Транзистор 2n60b

Производители

Выберите производителя, чтобы ознакомится с его DataSheet на 13009:

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Высказывания: Во время пьянки мы чувствуем себя личностью. Наутро – организмом.

Справка об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13009 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор MJE13009 транзистором 2SC2335;

транзистором 2SC3346; транзистором 2SC3306; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC3257; транзистором BUL74A; транзистором BUW72; транзистором 2SC3346; транзистором 2SC3306; транзистором 2SC2898; транзистором 2SC3257;

Коллективный разум.

дата записи: 2015-02-14 22:21:29

дата записи: 2016-02-23 16:11:18

дата записи: 2016-02-23 16:13:10

дата записи: 2016-10-12 13:39:27

MJE13005 – функциональный аналог; дата записи: 2017-11-01 08:40:54

2SC3040 – функциональный аналог; дата записи: 2018-07-06 22:01:53

Добавить аналог транзистора MJE13009.

Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора MJE13009? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

Мощные транзисторы, применяемые в БП. Подбор и замена.

10 Ноя 2007 – 20:13 NMD 1572 >> 68.32

Ремонт Блоков Питания Транзисторы Детали

Вот небольшая подборка транзисторов, использующихся в БП. Михаил.KSC5027- Vceo-800V, Ic- 3A, Icp – 10A, Pd – 50W 2SC4242 – Vceo – 450v, Ic – 7A. Pd – 40W BU508A – Vceo – 700V, Ic – 8A, Icp – 15A, Pd – 50W ST13003 – Vceo-400v, Ic- 1.5A, Icp – 3A, Pd – 40W MJE13003 – Vceo -400v. Ic -1.5A, Icp – 3A, Pd – 40W 2SC3457 – Vceo – 800v, Ic – 3A. P – 50w MJE13005 – Vceo – 400v, Ic – 4A, Icp – 8A, Pd – 75w MJE13006 – Vceo – 300v, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80w MJE13007 – Vceo – 400v, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80w 2SC2625 – Vceo – 450v, Ic – 10A, Pd – 80w 2SC3306 – Vceo – 500v, Ic -10A, Pd – 100w KSE13006 – Vceo – 300V, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80W KSE13007 – Vceo – 400V, Ic – 8A, Icp – 16A, Pd – 80W KSE13009 – Vceo – 400v, Ic – 12A, Icp – 24A, Pd – 130w KSP2222A – Vceo- 40v, Ic – 0.6A, Pd – 0.63w 2SC945 – Vcev – 60v, Ic – 0,1A, Pd – 0.25w 2SA733 – p-n-p Vce – 60v, Ic – 0.1A, Pd – 0.25w 2SA1015 p-n-p Vce – 50v, Ic – 0.15A, Pd – 0.4w 2SA1273 p-n-p Vce – 30v, Ic – 2A, Pd – 1.0w 2SB1116A p-n-p Vce – 80v, Ic – 1.0A, Pd – 0.75w KSC2335F – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 40w. 2SC2553 – Vceo-500v, Ic – 5A, Pd – 40w. 2SC2979 – Vceo-900v, Ic – 3A, Pd – 40w. 2SC3039 – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 50w. 2SC3447 – Vceo-800v, Ic – 5A, Pd – 50w. 2SC3451 – Vceo-800v, Ic -15A, Pd – 100w. 2SC3460 – Vceo-1100v, Ic – 6A, Pd – 100w. 2SC3461 – Vceo-1100v, Ic – 8A, Pd – 120w. 2SC3866 – Vceo-900v, Ic – 3A, Pd – 40w. 2SC4106 – Vceo-500v, Ic – 7A, Pd – 50w. 2SC4706 – Vceo-600v, Ic -14A, Pd – 130w. 2SC4744 – Vceo-1500v, Ic – 6A, Pd – 50w. KSC1008 – Vceo-80v, Ic -0.7A, Pd – 0.8w. 2SA928A p-n-p Vceo-20v, Ic – 1A, Pd – 0.25w. ZTX457 – Vceo-300V Ic – 0.5A, Pd – 1,0W

Модификации транзистора 2N3904

Практически все изделия с кодом 2N3904 многочисленных производителей обладают завидной повторяемостью электрических и временных параметров. Некоторые отличия наблюдаются в параметрах, характеризующих динамические свойства транзистора (fT, Сobo), и которые вполне могут быть отнесены к расхождениям в методиках контроля этих параметров у производителя.

Модель Тип корпуса PC Другие параметры Производитель
2N3904 TO-92 0,625 Tj = от -55°C до +150°C Motorola
2N3904 S SOT-23 0,35 Tj = от -55°C до +150°C KEC (Korea Electronics)
2N3904 E ESM 0,1
2N3904 U USM
2N3904 V VSM
2N3904 S SOT-23 0,225 FS (First Silicon)
2N3904 U SOT-323 0,15
2N3904 N TO-92N 0,4 AUK Semiconductor
MMBT 3904 SOT-23 0,35 Fairchild Semiconductor
PZT 3904 SOT-223 1
2N3904 – T18 TO-18 0,31 Tj = от -63°C до +200°C SEME LAB

Таблица предельно допустимых значений

Производитель не гарантирует безопасную работу транзистора, если значения параметров превысят, указанные в таблице. В этом случае не гарантируется работа транзистора в номинальных режимах, согласно технической документации. Существует большая вероятность необратимого выхода элемента из строя.

Значения напряжения и тока в таблице соответствуют температуре окружающей среды +25°C.

Обозначение Параметр SSW2N60B SSI2N60B Ед.изм.
VDSS Напряжение сток-исток 600 V
ID Постоянный ток стока
TC=25°C 2 A
TC =100°C 1.3 A
IDM Импульсный ток стока 6 A
VGSS Напряжение затвор-исток ±30 V
EAS Максимальная энергия одиночного импульса 120 mJ
IAR Лавинный ток 2 A
EAR Максимальная энергия повторяющихся импульсов 5.4 mJ
dv/dt Скорость восстановления диода 5.5 V/ns
PD Мощность рассеяния
TA = 25°C 3.13 W
TC = 25°C 54 W
TJ, Tstg Диапазон безопасных температур хранения и работы -55…+150 °C
TL Максимальная температура припоя при пайке на расстоянии 4мм от корпуса в течение 5 секунд 300 °C

Модели в устройствах бесперебойного питания

Большинство транзисторов для установки в устройства бесперебойного питания годятся

При этом необходимо обращать внимание только на толщину базы. В данном случае она не должна превышать 1,4 мм

Еще некоторые специалисты советуют осматривать транзистор на наличие дополнительного проводника. На сегодняшний день многие производители выпускают именно такие модификации.

Связано это с тем, что полоса пропускания у них значительно повышается. Однако к недостаткам следует отнести низкую скорость отклика сигнала

Также важно учитывать, что у них в последнее время наблюдаются определенные проблемы, связанные с установкой двоичной шины рядом

Что будет если MOSFET транзистор заменит выпрямительный диод в источнике питания?

Кремниевые выпрямительные диоды обладают большим значением прямого падения напряжения, которое достигает величины 1,2 В. Мощность, которую они рассеивают, способна понизить величину КПД питающего источника. На антивозвратном диоде в панели фотоэлектрического типа с величиной мощности 120 Вт и номинальным значением напряжения 24 В, теряется до 6 Вт, что равно 5% относительных единиц. Еще одним отрицательным фактором использования диодов может служить добавочные затраты на систему охлаждения, что служит причиной потерь мощности.

Рис. Прецизионный диод большой мощности работает в качестве выпрямителя, питает нагрузку индуктивности.

Схема выпрямительного устройства с МOSFEТ транзистором Q1 с низким значением сопротивления сток-исток во время работы, является источником 36 В. Нагрузка образуется с помощью использования последовательного соединения резистора на 9 Ом и индуктивности – 25 мГн. Компаратор IC служит для управления (открытия/ закрытия) затвора транзистора Q1. Это возможно на тех временных отрезках, когда питающее напряжение на аноде выше напряжения на катоде. Исток работает в качестве анода, а катод заменяется стоком. Способность проводить транзистором ток в направлении сток-исток весьма эффективно работает в этой схеме. При включении Q1 можно эффективно шунтировать паразитный диод, расположенный между подложкой и стоком, при этом наблюдаются минимальные потери мощности. При небольшом напряжении, происходит работа затвора-истока в качестве транзистора. Так, и паразитный диод D1, и резистор R1 работают в качестве компаратора, они служат для ограничения напряжении я на входах.

Нормальный режим работы выпрямителя при максимально большом токе нагрузки 2,65 А наблюдается падение напряжения, оно равно 33 мВ, а Q1 действует в омической области, там, где нарастает вольт-амперная характеристика. Если напряжение затвора оставить без управления, то падение напряжения будет равно величине способствующей мгновенному возрастанию максимальной мощности.

Эту же схему можно применять в DC/DC и DS/AC преобразователях, потому как в мостовых схемах, при этом MOSFET транзисторы имеют возможность пропускать и активные, и реактивные токи. Значительной особенностью может считаться исключение воздействие паразитного диода подложка-сток.

Пишите комментарии, дополнения к статье, может я что-то пропустил. Загляните на карту сайта, буду рад если вы найдете на моем сайте еще что-нибудь полезное.

Аналоги импортного и отечественного производства

Тип транзистора PC VCEO VEBO IC TJ fT CC hFE Тип корпуса
2N 3906A 0,625 40 5 0,2 150 250 4,5 100 ТО-92
Импортные аналоги
MMBT 390 0,35 40 5 0,2 150 250 4,5 100 SOT-23
PZT 3906 1 40 5 0,2 150 250 4,5 100 SOT-223
H2N 3906 0,625 40 5 0,2 150 250 4,5 100 ТО-92
KN 3906 0,625 40 5 0,2 150 250 4,5 100 ТО-92
2N 3905 0,625 40 5 0,2 150 200 4,5 100 ТО-92
2SB 1014 0,7 60 8 1 185 160 ТО-92
2SB 977A 0,75 50 8 1 195 3000 ТО-92
BC 327-025 0,625 45 5 0,5 150 260 10 160 ТО-92
KN 4403 0,625 40 5 0,6 150 200 8,5 100 ТО-92
KSP 75/76/77 0,625 40/50/60 10 0,5 150 10000 ТО-92
TIPP 115/116/117 0,8 60/80/100 5 2 150 1000 ТО-92
TIS 91 (M) 0,625 40 5 0,4 150 100 ТО-92
ECG 2342 0,8 80 5 1 150 200 2000 ТО-92
BSR 62 0,8 80 5 1 150 200 1000 ТО-92
Аналоги производства РФ и Республики Беларусь
КТ 6109D/G 0,625 40 5 0,5 150 144/112 ТО-92
КТ361Г/В2/Д2/К2 0,15 35 – 60 4 0,05 150 250 7 350 ТО-92
КТ502В/Г/Д /Е 0,35 40 0,15 150 5 120 ТО-92
КТ6136А 0,625 40 5 0,2 150 250 4,5 300 ТО-92
КТ313Б/В 0,3 60 5 0,35 150 200 12 300 ТО-92

Примечание: характеристики радиоэлементов в таблице взяты из даташит производителя.

Расшифровка основных параметров MOSFET-транзисторов

Тип транзистора – в реальных устройствах могут использоваться полевые транзисторы разных типов: транзистор с управляющим p-n – переходом (J-FET) или
униполярные транзисторы МДП-типа (MOSFET).

Полярность — полевые транзисторы могут быть прямой проводимости или обратной, то есть с P-каналом или N-каналом.

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) — необходимо убедиться, что выбранный транзистор может рассеивать достаточную мощность. Этот параметр зависит от
максимальной рабочей температуры транзистора — при повышении температуры максимальная рассеиваемая мощность уменьшается. Если рассеиваемая мощность
недостаточна — ухудшаются некоторые характеристики транзистора. Например, сопротивление Rds может удвоиться при возрастании температуры от 25°C до 125°C.

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Vds) – это максимальное напряжение сток-исток не вызывающее лавинного пробоя при температуре 25°C. Оно
имеет зависимость от температуры: напряжение уменьшаться при уменьшении температуры транзистора. Например, при -50°C, напряжение, не вызывающее
лавинного пробоя, может составлять 90% от Vds при 25°C.

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) – при подаче на затвор напряжения более допустимого, возможно повреждение изолирующего оксидного слоя
затвора (это может быть и статическое электричество). Не стоит использовать транзисторы с большим запасом по напряжениям Vds и Vgs, т.к. обычно они имеют
худшие скоростные характеристики.

Пороговое напряжение включения Vgs(th) — если напряжение на затворе выше Vgs(th), MOSFET транзистор начинает проводить ток через канал сток-исток. Vgs(th)
имеет отрицательный температурный коэффициент: с увеличением температуры MOSFET-транзистор начинает открываться при более низком напряжении затвор-исток.

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id) – следует иметь ввиду, что иногда выводы из корпуса транзистора ограничивают максимально допустимый
постоянный ток стока (переключаемый ток может быть больше). С ростом температуры максимально допустимый ток уменьшается.

Максимальная температура канала (Tj) — этот параметр ограничивает температуру канала транзистора во включенном состоянии. Если ее превысить,
срок службы транзистора может сократиться.

Общий заряд затвора (Qg) — заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора. Чем меньше этот параметр, тем меньшая мощность требуется для управления транзистором.

Время нарастания (tr) — время, за которое ток стока увеличится с 10% до 90% от указанного.

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds) — сопротивление открытого канала сток-исток при заданных параметрах: Id, Vgs и Tj.

Выше описаны наиболее важные параметры MOSFET-транзисторов. В даташитах производитель указывает много дополнительных параметров: заряд затвора,
ток утечки затвора, импульсный ток стока, входная емкость и др.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость времени задержки td и времени нарастания импульса tr от коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.

При измерении времени задержки td установлено напряжение смещения UBE(OFF) = 5 В.

Рис. 2. Зависимость времени сохранения ts и времени спадания импульса tf от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления hFE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята для различных значений температуры структуры Tj и напряжений коллектор-эмиттер UCE.

Рис. 4. Изменение падения напряжения на транзисторе UCE при изменении управляющего тока базы IB. Зависимости сняты при различных нагрузках IC и температуре структуры Tj = 25°C.

Рис. 5. Изменение напряжения насыщения на базовом переходе UBE(sat) при разных нагрузках IC и разных температурах структуры Tj. Соотношение токов IC / IB = 3.

Пунктиром показано изменение напряжения включения UBE(ON) при напряжении на коллекторе UCE = 2 В.

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от коллекторного тока IC при различных температурах и соотношении токов IC/ IB = 3.

Рис. 7. Область выключения транзистора. Зависимость коллекторного тока IC от напряжения база-эмиттер UBE.

Характеристика снята при разных температурах Tj структуры и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 250 В.

FORWARD – напряжение база-эмиттер приложено в прямом направлении.

REVERS — напряжение база-эмиттер приложено в обратном направлении.

Рис. 8. Зависимости входной емкости Cib перехода эмиттер-база и выходной емкости Cob коллекторного перехода от величины обратного приложенного напряжения. Температура структуры Tj= 25°С.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке.

Предельные токи ограничены: значением максимального постоянного тока IC = 1,5 А и максимального импульсного тока ICM = 3,0 А.

При этих значениях тока разрушаются паяные соединения подводящих проводов со слоями п/п структуры. Показано штрихпунктирной линией.

Предельные напряжения ограничены максимальным рабочим напряжением UCEO(SUS) = 400 В.

Общее тепловое разрушение структуры наступает при превышении ограничений по току и напряжений, показанных пунктирной линией.

Сплошная линия обозначает ограничения, связанные с вторичным необратимым пробоем п/п структуры транзистора. Во всех режимах работы линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ограничений.

Рис. 10. Ограничение величины рассеиваемой мощности (нагрузки) транзистора при возрастании температуры окружающей среды Ta.

Характеристика снята для условий работы на резистивную нагрузку.

Рис. 11. Область безопасной работы транзистора с обратным смещением для случая с введенными ограничениями перенапряжений.

Предельное ограничение по напряжению (перенапряжению) UCLAMP = 700 В.

Величины напряжений обратного смещения UBE(OFF) соответственно 9 В, 5 В, 3 В и 1,5 В.

Характеристики построены для температуры структуры в пределах 100°С и при токе базы IB1 = 1 А.

Такая ОБР с обратным смещением характерна для схем работы транзистора на индуктивную нагрузку.

В этих режимах работы, линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ОБР ограничений.

«Квантовые материалы комнатной температуры»

Кроме того, МЭСО может использоваться одновременно и для обработки, и для хранения данных — в каждый элемент можно записать по крайней мере 1 бит информации. Дело в том, что МЭСО изготавливаются из так называемого мультиферроика — соединения висмута, железа и кислорода (BiFeO3). Этот материал был впервые создан в 2001 г. Рамаморти Рамешем (Ramamoorthy Ramesh), профессором математики и инженерии Калифорнийского университета в Беркли и главным автором статьи в Nature.

Мультиферроик имеет два состояния — магнитное и ферроэлектрическое — которые связаны друг с другом. Меняя электрическое поле, можно изменить магнитное состояние. Таким образом, в качестве 0 и 1 здесь выступает восходящее и нисходящее направление намагниченности, которая меняется за счет манипуляций с полем.

Главным прорывом в создании МЭСО стало появление топологических материалов со спин-орбитальным эффектом, который позволяет эффективно считывать состояние мультиферроика. В МЭСО электрическое поле изменяет дипольное электрическое поле по всему материалу, что в свою очередь изменяет электронные спины, которые генерируют магнитное поле. Эта способность исходит из спин-орбитальной связи, квантового эффекта в материалах, который вырабатывает ток, определяемый направлением вращения электрона.

«МЭСО — это элемент, сделанный из квантовых материалов комнатной температуры», — поясняет Сасикант Манипатруни (Sasikanth Manipatruni), старший научный сотрудник и директор Научно-технологического центра Intel по интеграции и производству функциональной электроники.

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, примененяемые в пускорегулирующих устройствах осветительной аппаратуры, преобразователях напряжения, импульсных регуляторах и других переключающих устройствах.

Отечественное производство

Тип PC UCB UCE UBE IC TJ fT hFE Врем. параметры: ton / tstg / tf мкс Корпус
13001-0 0,8 700 400 9 0,4 150 5 8…30 0,7 / 1,8 / 0,6 TO-92
КТ538А 0,7 600 400 9 0,5 125 4 5 — TO-92
2Т506А/Б 0,8 800/600 800/600 5 2 150 17 30 0,25 / 1,56 / 0,5 TO-39
КТ8270А 7 600 400 9 0,5 125 4 10 — TO-126

Зарубежное производство

Тип PC UCB UCE UBE IC TJ fT hFE Врем. параметры: ton / tstg / tf мкс Корпус
13001-0 0,8 600 400 9 0,5 150 5 8…30 0,7 / 1,8 / 0,6 TO-92
3DD6012A1 0,8 900 500 9 1,5 150 5 5 1 / 2 /1,5 TO-92
BU103AH 0,8 900 600 9 1,6 150 5 15 1 / 3 / 0,8 TO-92
BU103DH 0,8 800 500 9 1,6 150 5 20 1 / 3,5 / 0,8 TO-92
BUJ100 2 700 700 — 1 150 — 14 0,88 / 1,2 / 0,3 TO-92
CS13002 9,9 700 480 9 1 150 — 8 — TO-92
CS13003 0,9 700 480 9 1,5 150 — 8 — TO-92
KSB13003H 1,1 900 530 9 1,5 150 4 20 1,1 / 4 / 0,7 TO-92
KSB13003HR 1,1 900 530 9 1,5 150 4 20 1,1 / 4 / 0,7 TO-92
KTC3003HV 1,1 900 530 9 1,5 150 4 20 1,1 / 3 / 0,7 TO-92
MJE13002AHT 1,2 850 500 9 1,5 150 — 20 — TO-92(S)
MJE13003HT 1,3 850 500 9 2 150 — 20 — TO-92
MJE13003J1 1 900 550 9 1,5 150 5 10 — / 6 / 1,2 TO-92
MJE13003J1G 1 900 550 9 1,5 150 5 10 — TO-92
MJE13003L1 1 900 530 9 1,5 150 5 10 — / 5 / 1,2 TO-92
STD5915 1,1 900 530 9 1,5 150 4 20 1,1 / 4 / 0,7 TO-92
STX616 2,8 980 500 12 1,5 150 — 25 0,2 / 5 / 0,65 TO-92

Примечания:

  1. Для транзистора MJE13002AHT возможны также корпуса: TO-126(S), TO-251(S), SOT-89.
  2. Данные в таблицах взяты из даташип-производителя. 

Электрические характеристики

Характеристика Обозначение Параметры при измерениях Значения
Пробивное напряжение коллектор-база, В U(BR)CBO IC = 1,0 мА, IE = 0 ˃ 500
Пробивное напряжение коллектор-эмиттер, В U(BR)CEO IC = 5,0 мА, RBE = ∞ ˃ 400
Пробивное напряжение эмиттер-база, В U(BR)EBO IE = 1,0 мА, IC = 0 ˃ 7,0
Выдерживаемое напряжение коллектор-эмиттер, В UCEX(sus) IC = 3 А, IB1 = 0,3 А, IB2 = -1,2 А, ˃ 400
L = 1 мГн, с введенными ограничениями
Ток коллектора выключения, мкА ICBO UCB = 400 В, IE = 0 ˂ 10
Ток эмиттера выключения, мкА IEBO UEB = 5,0 В, IC = 0 ˂ 10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat) IC = 4,0 А, IB = 0,8 А ˂ 0,8
Напряжение насыщения база-эмиттер, В UBE(sat) IC = 4,0 А, IB = 0,8 А ˂ 1,5
Статический коэффициент усиления по току hFE (1) ٭ UCE = 5,0 В, IC = 0,8 А 15…50
hFE (2) UCE = 5,0 В, IC = 4,0 А ≥ 10
hFE (3) UCE = 5,0 В, IC = 10,0 мА ≥ 10
Частотная полоса передачи (частота среза), МГц fT UCE = 10,0 В, IC = 0,8 А 20
Выходная емкость коллекторного перехода, пФ Cob UCB = 10 В, f = 1 МГц 80
Время переключения, мкс Время нарастания ton IC = 5 А, IB1 = 1,0 А, IB2 = -2 А, RL = 40 Ом, UCC = 200 В См. схему измерений на Рис. 1. ˂ 0,5
Время сохранения ts ˂ 2,5
Время спадания tf ˂ 0,3

٭ — весь диапазон изменения значений статического коэффициента усиления разделен на три группы в соответствии с таблицей:

Обозначение группы L M N
Диапазон значений hFE 15…30 20…40 30…50

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C.

Чем заменить диод в микроволновке: читаем во всех подробностях

/ Техника /

Микроволновые печи давно появились в домах для удобного разогрева пищи. Они достаточно просты в управлении и доступны по стоимости.

Несмотря на свою надежность, изделие не защищено от неизбежных технических сбоев. В какой-то момент оно просто перестаёт работать. Основной причиной является поломка высоковольтного диода.

Высоковольтный диод – это несколько деталей, последовательно соединенных друг с другом в общий корпус. В комплектацию входит специальный выпрямительный диод. Это изделие наделено нелинейной вольт-амперной технической характеристикой.

Такую деталь микроволновки нельзя измерить обычным тестером, нужно воспользоваться мультиметром.

Неисправности СВЧ — печей. | Автор топика: Nineczka

Типичные неисправности микроволновок: вышел из строя магнетрон (основная деталь свч-печей — излучает микроволны), сгорел силовой трансформатор, не крутится тарелка, не работает панель управления, не нажимаются кнопки передней панели, не светится индикатор, пробита слюда.

Стоимость ремонта печки в основном зависит от необходимости замены дорогостоящих узлов.

Замена трансформатора или магнетрона. Замена конденсатора, диода, высоковольтного предохранителя. Замена предохранителя, слюды, лампы освещения. Ремонт электросхемы.

Anna (Corrianna) А где взять эту штучку, которая на стенке микроволновки прямоугольная золотистая???

Тюмень (Ferne) у меня можно

Yulia (Cullen) у меня на дверце как то умудрились защитную сетку повредить, на стекле — нужно менять дверцу или стекло или достаточно новую защиту наклеить?

Andrey (Farzin) таких запчастей у меня нет

Чем заменить высоковольтный диод в микроволновке

Проверка диода

Важно. Для процедуры печь обязательно отключают от электропитания

Шнур вынимают из розетки.

Затем производят визуальный осмотр микроволновки. Если нет оплавленных мест, потемневших участков, необходимо применить специальный измерительный прибор.

Как найти высоковольтный диод

Работает механизм по одному принципу. Но вот разновидностей этого элемента много. В конструкции микроволновой печи есть плата с маркировкой. Нужный элемент обычно обозначен символом DB 1.

Как только разберётесь, к какой модели относится ваша СВЧ, можете заменить деталь аналогичным элементом. Маркировка будет другая, но тип работы изделия один и тот же. Просто у каждого производителя своя маркировочная система.

Техническая характеристика детали следующая:

  • ток выходом до 700 мАмпер;
  • наивысшее напряжение около 5 кВольт.

Как проверить высоковольтный диод мультиметром

Для оценки состояния важной части надо применить специальный прибор – мультиметр. После того как отключите разогревательную технику от сети питания и вынете элемент печи, необходимо перевернуть деталь

Это позволит измерить напряжение с двух сторон

После того как отключите разогревательную технику от сети питания и вынете элемент печи, необходимо перевернуть деталь. Это позволит измерить напряжение с двух сторон.

Сопротивление измеряют как в прямом, так и обратном направлении.

  • Мультиметр надо включить в режим R x 1000.
  • Подсоедините его к диоду, к выводу со знаком + (это прямое сопротивление). Тестер должен показать на экране конечное сопротивление.
  • После этого подключают к выводу со знаком минус. Это измерение обратного направления сопротивления. Тестер должен вывести на экран бесконечность.

Важно. Подключать мультиметр надо в сеть не меньше 9 вольт

Проверка высоковольтного конденсатора мультиметром возможна только на пробой. Если прибор покажет короткое замыкание — деталь надо заменить.

Биполярный транзистор KT972A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT972A

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ972А обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.

Параметры транзистора КТ972
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение
Аналог КТ972А BD877, BD263 *2, SK9255 *3, BD321A *3
КТ972Б BD875, BD477, BSP50 *3, SMD3303 *3, BD675A *2
Структура — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ972А — 8*
КТ972Б — 8*
КТ972В — 8*
КТ972Г — 8*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ972А — ≥200
КТ972Б — ≥200
КТ972В — ≥200
КТ972Г — ≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ972А 1к 60*
КТ972Б 1к 45*
КТ972В 1к 60*
КТ972Г 1к 60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб., КТ972А — 5,00
КТ972Б — 5,00
КТ972В — 5,00
КТ972Г — 5,00
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ972А — 4*
КТ972Б — 4*
КТ972В — 2,00
КТ972Г — 2,00
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ972А 60 В ≤1*
КТ972Б 45 В ≤1*
КТ972В 60 В ≤1*
КТ972Г 60 В ≤1*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э, h*21Э КТ972А 3 В; 1 А ≥750*
КТ972Б 3 В; 1 А ≥750*
КТ972В 3 В; 1 А 750…5000
КТ972Г 3 В; 1 А 750…5000
Емкость коллекторного перехода cк, с*12э КТ972А — ≤3
КТ972Б — ≤3
КТ972В — ≤3
КТ972Г — ≤1.9
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. КТ972А — —
КТ972Б — —
КТ972В — —
КТ972Г — —
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ972А — —
КТ972Б — —
КТ972В — —
КТ972Г — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) КТ972А — ≤200*
КТ972Б — ≤200*
КТ972В — ≤200*
КТ972Г — ≤200*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Основные технические характеристики

Обычно у транзисторов серии S8050 такие технические характеристики:

  • Тип проводимости транзистора NPN;
  • Тип корпуса ТО-92 или SOT-23;
  • Максимально допустимый коллекторный ток (Maximum Collector Current) IK макс (Ic max) 0,7А или 700мА (mA), при температуре окружающей среды 25 градусов (С);
  • Максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером (Collector-Emitter Voltage) UКЭ макс (VCE) не более 20 В (V);
  • Максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой (Emitter-Base Voltage)UЭБ макс(VЕВО) не более 5 В (V);
  • Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе(Maximum Collector Dissipation) PK макс (PC ) 1 Ватт (Watt);
  • Граничная частота передачи тока(Current Gain Bandwidth Product) fгр (ft)100 МГц (MHz)
  • Максимально допустимое обратное напряжении на коллекторном переходе (Collector-Base Voltage) U КБ макс .(VCBО ) не более 40 В (V);
  • Коэффициент усиления по току (Minimum & maximum DC Current Gain) от 85 до 300 hFE;
  • Максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) IКБО(ICBO) у транзистора S8050 не более 0,1 мкА (µA) при U КБ макс .(VCBО ) = 40В (V) и отключенном эммитере (ток эммитора IЭ (IE)=0);
  • Максимальный обратный ток коллектора (Collector Cutoff Current) IКБО (ICBO) не более 0,1 мкА (µA) при U КБ макс .(VCBО ) = 40 В (V) и отключенном эммитере (IЭ (IE)=0);
  • Максимальная температура хранения и эксплуатации (Max Storage & Operating temperature Should be) от — 65 до +150 градусов (C).

Аналоги и описание

Комплементарной парой для него является S8550. Полные аналоги (не Российские) транзистора s8050 можно считать 9013, 9014 и 2N5551 их смело ставим взамен вышедшему из строя s8050.

Полезная информация:

  • Максимально допустимый коллекторный ток составляет 700 мА (mA), поэтому можно управлять только нагрузками, которые находятся в пределах 0,7 А.;
  • Максимальное напряжение, которое этот транзистор может пропустить через контакты коллектора и эмиттера, составляет 20 В (V), поэтому вы можете использовать его только в цепях, которые работают под напряжением 20 В(V);
  • Нормальное значение коэффициента усиления по току транзистора равно 110 hFE, а максимальное значение 400 hFE;
  • Максимальное значение усиления показывает максимальное усиление сигнала, которое Вы можете получить от транзистора в электронной схеме.

Применение

Транзисторы S8050 чаще всего применяются в качестве усилителя сигналов (обычно в усилителях класса B), двуконтактных схемах с комплементарным транзистором S8550, в качестве электронного ключа для небольших нагрузок, например:

  • Реле;
  • Светодиоды;
  • Лампочками и т.д.

Где и как мы можем использовать ? Транзистор S8050 это идеальный компонент для выполнения небольших и общих задач в электронных схемах. Вы можете использовать его в качестве переключателя в электронных цепях для включения нагрузок до 700 Ма (mA). 700 мА (mA) достаточно для работы с различными незначительными нагрузками. Его также используют в качестве усилителя на малых ступенях усиления или в качестве отдельного усилителя на малых сигналах.

Похожие записи:

Как выставить зажигание с помощью стробоскопа? Сигнализация действия защиты и автоматики Подключение потолочного светильника со светодиодами Default ThumbnailМаркировка smd компонентов: кодовые обозначения Как сделать веб-приложение для вашего собственного bluetooth low energy девайса? Как подключить усилитель в машине