Модификации и характеристики транзистора 5027, отечественные аналоги

Электрические параметры

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Пробивное напряжение эмиттер-база, В	U_(BR)EBO	I_C = 400 мА, I_B = 0	˃ 5,0
Ток коллектора выключения, мА	I_CBO	U_CB = 1500 В, I_E = 0	˂ 1,0
Ток эмиттера выключения, мА	I_EBO	U_EB = 5,0 В, I_C = 0	˂ 200,0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	U_CE(sat)1	I_C = 4,0 А, I_B = 0,8 А	˂ 5,0
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	U_BE(sat)	I_C = 4,0 А, I_B = 0,8 А	˂ 1,3
Статический коэффициент усиления по току	h_FE(1)	U_CE = 5,0 В, I_C = 1,0 А	8…25
h_FE(2)	U_CE = 5,0 В, I_C = 4,0 А	5…9
Частотная полоса передачи (частота среза), МГц	f_T	U_CE = 10 В, I_C = 0,1 А	2
Выходная емкость коллекторного перехода, пФ	C_ob	U_CB = 10 В, I_E = 0, f = 1 МГц	95
Время переключения, мкс	Время сохранения	t_s	I_CP = 4 А, I_B1 = 0,8 А, f_H = 15,75 кГц	˂ 11
Время спадания	t_f	См. схему измерений на Рис. 1.	˂ 0,6
Падение напряжения на демпфирующем диоде, В	U_F	I_F = 6 А	˂ 2,0

Примечание: данные в таблице действительны при температуре корпуса T_с = 25°C.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость времени задержки t_d и времени нарастания импульса t_r от коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при напряжении питания U_CC = 125 В, температуре п/п структуры T_j = 25°C, и соотношении токов I_C/ I_B = 5.

При измерении времени задержки t_d установлено напряжение смещения U_BE₍_OFF₎ = 5 В.

Рис. 2. Зависимость времени сохранения t_s и времени спадания импульса t_f от величины коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята для различных значений температуры структуры T_j и напряжений коллектор-эмиттер U_CE.

Рис. 4. Изменение падения напряжения на транзисторе U_CE при изменении управляющего тока базы I_B. Зависимости сняты при различных нагрузках I_C и температуре структуры T_j = 25°C.

Рис. 5. Изменение напряжения насыщения на базовом переходе U_BE₍_sat₎ при разных нагрузках I_C и разных температурах структуры T_j. Соотношение токов I_C / I_B = 3.

Пунктиром показано изменение напряжения включения U_BE₍_ON₎ при напряжении на коллекторе U_CE = 2 В.

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) от коллекторного тока I_C при различных температурах и соотношении токов I_C/ I_B = 3.

Рис. 7. Область выключения транзистора. Зависимость коллекторного тока I_C от напряжения база-эмиттер U_BE.

Характеристика снята при разных температурах T_j структуры и напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 250 В.

FORWARD – напряжение база-эмиттер приложено в прямом направлении.

REVERS — напряжение база-эмиттер приложено в обратном направлении.

Рис. 8. Зависимости входной емкости C_ib перехода эмиттер-база и выходной емкости C_ob коллекторного перехода от величины обратного приложенного напряжения. Температура структуры T_j= 25°С.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке.

Предельные токи ограничены: значением максимального постоянного тока I_C = 1,5 А и максимального импульсного тока I_CM = 3,0 А.

При этих значениях тока разрушаются паяные соединения подводящих проводов со слоями п/п структуры. Показано штрихпунктирной линией.

Предельные напряжения ограничены максимальным рабочим напряжением U_CEO₍_SUS₎= 400 В.

Общее тепловое разрушение структуры наступает при превышении ограничений по току и напряжений, показанных пунктирной линией.

Сплошная линия обозначает ограничения, связанные с вторичным необратимым пробоем п/п структуры транзистора. Во всех режимах работы линии нагрузки транзистора (зависимости I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE) не должны превышать обозначенных ограничений.

Рис. 10. Ограничение величины рассеиваемой мощности (нагрузки) транзистора при возрастании температуры окружающей среды T_a.

Характеристика снята для условий работы на резистивную нагрузку.

Рис. 11. Область безопасной работы транзистора с обратным смещением для случая с введенными ограничениями перенапряжений.

Предельное ограничение по напряжению (перенапряжению) U_CLAMP = 700 В.

Величины напряжений обратного смещения U_BE₍_OFF₎соответственно 9 В, 5 В, 3 В и 1,5 В.

Характеристики построены для температуры структуры в пределах 100°С и при токе базы I_B₁ = 1 А.

Такая ОБР с обратным смещением характерна для схем работы транзистора на индуктивную нагрузку.

В этих режимах работы, линии нагрузки транзистора (зависимости I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE) не должны превышать обозначенных ОБР ограничений.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые со структурой NPN, мезапланарные, предназначенные для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, схемах управления электродвигателями и др., аппаратуре общего применения.

Отечественное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C/I_CP	T_J	U_{CE (sat)}	U_{BE (sat)}	f_T	C_ob	h_FE	Временные параметры: t_on/ t_stg/ t_f мкс	Корпус
2SD2499	50	1500	600	5	6	150	˂ 5	˂ 1,3	2	95	5…25	— / 11,0 / 0,6	TO-3PHIS
КТ839А	50	1500	—	5	10	150	˂ 1,5	—	5	240	˃ 5	—	TO-3
КТ872А	100	1500	700	6	8	150	˂ 1,0	—	—	—	6	— / 7,5 / 1,0	TO-218
КТ872А1	34	1200	700	6	8	150	˂ 1,5	—	—	—	6	— / 7,5 / 1,0	TO-218
КТ8107А	100	1500	700	6	10	125	˂ 3,0	—	—	—	2,3	— / 3,5 / 0,5	TO-3
КТ710А	50	—	3000	5	5	—	˂ 3,5	—	˃ 1,5	—	˃ 3,5	—	TO-3
2Т856А	125	950	950	5	10	—	˂ 1,5	—	—	—	10…60	— / — / 0,5	TO-3
КТ8118	50	900	800	—	3	—	—	—	˃ 15	—	10…40	—	TO-220

Зарубежное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C/I_CP	T_J	U_{CE (sat)}	U_{BE (sat)}	f_T	C_ob	h_FE	Временные параметры: t_on/ t_stg/ t_f мкс	Корпус
2SD2499	50	1500	600	5	6	150	˂ 5	˂ 1,3	2	95	5…25	— / 11,0 / 0,6	TO-3PHIS
2SD2498	50	1500	600	5	6	150	˂ 5	˂ 1,2	2	95	5…30	— / 10 / 0,7	TO-3PHIS
2SD2500	50	1500	600	5	10	150	˂ 3	˂ 1,4	1,7	135	10	— / 11 / 0,7	TO-3PHIS
2SD5702	60	1500	800	6	6	150	˂ 5	˂ 1,5	3	—	10	— / — / 0,4	TO-3PHIS
2SC5048	50	1500	600	5	12	150	˂ 3	˂ 1,4	1,7	160	10	— / 4 / 0,3	TO-3PHIS
2SC5129	50	1500	600	5	10	150	˂ 3	˂ 1,4	1,7	135	10	— / 4 / 0,3	TO-3PHIS
2SC5150	50	1700	700	5	10	150	˂ 3	˂ 1,2	2	185	10	— / 4 / 0,3	TO-3PHIS
2SC5280	50	1500	600	5	8	150	˂ 5	˂ 1,5	2	115	10	— / 5 / 0,5	TO-3PHIS
2SC5339	50	1500	600	5	7	150	˂ 5	˂ 1,3	2,4	82	10	— / 8 / 0,5	TO-3PHIS
2SC5386	50	150	600	5	8	150	˂ 3	˂ 1,5	1,7	105	15	— / 3,5 / 0,3	TO-3PHIS
2SC5404	50	1500	600	5	9	150	˂ 3	˂ 1,5	2,5	115	10	— / 3,5 / 0,3	TO-3PHIS
2SC5802	60	1500	800	6	10	150	˂ 3	˂ 1,5	—	—	15	— / — / 0,3	TO-3PHIS
BU4508DZ	32	1500	800	—	8	150	˂ 3	˂ 1,03	—	—	7	— / 3,75 / 0,4	SOT186A
BU508DXI	45	1500	700	—	8	150	˂ 1	˂ 1,3	7	125	˂ 30	— / 6,5 / 0,7	ISO218
BUH515DX1	50	1500	700	5	8	150	˂ 1,5	˂ 1,3	—	—	3…10	— / 3,6 / 0,26	ISO218
BUH515FP	38	1500	700	10	8	150	˂ 1,5	˂ 1,3	—	—	4…12	— / 3,9 / 0,28	TO-220FP

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

Характерные особенности

Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: U_CE₍_sat₎≤ 1 В при I_C = 3 А.
Высокая скорость переключений: время спадания импульса t_f ≤ 1 мкс при I_C = 3 А.
Расширенная область безопасной работы транзистора при обратном смещении в цепи управления (базы): U_CEX₍_sus₎₁≥ 450 В I_C = 3 А.

Характеристика	Обозначение	Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В	V_CBO	500
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В	V_CEO	400
Напряжение эмиттер – база транзистора, В	V_EBO	7
Ток коллектора постоянный, А	I_C	7
Ток коллектора импульсный, А	I_CP٭	15
Ток базы постоянный, А	I_B	3,5
Рассеиваемая мощность (T_a = 25°C), Вт	P_C	1,5
Рассеиваемая мощность (T_c = 25°C), Вт	P_C	40
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С	T_j	150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С°	T_stg	-55…+150

٭ — измерено при длительности импульса тока 300 мкс и скважности 10%

Электрические характеристики (при Ta = 25°C)

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения ٭
Ток коллектора выключения, мкА	I_CBO	U_CE = 30 В, I_E = 0	≤ 1,0
Ток выключения коллектор-эмиттер, мкА	I_CEO	U_CE = 30 В, I_B = 0	≤ 1,0
Ток базы выключения, мкА	I_EBO	U_BE = 3 В, I_C =0	≤ 1,0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	U_CE(sat)	I_C = 2 А, I_B = 200 мА	≤ 0,5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	U_BE(sat)	I_C = 2 А, I_B = 200 мА	≤ 2,0
Напряжение пробоя коллектор-база, В	U_(BR)CBO	I_C = 100 мкА, I_E = 0	˃ 40
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В	U_(BR)CEO	I_C = 1 мА, I_B = 0	˃ 30
Напряжение пробоя эмиттер-база, В	U_(BR)EBO	I_E = 100 мкА, I_C = 0	˃ 5
Статический коэффициент усиления по току	h_FE(1)	U_CE = 2 В, I_C = 0,02 А	≥ 30
h_FE(2)	U_CE = 2 В, I_C = 1,0 А	от 100 до 400
Частота среза, МГц	f_T	U_CE = 5 В, I_C = 0,1 мА	80
Выходная емкость, pF	C_C	U_CB = 10 В, I_E = 0, f = 1 МГц	45

٭ — для транзисторов PNP-структуры все значения токов и напряжений указаны по модулю.

Параметры сняты в импульсном режиме: ширина импульса 300 мкс, коэффициент заполнения (скважность) ≤ 2 %

Модификации и группы транзистора C3198

Модель	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	C_C	h_{FE ٭}	NF (типовое) dB	Корпус
C3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
C SC3198 (O, Y, GR, BL)	0,625	60	50	5	0,15	125	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
FTC3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
KTC3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
KTC3198A	0,4	60	50	5	0,15	150	80	2	25…700	1	TO-92
KTC3198L ٭٭	0,625	60	50	5	0,15	150	80	2	25…700	0,5 (1) 0,2 (2)	TO-92

٭ — диапазон значений параметра h_FE разделяется производителями во всех модификациях на четыре подгруппы (O, Y, GR, BL).

٭٭ — значения коэффициента шума транзистора KTC3198L: 0,5 (1) и 0,2 (2) определены при частотах сигнала соответственно 100 Гц и 1 кГц.

Биполярный транзистор 2SC945P — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC945P

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора:

2SC945P
Datasheet (PDF)

8.1. 2sc945.pdf Size:73K _nec

8.2. 2sc945-y.pdf Size:244K _mcc

MCC2SC945-YMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components2SC945-GRCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Capable of 0.4Watts of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0.15APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 60V Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC

8.3. 2sc945-gr.pdf Size:244K _mcc

8.4. 2sc945.pdf Size:180K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC945 NPN SILICON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER HIGH FREQUENCY OSC NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SC945 is an audio frequency amplifier high frequency OSC NPN transistor. FEATURES * Collector-Emitter voltage: BVCBO=50V * Collector current up to 150mA * High hFE linearity Lead-free: 2SC945L * Complimentary to UTC 2SA733

8.5. 2sc945.pdf Size:226K _no

ST 2SC945 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into five groups, R, O, Y, P and L, according to its DC current gain. As complementary type the PNP transistor ST 2SA733 is recommended. On special request, these transistors can be 1. Emitter 2. Collector 3. Base manufactured in different pin configurati

8.6. 2sc945.pdf Size:272K _shenzhen

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 2SC945 TRANSISTOR (NPN) FEATURE 1. BASE Excellent hFE Linearity2. EMITTER Low noise 3. COLLECTOR Complementary to A733 MARKING:CR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 60 VVCEO Collector-Emi

8.7. 2sc945m.pdf Size:1517K _blue-rocket-elect

2SC945M(BR3DG945M) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 NPN Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features ,High voltage, excellent hFE linearity. / Applications General power amplifier application and low speed switching.

8.8. 2sc945lt1.pdf Size:634K _china

SEMICONDUCTOR 2SC945LT1 Shandong Yiguang Electronic Joint stock Co., Ltd TECHNICAL DATA NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Package:SOT-23 * Collector Current: Ic= 150mA * Collector-Emitter Voltage:Vce= 50V * High Total Power Dissipation:Pc=225mW * High Hfe And Good Linearity ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25 Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage Vcbo 60 V

8.9. 2sc945.pdf Size:781K _kexin

SMD TypeSMD Type si o orsSMD Type TranDistdesNPN Transistors2SC945SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features Collector current up to 150mA High hFE linearity1 2 Complementary to 2SA733+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector

8.10. 2sc945.pdf Size:189K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Transistor 2SC945DESCRIPTIONHigh VoltageExcellent h linearityFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDsigned for use in driver stage of AF amplifierand low speed switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 60 VCBOV Collector-Emitter Vol

Другие транзисторы… MMBT4401W
, MMBT491
, MMBT493
, MMBT5401W
, MMBT5551W
, MMBT591
, MMBT593
, MMBT619
, TIP122
, MMBTA92W
, MMDT4944
, PZT13003
, S8050T
, S8550T
, S9012T
, S9013T
, S9014T
.

Биполярный транзистор 2SC2482-Y — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC2482-Y

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90

Корпус транзистора: TO92MOD

2SC2482-Y
Datasheet (PDF)

0.1. 2sc2482-y.pdf Size:395K _mcc

MCCMicro Commercial ComponentsTM 2SC248220736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 913112SC2482-OPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939 2SC2482-YFeatures High Voltage:Vceo=300V Small collector output capacitance:Cob=3.0pF(Typ)NPN Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingEpitaxial Silicon Moisture Sensitivity Level 1 Lead Free

6.1. 2sc2482-o.pdf Size:395K _mcc

7.1. 2sc2482.pdf Size:211K _toshiba

7.2. 2sc2482.pdf Size:258K _lge

2SC2482 TO-92MOD Transistor (NPN)TO-92MOD1. EMITTER 1 22. COLLECTOR 3 3. BASE Features5.800 High voltage :Vceo=300V 6.200 Small collector output capacitance: Cob=3.0pF(Typ) 8.4008.8000.9001.1000.4000.600MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 13.80014.200Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 300 V1.500 TYPVCE

7.3. 2sc2482 to-92l.pdf Size:249K _lge

2SC2482 TO-92L Transistor (NPN)TO-92L1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 2 3 14.700Features5.100 High voltage :Vceo=300V 7.800 Small collector output capacitance: Cob=3.0pF(Typ) 8.2000.6000.800MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0.3500.55013.800Symbol Parameter Value Units14.200VCBO Collector-Base Voltage 300 VVCEO Collector-Emitter

7.4. 2sc2482.pdf Size:175K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Pow Transistor 2SC2482DESCRIPTIONHigh breakdown voltageLow output capacitance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSColor TV chroma output applicationsColor TV horiz. driver applicationsHigh voltage switching and amplifier applicationsABSOLUTE MA

Другие транзисторы… 2SC2412KGP
, 2SC2412-Q
, 2SC2412-R
, 2SC2412-S
, 2SC2412WGP
, 2SC2458-GR
, 2SC2458-Y
, 2SC2482-O
, BU508
, 2SC2510A
, 2SC2625B
, 2SC2655L-O
, 2SC2655L-Y
, 2SC2655-O
, 2SC2655-Y
, 2SC2668-O
, 2SC2668-R
.

Технические характеристики

Характеристики D882, приведённые в технической документации, могут встречаться с небольшими отличиями, в зависимости от того, у какого производителя взята информация. Поэтому далее приводим значения от компании Shenzhen Electronics, так как транзистор этой фирмы часто можно встретить в отечественных магазинах. Предельно допустимые значения, измеренные при температуре окружающего воздуха +25ОС:

напряжение коллектор-база предельно допустимое V_CBO (U_кб_max) = 40 В;
напряжение коллектор-эмиттер максимальное V_CEO (U_кэ_max) = 30 В;
напряжение эмиттер-база предельно возможное V_EBO (U_эб_max) = 6 В;
наибольший постоянный ток через коллектор I_C (I_к_max) = 3 А;
предельная мощность, рассеиваемая на коллекторе Р_С (Р_к_max) = 1,25 Вт;
Диапазон температур хранения T_stg = -55 … 150 оС;
Максимальная температура кристалла T_J = 150 оС;

Далее производитель Shenzhen Electronics приводит электрические характеристики.

Транзисторы D882 могут иметь различные коэффициенты передачи тока и по этому свойству классифицируются следующим образом: меньше всего коэффициент у приборов с буквой R – от 60 до 120, с буквой – О чуть больше (100 — 200), если в наименовании Y, то значение 160 — 320 и устройства с обозначением GR имеют усиление от 200 до 400.

Приведём график зависимости Pt (рассеиваемая мощность) от T (окружающая температура). Для проведения тестирования использовался радиатор из алюминия толщиной 10 мм. По горизонтальной оси здесь отложена мощность, а по вертикальной температура.

Из графика видно, что когда температура становится выше +25ОС, мощность уменьшается и при +150ОС становиться равной 0. Кроме этого из рисунка понятно, что чем больше площадь радиатора, тем большую мощность можно рассеять.

При тепловых расчётах может также понадобиться зависимость температурного сопротивления от длительности импульса. Измерение проводилось при таких условиях: напряжении коллектор-эмиттер 10 вольт, ток коллектора 1 ампер. При этом погрешность не более 0,001. Горизонтальная шкала, на которую нанесена длительность импульса, представлена в логарифмическом масштабе.

Отечественные и импортные аналоги

Первая позиция в таблице, – транзистор С945, для которого предлагаются аналоги.

Аналог	V_CEO	I_C	P_C	h_FE	f_T
C945	50	0,15	0,4	70	200
Отечественное производство
КТ3102	45	0,1	0,25	250	300
Импорт
KSC945	50	0,15	0,25	40	300
2N2222	30	0,8	0,5	100	250
2N3904	40	0,2	0,31	40	300
2SC3198	50	0,15	0,4	20	130
2SC1815	50	0,15	0,4	70	80
2SC2002	60	0,3	0,3	90	70
2SC3114	50	0,15	0,4	55	100
2SC3331	50	0,2	0,5	100	200
2SC2960	50	0,15	0,25	100	100

Среди перечня аналогов транзистор КТ3102 отличается широкой доступностью и незначительной стоимостью, поэтому радиолюбители часто используют его для замены С945

Обращаем ваше внимание, что его мощность рассеяния значительно ниже оригинала, – ориентировочно на 30%. Перед использованием КТ3102 проверьте мощностные режимы, в которых ему предстоит работать

Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителей.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, используемые в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, преобразователях, стабилизаторах.

Отечественное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	h_FE	Временные параметры	Корпус
KSC2335	40	500	400	7	7	150	—	10…80	t_on˂ 1 мкс t_stg˂ 2,5 мкс t_f ˂ 1 мкс	TO-220
КТ840А	60	900	400	5	6	150	8	10…60	t_on˂ 0,2 мкс t_stg˂ 3,5 мкс t_f ˂ 0,6 мкс	TO-3
КТ841А	50	600	400	5	10	150	10	10	t_on= 0,08 мкс t_stg= 0,8 мкс t_f = 0,5 мкс	TO-3
2Т842А	50	300	300	5	5	150	20	15	t_on= 0,12 мкс t_stg= 0,8 мкс t_f = 0,13 мкс	TO-3
КТ847А	125	650	—	8	15	150	˃ 15	˃ 8	t_stg= 3,0 мкс t_f = 1,5 мкс	TO-3
КТ858А	60	400	400	6	7	150	—	˃ 10	t_stg˂ 2,5 мкс t_f ˂ 0,75 мкс	TO-220
2Т862	50	600	400	5	10	150	20	12…50	t_on˂ 0,4 мкс t_stg˂ 1,0 мкс t_f ˂ 0,25 мкс	TO-3
КТ812А	50	400	400	7	8	150	˃ 3	—	t_f = 0,2…1,3 мкс	TO-3
КТ8126А1	80	700	400	9	8	150	˃ 4	8…40	t_on= 1,6 мкс t_stg= 3,0 мкс t_f = 0,7 мкс	TO-220
КТ8164А	75	700	400	9	4	150	˃ 4	10…60	t_on= 0,8 мкс t_stg= 0,9 мкс t_f = 4,0 мкс	TO-220

Зарубежное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	h_FE	Корпус
KSC2335	40	500	400	7	7	150	10…80	TO-220
KSC2334	40	150	100	7	7	150	20…240	TO-220C
2SC2502	50	500	400	7	8	150	˃ 15	TO-220
TT2194	50	500	400	7	12	150	20	TO-220
WBP3308	45	900	500	7	7	150	20	TO-220
2SC3038	40	500	400	7	7	150	50	TO-220
2SC3039	50	500	400	7	7	150	30	TO-220
2SC3170	40	500	—	—	7	150	25	TO-220
2SC3626	40	—	400	—	8	—	55	TO-220
2SC4055	60	600	450	7	8	180	100	TO-220
2SC4106 M/N	50	500	400	7	7	175	60	TO-220
2SC4107 M/N	60	500	400	7	10	150	20/60	TO-220
2SC4274	40	500	400	—	10	150	40	TO-220
2SC4458 L	40	900	500	9	8	150	25	TO-220F
2SC4559	40	500	400	—	7	175	150	TO-220
2SD1162	40	500	—	10	10	150	400	TO-220
2SD1349	50	500	—	—	7	150	150	TO-220
2SD1533	45	500	—	—	7	150	800	TO-220
2SD1710A	50	900	500	9	8	150	25	TO-220
3DK3039	50	500	400	7	7	175	25	TO-220, TO-276AB
MJ10012T	65	600	400	—	15	200	200	TO-220

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип-производителя.

Биполярный транзистор 2SC2482 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC2482

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30

Корпус транзистора:

2SC2482
Datasheet (PDF)

0.1. 2sc2482.pdf Size:211K _toshiba

0.2. 2sc2482-o.pdf Size:395K _mcc

0.3. 2sc2482-y.pdf Size:395K _mcc

0.4. 2sc2482.pdf Size:258K _lge

0.5. 2sc2482 to-92l.pdf Size:249K _lge

0.6. 2sc2482.pdf Size:175K _inchange_semiconductor

Другие транзисторы… 2SC2473
, 2SC2474
, 2SC2475
, 2SC2476
, 2SC2477
, 2SC248
, 2SC2480
, 2SC2481
, 2N5088
, 2SC2483
, 2SC2484
, 2SC2485
, 2SC2486
, 2SC2487
, 2SC2488
, 2SC2489
, 2SC249
.

2N2482 Datasheet (PDF)

0.1. 2n2482.pdf Size:369K _rca

9.1. 2n2484.pdf Size:49K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D1252N2484NPN general purpose transistor1997 May 01Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistor 2N2484FEATURES PINNING Low current (max. 50 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 60 V)1 emitter2 base

9.2. 2n2484 pn2484.pdf Size:73K _central

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

9.3. 2n2484.pdf Size:221K _cdil

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N2484TO-18This transistors is primarily intended for use in high performance, low level, low noise amplifier applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Emitter Voltage VCEO 60 VCollector -Base Voltage VCBO 60 VEmitter -Base

9.4. 2n2484ubc.pdf Size:331K _microsemi

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298 Website: http://www.microsemi.com NPN SILICON LOW POWER TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/376 DEVICES LEVELS 2N2484 2N2484UB JAN 2N2484UA 2N2484UBC * JANTX JANTXV

9.5. 2n2484ua.pdf Size:331K _microsemi

Электрические характеристики

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В	U_CEO(sus)	I_C = 3 А, I_B1 = 0,6 А, L = 1 мгн	≥ 400
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В	U_CEX(sus)1	I_C = 3,0 А, I_B1 = 0,6 А, I_B2 = — 0,6 А, U_BE(off) = — 5 В, L = 1 мкгн, с ограни-чением напряжения.	≥ 450
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В	U_CEX(sus)2	I_C = 6,0 А, I_B1 = 2,0 А, I_B2 = — 0,6 А, U_BE(off) = — 5В, L = 1 мкгн, с ограни-чением напряжения.	≥ 400
Ток коллектора выключения, мкА	I_CBO	U_CB = 400 В, I_E = 0	≤ 10
Ток коллектора выключения, мА	I_CER	U_CE = 400 В, R_BE = 51 Ом, T_c= 125°C	≤ 1
Ток коллектора выключения, мкА	I_CEX1	U_CE = 400 В, U_BE(off) = — 1,5В	≤ 10
Ток коллектора выключения, мА	I_CEX2	U_CE = 400 В, U_BE(off) = — 1,5 В, T_c= 125°C	≤ 1
Ток эмиттера выключения, мкА	I_EBO	U_EB = 5,0 В, I_C = 0	≤ 10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	U_CE(sat) ٭	I_C = 3,0 А, I_B = 0,6 А	≤ 1,0
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	U_BE(sat)٭	I_C = 3,0 А, I_B = 0,6 А	≤ 1,2
Статический коэффициент усиления по току	h_FE(1) ٭	U_CE = 5,0 В, I_C = 0,1 А	20….80
h_FE(2) ٭	U_CE = 5,0 В, I_C = 1,0 А	20….80
h_FE (3) ٭	U_CE = 5,0 В, I_C = 3,0 А	≥ 10
Временные параметры транзистора, см. схему измерений
Время включения транзистора, мкс	t_on	U_CC = 150 В, I_C = 3,0 А, I_B1 = 0,6 А, I_B2 = — 0,6 А, R_L = 50 Ом.	≤ 1,0
Время сохранения импульса, мкс	t_stg	≤ 2,5
Время спадания импульса, мкс	t_f	≤ 1,0

٭ — измерено при длительности импульса тока 350 мкс и скважности 2%. Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C.

Производитель разделяет транзисторы по величине параметра h_FE₂ на группы R, O, Y в пределах указанного диапазона.

Классификация	R	O	Y
h_FE2	20….40	30….60	40….80

Транзистор 5027

Электрические параметры

Графические иллюстрации характеристик

Аналоги

Отечественное производство

Зарубежное производство

Характерные особенности

Электрические характеристики (при Ta = 25°C)

Модификации и группы транзистора C3198

Биполярный транзистор 2SC945P — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

2SC945P Datasheet (PDF)

Биполярный транзистор 2SC2482-Y — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

2SC2482-Y Datasheet (PDF)

Технические характеристики

Отечественные и импортные аналоги

Аналоги

Отечественное производство

Зарубежное производство

Биполярный транзистор 2SC2482 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

2SC2482 Datasheet (PDF)

2N2482 Datasheet (PDF)

Электрические характеристики

Похожие записи:

2SC945P
Datasheet (PDF)

2SC2482-Y
Datasheet (PDF)

2SC2482
Datasheet (PDF)