Транзистор 2n3904

Содержание

Электрические характеристики

Данные в таблицах действительны при температуре корпуса 25°C.

Предельные значения

Обозначение Параметр Условия измерений Мин. Тип. Макс. Ед. изм
BVDSS Напряжение пробоя сток-исток VGS = 0 V, ID = 250 µA 600 — — V
∆BVDSS/∆TJ Коэффициент напряжение пробоя/температура ID = 250 µA при 25°C — 0,65 — V/°C
IDSS Ток стока при нулевом напряжении затвора VDS = 600 V, VGS = 0 V — — 10 µA
VDS = 480 V, TC = 125°C — — 100 µA
IGSSF Прямой ток утечки затвор-корпус VGS = 30 V, VDS = 0 V — — 100 nA
IGSSR Обратный ток утечки затвор-корпус VGS = -30 V, VDS = 0 V — — -100 nA

Рабочие параметры

Обозначение Параметр Условия измерений Мин. Тип. Макс. Ед. изм.
VGS(th) Пороговое напряжение открытия транзистора VDS = VGS, ID = 250 µA 2 — 4 V
RDS(on) Сопротивление сток-исток в открытом состоянии VGS = 10 V, ID = 1.0 A — 3.8 5 Ω
gFS Крутизна передаточной характеристики VDS = 40 V, ID = 1.0 A — 2.05 — S

Динамические параметры

Обозна-чение Параметр Условия измерений Мин. Тип. Макс. Ед. изм.
Ciss Входная емкость VDS = 25 V, VGS = 0 V, f = 1.0 MHz — 380 490 pF
Coss Выходная емкость — 35 46 pF
Crss Проходная емкость — 7.6 9.9 pF

Обозначения и модификации транзистора 2N3906

В информационных материалах компаний-производителей электронных компонентов встречается огромное разнообразие обозначений транзисторов типа 2n3906, отличающихся в основном набором т.н. «суффиксов». При этом в подавляющем числе случаев изделия имеют одинаковую маркировку, но различаются по особенностям технологии изготовления и монтажа (пайки) с применением или без применения экологически вредных материалов.

Вместе с тем, в ряде случаев имеются различия в параметрах, относящихся к ограничениям по мощности рассеивания и величинам тепловых сопротивлений п/п приборов. Различия возникают в случаях размещения п/п структуры в корпусах других (кроме ТО–92) типов и, по всей видимости, в силу отличий технологий изготовления у разных производителей. Другие электрические параметры транзисторов сохраняют свои значения. Различия в значениях предельных тепловых параметров даны в сравнительной таблице.

Обозначение транзистора Корпус RJƟC, °С/Вт RƟJA, °С/Вт PC,мВт Компания-производитель
2N3906 TO — 92 83 200 625 ON Semiconductor
2N3906BU TO — 92 83 200 625 Fairchild Semiconductor
2N3906N TO – 92N — — 400 AUK Corp.
2N3906S SOT – 23 — 250 300 ISC (Inchange Semiconductor)
2N3906U SOT – 23 — 833 150 First Silicon Corp.
2N3906E SOT – 23 — — 100 KEC (Korea Electronics)
2N3906E1G SOT – 23 — 400 200 First Silicon Corp.
MMBT3906 SOT – 23 — 357 350 Fairchild Semiconductor
PZT3906 SOT — 223 — 125 1000

Вывод: при расчетах или анализе предельных тепловых режимов работы транзистора 2n3906 нужно учитывать конкретные технические данные от конкретного производителя.

Технические характеристики транзистора MMBT3906LT1

  • Структура……………………………………………………………………………………биполярная,
  • Напряжение коллектор эмиттер, макс………………………………………………..40В
  • Напряжение коллектор база……………………………………………………………50В
  • Напряжение эмиттер база……………………………………………………………….6 В
  • Ток коллектора, max……………………………………………………………………..200
  • Статический коэффициент передачи тока, в схеме с общим эмиттером……..100….300
  • Рассеиваемая мощность…………………………………………………………………330 мВт
  • Граничная частота, не хуже……………………………………………………………100 МГц
  • Температура рабочая, макс…………………………………………………………….+150°С
  • Температура рабочая, мин……………………………………………………………..-55°С
  • Корпус………………………………………………………………………………………SOT23

Транзистор MBT3904LT1 имеет пластмассовый корпус с планарными выводами. Предназначен для автоматического монтажа на поверхность печатной платы.

H2N3906 Datasheet (PDF)

0.1. h2n3906.pdf Size:51K _hsmc

Spec. No. : HE6240HI-SINCERITYIssued Date : 1992.11.25Revised Date : 2005.01.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N3906PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe H2N3906 is designed for general purpose switching and amplifier applications.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature………………………………………………

8.1. h2n3904.pdf Size:50K _hsmc

Spec. No. : HE6218HI-SINCERITYIssued Date : 1992.11.25Revised Date : 2005.01.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N3904NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe H2N3904 is designed for general purpose switching and amplifier applications.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature………………………………………………

2n3906 Pinout

Fairchild Semiconductor Electronic Components DatasheetCounter specialist&& try the games play.

PNP General Purpose Amplifier

No Preview Available !

Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be opera-
ble above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addi-
tion, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The

absolute maximum ratings are stress ratings only. Values are at TA = 25°C unless otherwise noted.

Parameter
Unit

VCBO

IC

Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Operating and Storage Junction Temperature Range
-40
-200
V
V

°C

1. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150°C.

These are steady-state limits. Fairchild Semiconductor should be consulted on applications involving pulsed
Thermal Characteristics
Symbol

RθJC

Parameter

Derate Above 25°C

Thermal Resistance, Junction to Ambient
625
83.3
Maximum
350

PZT3906(3)

8.0
Unit

mW/°C

°C/W

2. Device is mounted on FR-4 PCB 1.6 inch X 1.6 inch X 0.06 inch.
3. PCB size: FR-4, 76 mm x 114 mm x 1.57 mm (3.0 inch x 4.5 inch x 0.062 inch) with minimum land pattern size.
2N3906 / MMBT3906 / PZT3906 Rev. 1.2.2
www.fairchildsemi.com

Аналоги

В перечне полевых транзисторов, выпускаемых отечественной радиоэлектронной промышленностью, нет элементов, которые можно использовать для замены 2N60B.

Из импортных радиокомпонентов наиболее близкими по техническим параметрам являются полевые транзисторы компании STMicroelectronics, перечень которых приведен в таблице.

Тип VDSS RDS(on) ID PW
2N60B 600 V 5.0 Ω 2.0 А 3 W
STQ2HNK60ZR-AP 600 V 0.5 A 3 W
STD2HNK60Z-1 600 V 2.0 A 45 W
STF2HNK60Z 600 V 2.0 A 20 W
STP3NK60Z 600 V 2.4 A 45 W
STP3NK60ZFP 600 V 2.4 A 20 W
STB3NK60Z 600 V 2.4 A 45 W
STD3NK60Z 600 V 2.4 A 45 W
STD3NK60Z-1 600 V 2.4 A 45 W

Примечание: данные в таблице взяты из даташип-производителя.

PZT3906 Datasheet (PDF)

0.1. pzt3906 3.pdf Size:53K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEEThandbook, halfpageM3D087PZT3906PNP switching transistor1999 Apr 14Product specificationSupersedes data of 1997 May 27Philips Semiconductors Product specificationPNP switching transistor PZT3906FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40 V).1 base2, 4 collectorAPPLICATIONS3 emitter

0.2. pzt3906.pdf Size:46K _st

PZT3906SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORPRELIMINARY DATAType MarkingPZT3906 3906 SILICON EPITAXIAL PLANAR PNPTRANSISTOR SOT-223 PLASTIC PACKAGE FOR2SURFACE MOUNTING CIRCUITS TAPE AND REEL PACKING3 THE NPN COMPLEMENTARY TYPE IS2PZT39041APPLICATIONS SOT-223 WELL SUITABLE FOR SMD MOTHERBOARD ASSEMBLY SMALL LOAD SWITCH TRANSISTOR WITHHIGH GAIN AND LOW SATURAT

 0.3. 2n3906 mmbt3906 pzt3906.pdf Size:106K _fairchild_semi

2N3906 MMBT3906 PZT3906CCEECC TO-92BBBESOT-223SOT-23Mark: 2APNP General Purpose AmplifierThis device is designed for general purpose amplifier and switchingapplications at collector currents of 10 A to 100 mA.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage -40 VVCBO Collector-Base Vol

0.4. pzt3906t1.pdf Size:176K _onsemi

PZT3906T1Preferred Device General Purpose TransistorPNP SiliconFeatures Pb-Free Package is Availablehttp://onsemi.comMAXIMUM RATINGSCOLLECTOR2, 4Rating Symbol Value UnitCollector-Emitter Voltage VCEO -40 Vdc1Collector-Base Voltage VCBO -40 VdcBASEEmitter-Base Voltage VEBO -5.0 Vdc3Collector Current — Continuous IC -200 mAdcEMITTERTHERMAL CHARACTERISTICS

 0.5. pzt3906.pdf Size:809K _secos

PZT3906PNP Transistor Elektronische BauelementeEpitaxial Planar TransistorRoHS Compliant ProductSOT-223Description The PZT3906 is designed for general purpose switching and amplifier applications. MillimeterMillimeterREF. REF. Min. Max. Min. Max. 3 9 0 6A 6.70 7.30 B 13 TYP. Date CodeC 2.90 3.10 J 2.30 REF. D 0.02 0.10 1 6.30 6.70 B C E 0 10 2 6.30 6.70

0.6. pzt3906.pdf Size:791K _kexin

SMD Type TransistorsPNP TransistorsPZT3906 (KZT3906)Unit:mmSOT-2236.500.23.000.1 Features 4 Low Voltage and Low Current General Purpose Amplifier and Switch Application Complementary to PZT39041 2 30.2502.30 (typ)Gauge Plane1.Base 2.Collector0.700.13.Emitter4.60 (typ) 4.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Sym

2N3906SC Datasheet (PDF)

0.1. 2n3906sc.pdf Size:700K _kec

SEMICONDUCTOR 2N3906SCTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.FEATURESLow Leakage Current: ICEX=-50nA(Max.), IBL=-50nA(Max.)@VCE=-30V, VEB=-3V.Excellent DC Current Gain Linearity.Low Saturation Voltage : VCE(sat)=-0.4V(Max.) @IC=-50mA, IB=-5mA.Complementary to 2N3904SC.MAXIMUM RATING (Ta=25)CHARACTERIST

7.1. 2n3906s.pdf Size:51K _kec

SEMICONDUCTOR 2N3906STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.EL B LDIM MILLIMETERSFEATURES_+2.93 0.20AB 1.30+0.20/-0.15Low Leakage CurrentC 1.30 MAX2: ICEX=-50nA(Max.), IBL=-50nA(Max.) 3 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20@VCE=-30V, VEB=-3V.1G 1.90H 0.95Excellent DC Current Gain Linearity.J 0.13

7.2. 2n3906s.pdf Size:199K _first_silicon

SEMICONDUCTOR2N3906STECHNICAL DATAGeneral Purpose TransistorsPNP Silicon We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.3ORDERING INFORMATIONDevice Marking Shipping22N3906S 2A 3000/Tape & Reel 1SOT23MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit3CollectorEmitter Voltage V 40 VdcCEOCOLLECTORCollectorBase Voltage V CBO 40

 7.3. 2n3906s.pdf Size:207K _inchange_semiconductor

isc Silicon PNP Power Transistor 2N3906SDESCRIPTIONLow voltage( max .40V )Low current ( max .200mA )APPLICATIONSDesigned for high-speed switchingAmplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage -40 VCBOV Collector-Emitter Voltage -40 VCEOV Emitter-Base Voltage -5 VEBOI Collector Current-Continuo

HY3906P MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: HY3906P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 220
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25
V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 190
A

Максимальная температура канала (Tj): 175
°C

Общий заряд затвора (Qg): 135
nC

Время нарастания (tr): 18
ns

Выходная емкость (Cd): 1014
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.004
Ohm

Тип корпуса:

HY3906P
Datasheet (PDF)

0.1. hy3906p-b.pdf Size:3645K _hymexa

HY3906P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/190ARDS(ON)= 3.2 m (typ.) @ VGS=10V100% avalanche tested Reliable and RuggedS Lead Free and Green Devices AvailableDG(RoHS Compliant)SDGTO-263-2LTO-263-2LTO-220FB-3LTO-220FB-3LApplicationsD Switching applicationG N-Channel MOSFET Power Management for Inverter Systems.S

0.2. hy3906p hy3906b.pdf Size:534K _hymexa

HY3906P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/190ARDS(ON)= 3.2 m(typ.) @ VGS=10V 100% avalanche testedSD Reliable and Rugged GSD Lead Free and Green Devices AvailableG(RoHS Compliant)TO-220FB-3L TO-263-2LApplicationsSwitching application Power Management for Inverter Systems.N-Channel MOSFETOrdering and Mar

 8.1. hy3906w hy3906a.pdf Size:717K _hymexa

HY3906W/AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/190ARDS(ON)= 2.6 m(typ.) @ VGS=10V 100% avalanche tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableSSDDGG(RoHS Compliant)TO-247A-3LTO-3P-3LApplicationsSwitching application Power Management for Inverter Systems.N Channel MOSFETOrdering and Mar

Другие MOSFET… SID40N03
, SID9435
, SID9575
, SID9971
, SJV01N60
, SMG1330N
, SMG2301
, SMG2301P
, IRF540N
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, SMG2306N
, SMG2306NE
, SMG2310A
.

Биполярный транзистор AFT3906 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: AFT3906

Маркировка: 2A

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.23
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30

Корпус транзистора:

AFT3906
Datasheet (PDF)

0.1. aft3906.pdf Size:1278K _alfa-mos

AFT3906 Alfa-MOS Technology PNP General Purpose Amplifier Features This device is designed for general purpose amplifier and switching applications at collector currents of 10A to 100mA. Pin Description ( SOT-23 ) Ordering Information Part Ordering No. Part Marking Package Unit Quantity AFT3906T1S23RG 2A SOT-23 Tape & Reel 3000 EA Absolute Maximum Ratings (TA=25 Unless

8.1. aft3904.pdf Size:1374K _alfa-mos

AFT3904 Alfa-MOS Technology NPN General Purpose Amplifier Features This device is designed as a general purpose amplifier and switch. The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and to 100 MHz as an amplifier. Pin Description ( SOT-23 ) Ordering Information Part Ordering No. Part Marking Package Unit Quantity AFT3904T1S23RG 1AM SOT-23 Tape & Reel 3000 EA A

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

Datasheet Download — General Semiconductor

Номер произв 2N3906
Описание SMALL SIGNAL TRANSISTORS PNP
Производители General Semiconductor
логотип 　

1Page

No Preview Available !

NEW PRODUCT
NEW PRODUCT
NEW PRODUCT
2N3906
SMALL SIGNAL TRANSISTORS (PNP)
TO-92
0.181 (4.6)
0.142 (3.6)

max. Æ 0.022 (0.55)

0.098 (2.5)
EC
B
Dimensions in inches and (millimeters)
FEATURES

¨ PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for

switching and amplifier applications.

¨ As complementary type, the NPN transistor

2N3904 is recommended.

¨ On special request, this transistor is also

manufactured in the pin configuration
TO-18.

¨ This transistor is also available in the SOT-23 case with

the type designation MMBT3906.
MECHANICAL DATA

Case: TO-92 Plastic Package

Weight: approx. 0.18g

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25¡C ambient temperature unless otherwise specified
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current

Power Dissipation at TA = 25¡C

at TC = 25¡C

Thermal Resistance Junction to Ambient Air
Junction Temperature
Storage Temperature Range
SYMBOL

ÐVCBO

ÐVCEO

ÐVEBO

ÐIC

Ptot

RqJA

Tj

TS

VALUE
40
40
5.0
200
625
1.5

250(1)

150
Ð 65 to +150
NOTES:
(1) Valid provided that leads are kept at ambient temperature.
UNIT
Volts
Volts
Volts
mA
mW
Watts
¡C/W
¡C
¡C
1/5/99

No Preview Available !

2N3906
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25¡C ambient temperature unless otherwise specified
Collector-Base Breakdown Voltage

at ÐIC = 10 mA, IE = 0

Collector-Emitter Breakdown Voltage

at ÐIC = 1 mA, IB = 0

Emitter-Base Breakdown Voltage

at ÐIE = 10 mA, IC = 0

Collector Saturation Voltage

at ÐIC = 10 mA, ÐIB = 1 mA

at ÐIC = 50 mA, ÐIB = 5 mA

Base Saturation Voltage

at ÐIC = 10 mA, ÐIB = 1 mA

at ÐIC = 50 mA, ÐIB = 5 mA

Collector-Emitter Cutoff Current

at ÐVEB = 3 V, ÐVCE = 30 V

Emitter-Base Cutoff Current

at ÐVEB = 3 V, ÐVCE = 30 V

DC Current Gain

at ÐVCE = 1 V, ÐIC = 0.1 mA

at ÐVCE = 1 V, ÐIC = 1 mA

at ÐVCE = 1 V, ÐIC = 10 mA

at ÐVCE = 1 V, ÐIC = 50 mA

at ÐVCE = 1 V, ÐIC = 100 mA

Input Impedance

at ÐVCE = 10 V, ÐIC = 1 mA, f = 1 kHz

Voltage Feedback Ratio

at ÐVCE = 10 V, ÐIC = 1 mA, f = 1 kHz

Gain-Bandwidth Product

at ÐVCE = 20 V, ÐIC = 10 mA, f = 100 MHz

Collector-Base Capacitance

at ÐVCB = 5 V, f = 100 kHz

Emitter-Base Capacitance

at ÐVEB = 0.5 V, f = 100 kHz

SYMBOL

ÐV(BR)CBO

ÐV(BR)CEO

ÐV(BR)EBO

MIN.
40
40
5

ÐVCEsat

ÐVCEsat

ÐVBEsat

ÐVBEsat

ÐICEV

Ð
Ð
Ð
Ð
Ð

ÐIEBV

hFE

hFE

hFE

hFE

hFE

hie

hre

fT

CCBO

CEBO

Ð
60
80
100
60
30
1

0.5 á 10Ð4

250
Ð
Ð
MAX.
Ð
Ð
Ð
0.25
0.4
0.85
0.95
50
50
Ð
Ð
300
Ð
Ð
10

8 á 10Ð4

Ð
4.5
10
UNIT
Volts
Volts
Volts
Volts
Volts
Volts
Volts
nA
nA
Ð
Ð
Ð
Ð
Ð

kW

Ð
MHz
pF
pF

No Preview Available !

2N3906
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25¡C ambient temperature unless otherwise specified
Small Signal Current Gain

at ÐVCE = 10 V, ÐIC = 1 mA, f = 1 kHz

SYMBOL

hfe

MIN.
100
Output Admittance

at ÐVCE = 1 V, ÐIC = 1 mA, f = 1 kHz

hoe 1

Noise Figure

at ÐVCE = 5 V, ÐIC = 100 mA, RG = 1 kW,

f = 10 É 15000 Hz
NF Ð
Delay Time (see Fig. 1)

at ÐIB1 = 1 mA, ÐIC = 10 mA

td Ð

Rise Time (see Fig. 1)

at ÐIB1 = 1 mA, ÐIC = 10 mA

tr Ð

Storage Time (see Fig. 2)

at IB1 = ÐIB2 = 1 mA, ÐIC = 10 mA

ts Ð

Fall Time (see Fig. 2)

at IB1 = ÐIB2 = 1 mA, ÐIC = 10 mA

tf Ð

MAX.
400
40
4
35
35
225
75
UNIT
Ð

mS

dB
ns
ns
ns
ns

Fig. 1: Test circuit for delay and rise time

* total shunt capacitance of test jig and connectors

Fig. 2: Test circuit for storage and fall time

* total shunt capacitance of test jig and connectors
Всего страниц 3 Pages
Скачать PDF

Биполярный транзистор KST3906 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KST3906

Маркировка: 2A

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора:

KST3906
Datasheet (PDF)

0.1. kst3906.pdf Size:107K _fairchild_semi

September 2010KST3906PNP Epitaxial Silicon TransistorFeatures General Purpose Transistor3Marking22ASOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorAbsolute Maximum Ratings Ta = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -40 VVCEO Collector-Emitter Voltage -40 VVEBO Emitter-Base Voltage -5 VIC Collector Current -200 mAPC Collec

0.2. kst3906.pdf Size:47K _samsung

KST3906 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORGENERAL PURPOSE TRANSISTORSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -40 V Collector-Emitter Voltage VCEO -40 V Emitter-Base Voltage VEBO -5 V Collector Current IC -200 mA Collector Dissipation PC 350 mW Storage Temperature TSTG 150 1. Base 2. Emitter 3. CollectorELECTRI

 8.1. kst3904.pdf Size:55K _fairchild_semi

KST39043General Purpose Transistor2SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 60 VVCEO Collector-Emitter Voltage 40 VVEBO Emitter-Base Voltage 6 VIC Collector Current 200 mAPC Collector Power Dissipation 350 mWTSTG Storage Temp

8.2. kst3903.pdf Size:47K _samsung

KST3903/3904 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORGENERAL PURPOSE TRANSISTORSOT-23ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -60 V Collector-Emitter Voltage VCEO -40 V Emitter-Base Voltage VEBO -6 V Collector Current IC -200 mA Collector Dissipation PC 350 mW Storage Temperature TSTG 150 1. Base 2. Emitter 3. CollectorEL

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

Графические данные

Рис.1 Зависимость коэффициента усиления по току hFE от величины тока коллектора IC при различных температурах (VCE – напряжение коллектор-эмиттер).

Рис.2 Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) от тока коллектора (IB – ток перехода база-эмиттер).

Рис.3 Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер VBE(sat) от тока коллектора (IB – ток перехода база-эмиттер).

Рис.4 Зависимость напряжения включения база-эмиттер VBE(ON) тока коллектора (VCE – напряжение коллектор-эмиттер).

Рис.5 Зависимость тока выключения ICBO транзистора от температуры окружающей среды Ta (VCB – напряжение коллектор-база).

Рис.6 Зависимость рассеиваемой транзистором мощности (PC) от температуры окружающей среды Ta.

Рис.7 Зависимость коэффициента усиления тока hfe от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).

Рис.8 Зависимость полной выходной проводимости hoe от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).

Рис.9 Зависимость величины входного импеданса от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).

Рис.10 Зависимость коэффициента обратной связи по напряжению hre от тока коллектора IC.

Рис.11 Зависимости емкостей переходов эмиттер-база (Cob) и коллектор-база (Cib) от величин напряжений обратного смещения переходов эмиттер-база (VEB) и коллектор-база (VCB).

Рис.12 Зависимость коэффициента шума транзистора (NF) от частоты передаваемого сигнала f (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, IC – ток коллектора, RS – выходное сопротивление источника сигнала).

Рис.13 Зависимость коэффициента шума транзистора (NF) от величины внутреннего сопротивления источника сигнала (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, IC – ток коллектора, f – частота входного сигнала, поступающего от внешнего источника).

Рис.14 Зависимости отрезков времени переключения (t) от величины тока коллектора (IC) (IB1, IB2 – значения тока базы при переключениях; td – время задержки переключения; tr – время нарастания выходного сигнала; tf – время спадания выходного сигнала; ts – время рассасывания объемного заряда (или — время сохранения tstg)).

Рис.15 Зависимости времени включения (ton) и выключения (toff) от величины коллекторного тока IC (VBE(OFF) – напряжение база-эмиттер при выключении; IB1, IB2 – значения тока базы при включении и выключении).

Рис.16 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени задержки (td) и времени нарастания (tr). Коэффициент заполнения импульсной последовательности 2%.

Рис.17 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени рассасывания (tstg) заряда коллекторного перехода и времени спадания (tf). Коэффициент заполнения импульсной последовательности 2%. CS – суммарная емкость монтажа и коннекторов.

Биполярный транзистор H2N3906 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: H2N3906

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора:

H2N3906
Datasheet (PDF)

0.1. h2n3906.pdf Size:51K _hsmc

Spec. No. : HE6240HI-SINCERITYIssued Date : 1992.11.25Revised Date : 2005.01.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N3906PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe H2N3906 is designed for general purpose switching and amplifier applications.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature………………………………………………

8.1. h2n3904.pdf Size:50K _hsmc

Spec. No. : HE6218HI-SINCERITYIssued Date : 1992.11.25Revised Date : 2005.01.14MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5H2N3904NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe H2N3904 is designed for general purpose switching and amplifier applications.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature………………………………………………

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

Биполярный транзистор PMBS3906 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: PMBS3906

Маркировка: pO6_t06_tO6_WO6

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора:

PMBS3906
Datasheet (PDF)

0.1. pmbs3906 4.pdf Size:52K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PMBS3906PNP general purpose transistor1999 Apr 22Product specificationSupersedes data of 1997 May 20Philips Semiconductors Product specificationPNP general purpose transistor PMBS3906FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collect

7.1. pmbs3904 4.pdf Size:52K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PMBS3904NPN general purpose transistor1999 Apr 22Product specificationSupersedes data of 1997 May 20Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistor PMBS3904FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collect

7.2. pmbs3904.pdf Size:125K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPMBS3904NPN general purpose transistorProduct data sheet 2004 Feb 02Supersedes data of 1999 Apr 22 NXP Semiconductors Product data sheetNPN general purpose transistor PMBS3904FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 40 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector General purpose switchin

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

Похожие записи:

Как выставить зажигание с помощью стробоскопа? Сигнализация действия защиты и автоматики Подключение потолочного светильника со светодиодами Default ThumbnailМаркировка smd компонентов: кодовые обозначения Как сделать веб-приложение для вашего собственного bluetooth low energy девайса? Как подключить усилитель в машине