Транзистор 2n3906

Принципиальная схема

Принципиальная схема передатчика показана на рисунке 1. Передатчик излучает мощность около 0,1 Вт при напряжении питания 9В. Напряжение питания может быть снижено до 6В, при этом мощность снизится примерно в два раза.

Особенность схемы передатчика в том, что его транзисторы, один из которых работает в задающем генераторе (VT1), а другой (VT2) в усилителе мощности включены по схеме составного транзистора.

Рис. 1. Принципиальная схема радиопередатчика для DTMF-сигнала на транзисторах 2N3906.

Частота генерации устанавливается кварцевым резонатором Q1. Он должен быть на частоту в диапазоне «27 МГц» или на частоту меньше в два или три раза. При этом передатчик будет работать на второй или третей гармонике кварцевого резонатора. Схема амплитудной модуляции здесь очень простая, она получена экспериментальным путем.

На базу транзистора VT1 поступает напряжение через резистор R1. От него зависит амплитуда сигнала на выходе. Этот резистор сделан подстроечным, и на его ползунок через конденсатор С6 подается напряжение ЗЧ от DTMF-кодера или другого источника НЧ сигнала. Подстраивая R1 можно выбрать оптимальный режим модуляции. В крайне нижнем положении амплитудная модуляция отсутствует.

При движении вверх по схеме она увеличивается, но в какой-то момент амплитуда ВЧ сигнала на выходе передатчика начинает падать, и генерация срывается из-за того, что НЧ сигнал модуляции начинает ВЧ сигнал на базе VT1, шунтируя его.

Усилитель мощности выполненный на транзисторе VT2 получает ВЧ-напряжение и напряжение смещения, необходимое для работы с эмиттера транзистора VT1.

Колебательный контур L1-C5 включенный в его коллекторной цепи должен быть настроен на частоту передачи. То есть, при использовании резонатора на частоту канала — на частоту резонатора.

А при использовании резонатора для работы на второй или третьей гармонике — соответственно, на частоту в два или три раза больше частоты используемого резонатора.

Катушка L2 служит для обеспечения согласования контура с антенной, в качестве которой можно использовать проволочный штырь или «подвеску» из монтажного провода.

Рис. 2. Принципиальная схема радиоприемника для DTMF-сигнала на транзисторах 2N3906 и 2N3904.

Приемный тракт (рис. 2) выполнен на трех транзисторах.

На транзисторах VТ1 и VТ2 выполнен регенеративный детектор, а транзистор VТ3 работает в качестве предварительного усилителя продетектированного сигнала. Сигнал от антенны поступает на коллекторный контур L1-C2, настроенный на такую же частоту, что и контур передатчика. Конденсатор С1 является разделительным.

На транзисторах VТ1 и VТ2 выполнена схема генератора, частота генерации которого устанавливается контуром L1-C2. Но питание на этот генератор поступает через резистор R1 от подстроечного резистора R2, которым можно регулировать напряжение питание данного генератора. Этим резистором устанавливается регенеративный режим работы каскада.

При этом, каскад работает как регенеративный детектор, обладая существенной чувствительностью и селективностью. Выходом детектора является точка соединения эмиттеров VТ1 и VТ2 с резистором R1. Отсюда демодулированный сигнал через LC-фильтр С4-L2-C5 поступает на усилительный каскад на транзисторе VТ3.

Налаживание

Для контроля излучения антенны удобно пользоваться индикатором излучения, состоящим из достаточно высокочастотного осциллографа (например, С1-65А) и объемной катушкой, подключенной на его входе (объемная катушка может быть бескаркасной, диаметром около 50-70 мм, намотанная 5-6 витков толстого намоточного провода). Для контроля излучения осциллограф с катушкой нужно расположить на расстоянии 1-1,5 метра от антенны передатчика.

Подключив ту антенну, с которой будет работать передатчик в дальнейшем, подайте на передатчик питание. Подстраивая контур L1-C5 и наблюдая за изображением на экране осциллографа, добейтесь изображения максимальной неискаженной амплитуды синусоиды.

При настройке следите за тем, чтобы частота сигнала была именно в диапазоне 27 МГц, а не на гармонике (например, 13,5 МГц или 54 МГц). Это можно легко определить по осциллографу (рассчитав по периоду согласно координатной сетке не его экране).

Ток потребления передатчиком должен быть около 30 миллиампер. Затем, подайте на вход модулирующий сигнал. Переключите осциллограф на контроль НЧ сигнала.

Если ползунок R1 находится внизу (по схеме) на экране будет широкая полоса ВЧ сигнала. Постепенно поворачивайте R1. Полоса начнет приобретать форму модулирующего сигнала. Подстройкой R1 выставите глубину модуляции 30-50%. Это будет оптимально. Но можно поэкспериментировать с положением R1.

При его дальнейшем движении вверх (по схеме) сначала глубина AM будет увеличиваться, а затем начинает снижаться максимальная амплитуда ВЧ сигнала, и далее, генерация срывается.

В качестве контрольного сигнала для налаживания приемника удобно использовать сигнал готового передатчика. Подключите к приемнику ту антенну, с которой он будет работать в дальнейшем. Подстроечный резистор R2 установите в среднее положение. Подключите осциллограф к точке соединения эмиттеров транзисторов VT1 и VT2 (рис.2).

При выключенном передатчике здесь должно быть какое-то постоянное напряжение. Если есть генерация -подстройкой R2 сбейте генерацию. Включите передатчик и подайте на его вход модулирующий сигнал.

На эмиттерах VT1 и VT2 должно появиться ВЧ-напряжение, с огибающей, соответствующей модулирующему сигналу (смотреть, переключив осциллограф на наблюдение НЧ сигнала). Подстройкой контура L1-C2 (рис.2) добейтесь её максимальной амплитуды. Затем, подключите осциллограф к коллектору VТ3.

Подстройкой подстроечного резистора R2 добейтесь появления на коллекторе VТ3 НЧ-сигнала, соответствующего модулирующему. Затем, удаляя передатчик от приемника, более точно подстраивайте R2 и входной контур чтобы обеспечивалась наибольшая дальность связи.

Режим работы транзистора VТ3 устанавливается подбором сопротивления резистора R4. Нужно установить такой режим, при котором, при напряжении питания 9В на коллекторе VТ3 есть постоянное напряжение 1 В, при отсутствии сигнала передатчика. При необходимости это напряжение установите подбором сопротивления R4. На этом, можно считать налаживание законченным.

Снегирев И. РК-02-18.

Результаты подбора транзистора (поиска аналога)

Type Code  Mat  Struct  Pc  Ucb  Uce  Ueb  Ic  Tj  Ft  Cc  Hfe  Caps
2N3904    Si  NPN  0.31  60  40  6  0.2  135  300  4  40  
2N3904A    Si  NPN  1.5  60  40  6  0.2  150  300  4  100  
2N3904C    Si  NPN  0.625  60  40  6  0.2  150  300  4  100  
2N3904G    Si  NPN  0.625  60  40  6  0.2  150  300    100  
2N3904N    Si  NPN  0.4  60  40  6  0.2  150  300  3  100  TO92N
2N6719    Si  NPN  2  300  300  6  2  150      40  
2N6736    Si  NPN  35  80  45  6  5  150      40  
2SC2474    Si  NPN  0.6  60    6  0.2  150      150  
2SC2475    Si  NPN  0.6  60    6  0.6  150      200  
2SC2477    Si  NPN  0.6  60    6  0.6  150      150  
2SC4145    Si  NPN  1.2  80      2  150      200  
2SC6136  C6136  Si  NPN  0.5  600  285  8  0.7  150      100  
2SD1015    Si  NPN  0.9  140  50  50  2  150      150  
2SD1209    Si  NPN  0.9  60      1  150      4000  
2SD1388    Si  NPN  0.7  60      1  150      250  
2SD1490    Si  NPN  0.75  70      1  150      60  
2SD1642    Si  NPN  0.7  100      2  150      40  
2SD1698    Si  NPN  0.75  100      0.8  150      10000  
2SD1701    Si  NPN  0.75  1700      0.8  150      10000  
2SD1853    Si  NPN  0.7  80  60  6  1.5  150      2000  
2SD1929    Si  NPN  1.2  60      2  150      5000  
2SD1930    Si  NPN  1.2  100      2  150      5000  
2SD1931    Si  NPN  1.2  60      2  150      10000  
2SD1978    Si  NPN  0.9  120      1.5  150      10000  
2SD1981    Si  NPN  1  100  80  6  2  150      24000  
2SD2068    Si  NPN  1  60      1  150      18000  
2SD2206A    Si  NPN  0.9    120    2        2000  TO92MOD
2SD2213    Si  NPN  0.9  150  80  8  1.5  150      1000  TO92MOD
2STL2580    Si  NPN  1.5  800  400  9  1  150      60  TO92MOD
3DG3904    Si  NPN  0.625  60  40  6  0.2  150  300  4  100  
3TE440    Si  NPN  10  80      1.5  150  350    40  
3TE450    Si  NPN  5  80      0.5  150  350    40  
BCX38    Si  NPN  1  80  60  10  0.8  150      500  
BCX38A    Si  NPN  1  80  60  10  0.8  150      500  
BCX38B    Si  NPN  1  80  60  10  0.8  150      4000  
BCX38C    Si  NPN  1  80  60  10  0.8  150      6000  
BFX152    Si  NPN  0.83  100      0.3  175  500    75  
BTN3904A3    Si  NPN  0.625  60  40  6  0.2  150  300  4  100  
C266    Si  NPN  0.825    60  10  2  175      45  
CE1N2R    Si  NPN  1  60  60  15  2  150      1000  
CE2F3P    Si  NPN  1  60  60  15  2  150      1000  
ECG123AP    Si  NPN  0.5  75  40    0.8  175  300    200  
ECG2341    Si  NPN  0.8    80    1  150      2000  
H2N3904    Si  NPN  0.625  60  40  6  0.2  150  300  4  100  
HEPS0015    Si  NPN  0.31  60  40    0.6  135  300    200  
HEPS0025    Si  NPN  0.35  60  40    0.6  150  300    100  
HIT667    Si  NPN  0.9  120  100  6  1  150      140  TO92MOD
HSE424    Si  NPN  0.31  60  40      150  400    80  
KN3903    Si  NPN  0.625    40    0.2        50  
KN3904    Si  NPN  0.625  60  40  6  0.2  150  300  4  100  
KN4400    Si  NPN  0.625    40    0.6        50  
KN4401    Si  NPN  0.625    40    0.6        100  
KSC1072    Si  NPN  0.8  60  45  8  0.7  150      40  
KSP8097    Si  NPN  0.625  60  40  6  0.2  150    4  250  
KTC1006    Si  NPN  1    80    0.8  175      100  
KTC1027    Si  NPN  1    120    0.8  175      80  
KTC3227    Si  NPN  1    80    0.4  175      70  
KTC3228    Si  NPN  1    160    1  175      60  
KTC3245    Si  NPN  0.625  400  350  6  0.3  150      50  
NTE2341    Si  NPN  1  100  80  7  1        2000  
NTE46    Si  NPN  0.625  100  100  12  0.5        10000  
NTE48    Si  NPN  1  60  50  12  1        25000  
P2N2222A    Si  NPN  0.625    40    0.6    300    100  
SK3854    Si  NPN  1.2  75  40  6  0.8    300    200  
STX0560  X0560  Si  NPN  1.5  800  600  7  1  150      70  
TSC873CT    Si  NPN  1  600  400  9  0.3  150      80  
ZTX614    Si  NPN  1  120  100  10  0.8  200      20000  

Всего результатов: 67

Цоколевка

Распиновку транзистор 2N3906 имеет следующую. Чаще всего выпускаются в пластмассовом ТО-92 и весит не более 0,18 г. Этот корпус имеет три гибких вывода для дырочного монтажа. Если смотреть прямо на скошенную часть с той стороны, где нанесена маркировка, то самый левый вывод -это эмиттер, средний – база, правый – коллектор.

Компании Fairchild Semiconductor, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, Daya Electric Group, General Semiconductor, Silicon Standard, Daya Electric Group, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS также выпускают данное изделие в SOT-23. У Fairchild Semiconductor встречаются в SOT-223. Эти пластиковые корпуса, с тремя короткими выводами, предназначены для поверхностного монтажа (SMD).

2N3904S Datasheet (PDF)

0.1. 2n3904s.pdf Size:410K _kec

SEMICONDUCTOR 2N3904STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.EL B LDIM MILLIMETERSFEATURES_+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15Low Leakage CurrentC 1.30 MAX2: ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.) 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20@VCE=30V, VEB=3V.1G 1.90H 0.95Excellent DC Current Gain Linearity.J 0.13+0.1

0.2. 2n3904sc.pdf Size:699K _kec

SEMICONDUCTOR 2N3904SCTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.FEATURESLow Leakage Current: ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.)@VCE=30V, VEB=3V.Excellent DC Current Gain Linearity.Low Saturation Voltage : VCE(sat)=0.3V(Max.) @IC=50mA, IB=5mA.Complementary to 2N3906SC.MAXIMUM RATING (Ta=25)CHARACTERISTIC SYMB

 0.3. 2n3904s.pdf Size:227K _first_silicon

SEMICONDUCTOR2N3904STECHNICAL DATAGeneral Purpose Transistor We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.ORDERING INFORMATIONDevice Marking Shipping32N3904S 1AM 3000/Tape & Reel21MAXIMUM RATINGSSOT23Rating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 40 VdcCollectorBase Voltage VCBO 60 Vdc3COLLECTOREmitterBase Vo

Аналоги импортного и отечественного производства

Тип транзистора PC VCEO VEBO IC TJ fT CC hFE Тип корпуса
2N 3906A 0,625 40 5 0,2 150 250 4,5 100 ТО-92
Импортные аналоги
MMBT 390 0,35 40 5 0,2 150 250 4,5 100 SOT-23
PZT 3906 1 40 5 0,2 150 250 4,5 100 SOT-223
H2N 3906 0,625 40 5 0,2 150 250 4,5 100 ТО-92
KN 3906 0,625 40 5 0,2 150 250 4,5 100 ТО-92
2N 3905 0,625 40 5 0,2 150 200 4,5 100 ТО-92
2SB 1014 0,7 60 8 1 185 160 ТО-92
2SB 977A 0,75 50 8 1 195 3000 ТО-92
BC 327-025 0,625 45 5 0,5 150 260 10 160 ТО-92
KN 4403 0,625 40 5 0,6 150 200 8,5 100 ТО-92
KSP 75/76/77 0,625 40/50/60 10 0,5 150 10000 ТО-92
TIPP 115/116/117 0,8 60/80/100 5 2 150 1000 ТО-92
TIS 91 (M) 0,625 40 5 0,4 150 100 ТО-92
ECG 2342 0,8 80 5 1 150 200 2000 ТО-92
BSR 62 0,8 80 5 1 150 200 1000 ТО-92
Аналоги производства РФ и Республики Беларусь
КТ 6109D/G 0,625 40 5 0,5 150 144/112 ТО-92
КТ361Г/В2/Д2/К2 0,15 35 – 60 4 0,05 150 250 7 350 ТО-92
КТ502В/Г/Д /Е 0,35 40 0,15 150 5 120 ТО-92
КТ6136А 0,625 40 5 0,2 150 250 4,5 300 ТО-92
КТ313Б/В 0,3 60 5 0,35 150 200 12 300 ТО-92

Примечание: характеристики радиоэлементов в таблице взяты из даташит производителя.

Производители

Выпускают транзистор 2N3906 такие фирмы: ON Semiconductor, KEC(Korea Electronics), Fairchild Semiconductor, Unisonic Technologies, Micro Commercial Components, SeCoS Halbleitertechnologie, First Silicon, Central Semiconductor, AUK, STMicroelectronics, Inchange Semiconductor, Transys Electronics, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, Tiger Electronic, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL, Pan Jit International, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, Rohm, Daya Electric Group, Guangdong Kexin Industrial, General Semiconductor, Weitron Technology, New Jersey Semi-Conductor Products, SEMTECH ELECTRONICS, Micro Electronics, Dc Components, KODENSHI KOREA, Semtech Corporation, Silicon Standard, Nanjing International, Diodes Incorporated.

Поиск транзистора (аналога) по параметрам

Результаты подбора транзистора (поиска аналога)

Type Code  Mat  Struct  Pc  Ucb  Uce  Ueb  Ic  Tj  Ft  Cc  Hfe  Caps
2N3904    Si  NPN  0.31  60  40  6  0.2  135  300  4  40  
2N3904A    Si  NPN  1.5  60  40  6  0.2  150  300  4  100  
2N3904C    Si  NPN  0.625  60  40  6  0.2  150  300  4  100  
2N3904G    Si  NPN  0.625  60  40  6  0.2  150  300    100  
2N3904N    Si  NPN  0.4  60  40  6  0.2  150  300  3  100  TO92N
2N6719    Si  NPN  2  300  300  6  2  150      40  
2N6736    Si  NPN  35  80  45  6  5  150      40  
2SC2474    Si  NPN  0.6  60    6  0.2  150      150  
2SC2475    Si  NPN  0.6  60    6  0.6  150      200  
2SC2477    Si  NPN  0.6  60    6  0.6  150      150  
2SC4145    Si  NPN  1.2  80      2  150      200  
2SC6136  C6136  Si  NPN  0.5  600  285  8  0.7  150      100  
2SD1015    Si  NPN  0.9  140  50  50  2  150      150  
2SD1209    Si  NPN  0.9  60      1  150      4000  
2SD1388    Si  NPN  0.7  60      1  150      250  
2SD1490    Si  NPN  0.75  70      1  150      60  
2SD1642    Si  NPN  0.7  100      2  150      40  
2SD1698    Si  NPN  0.75  100      0.8  150      10000  
2SD1701    Si  NPN  0.75  1700      0.8  150      10000  
2SD1853    Si  NPN  0.7  80  60  6  1.5  150      2000  
2SD1929    Si  NPN  1.2  60      2  150      5000  
2SD1930    Si  NPN  1.2  100      2  150      5000  
2SD1931    Si  NPN  1.2  60      2  150      10000  
2SD1978    Si  NPN  0.9  120      1.5  150      10000  
2SD1981    Si  NPN  1  100  80  6  2  150      24000  
2SD2068    Si  NPN  1  60      1  150      18000  
2SD2206A    Si  NPN  0.9    120    2        2000  TO92MOD
2SD2213    Si  NPN  0.9  150  80  8  1.5  150      1000  TO92MOD
2STL2580    Si  NPN  1.5  800  400  9  1  150      60  TO92MOD
3DG3904    Si  NPN  0.625  60  40  6  0.2  150  300  4  100  
3TE440    Si  NPN  10  80      1.5  150  350    40  
3TE450    Si  NPN  5  80      0.5  150  350    40  
BCX38    Si  NPN  1  80  60  10  0.8  150      500  
BCX38A    Si  NPN  1  80  60  10  0.8  150      500  
BCX38B    Si  NPN  1  80  60  10  0.8  150      4000  
BCX38C    Si  NPN  1  80  60  10  0.8  150      6000  
BFX152    Si  NPN  0.83  100      0.3  175  500    75  
BTN3904A3    Si  NPN  0.625  60  40  6  0.2  150  300  4  100  
C266    Si  NPN  0.825    60  10  2  175      45  
CE1N2R    Si  NPN  1  60  60  15  2  150      1000  
CE2F3P    Si  NPN  1  60  60  15  2  150      1000  
ECG123AP    Si  NPN  0.5  75  40    0.8  175  300    200  
ECG2341    Si  NPN  0.8    80    1  150      2000  
H2N3904    Si  NPN  0.625  60  40  6  0.2  150  300  4  100  
HEPS0015    Si  NPN  0.31  60  40    0.6  135  300    200  
HEPS0025    Si  NPN  0.35  60  40    0.6  150  300    100  
HIT667    Si  NPN  0.9  120  100  6  1  150      140  TO92MOD
HSE424    Si  NPN  0.31  60  40      150  400    80  
KN3903    Si  NPN  0.625    40    0.2        50  
KN3904    Si  NPN  0.625  60  40  6  0.2  150  300  4  100  
KN4400    Si  NPN  0.625    40    0.6        50  
KN4401    Si  NPN  0.625    40    0.6        100  
KSC1072    Si  NPN  0.8  60  45  8  0.7  150      40  
KSP8097    Si  NPN  0.625  60  40  6  0.2  150    4  250  
KTC1006    Si  NPN  1    80    0.8  175      100  
KTC1027    Si  NPN  1    120    0.8  175      80  
KTC3227    Si  NPN  1    80    0.4  175      70  
KTC3228    Si  NPN  1    160    1  175      60  
KTC3245    Si  NPN  0.625  400  350  6  0.3  150      50  
NTE2341    Si  NPN  1  100  80  7  1        2000  
NTE46    Si  NPN  0.625  100  100  12  0.5        10000  
NTE48    Si  NPN  1  60  50  12  1        25000  
P2N2222A    Si  NPN  0.625    40    0.6    300    100  
SK3854    Si  NPN  1.2  75  40  6  0.8    300    200  
STX0560  X0560  Si  NPN  1.5  800  600  7  1  150      70  
TSC873CT    Si  NPN  1  600  400  9  0.3  150      80  
ZTX614    Si  NPN  1  120  100  10  0.8  200      20000  

Всего результатов: 67

H2N3904 Datasheet (PDF)

0.1. h2n3904.pdf Size:50K _hsmc

Spec. No. : HE6218HI-SINCERITYIssued Date : 1992.11.25Revised Date : 2005.01.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N3904NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe H2N3904 is designed for general purpose switching and amplifier applications.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature………………………………………………

8.1. h2n3906.pdf Size:51K _hsmc

Spec. No. : HE6240HI-SINCERITYIssued Date : 1992.11.25Revised Date : 2005.01.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N3906PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe H2N3906 is designed for general purpose switching and amplifier applications.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature………………………………………………

Детали

Катушки L1 передатчика и приемника имеют сходную конструкцию. Они намотаны на цилиндрических каркасах диаметром 6 мм и длиной 12 мм с подстроечным сердечником из карбонильного железа.

Катушки содержат по 15 витков провода ПЭВ 0,31, виток к витку. Катушка передатчика имеет отвод от середины, и на неё намотана катушка связи L2 (рис.1), которая содержит 5 витков того же провода.

Катушка L2 (рис.2) намотана на ферритовом кольце внешним диаметром 7 мм из феррита проницаемостью 400-2000. Она содержит 100 витков провода ПЭВ 0,12.

Неполярные конденсаторы — КМ, КД, КТ, К10-7 или импортные аналоги. Электролитические конденсаторы — импортные аналоги К50-35. Транзистор 2N3904 можно заменить на КТ3102, КТ368. Транзисторы 2N3906 можно заменить на КТ3107. Налаживание следует начать с передатчика.

Биполярный транзистор KN3904S — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KN3904S

Маркировка: ZCA

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора:

KN3904S
Datasheet (PDF)

0.1. kn3904s.pdf Size:71K _kec

SEMICONDUCTOR KN3904STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION. EFEATURES L B LDIM MILLIMETERS Low Leakage Current _+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15: ICEX=50nA(Max.) ; @VCE=30V, VEB=3V.C 1.30 MAX2 Low Saturation Voltage 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20: VCE(sat)=0.3V(Max.) ; IC=50mA, IB=5mA.1G 1.90H

8.1. kn3904.pdf Size:71K _kec

SEMICONDUCTOR KN3904TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B CFEATURES Low Leakage Current: ICEX=50nA(Max.), @VCE=30V, VEB=3V.N DIM MILLIMETERS Low Saturation Voltage A 4.70 MAXEK: VCE(sat)=0.3V(Max.) @IC=50mA, IB=5mA. B 4.80 MAXGC 3.70 MAXD Complementary to KN3906.D 0.45E 1.00F 1.27G 0.85H 0

 9.1. kn3906.pdf Size:71K _kec

SEMICONDUCTOR KN3906TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B CFEATURES Low Leakage Current: ICEX=-50nA(Max.), @VCE=-30V, VEB=-3V.N DIM MILLIMETERS Low Saturation Voltage A 4.70 MAXEK: VCE(sat)=-0.4V(Max.) @IC=-50mA, IB=-5mA. B 4.80 MAXGC 3.70 MAXD Complementary to KN3904.D 0.45E 1.00F 1.27G 0.8

9.2. kn3906s.pdf Size:72K _kec

SEMICONDUCTOR KN3906STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION. EFEATURES L B LDIM MILLIMETERS Low Leakage Current _+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15: ICEX=-50nA(Max.) ; @VCE=-30V, VEB=-3V.C 1.30 MAX2 Low Saturation Voltage 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20: VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-50mA, IB=-5mA.1G 1.

 9.3. kn3905s.pdf Size:425K _kec

SEMICONDUCTOR KN3905STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION. EFEATURES L B LDIM MILLIMETERSLow Leakage Current _+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15: ICEX=-50nA(Max.) ; @VCE=-30V, VEB=-3V.C 1.30 MAX2Low Saturation Voltage 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20: VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-50mA, IB=-5mA.1G

Другие транзисторы… KN2222S
, KN2907
, KN2907A
, KN2907AS
, KN2907S
, KN3903
, KN3903S
, KN3904
, 2N5551
, KN3905
, KN3905S
, KN3906
, KN3906S
, KN4400
, KN4400S
, KN4401
, KN4401S
.

Графические данные

Рис.1 Зависимость коэффициента усиления по току hFE от величины тока коллектора IC при различных температурах (VCE – напряжение коллектор-эмиттер).

Рис.2 Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) от тока коллектора (IB – ток перехода база-эмиттер).

Рис.3 Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер VBE(sat) от тока коллектора (IB – ток перехода база-эмиттер).

Рис.4 Зависимость напряжения включения база-эмиттер VBE(ON) тока коллектора (VCE – напряжение коллектор-эмиттер).

Рис.5 Зависимость тока выключения ICBO транзистора от температуры окружающей среды Ta (VCB – напряжение коллектор-база).

Рис.6 Зависимость рассеиваемой транзистором мощности (PC) от температуры окружающей среды Ta.

Рис.7 Зависимость коэффициента усиления тока hfe от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).

Рис.8 Зависимость полной выходной проводимости hoe от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).

Рис.9 Зависимость величины входного импеданса от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).

Рис.10 Зависимость коэффициента обратной связи по напряжению hre от тока коллектора IC.

Рис.11 Зависимости емкостей переходов эмиттер-база (Cob) и коллектор-база (Cib) от величин напряжений обратного смещения переходов эмиттер-база (VEB) и коллектор-база (VCB).

Рис.12 Зависимость коэффициента шума транзистора (NF) от частоты передаваемого сигнала f (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, IC – ток коллектора, RS – выходное сопротивление источника сигнала).

Рис.13 Зависимость коэффициента шума транзистора (NF) от величины внутреннего сопротивления источника сигнала (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, IC – ток коллектора, f – частота входного сигнала, поступающего от внешнего источника).

Рис.14 Зависимости отрезков времени переключения (t) от величины тока коллектора (IC) (IB1, IB2 – значения тока базы при переключениях; td – время задержки переключения; tr – время нарастания выходного сигнала; tf – время спадания выходного сигнала; ts – время рассасывания объемного заряда (или — время сохранения tstg)).

Рис.15 Зависимости времени включения (ton) и выключения (toff) от величины коллекторного тока IC (VBE(OFF) – напряжение база-эмиттер при выключении; IB1, IB2 – значения тока базы при включении и выключении).

Рис.16 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени задержки (td) и времени нарастания (tr). Коэффициент заполнения импульсной последовательности 2%.

Рис.17 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени рассасывания (tstg) заряда коллекторного перехода и времени спадания (tf). Коэффициент заполнения импульсной последовательности 2%. CS – суммарная емкость монтажа и коннекторов.

KN3904S Datasheet (PDF)

0.1. kn3904s.pdf Size:71K _kec

SEMICONDUCTOR KN3904STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION. EFEATURES L B LDIM MILLIMETERS Low Leakage Current _+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15: ICEX=50nA(Max.) ; @VCE=30V, VEB=3V.C 1.30 MAX2 Low Saturation Voltage 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20: VCE(sat)=0.3V(Max.) ; IC=50mA, IB=5mA.1G 1.90H

8.1. kn3904.pdf Size:71K _kec

SEMICONDUCTOR KN3904TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B CFEATURES Low Leakage Current: ICEX=50nA(Max.), @VCE=30V, VEB=3V.N DIM MILLIMETERS Low Saturation Voltage A 4.70 MAXEK: VCE(sat)=0.3V(Max.) @IC=50mA, IB=5mA. B 4.80 MAXGC 3.70 MAXD Complementary to KN3906.D 0.45E 1.00F 1.27G 0.85H 0

 9.1. kn3906.pdf Size:71K _kec

SEMICONDUCTOR KN3906TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. B CFEATURES Low Leakage Current: ICEX=-50nA(Max.), @VCE=-30V, VEB=-3V.N DIM MILLIMETERS Low Saturation Voltage A 4.70 MAXEK: VCE(sat)=-0.4V(Max.) @IC=-50mA, IB=-5mA. B 4.80 MAXGC 3.70 MAXD Complementary to KN3904.D 0.45E 1.00F 1.27G 0.8

9.2. kn3906s.pdf Size:72K _kec

SEMICONDUCTOR KN3906STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION. EFEATURES L B LDIM MILLIMETERS Low Leakage Current _+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15: ICEX=-50nA(Max.) ; @VCE=-30V, VEB=-3V.C 1.30 MAX2 Low Saturation Voltage 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20: VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-50mA, IB=-5mA.1G 1.

 9.3. kn3905s.pdf Size:425K _kec

SEMICONDUCTOR KN3905STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION. EFEATURES L B LDIM MILLIMETERSLow Leakage Current _+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15: ICEX=-50nA(Max.) ; @VCE=-30V, VEB=-3V.C 1.30 MAX2Low Saturation Voltage 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20: VCE(sat)=-0.4V(Max.) ; IC=-50mA, IB=-5mA.1G

Замена импортных транзисторов отечественными

Аналоги и возможные замены
Тип Аналог Возможная замена Примечания
MJEF34   КТ816 Любой мощный рпр-транзистор с максимальным током коллектора большим 3 А
TIP42   КТ816  
2SK58   КПС315А, Б  
2N5911   Обычные ПТ  
U441   КП303Д, Е; КП307Г, Д;КПЗ12; КП323;КП329; КП341;КП364Д, Е  
U444   КП303Д, Е; КП307Г, Д;КП312; КП323,КП329; КП341;КП364Д, Е  
MPF102   КП303Д, Е В этой схеме можно применить любой высокочастотный полевой транзистор с каналом ri-типа и изоляцией рп-переходом. При наладке схемы может понадобиться подобрать резисторы в цепях затворов и/или истоков. Предпочтение следует отдавать транзисторам с наибольшим и начальными токами стока, малым пороговым напряжением и уровнем шума на ВЧ
MPS3866   КТ368 В этой схеме можно применить любой высокочастотный биполярный прп-транзистор. Предпочтение следует отдавать транзисторам с малым уровнем шума на ВЧ
25139 КП327А,В КП346А-9; КП382А  
1N754   КС162  
1N757A   КС182  
2N3563   КТ6113; КТ375;КТ345; КТ315;КТ3142; КТ3102Г,Е  
2N3565   КТ6113; КТ375;КТ345; КТ315;КТ3142; КТ3102Г,Е  
2N3569   КТ6113; КТ375;КТ345; КТ315;КТ3142; КТ3102Г,Е  
BFR90 КТ3198А КТ371А, КТ3190А  
MPS3866 КТ939А    
MRF557   КТ948; КТ996Б-2;КТ9141; КТ9143;КТ919; КТ938  
MRF837   КТ634; КТ640; КТ657Б-2  
MV2101   KB102; KB107А,В  
2N4401 КТ6103 КТ504  
2N4403 КТ6102, КТ6116 КТ505  
ВС547В КТ3102    
ВС549С КТ3102    
ВС557В KТ3107    
BD139 КТ815    
BD140 КТ814    
2N5771 КТ363АМ    
ВС548 КТ3102    
ВС557 КТ3107    
TIP111 КТ716    
TIP116 КТ852    
TIP33B КТ865    
TIP34B КТ864    
2SC2092   КТ981, КТ955А,КТ9166А, КТ9120  
MRF475   КТ981, КТ955А,КТ9166А, КТ9120  
40673   КП350, КП306,КП327, КП347,КП382  
2N4124 КТ3102Д    
J309   КП303Д, Е; КП307Г, Д;КПЗ12, КП323;КП329; КП341;КП364Д, Е  
MPS2907 КТ313    
2N3414   КТ645  
2N4403 КТ6102, КТ6116 КТ505  
3055Т КТ8150А    
ВС517   КТ972  
IRF9Z30   КП944  
TIP125 КТ853, КТ8115    
BS250P   КП944  
2N3391A   КТ3102 Любые маломощные с большим h2fe
BC184L   КТ3102 Любые маломощные с большим h2fe
ВС547В   КТ3102  
BUZ11   КП150  
IRFL9110   КП944  
2N4401 КТ6103, КТ6117  КТ504  
2N4403 КТ6102, КТ6116 КТ505  
ВС109С   КТ342  
ВС237   КТ3102  
ВС547   КТЗ102, КТ645А  
 2N4401 КТ6103, КТ6117 КТ504  
2N4403 КТ6102, КТ6116 КТ505  
MPS А18   КТ342Б, Д  
2N3704   КТ685  
2N4393   КП302ГМ  
2N5401   КТ6116А  
ВС487   КТ342Б, Д; КТ630Е  
IRFZ44 КП723А    
MPS2907 КТ313 КТ3107  
MPSА14   КТ685  
MPSA64   КТ973  
2N2222 КТ3117Б КТ315  
2N3904 КТ6137А КТ815  
2N3906 КТ6136А    
ECG-187 ГТ906А    
FPT-100     фототранзистор
HRF-511 КП904    
TIL 414     фототранзистор

Нужно заменить диод или стабилитрон? — аналоги и замены диодов и полупроводников.

Биполярный транзистор 2N3904S — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N3904S

Маркировка: ZC

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора:

2N3904S
Datasheet (PDF)

0.1. 2n3904s.pdf Size:410K _kec

SEMICONDUCTOR 2N3904STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.EL B LDIM MILLIMETERSFEATURES_+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15Low Leakage CurrentC 1.30 MAX2: ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.) 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20@VCE=30V, VEB=3V.1G 1.90H 0.95Excellent DC Current Gain Linearity.J 0.13+0.1

0.2. 2n3904sc.pdf Size:699K _kec

SEMICONDUCTOR 2N3904SCTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.FEATURESLow Leakage Current: ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.)@VCE=30V, VEB=3V.Excellent DC Current Gain Linearity.Low Saturation Voltage : VCE(sat)=0.3V(Max.) @IC=50mA, IB=5mA.Complementary to 2N3906SC.MAXIMUM RATING (Ta=25)CHARACTERISTIC SYMB

 0.3. 2n3904s.pdf Size:227K _first_silicon

SEMICONDUCTOR2N3904STECHNICAL DATAGeneral Purpose Transistor We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.ORDERING INFORMATIONDevice Marking Shipping32N3904S 1AM 3000/Tape & Reel21MAXIMUM RATINGSSOT23Rating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 40 VdcCollectorBase Voltage VCBO 60 Vdc3COLLECTOREmitterBase Vo

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

Модификации транзистора 2N3904

Практически все изделия с кодом 2N3904 многочисленных производителей обладают завидной повторяемостью электрических и временных параметров. Некоторые отличия наблюдаются в параметрах, характеризующих динамические свойства транзистора (fT, Сobo), и которые вполне могут быть отнесены к расхождениям в методиках контроля этих параметров у производителя.

Модель Тип корпуса PC Другие параметры Производитель
2N3904 TO-92 0,625 Tj = от -55°C до +150°C Motorola
2N3904 S SOT-23 0,35 Tj = от -55°C до +150°C KEC (Korea Electronics)
2N3904 E ESM 0,1
2N3904 U USM
2N3904 V VSM
2N3904 S SOT-23 0,225 FS (First Silicon)
2N3904 U SOT-323 0,15
2N3904 N TO-92N 0,4 AUK Semiconductor
MMBT 3904 SOT-23 0,35 Fairchild Semiconductor
PZT 3904 SOT-223 1
2N3904 – T18 TO-18 0,31 Tj = от -63°C до +200°C SEME LAB

Обозначения и модификации транзистора 2N3906

В информационных материалах компаний-производителей электронных компонентов встречается огромное разнообразие обозначений транзисторов типа 2n3906, отличающихся в основном набором т.н. «суффиксов». При этом в подавляющем числе случаев изделия имеют одинаковую маркировку, но различаются по особенностям технологии изготовления и монтажа (пайки) с применением или без применения экологически вредных материалов.

Вместе с тем, в ряде случаев имеются различия в параметрах, относящихся к ограничениям по мощности рассеивания и величинам тепловых сопротивлений п/п приборов. Различия возникают в случаях размещения п/п структуры в корпусах других (кроме ТО–92) типов и, по всей видимости, в силу отличий технологий изготовления у разных производителей. Другие электрические параметры транзисторов сохраняют свои значения. Различия в значениях предельных тепловых параметров даны в сравнительной таблице.

Обозначение транзистора Корпус RJƟC, °С/Вт RƟJA, °С/Вт PC,мВт Компания-производитель
2N3906 TO — 92 83 200 625 ON Semiconductor
2N3906BU TO — 92 83 200 625 Fairchild Semiconductor
2N3906N TO – 92N — — 400 AUK Corp.
2N3906S SOT – 23 — 250 300 ISC (Inchange Semiconductor)
2N3906U SOT – 23 — 833 150 First Silicon Corp.
2N3906E SOT – 23 — — 100 KEC (Korea Electronics)
2N3906E1G SOT – 23 — 400 200 First Silicon Corp.
MMBT3906 SOT – 23 — 357 350 Fairchild Semiconductor
PZT3906 SOT — 223 — 125 1000

Вывод: при расчетах или анализе предельных тепловых режимов работы транзистора 2n3906 нужно учитывать конкретные технические данные от конкретного производителя.

Похожие записи:

Выбор импульсных зарядных устройств для автомобильного аккумулятора Как подключить бра с выключателем шнурком, цепочкой Гофрированная труба для вытяжки и ее преимущества Оптоволоконные линии связи: неограниченные возможности Default ThumbnailКакой дифавтомат поставить? Default ThumbnailРекани анжело люстры