Транзистор кт819

Технические характеристики

КТ819Г(ГМ) самые мощные транзисторы в серии. У них наибольшая, по сравнению с другими, максимальная мощность рассеивания до 60 Вт (до 100 Вт) и величина пропускаемого напряжения (до 100 В). Вместе с тем самый низкий коэффициент усиления по току (H21Э) до 12.

Максимальные параметры

Приведем предельные эксплуатационные параметры КТ819Г подробней (в скобках данные для КТ819ГМ, если значения не совпадают):

  • постоянное напряжение между: К-Б до 60В (до 100В); К-Б до 5В;
  • коллекторный ток: до 10А (до 15А); импульсный до 15А (до 20А);
  • базовый ток: до 3А; импульсный до 5А;
  • мощность рассеиваемая на коллекторе: до 100Вт (с радиатором); до 2Вт (без теплоотвода);
  • температуры: кристалла до +125 oC; окружающей среды -45 до +100 oC.

Как видно из представленных данных, максимальная рассеваемая мощность PК устройства заметно снижается если не использовать радиатор. Так, для КТ819Г при температуре окружающей среды более  +25 °C она уменьшается на 0.6 Вт/°С (1 Вт/°С) с теплоотводом и на 0,015 Вт/°С (0,02 Вт/°С) без него.

Электрические параметры

Как известно, предельно допустимые значения не стоит превышать, в таких случаях с большой вероятностью выйдет из строя. Поэтому, в техописаниях кроме них приведены номинальные величины при которых допускается нормальная работа устройства. Они указываются в разделе – электрических характеристик.

Приведем значения электрических параметров КТ819Г(ГМ,Г1). Они представлены в даташит с учётом температуры вокруг изделия не более +25oC. В графе «режимы измерения» указаны условия, при которых они были получены.

Технические характеристики

Семейство кремниевых биполярных транзисторов КТ819, в зависимости от модификации, могут иметь следующие предельные эксплуатационные характеристики:

  • напряжение между: коллектором и базой от 25 до 60 В; коллектором и эмиттером (при RБЭ ≤ 100 Ом) от 40 до 100 В; базой и эмиттером – 5 В;
  • постоянный ток на коллекторе от 10 до 15 А; проходящий через базу – 3 А;
  • импульсный ток (при tи ≤ 10 мс, Q ≥ 100): коллектора от 15 до 20 А; базы– 5 А;
  • максимальная рассеиваемая мощность (при ТК ≤ 25 oC) с теплоотводом от 60 до 100 Вт и без него от 1,5 до 3 Вт;
  • температура p-n перехода от +125 до +150 oC;
  • диапазон рабочих температур от -45 до +150 oC;

Основные параметры представлены в документации от производителя. Значения приводятся с учетом температуры окружающей среды не более +25 oC. Рассмотрим их подробнее, в зависимости от классификации устройств.

В связи с тем, что транзистор устарел, современные производители указывают в его техописании только минимальный набор параметров. Более подробную информацию по серии можно найти в старой версии даташит. Там данные приведены вместе с графиками передаточных характеристик, зависимостями статического коэффициента усиления от тока эмиттера и др.

Маркировка

Изучая параметры КТ819, стоит знать и другую маркировку этой серии транзисторов. Выполняя условия отраслевого стандарта ОСТ 11.336.919-81 различные отечественные производители обозначали его так — 2Т819. Первые символы «2T» указывают на кремневые биполярные транзисторы. В старых технических описаниях данные об этих устройствах приводят вместе с рассматриваемыми в этой статье.

Технические характеристики

Сначала рассмотрим предельно допустимые характеристики. В них приведены максимальные значения, превышать которые нельзя, так как транзистор выйдет из строя. Стандартная температура, при которой производились измерения равна 25°С. Вот они:

  • напряжение К-Б:
  • 2Т819(А) UКБ max = 25 В;
  • 2Т819(Б) UКБ max = 40 В;
  • 2Т819(В_ UКБ max = 60 В;
  • напряжение К-Э (RБЭ ≤ 100 Ом, Т = Тмин – 323 К)
  • КТ819(А, АМ) UКЭ max = 40 В;
  • 2Т819(Б) UКЭ max = 80 В;
  • КТ819(Б, БМ) UКЭ max = 50 В;
  • КТ819(В, ВМ) UКЭ max = 70 В;
  • 2Т819(В) UКЭ max = 60 В
  • 2Т819(А), КТ819(Г, ГМ) UКЭ max = 100 В.
  • напряжение Б-Э UЭБ max = 5 В;
  • постоянный ток через коллектор
  • КТ819(А, Б, В, Г) IK max = 10 А;
  • 2Т8І9(А, Б, В), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) IK max = 15 А.
  • импульсный ток через коллектор (tи < 10 мс. Q ≥ 100)
  • КТ819(А, Б, В, Г) IК , и max = 15 А;
  • 2Т8І9(А, Б, В), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) IК , и max = 20 А.
  • ток через базу IБ max = З А;
  • импульсный через ток базу (tи < 10 мс, Q > 100) IБ и max = 5 А;
  • мощность (с теплоотводом при Тк ≤ 298 К)
  • КТ819(А, Б, В, Г) PK Т max = 60 Вт;
  • 2Т8І9(А, Б, В), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) PK Т max = 100 Вт.
  • мощность (без теплоотвода при Тк ≤ 298 К)
  • КТ819(А, Б, В, Г) PK = 1,5 Вт;
  • 2Т8І9(А, Б, В) PK = 3 Вт;
  • КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) PK = 2 Вт.
  • т-ра перехода
  • 2Т8І9(А, Б, В) Tп= 423 К;
  • КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) Tп = 398 К.

Для того, чтобы понять возможности транзистора, нужно рассмотреть также и его электрические характеристики. Они так же, как и в предыдущем случае измерялись при температуре +25°С. Все остальные параметры приведены рядом с результатами тестирования.

  • граничное напряжение (IК = 0,1 А, tИ ≤ 300 мкс, Q ≥ 100)
  • KT8I9(A, АМ) UКЭОгр ≤ 25 В;
  • КТ819(Б, БМ), 2Т819(В) UКЭО гр ≤ 40 В;
  • КТ819(В, ВМ), 2Т819(Б) UКЭО гр ≤ 60 В;
  • КТ819(Г, ГМ), 2Т819(А) UКЭО гр ≤ 60 В.
  • напряжение насыщения К – Э

при IК = 5 А, IБ = 0,5 А:

  • 2Т8І9(А, Б, В) UКЭ нас = 1 В;
  • КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) UКЭ нас = 2 В.

при IК = 20 А, IБ = 4 А:

2Т8І9(А, Б, В) UКЭ нас = 5 В;

при IК = 15 А, IБ = 3 А:

  • КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) UКЭ нас = 4 В.
  • напряжение насыщения база-эмиттер (IК = 5 А, IБ = 0,5 А)
  • 2Т8І9(А, Б, В) UБЭ нас = 1,5 В;
  • КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) UБЭ нас = 3 В.
  • Статический к-т передачи тока в схеме с ОЭ (UКБ = 5 В, IК = 5 А),

при Т = 298 К и Т= Тк макс:

  • 2Т8І9(А, Б, В) h21э = 20;
  • KT8I9(A, В, AM, ВМ) h21э = 15;
  • КТ819(Б, БМ) h21э = 20;
  • КТ819(Г, ГМ) h21э = 12.

при Т =213 К:

2Т8І9(А, Б, В) h21э = 9;

при Т = 233 К

  • KT8I9(A, В, AM, ВМ) h21э = 10;
  • КТ819(Б, БМ) h21э = 15;
  • КТ819(Г,(ГМ) h21э = 7.
  • частота к-та передачи в схеме с ОЭ при UКБ=5 В, Iэ = 05 А fгр = 3 (min), 5 (typ), 12 (max) МГц;
  • время выкл. (IК = 5 А, IБ = 0,5 А) tвкл = 2,5 мкс;
  • ёмкость на коллекторе (UКБ=5 В) cк = 360 (min), 600 (typ), 1000 (max) пФ;
  • пробивное напряжение К-Б (Т = 213 — 298 К, IК,= 1 мА)
  • 2Т819(А) UКБО проб = 100 В;
  • 2Т8І9(Б) UКБО проб = 80 В;
  • 2T8I9(B) UКБО проб = 60 В.
  • Обратный ток через коллектор при (UКБ =40 В)
  • КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) IКБО = 1 мА.

Аналоги

Чаще всего аналог КТ819Г ищут из-за выхода их из строя, в выходных каскадах старых советских усилителей, в которых он работает вместе с КТ818Г. Иногда такое происходит сразу в нескольких каналах. Обычно безуспешно перебрав большое количество таких транзисторов в поисках равного по коэффициенту усиления H21Э, останавливаются на импортных устройствах (в скобках комплементарные пары): MJ15023(MJ15022), 2SC5200 (2SA1943), TIP41(TIP42). В остальных случаях замену, в зависимости от схемы и решаемых задач, можно подобрать из любых похожих по характеристикам. Например, из зарубежных: TIP41C, 2N3055, 2N6292, BD711, MJ3001, BD243. Из отечественных: КТ834, КТ841, КТ847, КТ729А.

Распиновка

Цоколевка КТ819 зависит от его назначения. В советские времена устройство выпускали в двух вариантах корпусов: пластиковом КТ-28 (аналог зарубежного ТО-220) и металлостеклянном КТ-9(ТО-3). В настоящее время такое разделение продолжается и встречается в некоторых технических описаниях. Рассмотрим поподробней расположение выводов у указанного транзистора в пластмассовой упаковке КТ-28, cлева на право у него: эмиттер (Э), коллектор (К), база (Б).

Подобные устройства, особенно в металлическом корпусе, встречаются на российском рынке с каждым годом все реже. Это происходит из-за практически полного сокращения их производства в нашей стране и наличия в большом количестве недорогих аналогов от зарубежных компаний. Вот так выглядит КТ819 в корпусе КТ-9.

Если смотреть на него снизу, то база расположена слева, эмиттер справа. Металлическая подложка-корпус — это коллектор. Рассмотрим другие данные этой серии полупроводниковых триодов.

Похожие записи:

Активное, емкостное и индуктивное сопротивление. закон ома для цепей переменного тока Ретро проводка в современном доме Где используется фидерный кабель Default ThumbnailМаркировка smd компонентов: кодовые обозначения Как сделать веб-приложение для вашего собственного bluetooth low energy девайса? Как подключить усилитель в машине