Транзисторы кт819 и кт818 (а-г, ам...гм) характеристики, цоколевка (datasheet)

Цоколевка

Распиновка КТ818 зависит от его исполнения. Как говорилось ранее, эти транзисторы бывают двух видов: пластиковой упаковке КТ-28 (аналог импортного ТО220) и металлостеклянной КТ-9(ТО3). Обозначение типа приводится на корпусе. Таким устройство впервые появилось еще во времена СССР и с тех пор никак не изменилось. В техническом описании обычно указаны оба варианта.

Внимательно рассмотрим цоколевку у КТ-28. Если смотреть на обозначение транзистора, то слева будет эмиттер (Э), в центре коллектор (К), а справа база (Б).

В металлостеклянном корпусе КТ818 практически перестали выпускать. Связано это с их моральным устареванием и непригодностью применения при создании новой техники. Старое оборудование, в котором они использовались ранее, уже сильно уступает современным техническим новинкам по своим параметрам. В тоже время их можно использовать в учебных целях и ремонта оборудования советских времен.

На рисунке ниже указано расположение выводов для КТ818(КТ-9). Если перевернуть транзистор и посмотреть на него, то вывод Б будет слева, а Э справа. Корпус устройства – это контакт К.

Технические характеристики

Сначала рассмотрим предельно допустимые характеристики. В них приведены максимальные значения, превышать которые нельзя, так как транзистор выйдет из строя. Стандартная температура, при которой производились измерения равна 25°С. Вот они:

напряжение К-Б:
2Т819(А) U_{КБ max}= 25 В;
2Т819(Б) U_{КБ max}= 40 В;
2Т819(В_ U_{КБ max}= 60 В;
напряжение К-Э (R_БЭ ≤ 100 Ом, Т = Т_мин – 323 К)
КТ819(А, АМ) U_{КЭ max} = 40 В;
2Т819(Б) U_{КЭ max} = 80 В;
КТ819(Б, БМ) U_{КЭ max} = 50 В;
КТ819(В, ВМ) U_{КЭ max} = 70 В;
2Т819(В) U_{КЭ max} = 60 В
2Т819(А), КТ819(Г, ГМ) U_{КЭ max} = 100 В.
напряжение Б-Э U_{ЭБ max} = 5 В;
постоянный ток через коллектор
КТ819(А, Б, В, Г) I_{K max} = 10 А;
2Т8І9(А, Б, В), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) I_{K max} = 15 А.
импульсный ток через коллектор (t_и < 10 мс. Q ≥ 100)
КТ819(А, Б, В, Г) I_{К , и max} = 15 А;
2Т8І9(А, Б, В), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) I_{К , и max} = 20 А.
ток через базу I_{Б max} = З А;
импульсный через ток базу (t_и < 10 мс, Q > 100) I_{Б и max} = 5 А;
мощность (с теплоотводом при Т_к ≤ 298 К)
КТ819(А, Б, В, Г) P_{K Т max} = 60 Вт;
2Т8І9(А, Б, В), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) P_{K Т max} = 100 Вт.
мощность (без теплоотвода при Т_к ≤ 298 К)
КТ819(А, Б, В, Г) P_K = 1,5 Вт;
2Т8І9(А, Б, В) P_K = 3 Вт;
КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) P_K = 2 Вт.
т-ра перехода
2Т8І9(А, Б, В) T_п= 423 К;
КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) T_п = 398 К.

Для того, чтобы понять возможности транзистора, нужно рассмотреть также и его электрические характеристики. Они так же, как и в предыдущем случае измерялись при температуре +25°С. Все остальные параметры приведены рядом с результатами тестирования.

граничное напряжение (I_К = 0,1 А, t_И ≤ 300 мкс, Q ≥ 100)
KT8I9(A, АМ) U_КЭО_гр ≤ 25 В;
КТ819(Б, БМ), 2Т819(В) U_{КЭО гр} ≤ 40 В;
КТ819(В, ВМ), 2Т819(Б) U_{КЭО гр} ≤ 60 В;
КТ819(Г, ГМ), 2Т819(А) U_{КЭО гр} ≤ 60 В.
напряжение насыщения К – Э

при I_К = 5 А, I_Б = 0,5 А:

2Т8І9(А, Б, В) U_{КЭ нас} = 1 В;
КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) U_{КЭ нас} = 2 В.

при I_К = 20 А, I_Б = 4 А:

2Т8І9(А, Б, В) UКЭ нас = 5 В;

при I_К = 15 А, I_Б = 3 А:

КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) U_{КЭ нас} = 4 В.
напряжение насыщения база-эмиттер (I_К = 5 А, I_Б = 0,5 А)
2Т8І9(А, Б, В) U_{БЭ нас} = 1,5 В;
КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) U_{БЭ нас} = 3 В.
Статический к-т передачи тока в схеме с ОЭ (U_КБ = 5 В, I_К = 5 А),

при Т = 298 К и Т= Т_{к макс}:

2Т8І9(А, Б, В) h_21э = 20;
KT8I9(A, В, AM, ВМ) h₂₁_э = 15;
КТ819(Б, БМ) h_21э = 20;
КТ819(Г, ГМ) h_21э = 12.

при Т =213 К:

2Т8І9(А, Б, В) h21э = 9;

при Т = 233 К

KT8I9(A, В, AM, ВМ) h₂₁_э = 10;
КТ819(Б, БМ) h_21э = 15;
КТ819(Г,(ГМ) h_21э = 7.
частота к-та передачи в схеме с ОЭ при U_КБ=5 В, I_э = 05 А f_гр = 3 (min), 5 (typ), 12 (max) МГц;
время выкл. (I_К = 5 А, I_Б = 0,5 А) t_вкл = 2,5 мкс;
ёмкость на коллекторе (U_КБ=5 В) c_к = 360 (min), 600 (typ), 1000 (max) пФ;
пробивное напряжение К-Б (Т = 213 — 298 К, I_К,= 1 мА)
2Т819(А) U_{КБО проб} = 100 В;
2Т8І9(Б) U_{КБО проб} = 80 В;
2T8I9(B) U_{КБО проб} = 60 В.
Обратный ток через коллектор при (U_КБ =40 В)
КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) I_КБО = 1 мА.

Datasheet Download — Integral

Номер произв
KT816

Описание
PNP Transistor
Производители
Integral
логотип

1Page
No Preview Available !
КТ816

p-n-p кремниевый

биполярный транзистор
Назначение

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в

ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Зарубежные прототипы

• Прототип КТ816Б – BD234

• Прототип КТ816В – BD236

• Прототип КТ816Г – BD238

Особенности

• Диапазон рабочих температур корпуса от — 60 до + 150°C

• Комплиментарная пара – КТ817

Обозначение технических условий

• аАО. 336.186 ТУ / 02

Корпусное исполнение

• пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126) – КТ816А, Б, В, Г

• пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK) — КТ816А9, Б9, В9, Г9

Назначение выводов
Вывод

(корпус КТ-27)

№1

№2

№3

Назначение

(корпус КТ-27)

Эмиттер
Коллектор
База
Вывод

(корпус КТ-89)

№1

№2

№3

КТ-27

КТ-89

Назначение

(корпус КТ-89)

База
Коллектор
Эмиттер

КТ816 (январь 2011г., редакция 1.0)

No Preview Available !
Таблица 1. Основные электрические параметры КТ816 при Токр. среды = 25 °С

Паpаметpы

Граничное напряжение колл-эмит

КТ816А, А9

КТ816Б, Б9

КТ816В, В9

КТ816Г, Г9

Обратный ток коллектора

КТ816А, А9

КТ816Б, Б9

КТ816В, В9

КТ816Г, Г9

Обратный ток коллектор-эмиттер

КТ816А, А9

КТ816Б, Б9

КТ816В, В9

КТ816Г, Г9

Статический коэффициент передачи тока

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Обозна-

чение

Uкэо гp.

Iкбо

Iкэr

h21э

Uкэ нас

Ед. изм. Режимы измеpения Min

B Iэ=0,1A, tи=0,3÷1 мс

25
45
60
80
мкА

Uкэ=40 В

—

Uкэ=45 В

—

Uкэ=60 В

—

Uкэ=100 В

—
мкА

Uкэ=40 В, Rбэ≤ 1 кОм —

Uкэ=45 В, Rбэ≤ 1 кОм

Uкэ=60 В, Rбэ≤ 1 кОм

Uкэ=100В, Rбэ≤ 1 кОм

—
—
—

Uкб=2 B, Iэ=1A

В Iк=1 A, Iб=0,1A

—
Max
—
—
—
100
100
100
100
200
200
200
200
275
0,6

Таблица 2. Предельно допустимые электрические режимы КТ816

Параметры

Напряжение коллектор-эмиттер (Rэб ≤ 1кОм)

КТ816А, А9

КТ816Б, Б9

КТ816В, В9

КТ816Г, Г9

Напряжение эмиттер-база

Постоянный ток коллектора
Импульсный ток коллектора
Максимально допустимый постоянный ток базы
Рассеиваемая мощность коллектора
Температура перехода
Обозначение

Uкэ max

Uэб max

Iк max

Iки max

Iб max

Pк max

Tпер

Единица

измер.

В
В
А
А
А
Вт
°C
Значение
40
45
60
100
5
3
6
1
25
150

КТ816 (январь 2011г., редакция 1.0)

No Preview Available !
ОАО «ИНТЕГРАЛ», г

Минск, Республика Беларусь

Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой

учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.

ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик

изделий без предварительного уведомления.

Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные прототипы не подразумевают

полного совпадения конструкции иили технологии

Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является

ближайшим или функциональным аналогом.

Контактная информация предприятия доступна на сайте

http://www.integral.by

КТ816 (январь 2011г., редакция 1.0)

Всего страниц
3 Pages
Скачать PDF

Технические характеристики

КТ818Г является самым мощным транзистором в своей серии, если не брать во внимание устройства в металлостеклянном корпусе. Среди своих собратьев он способен выдерживать наибольшее возможное напряжение между коллектором (К) и эмиттером (Б) (Uкэ макс), однако имеет самый низкий коэффициент усиления по току (H21э)

Далее рассмотрим максимальные параметры поподробнее.

Максимальные параметры

Максимальные параметры КТ818Г:

постоянное напряжение: К-Э U_{кэ макс} до 90 В (при R_эб < 1 кОм); К-Б U_{кб макс} до 90 В; Э-Б U_{кэ макс} до 5 В;
коллекторный ток: I_к до 10 А; импульсный I_к_имп. до 15 А;
ток базы: I_б до 3 А; импульсный I_б_имп. до 5 А;
рассеиваемая мощность ограничена корпусом (при Т_Корп. до +25 oC) P_{к макс}до 1,5 Вт; до 60 Вт (с радиатором);
диапазон температур окружающей среды (Т_{окр. среды}): -40 … +100 oC;
температура кристалла до +125 oC.

Превышение указанных максимальных параметров недопустимо, чаще всего приводит к порче и выходу устройства из строя

Для переменного тока длительность импульса (tи) должна быть менее 10 мс, а скважности (Q) более 100

Для предотвращения перегрева устройства, особенно при больших нагрузках, желательно применение радиатора. В случае превышения Т_Корп.более +25 oC рассеиваемая на коллекторе мощность P_{к макс}снижается линейно на 0,015 Вт/ oC, с применением теплоотвода на 0,6 Вт/оС.

При монтаже на плату, находящуюся под напряжением, вывод базы (Б) должен паяться в первую очередь, а отпаиваться в последнюю. Допустимый статический потенциал до 1 кВ.

Электрические параметры

Ниже представлены основные электрические характеристики взятые из даташит на КТ818Г белорусского предприятия электронной промышленности ОАО «Интеграл». Аналогичные параметры будут и у других современных производителей. Все значения представлены для температуры окружающей среды до +25 oC.

Аналоги

Многие радиолюбители, разочаровавшиеся в качестве отечественного КТ818Г, ищут его импортный аналог, но не находят полноценной замены. Вместе с тем, технологии изготовления подобных устройств ушли далеко вперёд и на рынке как отечественной, так и зарубежной радиоэлектроники появилось много достойных для него альтернатив. Вот самые популярные: BD304, MJE2955T, 2SA1962, MJL21193, MJL21195, 2SA1386, BD911, 2SA1943N. С меньшим коллекторным током возможной заменой могут быть: 2N6107, TIP42С.

Из отечественных транзисторов функциональным аналогом считается КТ8102. Немного другой корпус (КТ-431) имеет новый КТ818Г1, но по остальным характеристикам он практически идентичен рассматриваемому. В случае наличия места на плате, можно рекомендовать более мощный транзистор в металлостеклянном корпусе КТ818ГМ (он же зарубежный BDX18).

Распиновка

Цоколевка КТ819 зависит от его назначения. В советские времена устройство выпускали в двух вариантах корпусов: пластиковом КТ-28 (аналог зарубежного ТО-220) и металлостеклянном КТ-9(ТО-3). В настоящее время такое разделение продолжается и встречается в некоторых технических описаниях. Рассмотрим поподробней расположение выводов у указанного транзистора в пластмассовой упаковке КТ-28, cлева на право у него: эмиттер (Э), коллектор (К), база (Б).

Подобные устройства, особенно в металлическом корпусе, встречаются на российском рынке с каждым годом все реже. Это происходит из-за практически полного сокращения их производства в нашей стране и наличия в большом количестве недорогих аналогов от зарубежных компаний. Вот так выглядит КТ819 в корпусе КТ-9.

Если смотреть на него снизу, то база расположена слева, эмиттер справа. Металлическая подложка-корпус — это коллектор. Рассмотрим другие данные этой серии полупроводниковых триодов.

Транзисторы кт819 и кт818 (а-г, ам…гм) характеристики, цоколевка (datasheet)

Цоколевка

Технические характеристики

Datasheet Download — Integral

Технические характеристики

Максимальные параметры

Электрические параметры

Аналоги

Распиновка

Похожие записи: