2sc2655 - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Содержание

2SC2655 Datasheet (PDF)

0.1. 2sc2655.pdf Size:148K _toshiba

2SC2655 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC2655 Industrial Applications Power Amplifier Applications Unit: mmPower Switching Applications Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) (IC = 1 A) High collector power dissipation: PC = 900 mW High-speed switching: tstg = 1.0 s (typ.) Complementary to 2SA1020. Absolute Maximum

0.2. 2sc2655l-y.pdf Size:385K _mcc

MCCMicro Commercial ComponentsTM 2SC2655L-O20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 913112SC2655L-YPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Halogen free available upon request by adding suffix «-HF» Collector of 0.9Watts of Power Dissipation. NPN Collector-current 2.0A Plastic-Encapsulate Operating and storage junction temper

0.3. 2sc2655l-o.pdf Size:385K _mcc

0.4. 2sc2655-o.pdf Size:405K _mcc

MCCMicro Commercial ComponentsTM 2SC2655-O20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 913112SC2655-YPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Halogen free available upon request by adding suffix «-HF» Collector of 0.9Watts of Power Dissipation. NPN Collector-current 2.0A Plastic-Encapsulate Operating and storage junction temperat

0.5. 2sc2655-y.pdf Size:405K _mcc

0.6. 2sc2655.pdf Size:254K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC2655 NPN SILICON TRANSISTOR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS POWER SWITCHING APPLICATIONS FEATURES * Low saturation voltage: VCE(SAT)= 0.5V (Max.) * High speed switching time: TSTG=1.0s (Typ.) ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 2SC2655L-x-AE3-R 2SC2655G-x-AE3-R SOT-23 E B C

0.7. 2sc2655.pdf Size:212K _secos

2SC2655 2A , 50V NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92MOD FEATURES Low saturation voltageVCE(sat)=0.5V(Max)(IC=1A) AD High speed switching timetstg=1s(Typ.) B Complementary to 2SA1020 KEFCLASSIFICATION OF hFE (1) CProduct-Rank 2SC2655-O

0.8. 2sc2655 to-92l.pdf Size:251K _lge

2SC2655 TO-92L Transistor (NPN)TO-92L1.EMITTER 2.COLLECTOR 3.BASE 4.700 2 3 5.1001Features Low saturation voltage: VCE(sat)=0.5V(Max)(IC=1A) 7.800 High speed switching time: tstg=1s(Typ.) 8.200 Complementary to 2SA1020 0.6000.800MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0.350Symbol Parameter Symbol Units0.55013.800VCBO Collector-Base Vo

0.9. 2sc2655 to-92mod.pdf Size:276K _lge

2SC2655 TO-92MOD Transistor (NPN)1.EMITTER TO-92MOD1 22.COLLECTOR 3 3.BASE Features5.800 Low saturation voltage: VCE(sat)=0.5V(Max)(IC=1A) 6.200 High speed switching time: tstg=1s(Typ.) Complementary to 2SA1020 8.4008.800MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0.9001.100Symbol Parameter Symbol Units0.4000.600VCBO Collector-Base Voltag

0.10. 2sc2655.pdf Size:277K _wietron

2SC2655NPN General Purpose TransistorsP b Lead(Pb)-Free1231.EMITTER3.BASE2.COLLECTORTO-92MOD ELECTRICAL CHARACTERISTICSTamb=25 unless otherwise specified Parameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNITCollector-base breakdown voltage V(BR)CBO VIc=100A,IE=0 50 Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO VIc=10mA,IB=0 50 Emitter-base breakdown voltag

0.11. 2sc2655.pdf Size:204K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Pow Transistor 2SC2655DESCRIPTIONSilicon NPN epitaxial typeLow saturation voltageComplementary to 2SA1020100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsPower switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV

Аналоги

Транзисторов которые были бы полным аналогом S9013 нет, но можно попытаться заменить его на такие зарубежные устройства:

2SC1008;
KSC1008;
KSP42;
KSP43;
MPSA42;
MPSA43;
MPSW05;
ZTX457.

При замене нужно быть осторожным и перед принятием решения ознакомиться с технической документацией и после этого решать, подойдёт ли данный конкретный транзистор для замены. В качестве аналога также можно использовать отечественный КТ580, но он имеет другую распиновку. Также вместо S9013 можно попытаться установить КТ680, но к него немного другие параметры. Имеется также комплементарной пара – S9012.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, используемые в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, преобразователях, стабилизаторах.

Отечественное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	h_FE	Временные параметры	Корпус
KSC2335	40	500	400	7	7	150	—	10…80	t_on˂ 1 мкс t_stg˂ 2,5 мкс t_f ˂ 1 мкс	TO-220
КТ840А	60	900	400	5	6	150	8	10…60	t_on˂ 0,2 мкс t_stg˂ 3,5 мкс t_f ˂ 0,6 мкс	TO-3
КТ841А	50	600	400	5	10	150	10	10	t_on= 0,08 мкс t_stg= 0,8 мкс t_f = 0,5 мкс	TO-3
2Т842А	50	300	300	5	5	150	20	15	t_on= 0,12 мкс t_stg= 0,8 мкс t_f = 0,13 мкс	TO-3
КТ847А	125	650	—	8	15	150	˃ 15	˃ 8	t_stg= 3,0 мкс t_f = 1,5 мкс	TO-3
КТ858А	60	400	400	6	7	150	—	˃ 10	t_stg˂ 2,5 мкс t_f ˂ 0,75 мкс	TO-220
2Т862	50	600	400	5	10	150	20	12…50	t_on˂ 0,4 мкс t_stg˂ 1,0 мкс t_f ˂ 0,25 мкс	TO-3
КТ812А	50	400	400	7	8	150	˃ 3	—	t_f = 0,2…1,3 мкс	TO-3
КТ8126А1	80	700	400	9	8	150	˃ 4	8…40	t_on= 1,6 мкс t_stg= 3,0 мкс t_f = 0,7 мкс	TO-220
КТ8164А	75	700	400	9	4	150	˃ 4	10…60	t_on= 0,8 мкс t_stg= 0,9 мкс t_f = 4,0 мкс	TO-220

Зарубежное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	h_FE	Корпус
KSC2335	40	500	400	7	7	150	10…80	TO-220
KSC2334	40	150	100	7	7	150	20…240	TO-220C
2SC2502	50	500	400	7	8	150	˃ 15	TO-220
TT2194	50	500	400	7	12	150	20	TO-220
WBP3308	45	900	500	7	7	150	20	TO-220
2SC3038	40	500	400	7	7	150	50	TO-220
2SC3039	50	500	400	7	7	150	30	TO-220
2SC3170	40	500	—	—	7	150	25	TO-220
2SC3626	40	—	400	—	8	—	55	TO-220
2SC4055	60	600	450	7	8	180	100	TO-220
2SC4106 M/N	50	500	400	7	7	175	60	TO-220
2SC4107 M/N	60	500	400	7	10	150	20/60	TO-220
2SC4274	40	500	400	—	10	150	40	TO-220
2SC4458 L	40	900	500	9	8	150	25	TO-220F
2SC4559	40	500	400	—	7	175	150	TO-220
2SD1162	40	500	—	10	10	150	400	TO-220
2SD1349	50	500	—	—	7	150	150	TO-220
2SD1533	45	500	—	—	7	150	800	TO-220
2SD1710A	50	900	500	9	8	150	25	TO-220
3DK3039	50	500	400	7	7	175	25	TO-220, TO-276AB
MJ10012T	65	600	400	—	15	200	200	TO-220

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип-производителя.

Характерные особенности

Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: U_CE₍_sat₎≤ 1 В при I_C = 3 А.
Высокая скорость переключений: время спадания импульса t_f ≤ 1 мкс при I_C = 3 А.
Расширенная область безопасной работы транзистора при обратном смещении в цепи управления (базы): U_CEX₍_sus₎₁≥ 450 В I_C = 3 А.

Характеристика	Обозначение	Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В	V_CBO	500
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В	V_CEO	400
Напряжение эмиттер – база транзистора, В	V_EBO	7
Ток коллектора постоянный, А	I_C	7
Ток коллектора импульсный, А	I_CP٭	15
Ток базы постоянный, А	I_B	3,5
Рассеиваемая мощность (T_a = 25°C), Вт	P_C	1,5
Рассеиваемая мощность (T_c = 25°C), Вт	P_C	40
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С	T_j	150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С°	T_stg	-55…+150

٭ — измерено при длительности импульса тока 300 мкс и скважности 10%

Электрические характеристики

Характеристика	Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В	U_CEO(sus)	I_C = 3 А, I_B1 = 0,6 А, L = 1 мгн	≥ 400
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В	U_CEX(sus)1	I_C = 3,0 А, I_B1 = 0,6 А, I_B2 = — 0,6 А, U_BE(off) = — 5 В, L = 1 мкгн, с ограни-чением напряжения.	≥ 450
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В	U_CEX(sus)2	I_C = 6,0 А, I_B1 = 2,0 А, I_B2 = — 0,6 А, U_BE(off) = — 5В, L = 1 мкгн, с ограни-чением напряжения.	≥ 400
Ток коллектора выключения, мкА	I_CBO	U_CB = 400 В, I_E = 0	≤ 10
Ток коллектора выключения, мА	I_CER	U_CE = 400 В, R_BE = 51 Ом, T_c= 125°C	≤ 1
Ток коллектора выключения, мкА	I_CEX1	U_CE = 400 В, U_BE(off) = — 1,5В	≤ 10
Ток коллектора выключения, мА	I_CEX2	U_CE = 400 В, U_BE(off) = — 1,5 В, T_c= 125°C	≤ 1
Ток эмиттера выключения, мкА	I_EBO	U_EB = 5,0 В, I_C = 0	≤ 10
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	U_CE(sat) ٭	I_C = 3,0 А, I_B = 0,6 А	≤ 1,0
Напряжение насыщения база-эмиттер, В	U_BE(sat)٭	I_C = 3,0 А, I_B = 0,6 А	≤ 1,2
Статический коэффициент усиления по току	h_FE(1) ٭	U_CE = 5,0 В, I_C = 0,1 А	20….80
h_FE(2) ٭	U_CE = 5,0 В, I_C = 1,0 А	20….80
h_FE (3) ٭	U_CE = 5,0 В, I_C = 3,0 А	≥ 10
Временные параметры транзистора, см. схему измерений
Время включения транзистора, мкс	t_on	U_CC = 150 В, I_C = 3,0 А, I_B1 = 0,6 А, I_B2 = — 0,6 А, R_L = 50 Ом.	≤ 1,0
Время сохранения импульса, мкс	t_stg	≤ 2,5
Время спадания импульса, мкс	t_f	≤ 1,0

٭ — измерено при длительности импульса тока 350 мкс и скважности 2%. Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C.

Производитель разделяет транзисторы по величине параметра h_FE₂ на группы R, O, Y в пределах указанного диапазона.

Классификация	R	O	Y
h_FE2	20….40	30….60	40….80

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость времени задержки t_d и времени нарастания импульса t_r от коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при напряжении питания U_CC = 125 В, температуре п/п структуры T_j = 25°C, и соотношении токов I_C/ I_B = 5.

При измерении времени задержки t_d установлено напряжение смещения U_BE₍_OFF₎ = 5 В.

Рис. 2. Зависимость времени сохранения t_s и времени спадания импульса t_f от величины коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята для различных значений температуры структуры T_j и напряжений коллектор-эмиттер U_CE.

Рис. 4. Изменение падения напряжения на транзисторе U_CE при изменении управляющего тока базы I_B. Зависимости сняты при различных нагрузках I_C и температуре структуры T_j = 25°C.

Рис. 5. Изменение напряжения насыщения на базовом переходе U_BE₍_sat₎ при разных нагрузках I_C и разных температурах структуры T_j. Соотношение токов I_C / I_B = 3.

Пунктиром показано изменение напряжения включения U_BE₍_ON₎ при напряжении на коллекторе U_CE = 2 В.

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) от коллекторного тока I_C при различных температурах и соотношении токов I_C/ I_B = 3.

Рис. 7. Область выключения транзистора. Зависимость коллекторного тока I_C от напряжения база-эмиттер U_BE.

Характеристика снята при разных температурах T_j структуры и напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 250 В.

FORWARD – напряжение база-эмиттер приложено в прямом направлении.

REVERS — напряжение база-эмиттер приложено в обратном направлении.

Рис. 8. Зависимости входной емкости C_ib перехода эмиттер-база и выходной емкости C_ob коллекторного перехода от величины обратного приложенного напряжения. Температура структуры T_j= 25°С.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке.

Предельные токи ограничены: значением максимального постоянного тока I_C = 1,5 А и максимального импульсного тока I_CM = 3,0 А.

При этих значениях тока разрушаются паяные соединения подводящих проводов со слоями п/п структуры. Показано штрихпунктирной линией.

Предельные напряжения ограничены максимальным рабочим напряжением U_CEO₍_SUS₎= 400 В.

Общее тепловое разрушение структуры наступает при превышении ограничений по току и напряжений, показанных пунктирной линией.

Сплошная линия обозначает ограничения, связанные с вторичным необратимым пробоем п/п структуры транзистора. Во всех режимах работы линии нагрузки транзистора (зависимости I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE) не должны превышать обозначенных ограничений.

Рис. 10. Ограничение величины рассеиваемой мощности (нагрузки) транзистора при возрастании температуры окружающей среды T_a.

Характеристика снята для условий работы на резистивную нагрузку.

Рис. 11. Область безопасной работы транзистора с обратным смещением для случая с введенными ограничениями перенапряжений.

Предельное ограничение по напряжению (перенапряжению) U_CLAMP = 700 В.

Величины напряжений обратного смещения U_BE₍_OFF₎соответственно 9 В, 5 В, 3 В и 1,5 В.

Характеристики построены для температуры структуры в пределах 100°С и при токе базы I_B₁ = 1 А.

Такая ОБР с обратным смещением характерна для схем работы транзистора на индуктивную нагрузку.

В этих режимах работы, линии нагрузки транзистора (зависимости I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE) не должны превышать обозначенных ОБР ограничений.

Модификации и маркировка транзистора S8050

Модель	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	C_ob	h_FE	Корпус	Маркировка
S8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92	—
GS8050T	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	45	TO-92	—
GSTSS8050	1	40	25	5	1,5	150	100	—	85	TO-92	—
MPS8050	0,625	40	25	6	1,5	150	190	9	85	TO-92	—
S8050A/B/C/D/G	0,625	40	25	6	0,8/0,5	150	100/150	9	85…300	TO-92	—
S8050T	0,625	40	25	6	0,5	150	150	—	85	TO-92	—
SPS8050	0,625	15	12	6,5	1,5	150	260	5	200	TO-92	—
SS8050/C/D/G	1	40	25	5	1,5	150	100	—	85…400	TO-92	—
SS8050T	1	40	25	5	1,5	150	100	—	85	TO-92	—
STS8050	0,625	30	25	6	0,8	150	120	19	85	TO-92	—
Транзисторы исполнения SMD и их маркировка
MMSS8050W-H/J/L	0,2	40	25	5	1,5	150	100	15	120…400	SOT-323	Y1
S8050W	0,25	40	25	6	0,8	150	100	9	85	SOT-323	Y1
SS8050W	0,2	40	25	5	1,5	150	100	—	120	SOT-323	Y1
GSTSS8050LT1	0,225	40	25	5	1,5	150	100	—	100	SOT-23	1HA
MMSS8050-L/H	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120…350	SOT-23	Y1
MPS8050S	0,35	40	25	6	1,5	150	190	—	85	SOT-23	—
MPS8050SC	0,35	40	25	5	1,2	150	150	—	85…300	SOT-23	—
MS8050-H/L	0,2	40	25	6	0,8	150	150	—	80…300	SOT-23	Y11
S8050	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23	—
S8050M-/B/C/D	0,45	40	25	6	0,8	150	100	9	85…300	SOT-23	HY3B/C/D
SS8050LT1	0,225	40	25	5	1,5	150	150	—	120	SOT-23	KEY
KST8050D	0,25	50	50	6	1,2	150	100	—	100…320	SOT-23	Y1C, Y1D
KST8050M	0,3	40	25	6	0,8	150	150	—	40…400	SOT-23	Y11
KST8050X	0,3	40	20	5	1,5	150	100	20	40…350	SOT-23	Y1+
KST9013	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	200…400	SOT-23	J3
KST9013C	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	40…200	SOT-23	J3Y
S8050LT1	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23	J3Y
MMS8050-L/H	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	50…350	SOT-23	J3Y
DMBT8050	0,3	40	25	5	0,8	150	100	—	120	SOT-23	J3Y
KST8050S	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	50…400	SOT-23	J3Y
KTD1304S	0,2	25	20	12	0,3	150	50	10	20…800	SOT-23	J3Y
KTD1304	0,2	25	20	12	0,3	150	60	—	20…1000	SOT-23	J3Y или MAX

Миниатюрные размеры SMD-корпусов (SOT-23, SOT-323) не позволяют производителю использовать традиционные способы маркировки продукции. Поэтому обычно применяется 2-4 символьный буквенно-цифровой код, наносимый на лицевую поверхность корпуса. Какая-либо единая система среди производителей отсутствует. Кроме того, некоторые предприятия используют одинаковые обозначения, не позволяющие однозначно идентифицировать производителя. Во многих случаях отличающиеся одним символом коды используются и для обозначения групп одного и того же изделия в разных диапазонах значений параметра h_FE.

Наиболее часто встречающийся маркировочный код “J3Y” соответствует транзисторам S8050 компаний-производителей: «DC COMPONENTS», «KEXIN», «SECOS», «Jin Yu Semiconductor», «LGE», «WEITRON», «MCC», «GLOBALTECH Semiconductor», «Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technologies».

2SC2655-Y Datasheet (PDF)

0.1. 2sc2655-y.pdf Size:405K _mcc

6.1. 2sc2655-o.pdf Size:405K _mcc

7.1. 2sc2655.pdf Size:148K _toshiba

7.2. 2sc2655l-y.pdf Size:385K _mcc

7.3. 2sc2655l-o.pdf Size:385K _mcc

7.4. 2sc2655.pdf Size:254K _utc

7.5. 2sc2655.pdf Size:212K _secos

7.6. 2sc2655 to-92l.pdf Size:251K _lge

7.7. 2sc2655 to-92mod.pdf Size:276K _lge

7.8. 2sc2655.pdf Size:277K _wietron

7.9. 2sc2655.pdf Size:204K _inchange_semiconductor

Временные параметры

По предназначению, основной режим работы транзистора C2335 – ключевой, с глубоким насыщением и частыми переключениями. Тепловые потери транзистора, работающего в ключевом режиме, во многом определяются потерями на коммутационных интервалах, когда транзистор переходит из проводящего состояния в непроводящее и наоборот. Поэтому все производители таких изделий придают большое значение временным параметрам и приводят их значения в информационных материалах.

Пример схемы измерения временных параметров транзистора.

Временные параметры:

t_on – время включения;
t_stg – время сохранения импульса тока;
t_f – время спадания импульса тока.

Импульсы напряжения UIN длительностью PW = 50 мкс поступают на вход схемы со скважностью ≤ 2%

U_CC – напряжение питания.
R_L – сопротивление нагрузки.
I_C – ток коллектора.
I_B₁ и I_B₂ – токи базы в разные периоды времени.
U_BB = — 5 В – напряжение смещения транзистора.

“Base current waveform” – диаграмма тока базы во времени.

“Collector current waveform” – диаграмма тока коллектора во времени.

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные. Предназначены для применения в высокочастотных устройствах и узлах радиоэлектронной аппаратуры общего применения.

Производство российское и белорусское

Модель	P_C T_a = 25°C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	C_ob	h_FE	Корпус
S8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92
КТ6111 А/Б/В/Г	1	40	25	6	0,1	150	100	1,7	45…630	TO-92
КТ6114 А/Б/В	0,45	50	45	5	0,1	150	150	3,5	60…1000	TO-92
КТ968 В	4	300	200	5	0,1	150	90	2,8	35…220	TO-39

Зарубежное производство

Модель	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	C_ob	h_FE	Корпус
S8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92
3DG8050A	0,625	40	25	6	0,8	150	100	9	85	TO-92
BC517S	0,625	40	30	10	1	150	200	—	33000	TO-92
BTN8050A3	0,625	40	25	6	1,5	150	100	6	160	TO-92
BTN8050BA3	0,625	40	25	6	1,5	150	100	—	160	TO-92
CX908B/C/D	0,625	40	25	6	1	150	100	—	120…260	TO-92
KTC3203	0,625	—	30	—	0,8	150	190	—	100	TO-92
KTC3211	0,625	40	25	6	1,5	150	190	9	85	TO-92
KTS8050	0,625	—	25	—	0,8	175	—	—	100	TO-92
M8050-C/D	0,625	40	25	6	—	150	150	—	120…160	TO-92
S8050	0,3	409	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
8050HQLT1	0,3	40	25	5	1,5	150	—	—	150	SOT-23
8050QLT1	0,3	40	25	5	0,8	150	—	—	150	SOT-23
8050SLT1	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
CHT9013GP	0,3	45	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
F8050HPLG	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	120	SOT-23
KTC9013SC	0,35	40	30	5	0,5	150	150	—	200	SOT-23
MMBT8050D	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	200	SOT-23
MMS9013-H/L	0,3	40	25	5	0,5	150	150	—	200	SOT-23
NSS40201L	0,54	40	25	—	4	150	150	—	120	SOT-23
NSS40201LT1G	0,54	40	40	6	2	—	150	—	200	SOT-23
NSV40201LT1G	0,54	40	40	6	2	150	150	—	200	SOT-23
PBSS4140T	0,3	40	40	5	1	150	150	—	300	SOT-23
S9013	0,3	40	25	5	0,8	150	150	—	120	SOT-23
ZXTN2040F	0,35	—	40	—	1	—	150	—	300	SOT-23
ZXTN25040DFL	0,35	—	40	—	1,5	—	190	—	300	SOT-23
ZXTN649F	0,5	—	25	—	3	—	—	—	200	SOT-23

Примечание: все данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.

Отечественные и импортные аналоги

Первая позиция в таблице, – транзистор С945, для которого предлагаются аналоги.

Аналог	V_CEO	I_C	P_C	h_FE	f_T
C945	50	0,15	0,4	70	200
Отечественное производство
КТ3102	45	0,1	0,25	250	300
Импорт
KSC945	50	0,15	0,25	40	300
2N2222	30	0,8	0,5	100	250
2N3904	40	0,2	0,31	40	300
2SC3198	50	0,15	0,4	20	130
2SC1815	50	0,15	0,4	70	80
2SC2002	60	0,3	0,3	90	70
2SC3114	50	0,15	0,4	55	100
2SC3331	50	0,2	0,5	100	200
2SC2960	50	0,15	0,25	100	100

Среди перечня аналогов транзистор КТ3102 отличается широкой доступностью и незначительной стоимостью, поэтому радиолюбители часто используют его для замены С945

Обращаем ваше внимание, что его мощность рассеяния значительно ниже оригинала, – ориентировочно на 30%. Перед использованием КТ3102 проверьте мощностные режимы, в которых ему предстоит работать

Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителей.

Модификации и группы транзистора C3198

Модель	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	C_C	h_{FE ٭}	NF (типовое) dB	Корпус
C3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
C SC3198 (O, Y, GR, BL)	0,625	60	50	5	0,15	125	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
FTC3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
KTC3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
KTC3198A	0,4	60	50	5	0,15	150	80	2	25…700	1	TO-92
KTC3198L ٭٭	0,625	60	50	5	0,15	150	80	2	25…700	0,5 (1) 0,2 (2)	TO-92

٭ — диапазон значений параметра h_FE разделяется производителями во всех модификациях на четыре подгруппы (O, Y, GR, BL).

٭٭ — значения коэффициента шума транзистора KTC3198L: 0,5 (1) и 0,2 (2) определены при частотах сигнала соответственно 100 Гц и 1 кГц.

2SK2655-01R MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 2SK2655-01R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Время нарастания (tr): 120
ns

Выходная емкость (Cd): 180
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.48
Ohm

Тип корпуса:

2SK2655-01R
Datasheet (PDF)

0.1. 2sk2655-01r.pdf Size:291K _fuji

N-channel MOS-FET2SK2655-01RFAP-IIS Series 900V 2 8A 100W> Features > Outline Drawing- High Speed Switching- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Voltage- VGS = 30V Guarantee- Repetitive Avalanche Rated> Applications- Switching Regulators- UPS- DC-DC converters- General Purpose Power Amplifier> Maximum Ratings and Characteristi

8.1. 2sk2659.pdf Size:30K _panasonic

Power F-MOS FETs 2SK26592SK2659Silicon N-Channel Power F-MOSUnit : mm5.0 0.1 Features10.0 0.2 1.0 Avalanche energy capability guaranteed High-speed switching90 Low ON-resistance No secondary breakdown 1.2 0.1 C1.02.25 0.2 Low-voltage drive0.65 0.10.35 0.1 1.05 0.1 Radial taping possible0.55 0.10.55 0.1 ApplicationsNon-contact relayNo

8.2. 2sk2653-01r.pdf Size:304K _fuji

N-channel MOS-FET2SK2653-01RFAP-IIS Series 900V 2,5 6A 80W> Features > Outline Drawing- High Speed Switching- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Voltage- VGS = 30V Guarantee- Repetitive Avalanche Rated> Applications- Switching Regulators- UPS- DC-DC converters- General Purpose Power Amplifier> Maximum Ratings and Characterist

8.3. 2sk2654-01.pdf Size:267K _fuji

N-channel MOS-FET2SK2654-01FAP-IIS Series 900V 2 8A 150W> Features > Outline Drawing- High Speed Switching- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Voltage- VGS = 30V Guarantee- Repetitive Avalanche Rated> Applications- Switching Regulators- UPS- DC-DC converters- General Purpose Power Amplifier> Maximum Ratings and Characteristic

8.4. 2sk2652-01.pdf Size:312K _fuji

N-channel MOS-FET2SK2652-01FAP-IIS Series 900V 2,5 6A 125W> Features > Outline Drawing- High Speed Switching- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Voltage- VGS = 30V Guarantee- Repetitive Avalanche Rated> Applications- Switching Regulators- UPS- DC-DC converters- General Purpose Power Amplifier> Maximum Ratings and Characterist

8.5. 2sk2651-01mr.pdf Size:327K _fuji

N-channel MOS-FET2SK2651-01MRFAP-IIS Series 900V 2,5 6A 50W> Features > Outline Drawing- High Speed Switching- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Voltage- VGS = 30V Guarantee- Repetitive Avalanche Rated> Applications- Switching Regulators- UPS- DC-DC converters- General Purpose Power Amplifier> Maximum Ratings and Characteris

8.6. 2sk2654.pdf Size:257K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2654FEATURESDrain Source Voltage-: V = 900V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies andgeneral purpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

8.7. 2sk2652.pdf Size:251K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor 2SK2652FEATURESDrain Source Voltage-: V = 900V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 2.5(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies andgeneral purpose applications.

Другие MOSFET… 2SJ598-Z
, 2SJ557
, 2SK3876-01R
, 2SK3025
, 2SK1217-01R
, 2SK1375
, 2SK1904
, 2SK2352
, IRFZ44N
, 2SK2872-01MR
, 2SK3430
, 2SK3430-S
, 2SK3430-Z
, 2SK3523-01R
, 2SK3525-01MR
, 2SK3637
, 2SK4096LS
.

2sc2655 datasheet, equivalent, cross reference search

2SC2655 Datasheet (PDF)

Аналоги

Аналоги

Отечественное производство

Зарубежное производство

Характерные особенности

Электрические характеристики

Графические иллюстрации характеристик

Модификации и маркировка транзистора S8050

2SC2655-Y Datasheet (PDF)

Временные параметры

Аналоги

Производство российское и белорусское

Зарубежное производство

Отечественные и импортные аналоги

Модификации и группы транзистора C3198

2SK2655-01R MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

2SK2655-01R Datasheet (PDF)

Похожие записи:

2SK2655-01R
Datasheet (PDF)