Транзисторы mje13001 и 13001, mje13003 и 13003

Содержание

KSE13009F Datasheet (PDF)

1.1. kse13009f.pdf Size:25K _samsung

KSE13009F NPN SILICON TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATION
TO-220F
High Speed Switching
Suitable for Switching Regulator and Motor Control
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO 700 V
Collector-Emitter Voltage V CEO 400 V
Emitter-Base Voltage VEBO 9 V
Collector Current (DC) IC 12 A
Collector Current (Pulse) IC 24 A
Ba

3.1. kse13004,13005.pdf Size:48K _fairchild_semi

KSE13004/13005
High Voltage Switch Mode Application
High Speed Switching
Suitable for Switching Regulator and Motor Control
TO-220
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter
NPN Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage : KSE13004 600 V
: KSE13005 700 V
VCEO Collector-Emitter Voltage : KSE13004 300 V

3.2. kse13006,13007.pdf Size:48K _fairchild_semi

KSE13006/13007
High Voltage Switch Mode Application
High Speed Switching
Suitable for Switching Regulator and Motor Control
TO-220
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter
NPN Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage : KSE13006 600 V
: KSE13007 700 V
VCEO Collector-Emitter Voltage : KSE13006 300 V

 3.3. kse13003.pdf Size:465K _fairchild_semi

March 2008
KSE13003
NPN Silicon Transistor
High Voltage Switch Mode Applications
High Voltage Capability
High Speed Switching
Suitable for Switching Regulator and Motor Control
TO-126
1
1. Emitter 2.Collector 3.Base
Absolute Maximum Ratings* TC = 25C unless otherwise noted (notes_1)
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 700 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 40

3.4. kse13003t.pdf Size:47K _fairchild_semi

KSE13003T
High Voltage Switch Mode Applications
High Speed Switching
Suitable for Switching Regulator and Motor Control
TO-220
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter
NPN Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage 700 V
VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V
VEBO Emitter-Base Voltage 9 V
IC Collector

 3.5. kse13006.pdf Size:70K _samsung

KSE13006/13007 NPN SILICON TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATION
High Speed Switching
TO-220
Suitable for Switching Regulator and Motor Control
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Characteristic Symbol Rating Unit
VCBO 600 V
Collector Base Voltage : KSE13006
V
: KSE13007 700
VCEO 300 V
Collector Emitter Voltage : KSE13006
V
: KSE13007 400
V
Emitter Base Voltage VEBO 9
A

3.6. kse13005f.pdf Size:23K _samsung

KSE13005F NPN SILICON TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATIONS
TO-220F
High Speed Switching
Suitable for Switching Regulator and Motor Control
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector Base Voltage VCBO 700 V
Collector Emitter Voltage V CEO 400 V
Emitter Base Voltage VEBO 9 V
Collector Current (DC) IC 4 A
Collector Current (Pulse) IC 8 A
Bas

3.7. kse13007f.pdf Size:23K _samsung

KSE13007F NPN SILICON TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATIONS
TO-220F
High Speed Switching
Suitable for Switching Regulator and Motor Control
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector Base Voltage VCBO 700 V
Collector Emitter Voltage V CEO 400 V
Emitter Base Voltage VEBO 9 V
Collector Current (DC) IC 8 A
Collector Current (Pulse) IC 16 A
Ba

3.8. kse13003t.pdf Size:21K _samsung

KSE13003 NPN SILICON TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATIONS
TO-126
High Speed Switching
Suitable for Switching Regulator and Motor Control
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage VCBO 700 V
Collector-Emitter Voltage V CEO 400 V
Emitter-Base Voltage VEBO 9 V
Collector Current (DC) IC 1.5 A
Collector Current (Pulse) IC 3 A
Bas

13005A Datasheet (PDF)

0.1. mje13005a.pdf Size:273K _nell

RoHS MJE13005A(NPN)RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsSwitchmode Series NPN Silicon Power Transistors(4A / 400V / 75W)FEATURESVCEO(SUS) 400V @ lC = 10 mA, lB = 0 VCE(sat) = 1.0V (Max.) @ lC = 4 A, lB = 1 ASwitching time — tf = 0.9 s (Max.) @ lC = 2 A 700V blocking capability123TO-220AB(MJE13005A) DESCRIPTION These devices are designed for high-

0.2. 3dd13005a1.pdf Size:180K _crhj

NPN R 3DD13005 A1 3DD13005 A1 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot Ta=25 0.8 W

 0.3. 3dd13005a7.pdf Size:145K _crhj

NPN R 3DD13005 A7 3DD13005 A7 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot W TC=25 40

0.4. 3dd13005a3.pdf Size:143K _crhj

NPN R 3DD13005 A3 3DD13005 A3 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot W TC=25 40

 0.5. s13005a.pdf Size:113K _jdsemi

RS13005A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 22

0.6. 13005adl.pdf Size:121K _jdsemi

R13005ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

0.7. h13005adl.pdf Size:120K _jdsemi

RH13005ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

0.8. 13005ad.pdf Size:121K _jdsemi

R13005AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

0.9. 13005a.pdf Size:113K _jdsemi

R13005A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 22

0.10. ksg13005ar.pdf Size:220K _semihow

KSG13005AR SEMIHOW REV.A0,Feb 2009KSG13005ARKSG13005ARSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls3 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted3.8 WattsTO-92LCHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT1. Emitter2. Collec

0.11. ksu13005a.pdf Size:558K _semihow

KSD13005A KSU13005A SEMIHOW REV.A1,August 2013 KSD13005A_KSU13005AKSU13005A/KSU13005A Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 40 Watts TO-252 / TO-251 CHARA

0.12. ksd13005a.pdf Size:558K _semihow

KSD13005A KSU13005A SEMIHOW REV.A1,August 2013 KSD13005A_KSU13005AKSU13005A/KSU13005A Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 40 Watts TO-252 / TO-251 CHARA

0.13. ksh13005a.pdf Size:227K _semihow

KSH13005AKSH13005A SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130005AKSH13005ASwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls4 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted75 WattsTO-220

0.14. ksh13005af.pdf Size:223K _semihow

KSH13005AFKSH13005AF SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130005AFKSH13005AFSwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls4 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted75 WattsTO

E13005-250 Datasheet (PDF)

0.1. e13005-250.pdf Size:163K _thinkisemi

E13005-250PbE13005-250Pb Free Plating ProductMJE Power TransistorProduct specificationMJE13005 seriesSilicon NPN Power TransistorDESCRIPTIONSilicon NPN, high power transistors in a plastic envelope, primarily for use in high-speed power switching circuits. 1. B 2. C 3. EAbsolute Maximum Ratings ( Ta = 25 )Parameter Value UnitlCollector-Base Voltage VCBO 70

6.1. e13005-225.pdf Size:162K _thinkisemi

E13005-225PbE13005-225Pb Free Plating ProductMJE Power TransistorProduct specificationMJE13005 seriesSilicon NPN Power TransistorDESCRIPTIONSilicon NPN, high power transistors in a plastic envelope, primarily for use in high-speed power switching circuits. 1. B 2. C 3. EAbsolute Maximum Ratings ( Ta = 25 )Parameter Value UnitlCollector-Base Voltage VCBO 70

 7.1. mje13005-k.pdf Size:393K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD MJE13005-K NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION These devices are designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and 220 V SWITCHMODE. FEATURES * VCEO(SUS)= 400 V * Reverse bias SOA with inductive loads @ TC = 100

13005ED Datasheet (PDF)

0.1. 13005ed.pdf Size:117K _jdsemi

R13005ED www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

0.2. s13005ed.pdf Size:116K _jdsemi

RS13005ED www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

 8.1. 13005ec.pdf Size:158K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 13005EC Preliminary NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION These devices are designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and 220 V SWITCHMODE. FEATURES * VCEO(SUS)= 850 V * Reverse bias SOA with inductive loads @ TC =

KSH13005W Datasheet (PDF)

0.1. ksh13005w.pdf Size:144K _shantou-huashan

N P N S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. KSH13005W HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICICATION High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Montor Control ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-263D2PAKTstgStorage Temperature -55~150TjJunction Temperature

6.1. ksh13005a.pdf Size:227K _semihow

KSH13005AKSH13005A SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130005AKSH13005ASwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls4 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted75 WattsTO-220

6.2. ksh13005af.pdf Size:223K _semihow

KSH13005AFKSH13005AF SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130005AFKSH13005AFSwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls4 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted75 WattsTO

Биполярный транзистор 13005A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 13005A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора:

13005A
Datasheet (PDF)

0.1. mje13005a.pdf Size:273K _nell

RoHS MJE13005A(NPN)RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsSwitchmode Series NPN Silicon Power Transistors(4A / 400V / 75W)FEATURESVCEO(SUS) 400V @ lC = 10 mA, lB = 0 VCE(sat) = 1.0V (Max.) @ lC = 4 A, lB = 1 ASwitching time — tf = 0.9 s (Max.) @ lC = 2 A 700V blocking capability123TO-220AB(MJE13005A) DESCRIPTION These devices are designed for high-

0.2. 3dd13005a1.pdf Size:180K _crhj

NPN R 3DD13005 A1 3DD13005 A1 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot Ta=25 0.8 W

 0.3. 3dd13005a7.pdf Size:145K _crhj

NPN R 3DD13005 A7 3DD13005 A7 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot W TC=25 40

0.4. 3dd13005a3.pdf Size:143K _crhj

NPN R 3DD13005 A3 3DD13005 A3 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot W TC=25 40

 0.5. s13005a.pdf Size:113K _jdsemi

RS13005A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 22

0.6. 13005adl.pdf Size:121K _jdsemi

R13005ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

0.7. h13005adl.pdf Size:120K _jdsemi

RH13005ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

0.8. 13005ad.pdf Size:121K _jdsemi

R13005AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

0.9. 13005a.pdf Size:113K _jdsemi

R13005A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 22

0.10. ksg13005ar.pdf Size:220K _semihow

KSG13005AR SEMIHOW REV.A0,Feb 2009KSG13005ARKSG13005ARSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls3 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted3.8 WattsTO-92LCHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT1. Emitter2. Collec

0.11. ksu13005a.pdf Size:558K _semihow

KSD13005A KSU13005A SEMIHOW REV.A1,August 2013 KSD13005A_KSU13005AKSU13005A/KSU13005A Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 40 Watts TO-252 / TO-251 CHARA

0.12. ksd13005a.pdf Size:558K _semihow

KSD13005A KSU13005A SEMIHOW REV.A1,August 2013 KSD13005A_KSU13005AKSU13005A/KSU13005A Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 40 Watts TO-252 / TO-251 CHARA

0.13. ksh13005a.pdf Size:227K _semihow

KSH13005AKSH13005A SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130005AKSH13005ASwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls4 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted75 WattsTO-220

0.14. ksh13005af.pdf Size:223K _semihow

KSH13005AFKSH13005AF SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130005AFKSH13005AFSwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls4 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted75 WattsTO

Другие транзисторы… , , , 13001-0
, 13001-2
, 13001-A
, 13003AD
, 13003B
, S9012
, 13005AD
, 13005ADL
, 13005D
, 13005DL
, 13005ED
, 13005F
, 13005S
, 13005SD
.

Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13005.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13005 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор MJE13005 транзистором BU406D;

транзистором MJE13004; транзистором MJE53T; транзистором MJ4380; транзистором MJE53; транзистором MJ4401; транзистором TIP75C; транзистором TIP75; транзистором TIP75A; транзистором TIP75B; транзистором 2SC2126;

KSE13005 Datasheet (PDF)

0.1. kse13005f.pdf Size:23K _samsung

KSE13005F NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATIONSTO-220F High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector Base Voltage VCBO 700 V Collector Emitter Voltage V CEO 400 V Emitter Base Voltage VEBO 9 V Collector Current (DC) IC 4 A Collector Current (Pulse) IC 8

7.1. kse13004,13005.pdf Size:48K _fairchild_semi

KSE13004/13005High Voltage Switch Mode Application High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage : KSE13004 600 V : KSE13005 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage : KSE13004

7.2. kse13006,13007.pdf Size:48K _fairchild_semi

KSE13006/13007High Voltage Switch Mode Application High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage : KSE13006 600 V : KSE13007 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage : KSE13006

 7.3. kse13003.pdf Size:465K _fairchild_semi

March 2008KSE13003NPN Silicon TransistorHigh Voltage Switch Mode Applications High Voltage Capability High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlTO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseAbsolute Maximum Ratings* TC = 25C unless otherwise noted (notes_1)Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 700 VVCEO Collector-Emitter

7.4. kse13003t.pdf Size:47K _fairchild_semi

KSE13003THigh Voltage Switch Mode Applications High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC C

 7.5. kse13009f.pdf Size:25K _samsung

KSE13009F NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATIONTO-220F High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 700 V Collector-Emitter Voltage V CEO 400 V Emitter-Base Voltage VEBO 9 V Collector Current (DC) IC 12 A Collector Current (Pulse) IC 24

7.6. kse13006.pdf Size:70K _samsung

KSE13006/13007 NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATION High Speed SwitchingTO-220 Suitable for Switching Regulator and Motor ControlABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit VCBO 600 V Collector Base Voltage : KSE13006V : KSE13007 700 VCEO 300 V Collector Emitter Voltage : KSE13006V : KSE13007 400V Emitter Base Voltage VEB

7.7. kse13007f.pdf Size:23K _samsung

KSE13007F NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATIONSTO-220F High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector Base Voltage VCBO 700 V Collector Emitter Voltage V CEO 400 V Emitter Base Voltage VEBO 9 V Collector Current (DC) IC 8 A Collector Current (Pulse) IC 16

7.8. kse13003t.pdf Size:21K _samsung

KSE13003 NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATIONSTO-126 High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 700 V Collector-Emitter Voltage V CEO 400 V Emitter-Base Voltage VEBO 9 V Collector Current (DC) IC 1.5 A Collector Current (Pulse) IC 3

Как выбрать

Прежде чем отправиться за покупкой мягкой мебели, определитесь со своими потребностями. Если вы планируете покупку дивана для гостей, остановитесь на бюджетной, но современной модели

Важно, чтобы обивка служила долго и не истиралась

Если же планируется покупка мебели для ежедневного сна, основное внимание нужно уделить прочности каркаса и качеству наполнителя. Они обеспечивают правильное положение человека во время сна, сохраняют здоровье позвоночника и обеспечивают качественный сон

В anderssen доступны разные модели диванов, которые обеспечивают наиболее удобную эксплуатацию. В первую очередь необходимо замерить помещение, в которое планируется покупать мебель

Важно, чтобы диван поместился на место установки. Затем посмотрите на подходящие модели. Если в одних случаях подойдет большой угловой диван, в других можно установить только небольшой диван или кресло

Среди самых популярных вариантов трансформации выделяют следующие:

Если в одних случаях подойдет большой угловой диван, в других можно установить только небольшой диван или кресло. Среди самых популярных вариантов трансформации выделяют следующие:

  • Аккордеон;
  • Клик-кляк;
  • Еврокнижку.

На видео: диван аккордеон от андерссен.

MJE13005T Datasheet (PDF)

0.1. mje13005t8.pdf Size:439K _blue-rocket-elect

MJE13005T8(BR3DD13005T8F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F NPN Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package. / Features , High voltage capability, high speed switching. / Applications High frequency electronic light

0.2. mje13005t.pdf Size:299K _first_silicon

SEMICONDUCTORMJE13005TTECHNICAL DATA MJE13005T TRANSISTOR (NPN) unitHigh frequency electronic lightingswitching power supply applications. Symbol Rating Unit V 700 V CBO V 400 V CEO V 9.0 V EBO I 4 A C P (Ta=25) 1.25 WCP (Tc=25) 50 W CT 150 j T -55150 stg Electrical characteristics(Ta=25) Rating Symbol Test condition Unit

 0.3. mje13005t7.pdf Size:154K _foshan

MJE13005T7(3DD13005T7) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting, switching power supply applications. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 700 V CBO V 400 V CEO V 9.0 V EBO I 4.0 A C I 2.0 A

STD13005 Datasheet (PDF)

0.1. std13005is.pdf Size:226K _auk

STD13005ISNPN Silicon Power TransistorSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High speed switching VCEO(sus)=400V C Suitable for Switching Regulator and Motor Control BOrdering Information Type NO. Marking Package Code B C EESTD13005IS STD13005 I-PAK(S) I-PAK(S) Marking Diagram STD Column 1, 2: Device Code 13005 YWW Colu

0.2. std13005.pdf Size:268K _auk

STD13005NPN Silicon Power TransistorSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High speed switching C VCEO(sus)=400V Suitable for Switching Regulator and Motor Control BOrdering Information Type NO. Marking Package Code B C E ESTD13005 STD13005 TO-220ABAbsolute maximum ratings (Tc=25) Characteristic Symbol Ratings UnitCollector-Bas

 0.3. std13005f.pdf Size:274K _auk

STD13005FNPN Silicon Power TransistorSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High speed switching VCEO(sus)=400V C Suitable for Switching Regulator and Motor Control BOrdering Information Type NO. Marking Package Code B C EESTD13005F STD13005 TO-220F-3LMarking Diagram Column 1 : Manufacturer Column 2 : Production Information AU

0.4. std13005fc.pdf Size:271K _auk

STD13005FCNPN Silicon Power TransistorSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High speed switching VCEO(sus)=400V C Suitable for Switching Regulator and Motor Control BOrdering Information Type NO. Marking Package Code B C E ESTD13005FC STD13005 TO-220F-3SLAbsolute maximum ratings (Tc=25) Characteristic Symbol Ratings UnitColl

 0.5. std13005i.pdf Size:367K _kodenshi

STD13005INPN Silicon Power TransistorSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High speed switching VCEO(sus)=400V C Suitable for Switching Regulator and Motor Control BOrdering Information Type NO. Marking Package Code EB C ESTD13005I STD13005 I-PAK I-PAK Marking Diagram STD Column 1, 2: Device Code 13005 YWW Column 3 : Pr

13005F Datasheet (PDF)

0.1. kse13005f.pdf Size:23K _samsung

KSE13005F NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATIONSTO-220F High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector Base Voltage VCBO 700 V Collector Emitter Voltage V CEO 400 V Emitter Base Voltage VEBO 9 V Collector Current (DC) IC 4 A Collector Current (Pulse) IC 8

0.2. std13005f.pdf Size:274K _auk

STD13005FNPN Silicon Power TransistorSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High speed switching VCEO(sus)=400V C Suitable for Switching Regulator and Motor Control BOrdering Information Type NO. Marking Package Code B C EESTD13005F STD13005 TO-220F-3LMarking Diagram Column 1 : Manufacturer Column 2 : Production Information AU

 0.3. std13005fc.pdf Size:271K _auk

STD13005FCNPN Silicon Power TransistorSWITCHING REGULATOR APPLICATIONS Features PIN Connection High speed switching VCEO(sus)=400V C Suitable for Switching Regulator and Motor Control BOrdering Information Type NO. Marking Package Code B C E ESTD13005FC STD13005 TO-220F-3SLAbsolute maximum ratings (Tc=25) Characteristic Symbol Ratings UnitColl

0.4. mje13005f.pdf Size:442K _kec

SEMICONDUCTOR MJE13005FTECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTORSWITCHING REGULATOR APPLICATION.HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATION.HIGH SPEED DC-DC CONVERTER APPLICATION.FLUORESCENT LIGHT BALLASTOR APPLICATION.FEATURESExcellent Switching Times: ton=0.8 S(Max.), at IC=2AS(Max.), tf=0.9High Collector Voltage : VCBO=700V.MAXIMUM RATING (Ta=25)CHARACTERISTIC S

 0.5. 3dd13005f9-1.pdf Size:161K _crhj

NPN R 3DD13005 F9-1 3DD13005 F9-1 VCEO 450 V NPN IC 6 A Ptot TC=25 80 W

0.6. 3dd13005f7.pdf Size:147K _crhj

NPN R 3DD13005 F7 3DD13005 F7 NPN VCEO 400 V IC 6 A Ptot TC=25 65 W

0.7. 3dd13005f8-1.pdf Size:170K _crhj

NPN R 3DD13005 F8-1 3DD13005 F8-1 VCEO 450 V NPN IC 6 A Ptot TC=25 80 W

0.8. 3dd13005f8.pdf Size:154K _crhj

NPN R 3DD13005 F8 3DD13005 F8 NPN VCEO 400 V IC 6 A Ptot TC=25 80 W

0.9. 13005f.pdf Size:117K _jdsemi

R13005F www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 22

0.10. mje13005f.pdf Size:251K _first_silicon

SEMICONDUCTORMJE13005FTECHNICAL DATAC MJE13005F TRANSISTOR (NPN) ASWITCHING REGULATOR APPLICATION.HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATION. E DIM MILLIMETERS_A 10 16 0 20+HIGH SPEED DC-DC CONVERTER APPLICATION._B 15 00 0 20+_C 3 00 0 20+FLUORESCENT LIGHT BALLASTOR APPLICATION.D 0 6250 125E 3 50 typF 2 7 typ_G 16 80 0 4+FEATURES LM_H 0 45 0 1

Одна из признанных мебельных компаний пересмотрела маркетинговую концепцию и запустила программу ребрендинга.

Ушедший 2013 год стал для фабрики мягкой мебели Anderssen во многом оценочным, поворотным.

«Мы вступили в новый этап, — комментирует генеральный директор Anderssen Елена Фетисова. — Было проанализировано всё, чего мы достигли, и определены перспективы развития компании на несколько лет вперёд — сформулировано видение и вытекающие из него цели.

Мы очень серьёзно, системно занялись оптимизацией и формализацией операционной деятельности. Дали старт девяти новым мощным проектам, связанным с построением корпоративной культуры на основе ценностей компании.

Всё это помогает позиционировать компанию на рынке, грамотно выстраивать внутренние и внешние коммуникации, точнее ставить акценты в маркетинговой политике».

Осенью 2013-го компания Anderssen провела ребрендинг.

«Ребрендинг был вызван изменением концепции компании, — говорит Вера Малова, коммерческий директор Anderssen. — Фабрика давно ушла от «детского» модельного ряда, ассортимент стал более широким, универсальным. Мы, например, стали делать не только раскладные диваны, но и модульные модели, диваны для сидения. Фабрика «выросла» из прежнего своего имиджа, и мы хотели, чтобы клиент увидел наше новое лицо. Если раньше в позиционировании мебели от Anderssen звучали утилитарные нотки — качество, ежедневный сон, практичность, надёжность, — то сейчас мы движемся дальше и стараемся через нашу мебель нести в дома покупателей заботу наших рук и тепло наших сердец. Чуть смягчилось начертание логотипа, изменился дескриптор — «Диваны для семейного тепла» вместо безэмоционального, бесстрастного — «Современная мягкая мебель».

Разумеется, перепозиционирование потребовало новых подходов к оформлению фирменных розничных площадок Anderssen. Экспериментировали на собственном 1000-метровом салоне при фабрике, и, надо признать, эксперимент удался. Получилось очень комфортное, обаятельное, обжитое пространство. Позитивная колористика, модные ткани на подиумных образцах, нетривиальные композиционные решения — всё это «работает» на образ дружелюбного, обустроенного с любовью и вкусом семейного «гнезда». Причём эффект полноценного жилого интерьера дизайнер компании Елена Попова смогла создать без «участия» корпусной мебели.

Салон грамотно зонирован. В центре — своеобразная рекреация, где вольготно расположились лаунж-диваны из коллекции Tanagra. Отдельная зона, озаглавленная Anderssen Kids, отдана под модельную линейку трансформируемых диванов для детей и тинейджеров. Раскладные диваны из базовой ассортиментной программы Anderssen (каждый — в своей мини-декорации) обрамляют торговый зал.

«Дилерам мы показали обновлённый салон в ноябре прошлого года, когда проводили на фабрике домашнюю выставку, — продолжает Вера Малова. — Все партнёры оценили нововведения, и сейчас идёт процесс переформатирования салонов. Для каждой торговой точки — с учётом её площади и архитектурных особенностей — специалисты Anderssen делают проект застройки, визуализацию. Сформирована коллекция тканей, в которых мы рекомендуем выставлять диваны в торговые залы».

В Москве в самое ближайшее время в новом свете предстанут площадки Anderssen в «Мебельграде» и на улице Полярной. Постепенно все фирменные места продаж — как в столице, так и в регионах — планируется привести к утверждённым визуальным стандартам.

За последние полтора года фабрика ввела в ассортимент 17 новинок. Значительно расширился размерный ряд диванов. Некоторые модели выпускаются в нескольких габаритных вариантах и на разной конструкционной базе — с выкатным механизмом или с металлическими трансформерами. Активно развивает Anderssen и тему классики: всё больше в модельном ряду диванов с подлокотниками-волютами, с басонным декором, в тканях с традиционными орнаментами.

«Понять, чего ждёт покупатель — задача, которую решает каждая компания, — говорит Елена Фетисова. — Конечно, профессионал интуитивно чувствует рынок, но всегда полезно подтверждать интуицию точными данными. Поэтому в прошлом году мы заказали независимому маркетинговому агентству целый пакет качественных исследований. Результаты фокус-групп, покупательских опросов, анкетирования клиентов легли в основу нашей работы по обновлению модельного ряда».

Маркером покупательского признания может служить победа в народном конкурсе-голосовании «Марка №1 в России», который проходит с 1998 года. В 2013-м компания Anderssen собрала наибольшее число голосов в номинации «Мягкая мебель». К слову, среди розничных клиентов компании велика доля тех, кто, однажды купив диван Anderssen, совершает покупки вновь и рекомендует продукцию фабрики своим друзьям и знакомым.

Валентина Леткова

13 июня 2014 (№128)

SBP13005D1 Datasheet (PDF)

0.1. sbp13005d1.pdf Size:314K _winsemi

SBP13005D1SBP13005D1SBP13005D1SBP13005D1High Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Very High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot h VariationFE Wide Reverse Bias SOA Built-i

5.1. sbp13005d.pdf Size:313K _winsemi

SBP13005DSBP13005DSBP13005DSBP13005DHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Very High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot h VariationFE Wide Reverse Bias SOA Built-in fr

 6.1. sbp13005o.pdf Size:508K _winsemi

SBP13005-OSBP13005-OSBP13005-OSBP13005-OHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionThis Device is designed for hig

6.2. sbp13005s.pdf Size:158K _semiwell

SemiWell Semiconductor SBP13005-S High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor Features Very High Switching Speed Minimum lot to lot hFE Variation Wide Reverse Bias SOA General Description This Device is designed for high voltage, High speed switching characteristics required such as lighting system, switching mode power supply. Absolute Maximum Ratings