColle

VN2222LL MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: VN2222LL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.4
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20
V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.15
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Выходная емкость (Cd): 60
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 10
Ohm

Тип корпуса:

VN2222LL
Datasheet (PDF)

0.1. vn2222ll.rev1.pdf Size:68K _motorola

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby VN2222LL/DTMOS FET TransistorN Channel EnhancementVN2222LL3 DRAINMotorola Preferred Device2GATE1 SOURCEMAXIMUM RATI

0.2. vn10lls vn0605t vn0610ll vn2222ll.pdf Size:51K _vishay

VN10LLS, VN0605T, VN0610LL, VN2222LLVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETsPRODUCT SUMMARYPart Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID Min (A)VN10LLS 5 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.32VN0605T 5 @ VGS = 10 V 0.8 to 3.0 0.1860VN0610LL 5 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 0.28VN2222LL 5 @ VGS = 10 V 0.6 to 2.5 0.23FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low On-Resistance: 2.5 W

0.3. vn2222ll.pdf Size:17K _diodes

N-CHANNEL ENHANCEMENTVN2222LLMODE VERTICAL DMOS FETISSUE 2 FEB 94S G DTO92ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.PARAMETER SYMBOL VALUE UNITDrain-Source Voltage VDS 60 VContinuous Drain Current at Tamb = 25C ID 150 mAPulsed Drain Current IDM 1AGate Source Voltage VGS 40 VPower Dissipation at Tamb = 25C Ptot 400 mWOperating and Storage Temperature Range Tj:Tstg -55 to

0.4. vn2222llg.pdf Size:92K _onsemi

VN2222LLGSmall Signal MOSFET150 mAmps, 60 VoltsN-Channel TO-92http://onsemi.comhttp://onsemi.comFeatures This is a Pb-Free Device*150 mA, 60 VRDS(on) = 7.5 WMAXIMUM RATINGSN-ChannelRating Symbol Value UnitDDrain -Source Voltage VDSS 60 VdcDrain-Gate Voltage (RGS = 1.0 MW) VDGR 60 VdcGate-Source VoltageG- Continuous VGS 20 Vdc- Non-repetitive (tp 5

Другие MOSFET… TA75321
, TA75329
, TA75333
, TA75339
, TN0104N3
, TN0104N8
, VN10LF
, VN10LP
, IRF520
, ZDM4206N
, ZDM4306N
, ZVN0120A
, ZVN0124A
, ZVN0540A
, ZVN0545A
, ZVN0545G
, ZVN1409A
.

MPS2222A Datasheet (PDF)

0.1. mps2222arlrag.pdf Size:90K _onsemi

MPS2222, MPS2222AMPS2222A is a Preferred DeviceGeneral PurposeTransistorsNPN Siliconhttp://onsemi.comFeatures Pb-Free Packages are Available*COLLECTOR3MAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value Unit BASECollector-Emitter Voltage VCEO VdcMPS2222 301MPS2222A 40EMITTERCollector-Base Voltage VCBO VdcMPS2222 60MPS2222A 75Emitter-Base Voltage VEBO VdcMPS2222 5.

0.2. mps2222arlg.pdf Size:90K _onsemi

0.3. mps2222arlrmg.pdf Size:90K _onsemi

0.4. mps2222ag.pdf Size:90K _onsemi

0.5. mps2222a.pdf Size:183K _secos

MPS2222A NPN Silicon Elektronische BauelementeGeneral Purpose Transistor RoHS Compliant ProductA suffix of «-C» specifies halogen & lead-freeTO-92COLLECTOR32BASE FEATURES 1. Epitaxial Planar Die Construction1EMITTER23. Complementary PNP Type Available (MPS2907A) . Ideal for Medium Power Amplification and Switching MAXIMUM RATINGS RATING SYMBOL VALUE

0.6. mps2222a.pdf Size:998K _lge

MPS2222ATO-92 Transistor (NPN)TO-92 1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR Features Complementary NPN Type available (MPS2907A) MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 75 VVCEO Collector-Emitter Voltage 40 VVEBO Emitter-Base Voltage 6 VDimensions in inches and (millimeters)IC Collector Current -Continuou

0.7. mps2222a.pdf Size:685K _shenzhen

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 MPS2222A TRANSISTOR (NPN ) 1. EMITTER FEATURE Complementary NPN Type available (MPS2907A) 2. BASE 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units 1 2 3 VCBO Collector-Base Voltage 75 VVCEO Collector-Emitter Voltage 40 VVEBO Emi

0.8. mps2222a.pdf Size:165K _first_silicon

SEMICONDUCTORMPS2222ATECHNICAL DATAGeneral Purpose TransistorB CNPN SiliconFEATURE DIM MILLIMETERSComplementary PNP Type available (MPS2907A)A 4.70 MAXEB 4.80 MAXGC 3.70 MAXDD 0.55 MAXE 1.00MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) F 1.27G 0.85H 0.45_Symbol Parameter Value Units HJ 14.00 0.50+L 2.30F FM 0.51 MAXVCBO Collector-Base

Биполярный транзистор FMMT2222A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: FMMT2222A

Маркировка: 1P

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора:

FMMT2222A
Datasheet (PDF)

9.1. fmmt2484.pdf Size:27K _diodes

SOT23 NPN SILICON PLANAR FMMT2484SMALL SIGNAL TRANSISTORISSUE 2 MARCH 94 T V I V EC T I D T I BSOT23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V i V I V V I I i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T I IT DITI II V V I I V I II i V V I I V I i V V I I

9.2. fmmt2369.pdf Size:34K _diodes

SOT23 NPN SILICON PLANAR FMMT2369HIGH SPEED SWITCHING TRANSISTORSFMMT2369AISSUE 3 AUGUST 1995 I TI T i i I i i I i i Ii i EC T I D T I T B T T T SOT23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T V IT II V I V V II i V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T T T

9.3. fmmt2907.pdf Size:40K _diodes

SOT23 PNP SILICON PLANARFMMT2907SWITCHING TRANSISTORFMMT2907AISSUE 3 FEBRUARY 1996 . T i i I T T T T EC T T V T I D T I T B T T SOT23 T i i ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. T T T IT i i II V I V V II i V I V V i V I V V i II I Di i i T i T T T ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb = 25C unless otherwise stated). T T T IT DITI I

Другие транзисторы… FMMT2218
, FMMT2218A
, FMMT2219
, FMMT2219A
, FMMT2221
, FMMT2221A
, FMMT2221R
, FMMT2222
, BC109
, FMMT2222AR
, FMMT2222R
, FMMT2369
, FMMT2369A
, FMMT2369R
, FMMT2484
, FMMT2484R
, FMMT2894
.

KN2222 Datasheet (PDF)

0.1. kn2222 a.pdf Size:39K _kec

SEMICONDUCTOR KN2222/ATECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION. B CFEATURES Low Leakage Current : ICEX=10nA(Max.) ; VCE=60V, VEB(OFF)=3V.N DIM MILLIMETERSLow Saturation Voltage A 4.70 MAXEK: VCE(sat)=0.3V(Max.) ; IC=150mA, IB=15mA. B 4.80 MAXGC 3.70 MAXDComplementary to the KN2907/2907A.D 0.45E 1.00F

0.2. kn2222as s.pdf Size:43K _kec

SEMICONDUCTOR KN2222S/ASTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION. EFEATURES L B LDIM MILLIMETERSLow Leakage Current _+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15: ICEX=10nA(Max.) ; VCE=60V, VEB(OFF)=3V.C 1.30 MAX2Low Saturation Voltage 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20: VCE(sat)=0.3V(Max.) ; IC=150mA, IB=15mA.1G 1

Биполярный транзистор P2N2222A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: P2N2222A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора:

P2N2222A
Datasheet (PDF)

0.1. mtp2n2222a p2n2222a.pdf Size:238K _motorola

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby P2N2222A/DAmplifier TransistorsNPN SiliconP2N2222ACOLLECTOR12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit

0.2. p2n2222a-d.pdf Size:164K _onsemi

0.3. p2n2222ag.pdf Size:165K _onsemi

2n2222 — 2n2222

Технические характеристики

Максимальные параметры

Электрические параметры

Коэффициент усиления

Комплементарная пара

Технические характеристики

Аналоги

Комплементарная пара

Характеристики

PZT2222A Datasheet (PDF)

2N2222AU Datasheet (PDF)

Биполярный транзистор 2N2222AUA — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

2N2222AUA Datasheet (PDF)

P2N2222 Datasheet (PDF)

VN2222LL MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

VN2222LL Datasheet (PDF)

MPS2222A Datasheet (PDF)

Биполярный транзистор FMMT2222A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

FMMT2222A Datasheet (PDF)

KN2222 Datasheet (PDF)

Биполярный транзистор P2N2222A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

P2N2222A Datasheet (PDF)

Похожие записи:

2N2222AUA
Datasheet (PDF)

VN2222LL
Datasheet (PDF)

FMMT2222A
Datasheet (PDF)

P2N2222A
Datasheet (PDF)