13001 s8d транзистор характеристики

STI13005-1 Datasheet (PDF)

1.1. sti13005-1.pdf Size:235K _update

STI13005-1 High voltage fast-switching NPN power transistor Preliminary data Features ■ STI13005-1 is opposite pin out versus standard IPAK package ■ High voltage capability ■ Low spread of dynamic parameters 3 ■ Very high switching speed 2 1 Application IPAK ■ Switch mode power supplies (AC-DC converters) Description Figure 1. Internal schematic diagram The device

2.1. sti13005h.pdf Size:226K _update

STI13005-H High voltage fast-switching NPN power transistor Datasheet — production data Features ■ Low spread of dynamic parameters ■ Minimum lot-to-lot spread for reliable operation TAB ■ Very high switching speed Applications 3 2 1 ■ Electronic ballast for fluorescent lighting I2PAK ■ Switch mode power supplies Description This device is manufactured using high volta

Схема «зарядки» для телефона.

R1 — 1 Ом, 1Ватт. R2 — 20 кОм. R3 — 680 кОм. R4 — 100 кОм. R5 — 43 Ом. R6 — 5,1 Ом. R7 — 33 Ом. R8 — 1 кОм. R9 — 1,5 кОм. C1 — 22 мФ,25в(оксидный). C2 — 1 нФ, 400в. C3 — 3,3 нФ, 1000в. C4 — 2,2 мФ,400в(оксидный). C5 — 100 мФ,25в(оксидный). VD1 — стабилитрон 5,6в. VD2,VD3 — диод 1N407. VD4 — диод 1N4937. VD5 — индикаторный светодиод. Транзистор — MJE13001(13001), MJE13003(13003), самый надежный вариант — MJE13005(13005).

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

13001 – кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Так же его можно встретить в схемах низкочастотных усилителей в качестве усилителя звукового сигнала.

Биполярный транзистор CS13001 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: CS13001

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 480
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8

Корпус транзистора:

CS13001
Datasheet (PDF)

0.1. cs13001 to-92 ecb.pdf Size:176K _can-sheng

ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,LtdShenZhen CanSheng Industry Development Co.,LtdShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd www.szcansheng.comShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd.TO-92 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-92 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-92 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-92 Plastic-Encapsulate T

0.2. cs13001 to-92.pdf Size:176K _can-sheng

8.1. cs13003 to-92.pdf Size:223K _can-sheng

8.2. cs13003 1.2a to-251.pdf Size:177K _can-sheng

ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,LtdShenZhen CanSheng Industry Development Co.,LtdShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd www.szcansheng.comShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd.TO-251 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-251 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-251 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-251 Plastic-Encapsula

8.3. cs13003 to-92 1.2a.pdf Size:177K _can-sheng

8.4. cs13003 1.5a 1.25w to-126.pdf Size:179K _can-sheng

ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,LtdShenZhen CanSheng Industry Development Co.,LtdShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd www.szcansheng.comShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd.TO-126 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-126 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-126 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-126 Plastic-Encapsula

8.5. cs13003 1a 1w to-126.pdf Size:176K _can-sheng

ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,LtdShenZhen CanSheng Industry Development Co.,LtdShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd www.szcansheng.comShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd.TO-126 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-126 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-126 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-126 Plastic-Encapsula

8.6. cs13002 to-92.pdf Size:177K _can-sheng

8.7. cs13003 1a 0.9w to-251.pdf Size:180K _can-sheng

ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,LtdShenZhen CanSheng Industry Development Co.,LtdShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd www.szcansheng.comShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd.TO-251 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-251 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-251 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-251 Plastic-Encapsula

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

Маркировка

Цифры “13001” на корпусе дают общее представление об этом полупроводниковом устройстве. Многие производители маркируют так свои изделия из-за отсутствия места на корпусе ТО-92, не указывая при этом префикс в начале. В статье приведены технические характеристики устройств малоизвестных в России производителей DGNJDZ, Semtech Electronics, YFWDIODE. Указанные производители в своих даташитах не указывают дополнительных символов маркировки. Без дополнительных обозначений маркирует свой транзистор TS13001 тайваньская компания TSMC. Первые две литеры “TS” являются аббревиатурой первых двух слов в полном названии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. В тоже время, на рыке достаточно широко представлены транзисторы mje13001, которые тоже промаркированы цифрами 13001. SHENZHEN JTD ELECTRONICS и многие другие производители применяют s13001 s8d при маркировке своих девайсов. Встречаются и другие префиксы, не рассмотренные в статье. Многие продавцы не заморачиваясь с маркировкой в наименовании товара, указывают все возможные его типы вместе с датой производства.

KSH13005W Datasheet (PDF)

1.1. ksh13005w.pdf Size:144K _shantou-huashan

N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. KSH13005W █ HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICICATION High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Montor Control █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃） TO-263（D2PAK） Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃ Tj——Junction Temperature………

2.1. ksh13005a.pdf Size:227K _upd

KSH13005A KSH13005A ◎ SEMIHOW REV.A1,Oct 2007 KSH130 005A KSH13005A Switch Mode series NPN silicon Power Transistor Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25℃ unless otherwise noted 75 Watts TO-220

2.2. ksh13005af.pdf Size:223K _upd

KSH13005AF KSH13005AF ◎ SEMIHOW REV.A1,Oct 2007 KSH130 005AF KSH13005AF Switch Mode series NPN silicon Power Transistor Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25℃ unless otherwise noted 75 Watts TO

Основные технические характеристики

13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.

Предельные режимы эксплуатации

13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (V_CEO) 400 вольт, а порогового (V_CEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (I_C) 1.5 A, а импульсного пиковое (I_CM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.

Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%

Электрические характеристики

Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.

Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора I_C не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.

H13005D Datasheet (PDF)

Транзистор h945

1.1. h13005dl.pdf Size:120K _jdsemi

R H13005DL 深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1． 1． 1．APPLICATION 1． Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp、 Electronic Ballast，etc 2． 2． 2

1.2. h13005d 2.pdf Size:118K _jdsemi

R H13005D 深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1． 1． 1．APPLICATION 1． Fluorescent Lamp、Electronic Ballast、 and Switch-mode power supplies 2． 2． 2．

1.3. h13005d.pdf Size:118K _jdsemi

Маркировка

Транзистор, чаще всего, обозначен на корпусе только цифрами. Цифры “13009” обозначают серийный номер в американской системе JEDEC. Считается, что впервые данный транзистор произвела американская компания Motorola. Символы mje, в начале маркировки транзистора указывали на брэнд именно этой компании. После 1999 года, когда компания Motorola была реструктуризирована, с символов «MJE» начинается маркировка данного транзистора у других производителей, не связанных с этой компанией. В то же время ON Semiconductor, дочерняя компания Motorola, так же продолжает выпускать эти транзисторы с указанием mje13009 на корпусе. Более именитые из производители, вместо MJE, указывают в начале маркировки первые буквы из названия своих компаний: ST13009 (ST Microelectronics), J13009,FJP13009 (Fairchild), PHE13009 (WeEn Semiconductors).

13001-0 Datasheet (PDF)

0.1. 13001-0.pdf Size:105K _jdsemi

R13001-0 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampCharger and Switch-mode power supplies 222FEATURES 2

8.1. mje13001-p.pdf Size:191K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MJE13001-P NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON POWER TRANSISTOR FEATURES * Collector-base voltage: V(BR)CBO=600V * Collector current: IC=0.2A ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 MJE13001-PL-x-T92-B MJE13001-PG-x-T92-B TO-92 B C E Tape Box MJE13001-PL-x-T92-K MJE13001-PG-x-T92-K

8.2. 13001-a.pdf Size:107K _jdsemi

R13001-A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampCharger and Switch-mode power supplies 222FEATURES 2

8.3. 13001-2.pdf Size:109K _jdsemi

R13001-2 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampCharger and Switch-mode power supplies 222FEATURES 2

E13005-250 Datasheet (PDF)

1.1. e13005-250.pdf Size:163K _upd

E13005-250

Pb E13005-250 Pb Free Plating Product MJE Power Transistor Product specification MJE13005 series Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION Silicon NPN, high power transistors in a plastic envelope, primarily for use in high-speed power switching circuits. 1. B 2. C 3. E Absolute Maximum Ratings ( Ta = 25℃ ) Parameter Value Unit l Collector-Base Voltage VCBO 70

2.1. e13005-225.pdf Size:162K _upd

E13005-225

Pb E13005-225 Pb Free Plating Product MJE Power Transistor Product specification MJE13005 series Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION Silicon NPN, high power transistors in a plastic envelope, primarily for use in high-speed power switching circuits. 1. B 2. C 3. E Absolute Maximum Ratings ( Ta = 25℃ ) Parameter Value Unit l Collector-Base Voltage VCBO 70

3.1. mje13005-k.pdf Size:393K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MJE13005-K NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON POWER TRANSISTORS ? DESCRIPTION These devices are designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and 220 V SWITCHMODE. ? FEATURES * VCEO(SUS)= 400 V * Reverse bias SOA with inductive loads @ TC = 100°С * Indu

Основные технические характеристики

Предельные режимы эксплуатации

13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (VCEO) 400 вольт, а порогового (VCEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (IC) 1.5 A, а импульсного пиковое (ICM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.

Электрические характеристики

Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора IC не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.

Маркировка

3DD13007_B8 Datasheet (PDF)

1.1. 3dd13007 b8d.pdf Size:154K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 B8D 产品概述特征参数产品特点 3DD13007 B8D 是硅 ● 开关损耗低符号额定值单位 ● 反向漏电流小 NPN 型功率开关晶体管，该 VCEO 400 V ● 高温特性好 IC 7 A 产品采用平面工艺，分压环 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 80 W 终端结构和少

1.2. 3dd13007 h8d.pdf Size:155K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 H8D 产品概述特征参数产品特点 ● 开关损耗低 3DD13007 H8D 是硅符号额定值单位 ● 反向漏电流小 NPN 型功率开关晶体管，该 VCEO 400 V ● 高温特性好 IC 9 A 产品采用平面工艺，分压环 ● 合适的开关速度 Ptot W （TC=25℃） 90 终端结构和

1.3. 3dd13007 b8.pdf Size:155K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 B8 产品概述特征参数产品特点 ● 开关损耗低 3DD13007 B8 是硅 NPN 符号额定值单位 ● 反向漏电流小型功率开关晶体管， VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 8 A 采用平面工艺，分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot W （TC=25℃） 80 结构和

1.4. 3dd13007 z7.pdf Size:151K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 Z7 产品概述特征参数产品特点 3DD13007 Z7 是硅 NPN ● 开关损耗低符号额定值单位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V 型功率开关晶体管，该产品 ● 高温特性好 IC 8 A 采用平面工艺，分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 50 W 结构和少

1.5. 3dd13007 x1.pdf Size:153K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 X1 产品概述特征参数产品特点 ● 开关损耗低 3DD13007 X1 是硅NPN 符号额定值单位 ● 反向漏电流小型功率开关晶体管， VCEO 400 V 该产品 ● 高温特性好 IC 8 A 采用平面工艺，分压环终端 ● 反向击穿电压高 Ptot W （TC=25℃） 80 结构和

1.6. 3dd13007 y8.pdf Size:153K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 Y8 产品概述特征参数产品特点 ● 开关损耗低 3DD13007 Y8 是硅NPN 符号额定值单位 ● 反向漏电流小型功率开关晶体管， VCEO 340 V 该产品 ● 高温特性好 IC 7 A 采用平面工艺，分压环终端 ● 反向击穿电压高 Ptot W （TC=25℃） 80 结构和

1.7. 3dd13007 z8.pdf Size:154K _crhj

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管 R ○ 3DD13007 Z8 产品概述特征参数产品特点 3DD13007 Z8 是硅 NPN ● 开关损耗低符号额定值单位 ● 反向漏电流小 VCEO 200 V 型功率开关晶体管，该产品 ● 高温特性好 IC 8 A 采用平面工艺，分压环终端 ● 合适的开关速度 Ptot （TC=25℃） 75 W 结构和少

Мини-диваны

Это одно из лучших решений, предназначенных для малогабаритных квартир и студий. Если вы столкнулись с такой ситуацией, необязательно покупать полноразмерную мебель, которая займет все свободное пространство. Это хорошее решение и для тех, кто часто переезжает. Мебель anderssen небольшого размера отличается высоким качеством и удобными механизмами трансформации. Ее можно поставить в комнате ребенка, на кухне, в спальне и небольшой гостиной. Она хорошо смотрится в домашнем кабинете. Но ее можно установить и в просторной квартире, если вы склонны к минимализму или вам требуется дополнительный диван небольшого формата.

Мини-диваны зачастую оснащают механизмом еврокнижка, дополняют подушками со съемными чехлами и удобной спинкой. Такие чехлы особенно удобны тем, у кого есть дети и домашние животные. Их можно почистить и снова надеть на подушки. Когда диван раскладывается, подушки убирают, после чего выкатывают вперед сидение. Затем отпускают спинку. Вы можете выбрать и боковой вариант трансформации компактной мебели.

Вы должны учитывать, что боковая раскладка дополнительно требует свободное пространство слева или справа. Мебель нельзя ставить вплотную со стеной или шкафом. Многочисленные варианты мини-диванов anderssen дают возможность подобрать оптимальную модель. Выделяют следующие преимущества малогабаритных диванов:

экономию свободного места;
эстетичность исполнения;
невысокую стоимость;
удобство эксплуатации;
функциональность.

Таким образом, при выборе дивана необходимо учитывать различные факторы, такие как размеры помещения, удобство использования, качество и надежность. Выбирая мягкую мебель anderssen, вы можете быть уверены в надежности и долгосрочности ее использования в своем доме.

CS13001 Datasheet (PDF)

0.1. cs13001 to-92 ecb.pdf Size:176K _can-sheng

0.2. cs13001 to-92.pdf Size:176K _can-sheng

8.1. cs13003 to-92.pdf Size:223K _can-sheng

8.2. cs13003 1.2a to-251.pdf Size:177K _can-sheng

ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,LtdShenZhen CanSheng Industry Development Co.,LtdShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd www.szcansheng.comShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd.TO-251 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-251 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-251 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-251 Plastic-Encapsula

8.3. cs13003 to-92 1.2a.pdf Size:177K _can-sheng

8.4. cs13003 1.5a 1.25w to-126.pdf Size:179K _can-sheng

ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,LtdShenZhen CanSheng Industry Development Co.,LtdShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd www.szcansheng.comShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd.TO-126 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-126 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-126 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-126 Plastic-Encapsula

8.5. cs13003 1a 1w to-126.pdf Size:176K _can-sheng

ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,LtdShenZhen CanSheng Industry Development Co.,LtdShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd www.szcansheng.comShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd.TO-126 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-126 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-126 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-126 Plastic-Encapsula

8.6. cs13002 to-92.pdf Size:177K _can-sheng

8.7. cs13003 1a 0.9w to-251.pdf Size:180K _can-sheng

ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,LtdShenZhen CanSheng Industry Development Co.,LtdShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd www.szcansheng.comShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd.TO-251 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-251 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-251 Plastic-Encapsulate TransistorsTO-251 Plastic-Encapsula

H13005 Datasheet (PDF)

1.1. ksh13005a.pdf Size:227K _upd

1.2. ksh13005af.pdf Size:223K _upd

1.3. ksh13005w.pdf Size:144K _shantou-huashan

1.4. h13005adl.pdf Size:120K _jdsemi

R H13005ADL 深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1． 1． 1．APPLICATION 1． Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp、 Electronic Ballast，etc 2． 2． 2

1.5. h13005dl.pdf Size:120K _jdsemi

1.6. h13005.pdf Size:116K _jdsemi

R H13005 深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. ◆Si NPN ◆RoHS COMPLIANT 1． 1． 1．APPLICATION 1． Fluorescent Lamp、Electronic Ballast、 Charger and Switch-mode power supplies 2． 2

1.7. h13005d 2.pdf Size:118K _jdsemi

1.8. h13005d.pdf Size:118K _jdsemi

Маркировка

Угловая модель

Это один из самых удобных вариантов для любого помещения. Выделяют различные варианты таких конструкций, которые наиболее удобны для квартир и офисов. Несмотря на основную форму, у мебели могут быть и другие особенности. В anderssen предлагают следующие варианты:

Раскладные, оснащенные наиболее прочными механизмами трансформации и длительным сроком эксплуатации.
Маленькие и большие модели, выбор которых обусловлен параметрами помещения и наличием свободного пространства.
Закругленные и прямые конструкции.

Большинство моделей anderssen оборудовано дополнительными элементами. Современные коллекции включают боковые полки, отличающиеся удобством и особым стилем. Некоторые модели становятся настоящим центром просторного помещения. Диваны оснащены всем необходимым для полноценного отдыха и включают просторные мягкие зоны, столик квадратной формы и полки для книг. У столика подходящая высота для расположения на нем ноутбука или планшета.

Угловые диваны оборудованы угловой полкой. Некоторые варианты трансформации позволяют превратить обычный столик во вместительную тумбу. В качестве столешницы можно использовать деревянные подлокотники. На них можно положить телефон, планшет или книгу.

На видео: угловой диван Дискавери.

Основные технические характеристики

Предельные режимы эксплуатации

13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (VCEO) 400 вольт, а порогового (VCEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (IC) 1.5 A, а импульсного пиковое (ICM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.

Электрические характеристики

Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора IC не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.

Маркировка

KSH13005W Datasheet (PDF)

1.1. ksh13005w.pdf Size:144K _shantou-huashan

2.1. ksh13005a.pdf Size:227K _upd

2.2. ksh13005af.pdf Size:223K _upd

Маркировка

Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.

Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.

Маркировка

Транзистор, чаще всего, обозначен на корпусе только цифрами. Цифры “13009” обозначают серийный номер в американской системе JEDEC. Считается, что впервые данный транзистор произвела американская компания Motorola. Символы mje, в начале маркировки транзистора указывали на брэнд именно этой компании. После 1999 года, когда компания Motorola была реструктуризирована, с символов «MJE» начинается маркировка данного транзистора у других производителей, не связанных с этой компанией. В то же время ON Semiconductor, дочерняя компания Motorola, так же продолжает выпускать эти транзисторы с указанием mje13009 на корпусе.
Более именитые из производители, вместо MJE, указывают в начале маркировки первые буквы из названия своих компаний: ST13009 (ST Microelectronics), J13009,FJP13009 (Fairchild), PHE13009 (WeEn Semiconductors).

Список источников

russianstartuprating.ru
www.promebel.com
shematok.ru
elektrikaetoprosto.ru
alltransistors.com

13003d транзистор параметры цоколевка

STI13005-1 Datasheet (PDF)

Схема «зарядки» для телефона.

Биполярный транзистор CS13001 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

CS13001 Datasheet (PDF)

Маркировка

KSH13005W Datasheet (PDF)

Основные технические характеристики

Предельные режимы эксплуатации

Электрические характеристики

H13005D Datasheet (PDF)

Маркировка

13001-0 Datasheet (PDF)

E13005-250 Datasheet (PDF)

Основные технические характеристики

Предельные режимы эксплуатации

Электрические характеристики

Маркировка

3DD13007_B8 Datasheet (PDF)

Мини-диваны

CS13001 Datasheet (PDF)

H13005 Datasheet (PDF)

Маркировка

Угловая модель

Основные технические характеристики

Предельные режимы эксплуатации

Электрические характеристики

Маркировка

KSH13005W Datasheet (PDF)

Маркировка

Маркировка

Похожие записи:

CS13001
Datasheet (PDF)