Транзистор 2sc4106 (c4106)

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость времени задержки t_d и времени нарастания импульса t_r от коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при напряжении питания U_CC = 125 В, температуре п/п структуры T_j = 25°C, и соотношении токов I_C / I_B = 5.

При измерении времени задержки t_d установлено напряжение смещения U_BE(OFF) = 5 В.

Рис. 2. Зависимость времени сохранения t_s и времени спадания импульса t_f от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при напряжении питания U_CC = 125 В, температуре п/п структуры T_j = 25°C, и соотношении токов I_C / I_B = 5.

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята для различных значений температуры структуры T_j и напряжений коллектор-эмиттер U_CE.

Рис. 4. Изменение падения напряжения на транзисторе U_CE при изменении управляющего тока базы I_B. Зависимости сняты при различных нагрузках I_C и температуре структуры T_j = 25°C.

Рис. 5. Изменение напряжения насыщения на базовом переходе U_BE(sat) при разных нагрузках I_C и разных температурах структуры T_j. Соотношение токов I_C / I_B = 3.

Пунктиром показано изменение напряжения включения U_BE(ON) при напряжении на коллекторе U_CE = 2 В.

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) от коллекторного тока I_C при различных температурах и соотношении токов I_C/ I_B = 3.

Рис. 7. Область выключения транзистора. Зависимость коллекторного тока I_C от напряжения база-эмиттер U_BE.

Характеристика снята при разных температурах T_j структуры и напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 250 В.

FORWARD – напряжение база-эмиттер приложено в прямом направлении.

REVERS — напряжение база-эмиттер приложено в обратном направлении.

Рис. 8. Зависимости входной емкости C_ib перехода эмиттер-база и выходной емкости C_ob коллекторного перехода от величины обратного приложенного напряжения. Температура структуры T_j= 25°С.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке.

Предельные токи ограничены: значением максимального постоянного тока I_C = 1,5 А и максимального импульсного тока I_CM = 3,0 А.

При этих значениях тока разрушаются паяные соединения подводящих проводов со слоями п/п структуры. Показано штрихпунктирной линией.

Предельные напряжения ограничены максимальным рабочим напряжением U_CEO(SUS) = 400 В.

Общее тепловое разрушение структуры наступает при превышении ограничений по току и напряжений, показанных пунктирной линией.

Сплошная линия обозначает ограничения, связанные с вторичным необратимым пробоем п/п структуры транзистора. Во всех режимах работы линии нагрузки транзистора (зависимости I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE) не должны превышать обозначенных ограничений.

Рис. 10. Ограничение величины рассеиваемой мощности (нагрузки) транзистора при возрастании температуры окружающей среды T_a.

Характеристика снята для условий работы на резистивную нагрузку.

Рис. 11. Область безопасной работы транзистора с обратным смещением для случая с введенными ограничениями перенапряжений.

Предельное ограничение по напряжению (перенапряжению) U_CLAMP = 700 В.

Величины напряжений обратного смещения U_BE(OFF) соответственно 9 В, 5 В, 3 В и 1,5 В.

Характеристики построены для температуры структуры в пределах 100°С и при токе базы I_B1 = 1 А.

Такая ОБР с обратным смещением характерна для схем работы транзистора на индуктивную нагрузку.

В этих режимах работы, линии нагрузки транзистора (зависимости I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE) не должны превышать обозначенных ОБР ограничений.

Список номеров по регионам России

Вместо старого номера 8 800 302 2 302 теперь дозвониться в ПФР можно по номеру: 8 800 250 8 800.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, используемые в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, преобразователях, стабилизаторах.

Отечественное производство

Зарубежное производство

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип-производителя.

Электрические характеристики

٭ — измерено при длительности импульса тока 350 мкс и скважности 2%. Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C.

Производитель разделяет транзисторы по величине параметра h_FE2 на группы R, O, Y в пределах указанного диапазона.

Биполярный транзистор L8550 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: L8550

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85

Корпус транзистора:

L8550
Datasheet (PDF)

0.1. l8550m.pdf Size:407K _blue-rocket-elect

L8550M Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features L8050M Complementary pair with L8050M. / Applications Power amplifier applications. / Equivalent Circuit / Pinning 3 2

0.2. l8550.pdf Size:603K _blue-rocket-elect

L8550(BR3CA8550K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 PNP Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features PC, IC , L8050(BR3DA8050K) High PC and IC, complementary pair with L8050(BR3DA8050K). / Applications 2W 2W output amplifier of portable radios in cl

 0.3. l8550plt1g.pdf Size:234K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550PLT1G SeriesPNP SiliconS-L8550PLT1GFEATURE SeriesWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.312DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONSOT

0.4. l8550hslt1g.pdf Size:83K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L8550HPLT1GGeneral Purpose TransistorsSeriesS-L8550HPLT1GPNP SiliconFEATURESeries High current capacity in compact package. Epitaxial planar type.3 PNP complement: L8550H We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site1and Control Change Requir

 0.5. l8550hplt1g.pdf Size:89K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L8550HPLT1GGeneral Purpose TransistorsSeriesPNP Silicon S-L8550HPLT1GSeriesFEATURE High current capacity in compact package. Epitaxial planar type.3 PNP complement: L8550H We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1and Control Change Requirem

0.6. l8550hqlt1g.pdf Size:85K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550HPLT1GSeriesPNP SiliconS-L8550HPLT1GFEATURESeries High current capacity in compact package. Epitaxial planar type. PNP complement: L8550H3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site1and Control Change Requir

0.7. l8550qlt1g.pdf Size:202K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550PLT1G SeriesPNP SiliconS-L8550PLT1GFEATURE SeriesWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.312DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONSOT

0.8. l8550hrlt1g.pdf Size:84K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550HPLT1GSeriesPNP SiliconS-L8550HPLT1GFEATURESeries High current capacity in compact package. Epitaxial planar type. PNP complement: L8550H 3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1and Control Change Requir

Другие транзисторы… KSA928T
, KSC2328T
, KTA1273T
, KTC2022I
, KTC3199M
, KTC3205T
, L8050
, L8050M
, 2N2222
, L8550M
, M28M
, MJE13009ZJ
, MMBR911
, MMBT5401T
, MMBT5551T
, MMBTA42T
, MMBTA44N
.

Временные параметры

По предназначению, основной режим работы транзистора C2335 – ключевой, с глубоким насыщением и частыми переключениями. Тепловые потери транзистора, работающего в ключевом режиме, во многом определяются потерями на коммутационных интервалах, когда транзистор переходит из проводящего состояния в непроводящее и наоборот. Поэтому все производители таких изделий придают большое значение временным параметрам и приводят их значения в информационных материалах.

Пример схемы измерения временных параметров транзистора.

Временные параметры:

• t_on – время включения;
• t_stg – время сохранения импульса тока;
• t_f – время спадания импульса тока.

Импульсы напряжения UIN длительностью PW = 50 мкс поступают на вход схемы со скважностью ≤ 2%

• U_CC – напряжение питания.
• R_L – сопротивление нагрузки.
• I_C – ток коллектора.
• I_B1 и I_B2 – токи базы в разные периоды времени.
• U_BB = — 5 В – напряжение смещения транзистора.

“Base current waveform” – диаграмма тока базы во времени.

“Collector current waveform” – диаграмма тока коллектора во времени.

Телефон горячей линии ПФР

Для взаимодействия с заявителями Пенсионный фонд использует большое количество различных средств, в перечень которых также входит и горячая линия. Сотрудники службы поддержки, работающие по ведомственному каналу, проводят консультации по поводу предоставляемых услуг.

Сегодня специалисты горячей линии принимают звонки на следующие номера:

• 8(800)-600-44-44 – основной канал для связи с заявителями, работающий бесплатно, в круглосуточном формате;
• 8(800)-510-55-55 – еще один основной информационный номер, дозвонившись по которому можно получить наиболее полную консультацию;
• 8(495)-987-09-09 – номер телефона, работающий для звонков с территории Москвы и Московской области.
• 8(495)-986-2612 – телефон, предназначенный для взаимодействия с сотрудниками, работающими в отделе пенсионного страхования.

Произведение цифр числа 4242.

Какое число имеет такое же произведение цифр как и число 4242?Математика. Найти произведение цифр числа 4242.

Число 4242 состоит из следующих цифр — 4, 2, 4, 2.

Найти сумму цифр числа 4242 просто.

Решение:

Произведение цифр числа 4242 равно 4 * 2 * 4 * 2 = 64.

Числа произведение цифр которых равно 64.

Следующие числа имеют такое же произведение цифр как и число 4242 — 88, 188, 248, 284, 428, 444, 482, 818, 824, 842, 881, 1188, 1248, 1284, 1428, 1444, 1482, 1818, 1824, 1842.

Двухзначные числа произведение цифр которых равно 64 — 88.

Трехзначные числа произведение цифр которых равно 64 — 188, 248, 284, 428, 444, 482, 818, 824, 842, 881.

Четырехзначные числа произведение цифр которых равно 64 — 1188, 1248, 1284, 1428, 1444, 1482, 1818, 1824, 1842, 1881.

Пятизначные числа произведение цифр которых равно 64 — 11188, 11248, 11284, 11428, 11444, 11482, 11818, 11824, 11842, 11881.

Шестизначные числа произведение цифр которых равно 64 — 111188, 111248, 111284, 111428, 111444, 111482, 111818, 111824, 111842, 111881.

Квадрат произведения цифр числа 4242.

Квадрат произведения цифр четырехзначного числа 4242 равен 4 * 2 * 4 * 2 = 64² = 4096.

Произведение квадратов цифр четырехзначного числа 4242.

Произведение квадратов цифр числа 4242 равна 4² * 2² * 4² * 2² = 16 * 4 * 16 * 4 = 4096.

Произведение четных цифр числа 4242.

Произведение четных цифр четырехзначного числа 4242 равно 4 * 2 * 4 * 2 = 64.

Квадрат произведения четных цифр четырехзначного числа 4242.

Квадрат произведения четных цифр числа 4242 равен 4 * 2 * 4 * 2 = 64² = 4096.

Произведение квадратов четных цифр четырехзначного числа 4242.

Модификации и группы транзистора C3198

٭ — диапазон значений параметра h_FE разделяется производителями во всех модификациях на четыре подгруппы (O, Y, GR, BL).

٭٭ — значения коэффициента шума транзистора KTC3198L: 0,5 (1) и 0,2 (2) определены при частотах сигнала соответственно 100 Гц и 1 кГц.

Характерные особенности

• Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: U_CE(sat) ≤ 1 В при I_C = 3 А.
• Высокая скорость переключений: время спадания импульса t_f ≤ 1 мкс при I_C = 3 А.
• Расширенная область безопасной работы транзистора при обратном смещении в цепи управления (базы): U_{CEX (sus)1} ≥ 450 В I_C = 3 А.

٭ — измерено при длительности импульса тока 300 мкс и скважности 10%

Корпус и цоколевка

Транзистор выпускается в корпусах двух вариантов:

1. SOT-23 – предназначен для поверхностного монтажа и представляет собой параллелепипед размером 3,0 х 1,4 х 1,0 мм, на одну из длинных сторон которого выведены две ножки, на другую – одна. Если смотреть на корпус со стороны надписи, при этом внизу находится сторона с двумя выводами, то, начиная с правой нижней ножки, выводы по часовой стрелке пойдут в таком порядке – эмиттер, база, коллектор.
2. ТО-92 – пластмассовый цилиндр, усеченный с одной стороны, на торце которого закреплены три вывода, находящиеся в одной плоскости. Если смотреть со стороны среза, то последовательность следующая (слева направо) – эмиттер, база, коллектор. Вариант предназначен для монтажа на плату навесным способом.

По электрическим параметрам исполнения в различных корпусах отличаются лишь величиной допустимой мощности рассеяния.

IRF640NPBF MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF640NPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20
V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18
A

Максимальная температура канала (Tj): 175
°C

Общий заряд затвора (Qg): 67
nC

Время нарастания (tr): 19
ns

Выходная емкость (Cd): 185
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.15
Ohm

Тип корпуса:

IRF640NPBF
Datasheet (PDF)

0.1. irf640nlpbf irf640npbf irf640nspbf.pdf Size:336K _international_rectifier

PD — 95046AIRF640NPbFIRF640NSPbFl Advanced Process Technology IRF640NLPbFl Dynamic dv/dt RatingHEXFET Power MOSFETl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingDVDSS = 200Vl Fully Avalanche Ratedl Ease of Parallelingl Simple Drive Requirements RDS(on) = 0.15Gl Lead-FreeDescriptionID = 18AFifth Generation HEXFET Power MOSFETs fromSInternational Rectif

0.2. irf640npbf irf640nspbf irf640nlpbf.pdf Size:336K _infineon

PD — 95046AIRF640NPbFIRF640NSPbFl Advanced Process Technology IRF640NLPbFl Dynamic dv/dt RatingHEXFET Power MOSFETl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingDVDSS = 200Vl Fully Avalanche Ratedl Ease of Parallelingl Simple Drive Requirements RDS(on) = 0.15Gl Lead-FreeDescriptionID = 18AFifth Generation HEXFET Power MOSFETs fromSInternational Rectif

 7.1. irf640n.pdf Size:155K _international_rectifier

PD — 94006IRF640NIRF640NSIRF640NL Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt RatingD 175C Operating TemperatureVDSS = 200V Fast Switching Fully Avalanche RatedRDS(on) = 0.15 Ease of ParallelingG Simple Drive RequirementsDescriptionID = 18AFifth Generation HEXFET Power MOSFETs from SInternational Rectifier utilize advanced processi

7.2. irf640ns.pdf Size:228K _inchange_semiconductor

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF640NSFEATURESWith TO-263( DPAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

 7.3. irf640nl.pdf Size:244K _inchange_semiconductor

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF640NLFEATURESWith TO-262 packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PAR

7.4. irf640n.pdf Size:245K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF640NIIRF640NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 150mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITION Efficient and reliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

Другие MOSFET… SMG2301
, SMG2301P
, SMG2302
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, IRF1404
, SMG2306NE
, SMG2310A
, SMG2310N
, SMG2314N
, SMG2314NE
, SMG2318N
, SMG2319P
, SMG2321P
.

Графические данные

Рис. 1. Зависимость коэффициента усиления h_FE от коллекторной нагрузки I_C при различных температурах п/п структуры и величине напряжения коллектор-эмиттер U_CE = 2 В.

Рис. 2. Характеристики области насыщения транзистора: зависимости коллекторного напряжения U_CE от управляющего тока базы I_B при различных нагрузках I_C.

Характеристики сняты при температуре п/п структуры T_j = 25°C.

Рис. 3. Характеристики включенного состояния транзистора:

• зависимость напряжения насыщения U_CE(sat) коллектор-эмиттер от тока нагрузки I_C;
• зависимость напряжения насыщения U_BE(sat) от тока нагрузки I_C (Обе характеристики сняты при соотношении тока коллектора к току базы как 10:1);
• зависимость управляющего напряжения U_BE база-эмиттер от тока нагрузки I_C при коллекторном напряжении U_CE = 4 В.

Рис. 4. Зависимости тепловых коэффициентов изменения напряжений от коллекторной нагрузки I_C:

• Ɵ_UC – для коллекторного напряжения насыщения U_CE(sat);
• Ɵ_UB – напряжения базы U_BE.

Каждая характеристика снята для двух диапазонов температур и коэффициента усиления по току I_C/I_B не превышающем ¼ от значения h_FE по постоянному току.

Рис. 5. Характеристики области выключения транзистора:

• зависимости сняты при различных значениях температуры п/п структуры и значении коллекторного напряжения U_CE = 30 В;
• область разделена осью U_BE = 0 на две половины – отрицательных напряжений базы (помечено на графике REVERSE) и область положительных напряжений базы (помечено на графике FORWARD). По этой оси отсчитываются значения тока выключения коллектора I_CES.

Рис. 6. Ограничение предельной мощности рассеивания транзистора при увеличении температуры п/п структуры. Зависимость снята для двух шкал по мощности:

• шкала (помечена на графике T_A) для условия отсчета по горизонтальной оси температуры среды;
• шкала (помечена на графике T_C) для условия отсчета по горизонтальной оси температуры контакта коллектора и охладителя.

Рис. 7. Характеристики включения транзистора.

Зависимость времени задержки t_d и времени нарастания t_r импульса, передаваемого транзистором, от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики сняты при величине напряжения питания U_CC = 30 В, температуре коллектора (контакта с охладителем корпуса) T_C = 25°C и отношении тока коллектора к току базы I_C/I_B = 10.

Рис. 8. Характеристики выключения транзистора.

Зависимость времени рассасывания заряда t_s в п/п структуре и времени спадания t_f импульса от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристики сняты при величине напряжения питания U_CC = 30 В, температуре коллектора (контакта с охладителем корпуса) T_C = 25°C, отношении тока коллектора к току базы I_C/I_B = 10 и равенстве токов I_B1 = I_B2.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора. Ограничена несколькими основными линиями.

Производитель выделяет три причины выхода транзистора из строя (выделены отдельными надписями на поле характеристик):

• сплошная ограничивающая линия -повреждение в результате вторичного пробоя п/п структуры при превышении предельного напряжения U_CEO коллектор-эмиттер (напряжения отмечены на горизонтальной оси для нескольких типов транзисторов);
• штрихпунктирная ограничивающая линия –
• U_CE повреждение в результате расплавления внутренних контактных соединений в конструкции транзистора;
• пунктирная ограничивающая линия – повреждение в результате перегрева п/п структуры выше предельной температуры T_j = 150 °C.

Характеристики сняты для нагружения транзистора одиночными импульсами коллекторного тока длительностью 0,5 мс, 1,0 мс, 5 мс и при постоянном токе (при температуре контакта коллектора с охладителем корпуса T_C = 25°C).

Соответствие: отечественный транзистор ⇒ импортный аналог

Биполярный транзистор 2SC4237 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC4237

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35

Корпус транзистора:

2SC4237
Datasheet (PDF)

0.1. 2sc4237.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4237DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 800V(Min)CEO(SUS)Fast Switching speedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSColor TV horizontal output applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 1200 VCBOV C

8.1. 2sc4238.pdf Size:63K _panasonic

8.2. 2sc4233.pdf Size:184K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4233DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 800V(Min)CEO(SUS)Fast Switching speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSElectronic ballasts for fluorescent lightingSwitch mode power suppliesABSOLUTE MAXIMUM RATIN

 8.3. 2sc4234.pdf Size:184K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4234DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 800V(Min)CEO(SUS)Fast Switching speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSElectronic ballasts for fluorescent lightingSwitch mode power suppliesABSOLUTE MAXIMUM RATIN

8.4. 2sc4236.pdf Size:188K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4236DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 800V(Min)CEO(SUS)Fast Switching speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSColor TV horizontal output applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER V

 8.5. 2sc4230.pdf Size:186K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4230DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 800V(Min)CEO(SUS)Fast Switching speedGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSElectronic ballasts for fluorescent lightingSwitch mode power suppliesABSOLUTE MAXIMUM RAT

8.6. 2sc4232.pdf Size:190K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4232DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 800V(Min)CEO(SUS)Fast Switching speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSElectronic ballasts for fluorescent lightingSwitch mode power suppliesABSOLUTE MAXIMUM RATIN

8.7. 2sc4235.pdf Size:188K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4235DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 800V(Min)CEO(SUS)Fast Switching speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSColor TV horizontal output applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETER VALU

8.8. 2sc4231.pdf Size:186K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4231DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 800V(Min)CEO(SUS)Fast Switching speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSElectronic ballasts for fluorescent lightingSwitch mode power suppliesABSOLUTE MAXIMUM RATIN

Другие транзисторы… 2SC423
, 2SC4230
, 2SC4231
, 2SC4232
, 2SC4233
, 2SC4234
, 2SC4235
, 2SC4236
, 2SC2625
, 2SC4238
, 2SC4239
, 2SC424
, 2SC4240
, 2SC4241
, 2SC4242
, 2SC4244
, 2SC4245
.

Похожие записи:

Как выставить зажигание с помощью стробоскопа? Сигнализация действия защиты и автоматики Подключение потолочного светильника со светодиодами Маркировка smd компонентов: кодовые обозначения Как сделать веб-приложение для вашего собственного bluetooth low energy девайса? Как подключить усилитель в машине