Транзистор s9014: характеристики (параметры), российские аналоги, цоколевка

Биполярный транзистор KST9013C — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KST9013C

Маркировка: J3Y.

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 144

Корпус транзистора:

KST9013C
Datasheet (PDF)

0.1. kst9013c.pdf Size:388K _kexin

SMD Type ICSMD Type TransistorsSMD TypeNPN TransistorsKST9013CSOT-23Unit: mm2.9+0.1-0.1+0.10.4-0.13FeaturesExcellent hFE linearityCollector Current :IC=0.5A12+0.1+0.050.95-0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector — Base Voltage VCBO 40 VCollector — Emitter Voltag

7.1. kst9013.pdf Size:987K _kexin

SMD Type TransistICsSMD Type orSMD TypeNPN TransistorsKST9013SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13FeaturesExcellent hFE linearityCollector Current :IC=0.5A1 2+0.10.95-0.1 0.1+0.05-0.011.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector — Base Voltage VCBO 40 VCollector — Emitter Voltage

8.1. kst9012c.pdf Size:137K _kexin

SMD Type TransistorsSMD Type ICSMD TypePNP TransistorsKST9012CSOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13FeaturesExcellent hFE liearityCollector Current :IC=-0.5A 12+0.050.95+0.1-0.1 0.1-0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector — Base Voltage VCBO -40 VCollector — Emitter Voltag

8.2. kst9015-d.pdf Size:1068K _kexin

SMD Type TransistorsSMD TypePNP TransistorsKST9015-DSOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13FeaturesExcellent hFE linearityCollector Current :IC=-0.1A1 2Complementary to KST9014-D+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -50 VCollect

8.3. kst9012.pdf Size:925K _kexin

SMD Type orSMD Type TransistICsSMD TypePNP TransistorsKST9012SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13FeaturesExcellent hFE liearityCollector Current :IC=-0.5A 1 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.011.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector — Base Voltage VCBO -40 VCollector — Emitter Volta

8.4. kst9014-d.pdf Size:1021K _kexin

SMD Type TransistorsSMD TypeNPN TransistorsKST9014-DSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13FeaturesExcellent hFE linearityCollector Current :IC=0.1A1 2+0.050.95+0.1-0.1 0.1 -0.01Complementary to KST9015-D1.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 50 VCollector-E

8.5. kst9015.pdf Size:971K _kexin

SMD Type TransistorsSMD TypePNP TransistorsKST9015SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13FeaturesComplementary to KST90141 2+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO -50 VCollector-Emitter Voltage VCEO -45 VEmitter-Base Voltage VEBO —

8.6. kst9014.pdf Size:925K _kexin

SMD Type TransistorsSMD TypeNPN TransistorsKST9014SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13FeaturesExcellent hFE linearityCollector Current :IC=0.1A1 2+0.050.95+0.1-0.1 0.1 -0.011.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage VCBO 50 VCollector-Emitter Voltage VCEO 45 VEmit

8.7. kst9018.pdf Size:515K _kexin

SMD Type SMD Type Tra n s i s to rs ICSMD TypeNPN TransistorsKST9018SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features Features High current gain bandwidth product. 1 2+0.1+0.05 power dissipation.(PC=200mW) 0.95 -0.1 0.1 -0.01 1.9+0.1-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating UnitCol

Другие транзисторы… MMBT4401W
, MMBT491
, MMBT493
, MMBT5401W
, MMBT5551W
, MMBT591
, MMBT593
, MMBT619
, TIP122
, MMBTA92W
, MMDT4944
, PZT13003
, S8050T
, S8550T
, S9012T
, S9013T
, S9014T
.

Биполярный транзистор STS9013 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: STS9013

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 96

Корпус транзистора:

STS9013
Datasheet (PDF)

0.1. sts9013.pdf Size:197K _auk

STS9013NPN Silicon TransistorDescriptions PIN Connection General purpose application. C Switching application. BFeatures Excellent hFE linearity. E Complementary pair with STS9012 TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS9013 STS9013 TO-92 Absolute maximum ratings (Ta=25C) Characteristic Symbol Ratings UnitCollector-B

8.1. sts9012.pdf Size:106K _auk

STS9012SemiconductorSemiconductorPNP Silicon TransistorDescription General purpose application. Switching application.Features Excellent hFE linearity. Complementary pair with STS9013Ordering InformationType NO. Marking Package Code STS9012 STS9012 TO-92Outline Dimensions unit : mm3.450.14.50.12.250.10.40.022.060.11.27 Typ.2.54

8.2. sts9015.pdf Size:97K _auk

STS9015SemiconductorSemiconductorPNP Silicon TransistorDescription General purpose application. Switching application.Features Excellent hFE linearity : hFE(IC=0.1mA) / hFE(IC=2mA) = 0.95(Typ.) Low noise : NF = 10dB(Max.) Complementary pair with STS9014Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS9015 STS9015 TO-92 Outline Dimensions uni

8.3. sts9014.pdf Size:207K _auk

STS9014NPN Silicon TransistorDescription PIN Connection General purpose application C Switching application Features B Excellent hFE linearity : hFE(IC=0.1 mA) / hFE(IC=2 mA) = 0.95(Typ.) Low noise : NF=10dB(Max.) at f=1KHz E Complementary pair with STS9015 TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS9014 STS9014 TO-92A

8.4. sts9018.pdf Size:232K _auk

STS9018NPN Silicon TransistorDescription PIN Connection High frequency low noise amplifier application C VHF band amplifier application BFeatures Low noise figure : NF = 4dB(Max.) at f=100MHz High transition frequency fT = 800MHz(Typ.) E TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS9018 STS9018 TO-92 Absolute maximum ratings T

8.5. gsts9014lt1.pdf Size:221K _globaltech_semi

GSTS9014LT1 NPN General Purpose Transistor Product Description Features This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage : 45V amplifier and switch. Collector Current : 100mA Lead(Pb)-FreePackages & Pin Assignments SOT-23 Pin Description1 Base 2 Emitter 3 Collector Marking Information P/N Package Rank Part Marking GSTS9014LT1F SOT-23 Q 14Q

Корпус и цоколевка

Транзистор выпускается в корпусах двух вариантов:

SOT-23 – предназначен для поверхностного монтажа и представляет собой параллелепипед размером 3,0 х 1,4 х 1,0 мм, на одну из длинных сторон которого выведены две ножки, на другую – одна. Если смотреть на корпус со стороны надписи, при этом внизу находится сторона с двумя выводами, то, начиная с правой нижней ножки, выводы по часовой стрелке пойдут в таком порядке – эмиттер, база, коллектор.
ТО-92 – пластмассовый цилиндр, усеченный с одной стороны, на торце которого закреплены три вывода, находящиеся в одной плоскости. Если смотреть со стороны среза, то последовательность следующая (слева направо) – эмиттер, база, коллектор. Вариант предназначен для монтажа на плату навесным способом.

По электрическим параметрам исполнения в различных корпусах отличаются лишь величиной допустимой мощности рассеяния.

KST9013C Datasheet (PDF)

0.1. kst9013c.pdf Size:388K _kexin

7.1. kst9013.pdf Size:987K _kexin

8.1. kst9012c.pdf Size:137K _kexin

8.2. kst9015-d.pdf Size:1068K _kexin

8.3. kst9012.pdf Size:925K _kexin

8.4. kst9014-d.pdf Size:1021K _kexin

8.5. kst9015.pdf Size:971K _kexin

8.6. kst9014.pdf Size:925K _kexin

8.7. kst9018.pdf Size:515K _kexin

Технические характеристики

При проектировании нового электронного устройства в первую очередь следует обратить внимание на предельно допустимые характеристики используемых транзисторов. Если один или несколько значений превысят их, то прибор выйдет из строя

Поэтому надо чтобы рабочие значения параметров при эксплуатации были на 20 % меньше максимальных. Для S9012, согласно технической документации от разных производителей, они имеют такие величины:

наибольшее возможное напряжение между коллектором и базой V_CBO (U_{кб max}) = -40 В;
предельно допустимое напряжение между коллектором и эмиттером V_CEO (U_{кэ max}) = -25 В;
максимально возможное напряжение между эмиттером и базой V_EBO (U_{эб max}) = -5 В;
предельно возможный постоянный ток коллектора I_C (I_{к max}) = -500 мА;
максимально допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе Р_С (Р_{к max}) = 625 мВт;
наибольшая возможная температура на кристалле T_Сдо +150ОС;
диапазон рабочих температур T_stg = -55 … 150ОС;

Выше приведены данные для изделий, выполненных в корпусе ТО-92. Устройства в SOT-23 имеют меньшую допустимую мощность рассеивания 300 мВт. Некоторые фирмы-производители в своей документации пишут разные значения для максимального напряжения коллектор-эмиттер V_CEO (U_{кэ max}). Например у компании Nanjing International Group оно равно 30 В, а у фирмы Tiger Electronic – 20 В.

Электрические параметры

Рассмотрим электрические параметры S9012. Они не менее важны для инженера, занимающегося разработкой устройств на данном транзисторе. Их значения также тестировались в лаборатории при температуре +25ОС:

Классификация по h_fe

Транзистор S9012 делится на несколько классов, в зависимости от коэффициента передачи тока h_fe1 измеренного, при V_CE (U_кэ) = 1В и I_C (I_к) =50 мА. Большинство компаний подразделяют свои изделия на три класса: L с коэффициентом передачи тока от 120 до 200, H от 200 до 350 и J от 300 до 400. Однако некоторые, например Jiangsu High diode Semiconductor (для своей продукции в корпусе ТО-92) и Weitron Technology делят свои изделия на шесть категорий:

Категория	D	E	F	G	H	I
hfe1	64-91	78-112	96-135	112-166	144-202	190-300

Комплементарная пара

У рассматриваемого устройства существует комплементарная пара, рекомендуемая всеми фирмами-производителями — S9013.

Характеристики (предельные значения)

Параметр	Обозначение	Максимальное значение
Напряжение коллектор-база	V_CBO	40В
Напряжение коллектор-эмиттер	V_CEO	20В
Напряжение эмиттер-база	V_EBO	5В
Ток коллектор	I_C	0,5А
Постоянная рассеиваемая мощность	P_С	0,63Вт
Температурный диапазон	T_min-max	от −55 до 150 град. Цельсия
Напряжение пробоя коллектор-база	BV_CBO	40В
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	BV_CEO	20В
Напряжение пробоя эмиттер-база	BV_EBO	5В
Обратный ток коллектора	I_CBO	100нА
Обратный ток эмиттера	I_EBO	100нА
Коэффициент усиления по постоянному току (VCE =1В, IC =50мА)	h_FE1	от 64 до 202, тип. 120
Коэффициент усиления по постоянному току (VCE =1В, IC =500мА)	h_FE2	120
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	V_{CE (нас)}	0,6В
Напряжение насыщения база-эмиттер	V_{BE (нас)}	1,2В
Напряжение база-эмиттер	V_{BE (on)}	0,7В

Аналоги

Транзисторов которые были бы полным аналогом S9013 нет, но можно попытаться заменить его на такие зарубежные устройства:

2SC1008;
KSC1008;
KSP42;
KSP43;
MPSA42;
MPSA43;
MPSW05;
ZTX457.

При замене нужно быть осторожным и перед принятием решения ознакомиться с технической документацией и после этого решать, подойдёт ли данный конкретный транзистор для замены. В качестве аналога также можно использовать отечественный КТ580, но он имеет другую распиновку. Также вместо S9013 можно попытаться установить КТ680, но к него немного другие параметры. Имеется также комплементарной пара – S9012.

Биполярный транзистор L8550 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: L8550

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85

Корпус транзистора:

L8550
Datasheet (PDF)

0.1. l8550m.pdf Size:407K _blue-rocket-elect

L8550M Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features L8050M Complementary pair with L8050M. / Applications Power amplifier applications. / Equivalent Circuit / Pinning 3 2

0.2. l8550.pdf Size:603K _blue-rocket-elect

L8550(BR3CA8550K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 PNP Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features PC, IC , L8050(BR3DA8050K) High PC and IC, complementary pair with L8050(BR3DA8050K). / Applications 2W 2W output amplifier of portable radios in cl

0.3. l8550plt1g.pdf Size:234K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550PLT1G SeriesPNP SiliconS-L8550PLT1GFEATURE SeriesWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.312DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONSOT

0.4. l8550hslt1g.pdf Size:83K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L8550HPLT1GGeneral Purpose TransistorsSeriesS-L8550HPLT1GPNP SiliconFEATURESeries High current capacity in compact package. Epitaxial planar type.3 PNP complement: L8550H We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site1and Control Change Requir

0.5. l8550hplt1g.pdf Size:89K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L8550HPLT1GGeneral Purpose TransistorsSeriesPNP Silicon S-L8550HPLT1GSeriesFEATURE High current capacity in compact package. Epitaxial planar type.3 PNP complement: L8550H We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1and Control Change Requirem

0.6. l8550hqlt1g.pdf Size:85K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550HPLT1GSeriesPNP SiliconS-L8550HPLT1GFEATURESeries High current capacity in compact package. Epitaxial planar type. PNP complement: L8550H3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site1and Control Change Requir

0.7. l8550qlt1g.pdf Size:202K _lrc

0.8. l8550hrlt1g.pdf Size:84K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550HPLT1GSeriesPNP SiliconS-L8550HPLT1GFEATURESeries High current capacity in compact package. Epitaxial planar type. PNP complement: L8550H 3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1and Control Change Requir

Другие транзисторы… KSA928T
, KSC2328T
, KTA1273T
, KTC2022I
, KTC3199M
, KTC3205T
, L8050
, L8050M
, 2N2222
, L8550M
, M28M
, MJE13009ZJ
, MMBR911
, MMBT5401T
, MMBT5551T
, MMBTA42T
, MMBTA44N
.

Особенности и применение транзистора

Анализ технических характеристик позволяет сделать вывод, что данный радиокомпонент является высокочастотным транзистором общего применения средней мощности. В первую очередь, об этом свидетельствуют высокие значения коллекторного тока – до 0,5А и характерной для корпуса ТО-92 рассеиваемой мощностью – 0,63Вт

Особое внимание стоит уделить коэффициенту усиления hFE. Его характеристика обладает хорошей линейностью, а предельная частота составляет 140МГц

Сочетание этих параметров в одном компоненте позволяет использовать его в выходных каскадах радиостанций небольшой мощности, до 1Вт. Вместе с тем, S9013 достаточно широко применяется в дискретных схемах и переключающих устройствах соответствующей мощности.

Свойства транзистора и его надежность хорошо известны профессионалам и радиолюбителя. Он широко применяется в электротехнической промышленности и радиолюбительской практике.

Аналоги

В таблице 3 представлены основные параметры n-p-n транзисторов, пригодных для замены S9014.

Таблица 3. Транзисторы, подходящие для замены S9014 (все кремниевые, n-p-n)

Тип	V_CEO	I_C	P_C	h_FE	f_T	Корпус	Цоколевка*
S9014	45	100	450	60-1000	150	ТО-92	эбк
200	SOT-23	эбк
Импорт
BC547	45	100	625	110 – 800	150	ТО-92	кбэ
MPSW06	60	500	1000	от 80	50	ТО-92	эбк
BC550	45	100	500	420-800	300	ТО-92	кбэ
MPSA43	200	500	625	от 25	от 50	ТО-92	эбк
2SD1938	20	300	200	500 –2500	80	SOT-346	эбк
9014SLT1	45	100	300	300	300	SOT-23	эбк
2N7051	100	1500	625	от 1000	200	ТО-92	экб
Российское производство
КТ3102	20-50	100	250	100 – 1000	от 150	ТО-92	кбэ
КТ6111	45	100	450	60 – 1000	от 150	ТО-92	кбэ

*Цоколевка (ТО-92 – слева направо; SOT-23 – по часовой стрелке)

Примечания.

1. Значение V_CEO КТ3102 определяется буквой, следующей за последней цифрой.

2. Корпус SOT-346 отличается от SOT-23 размерами (см. табл. 4).

3. Информация по параметрам аналогов заимствована из даташитов компаний-производителей.

Рис. 7. Корпуса SOT-23 и SOT-346.

Таблица 4. Размеры SMD-корпусов

Корпус	А (мм)	B (мм)	S (мм)	H (мм)
SOT-23	2,9	1,3	2,4	0,95
SOT-346	2,9	1,6	2,8	1,1

STS9013 Datasheet (PDF)

0.1. sts9013.pdf Size:197K _auk

8.1. sts9012.pdf Size:106K _auk

8.2. sts9015.pdf Size:97K _auk

8.3. sts9014.pdf Size:207K _auk

8.4. sts9018.pdf Size:232K _auk

8.5. gsts9014lt1.pdf Size:221K _globaltech_semi

Технические характеристики

Рассмотрим предельно допустимые характеристики транзистора S9013. При их превышении транзистор выйдет из строя. Они были измерены при температуре +25°С и представлены ниже в списке:

напряжение К-Б V_CBO (U_{кб max}) = 40 В;
напряжение К-Э V_CEO (U_{кэ max}) = 25 В;
напряжение Э-Б V_EBO (U_{эб max}) = 5 В;
постоянный ток коллектора I_C (I_{к max}) = 500 мА;
мощность, рассеиваемая на коллекторе:
для корпуса ТО-92 Р_С (Р_{к max}) = 625 мВт;
для корпуса SOT-23 Р_С (Р_{к max}) = 300 мВт
диапазон рабочих температур Tstg = -55 … 150°С;
максимальная температура кристалла T_j = 150°С.

Теперь перейдём к рассмотрению электрических параметров S9013. Они также важны, так как от них тоже зависят возможности транзистора. Их тестирование проводилось при температуре +25°С. Остальные параметры измерения можно найти в колонке «Условия измерения».

Электрические характеристики транзистора S9013 (при Т = +25°C)
Параметры	Обозн.	Условия измерения	min	typ	max	Ед. изм
Пробивное напряжение К –Э	U_{кэ(проб.)} (V _(BR)CBO )	I_К= 100 мкA, I_Э=0	40			В
Пробивное напряжение К – Б	U_{кб(проб.)} (V _(BR)CЕO )	I_К= 1 мA, I_Э=0	25			В
Пробивное напряжение Э – Б	U_{эб(проб.)} (V _(BR)ЕВO )	I_Э=100 мкA, I_К=0	5			В
Обратный ток К — Б	I_кбо (I_CBO)	U_кб= 40 В, I_Э= 0			0,1	мкА
Обратный ток К — Э	I_кэо (I_CЕO)	U_кб= 20 В, I_Э= 0			0,1	мкА
Обратный ток эмиттера	I_эбо(I_ЕВO)	U_эб= 5 В, I_К=0			0,1	мкА
Статический к-т передачи тока	h_21э	I_К= 50 мA, U_кэ= 1 В	64
I_К= 500 мA, U_кэ= 1 В	40
Напряжение насыщения К — Э	U_кэ₍_нас_.) (V_CE(sat))	I_К= 500 мA, I_Б= 50 мA			0,6	В
Напряжение насыщения Б — Э	U_{бэ(нас.)} (V_ВE(sat))	I_К= 500 мA, I_Б= 50 мA			1,2	В
Граничная частота к-та передачи тока	f_гр	U_кэ= 6 B,I_К= 20 мA	150			МГц

Кроме этого, производители дополнительно делят транзисторы S9013 на семь классов, в зависимости от статического к-та усиление по току (h_fe):

D — h_fe от 64 до 91;
E — h_fe от 78 до 112;
F — h_fe от 96 до 135;
G — h_fe от 112 до 166;
H — h_fe от 144 до 202;
I — h_fe от 190 до 300;
J — h_fe от 300 до 400.

Производители

DataSheet от транзистора S9012 можно скачать от фирм которые занимаются их производством: SeCoS Halbleitertechnologie, Galaxy Semi-Conductor Holdings, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, Jiangsu High diode Semiconductor, KEC Semiconductor, Weitron Technology, Nanjing International Group, Tiger Electronic, SHENZHEN SLS TECHNOLOGY, Diode Semiconductor Korea, Daya Electric Group, SHIKE Electronics, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL, DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS, Shenzhen Jin Yu Semiconductor.

На отечественном рынке данные изделия представлены несколькими компаниями: Weitron Technology, KEC Semiconductor.

Технические характеристики

Транзистор S9013 (ТО-92) имеет такие максимально допустимые технические характеристики (при температуре окружающей среды +25ОС):

максимальное напряжение между коллектором и базой V_CBO (U_{кб max}) = 40 В;
наибольшее допустимое напряжение между коллектор-эмиттером V_CEO (U_{кэ max}) = 25 В;
напряжение между эмиттером и базой максимально возможное V_EBO (U_{эб max}) = 5 В;
максимально возможный постоянный ток коллектора I_C (I_{к max}) = 500 мА;
предельно допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе Р_С (Р_{к max}) = 625 мВт;
статический коэффициент передачи тока H_fe (H_21э) от 64 до 400;
диапазон рабочих температур T_stg = -55 … 150ОС;

Устройства в корпусе SOT-23 имеют меньшую допустимую мощность рассеивания — до 300 мВт. Также стоит отметить, что параметр U_{кэ max} у современных производителей может немного отличатся на ± 5 В.

Электрические

Теперь перейдем к рассмотрению электрических значений S9013. Они так же приведены с учетом температуры окружающего воздуха до +25ОС. Показатели дополнительных параметров, при которых производителем проводились измерения, представлены отдельным столбцом. Эти данные свойственны всем транзисторам данного вида, не зависимо от типа корпуса.

Классификация

В зависимости от статического коэффициента передачи по току (h_fe) при V_CE (U_кэ) = 1В и I_C (I_к) =50 мА, рассматриваемое устройство подразделяют на семь классов: D (64-91); Е (78-112); F (96-135); G (112-166); H (144-202); I (190-300), J (300-400). Как видно из классификации, максимальным h_fe обладают транзисторы S9013I и S9013J. В продаже наиболее чаще встречаются S9013H и S9013G, реже S9013D.

Аналоги

У транзистора S9013 отсутствуют полные аналоги. SS9013, C9013, MMBT9013, KTC9013 не в счёт, так как они фактически тоже самое, просто с другой маркировкой. На наш взгляд эта лучшая альтернатива рассматриваемому устройству. Но если таких нет, то можно использовать в качестве замены другие, например: S8050, 2N3904, 2N4401, BC547, BC337, 2N2222 и т. д.

Наиболее подходящим российским аналогом можно считать КТ530. Однако он имеет другую цоколевку (Э Б К), поэтому будьте внимательны при замене. В таком качестве можно рассмотреть также, незначительно отличающуюся по параметрам, отечественную серию КТ680.

Комплементарная пара

Рекомендуемой комплементарной парой, со структурой p-n-p, для рассматриваемого прибора является транзистор S9012.

Зависимость тока коллектора от выходного напряжения

На графике представлена выходная вольтамперная характеристика биполярного транзистора. Он интересен тем, что на форму кривых влияют практически все основные электрические параметры полупроводникового элемента. Семейство линий представляет собой ступенчатое открытие транзистора по мере увеличения тока базы. Это активный (усилительный) режим работы элемента. На графике это последовательность практически горизонтальных линий, свидетельствующих о нарастании тока коллектора с ростом тока базы.

Режим отсечки на графике – это область, граничащая с осью Х (напряжение коллектор-эмиттер). Транзистор закрыт – ток коллектора практически отсутствует.

Режим насыщения – это вертикальная зона семейства кривых, в непосредственной близости от оси Y. Падение напряжения на переходе коллектор-эмиттер минимально.

2SC9013 Datasheet (PDF)

0.1. 2sc9013.pdf Size:84K _usha

Transistors2SC9013Downloaded from Elcodis.com electronic components distributor Downloaded from Elcodis.com electronic components distributor

8.1. 2sc9014.pdf Size:76K _usha

Transistors2SC9014

8.2. 2sc9018.pdf Size:77K _usha

Transistors2SC9018This datasheet has been downloaded from:www.DatasheetCatalog.comDatasheets for electronic components.

8.3. 2sc9014.pdf Size:222K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC9014DESCRIPTIONHigh total power dissipationHigh hFE and good linearityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for Switching and amplificationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 50 VCBOV Coll

Биполярный транзистор 2SC9013 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC9013

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 64

Корпус транзистора:

2SC9013
Datasheet (PDF)

0.1. 2sc9013.pdf Size:84K _usha

Transistors2SC9013Downloaded from Elcodis.com electronic components distributor Downloaded from Elcodis.com electronic components distributor

8.1. 2sc9014.pdf Size:76K _usha

Transistors2SC9014

8.2. 2sc9018.pdf Size:77K _usha

Transistors2SC9018This datasheet has been downloaded from:www.DatasheetCatalog.comDatasheets for electronic components.

8.3. 2sc9014.pdf Size:222K _inchange_semiconductor

Аналоги и комплементарная пара

Аналог	V_CEO	I_C	P_C	h_FE	f_T
S9013	25	0,5	0,625	64	150
Отечественное производство
КТ315Г	35	0,1	0,15	50	250
КТ3102А	50	0,1	0,25	100	150
КТ680А	25	0,6	0,35	85	120
Импорт
2SC1008	60	0,75	0,75	60	100
BC537	60	1	0,625	50	120
BC538	80	1	0,625	50	120
KSC1008	60	0,7	0,8	40	30
KSC1009	140	0,7	0,8	40	30
KSP05	60	0,5	0,625	50	100
KSP06	80	0,5	0,625	50	100
KSP42	300	0,5	0,625	40	50
KSP43	200	0,5	0,625	40	50
MPS6532	30	0,6	0,31	30	200
MPSA42	300	0,5	0,625	25	50
MPSA43	200	0,5	0,625	25	50
MPSW01A	40	1	1	50	50
MPSW01AG	50	1	1	60	50
MPSW05	60	0,5	1	60	50
MPSW05G	60	0,5	1	60	50
MPSW06	80	0,5	1	80	50
MPSW06G	80	0,5	1	60	50
MPSW42	300	0,5	1	40	50
MPSW42G	300	0,5	1	40	50

Примечание: все характеристики транзисторов аналогов взяты из даташип производителя.

Для комплементарной пары рекомендуется использовать транзистор прямой проводимости S9012.

Транзистор s9014

Биполярный транзистор KST9013C — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

KST9013C Datasheet (PDF)

Биполярный транзистор STS9013 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

STS9013 Datasheet (PDF)

Корпус и цоколевка

KST9013C Datasheet (PDF)

Технические характеристики

Электрические параметры

Классификация по hfe

Комплементарная пара

Характеристики (предельные значения)

Аналоги

Биполярный транзистор L8550 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

L8550 Datasheet (PDF)

Особенности и применение транзистора

Аналоги

STS9013 Datasheet (PDF)

Технические характеристики

Производители

Технические характеристики

Электрические

Классификация

Аналоги

Комплементарная пара

Зависимость тока коллектора от выходного напряжения

2SC9013 Datasheet (PDF)

Биполярный транзистор 2SC9013 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

2SC9013 Datasheet (PDF)

Аналоги и комплементарная пара

Похожие записи:

KST9013C
Datasheet (PDF)

STS9013
Datasheet (PDF)

Классификация по h_fe

L8550
Datasheet (PDF)

2SC9013
Datasheet (PDF)