Datasheet bc556b pdf ( даташит )

Содержание

Производители

Все DataSheet от указных производителей ВС557 можно скачать здесь. Производители: Diotec Semiconductor, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, Rectron Semiconductor, Unisonic Technologies, Fairchild Semiconductor, Continental Device India Limited, Olitech Electronics, Foshan Blue Rocket Electronics, First Silicon, Semtech Corporation, Boca Semiconductor Corporation, KEC(Korea Electronics), Micro Electronics, ON Semiconductor, NXP Semiconductors, Dc Components, SEMTECH ELECTRONICS, Tiger Electronic, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY, Micro Commercial Components, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, Siemens Semiconductor Group, General Semiconductor.

BC558 Datasheet (PDF)

0.1. bc556 bc557 bc558.pdf Size:159K _motorola

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC556/DAmplifier TransistorsBC556,BPNP SiliconBC557A,B,CCOLLECTORBC558B12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGS12BC

0.2. bc556 bc557 bc558 2.pdf Size:220K _motorola

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC556/DAmplifier TransistorsBC556,BPNP SiliconBC557A,B,CCOLLECTORBC558B12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGS12BC

0.3. bc556 bc557 bc558 bc559 bc560.pdf Size:43K _fairchild_semi

BC556/557/558/559/560Switching and Amplifier High Voltage: BC556, VCEO= -65V Low Noise: BC559, BC560 Complement to BC546 … BC 550TO-9211. Collector 2. Base 3. EmitterPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage : BC556 -80 V: BC557/560 -50 V: BC558/559 -30 V

0.4. bc556b bc557a-b-c bc558b.pdf Size:81K _onsemi

BC556B, BC557A, B, C,BC558BAmplifier TransistorsPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures Pb-Free Packages are Available*COLLECTOR1MAXIMUM RATINGS 2BASERating Symbol Value UnitCollector — Emitter Voltage VCEO Vdc3BC556 -65EMITTERBC557 -45BC558 -30Collector — Base Voltage VCBO VdcBC556 -80BC557 -50BC558 -30TO-92Emitter — Base Voltage VEBO -5.0 Vdc CASE

0.5. sbc558.pdf Size:94K _auk

SBC558SemiconductorSemiconductorPNP Silicon TransistorDescriptions General purpose application Switching applicationFeatures High voltage : VCEO=-30V Complementary pair with SBC548Ordering InformationType NO. Marking Package Code SBC558 SBC558 TO-92Outline Dimensions unit : mm3.450.14.50.12.250.10.40.022.060.11.27 Typ.2.54 Typ.

0.6. bc556 bc557 bc558.pdf Size:353K _cdil

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyBC556, A, B, PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSBC557, A, B, CBC558, A, B, CTO-92Plastic PackageFor Lead Free Parts, Device Part # will be Prefixed with EB «T»CAmplifier TransistorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C)DESCRIPTION SYMBOL BC556 BC557 BC558 UNITSCollector Emi

0.7. bc556 bc557 bc558.pdf Size:274K _kec

SEMICONDUCTOR BC556/7/8TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION .B CFEATURESFor Complementary With NPN Type BC546/547/548.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKG B 4.80 MAXC 3.70 MAXDD 0.45E 1.00MAXIMUM RATING (Ta=25 )F 1.27G 0.85CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITH 0.45_H J 14.00 + 0.50BC556 -80K 0.55 M

0.8. bc556 bc557 bc558.pdf Size:573K _lge

BC556/557/558(PNP)TO-92 Bipolar TransistorsTO-92 1. COLLECTOR 2. BASE 3. EMITTER Features High Voltage Complement to BC546/BC547/BC548 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units Collector-Base Voltage BC556 -80 VCBO BC557 -50 V BC558 -30-65 -45 V VCEO Collector-Emitter Voltage -30 Dimensions in inches and (millimeter

0.9. bc556 bc557 bc558.pdf Size:2241K _wietron

BC556, A/BBC557, A/B/CBC558, A/B/CPNP General Purpose TransistorCOLLECTOR3P b Lead(Pb)-Free2BASE1231EMITTERTO-92Maximum Ratings ( T =25 C unless otherwise noted)ARating Symbol BC556 BC557 BC558 UnitV -65 -45Collector-Emitter Voltage ECO -30V-30VCollector-Base Voltage CBO -80 -50 VVEBOEmitter-Base Voltage -5 -5 -5 Vl 100Collector Curre

0.10. bc556abk bc557abk bc558abk bc559abk bc556bbk bc557bbk bc558bbk bc559bbk bc556cbk bc557cbk bc558cbk bc559cbk.pdf Size:80K _diotec

BC556xBK … BC559xBKBC556xBK … BC559xBKGeneral Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistorsPNP PNPSi-Epitaxial Planar-Transistoren fr universellen EinsatzVersion 2009-12-070.1Power dissipation Verlustleistung 500 mW4.6Plastic case TO-92Kunststoffgehuse (10D3)Weight approx. Gewicht ca. 0.18 gC B EPlastic material has UL classification 94V-0Gehusematerial

Транзисторы BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 с буквами A, B, C.

Т ранзисторы BC556 — BC560 — кремниевые, высокочастотные усилительные общего назначения, структуры — p-n-p. Корпус пластиковый TO-92B. Маркировка буквенно — цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 500 мВт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером — 300 МГц;

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — У транзисторов BC556 65в. У транзисторов BC557, BC560 45в. У транзисторов BC558, BC549 30в.

Максимальное напряжение коллектор — база — У транзисторов BC556 80в. У транзисторов BC557, BC560 50в. У транзисторов BC558, BC559 30в.

Максимальное напряжение эмиттер — база — 5в.

Коэффициент передачи тока: У транзисторов BC556A, BC557A, BC558A, BC559A, BC560A — от 110 до 220. У транзисторов BC556B, BC557B, BC558B, BC559B, BC560B — от 200 до 450. У транзисторов BC556C, BC557C, BC558C, BC559C, BC560C — от 420 до 800.

Максимальный постоянный ток коллектора — 100 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора100мА, базы 5мА — не выше 0,6в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5мА — 0,9в.

Транзисторы комплиментарные BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 — BC546, BC547, BC548, BC549, BC550.

BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой частоты, так и в радиочастотных каскадах. Пример — популярная схема переговорного устройства(уоки — токи) на 27мГц.

Схема состоит из двух компонентов — LC генератора(емкостная трехточка) на частоту 27мГц и усилителя звуковой частоты с двухтактным выходным каскадом. Режимы прием — передача переключаются с помощью переключателя В1. В режиме передачи миниатюрный громкоговоритель переключается с выхода УЗЧ на вход и используется как динамический микрофон. Усиленный сигнал поступает на генератор 27мГц, производя модуляцию основной частоты.

В режиме приема схема работает как сверхрегнератор с очень большим усилением радиосигнала и прямым преобразованием его модуляции в сигнал звуковой частоты, после усиления в УЗЧ поступающий на громкоговоритель. В LC генераторе применен BC547(VT1), в усилителе звуковой частоты два BC547(VT2 — VT5) и два комплементарных BC557(VT3 — VT4). Все транзисторы лучше брать с буквой C(коэфф. усиления от 450). Резисторы можно взять любого типа с мощностью от 0,1 ватта, за исключением R3 — его мощность должна быть не менее 0,25 ватт.

Конденсаторы C1 — C11 слюдяные, C12 — C13 — оксидные(электролитические), любого типа. Катушка генератора L1 — 4 витка провода ПЭЛ -0,25 с отводом от одного витка, намотанная на каркасе диаметром 0,4 см, с подстроечным стержнем из феррита(от малогаб. импортного приемника). Катушка L2 — 1,5 витка на том же каркасе, тем же проводом. Антенной служит безкаркасная катушка — пружина диаметром 0,5 см содержащая 160 — 170 плотно намотанных витков провода ПЭВ 0,5 (виток, к витку). Длина такой антенны получается от 8 до 10см.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

12 шт. из магазина г.Ижевск2328 шт. со склада г.Москва,срок 3-4 рабочих дня
− +

В корзину

PNP транзистор общего применения

ХарактеристикиТехнические ∙ Корпус TO-92 ∙ Распиновка CBE

Электрические ∙ Мощность 0.5Вт ∙ Ток коллектора -0.1А ∙ Обратный ток коллектор-база -0.015uA ∙ Напряжение эмиттер-база -5В ∙ Напряжение коллектор-эмиттер 45В ∙ Напряжение коллектор-база -50В ∙ Hfe min 420 ∙ Hfe max 800

Общие ∙ Производитель Semtech

Биполярный транзистор BC558C — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BC558C

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 420

Корпус транзистора:

BC558C
Datasheet (PDF)

0.1. bc556abk bc557abk bc558abk bc559abk bc556bbk bc557bbk bc558bbk bc559bbk bc556cbk bc557cbk bc558cbk bc559cbk.pdf Size:80K _diotec

9.1. bc556 bc557 bc558.pdf Size:159K _motorola

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC556/DAmplifier TransistorsBC556,BPNP SiliconBC557A,B,CCOLLECTORBC558B12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGS12BC

9.2. bc556 bc557 bc558 2.pdf Size:220K _motorola

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC556/DAmplifier TransistorsBC556,BPNP SiliconBC557A,B,CCOLLECTORBC558B12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGS12BC

9.3. bc556 bc557 bc558 bc559 bc560.pdf Size:43K _fairchild_semi

9.4. bc556b bc557a-b-c bc558b.pdf Size:81K _onsemi

9.5. sbc558.pdf Size:94K _auk

9.6. bc556 bc557 bc558.pdf Size:353K _cdil

9.7. bc556 bc557 bc558.pdf Size:274K _kec

9.8. bc556 bc557 bc558.pdf Size:573K _lge

9.9. bc556 bc557 bc558.pdf Size:2241K _wietron

Другие транзисторы… BC557BP
, BC557C
, BC557VI
, BC558
, BC558A
, BC558AP
, BC558B
, BC558BP
, A1015
, BC558CP
, BC558VI
, BC559
, BC559A
, BC559AP
, BC559B
, BC559BP
, BC559C
.

Импортные и отечественные аналоги

Из представленной выше информации видно, что транзисторы BC546-550 различаются по допустимым величинам напряжений и имеют хотя не одинаковые, но близкие показатели коэффициента шума. Остальные электрические параметры и типовые характеристики у них идентичны.

Среди транзисторов российского производства наиболее близким к этой группе можно считать КТ3102, который имеет такой же корпус и цоколевку, но более высокий коэффициент усиления (КТ3102Г, Е).

В таблице приведены пригодные для замены BC547 n-p-n транзисторы (в корпусе ТО-92) и их основные параметры.

Тип	V_CEO, В	I_C, мA	P_C, мВт	h_FE	f_T, МГц	Цоколевка (слева направо)
BC547	50	100	500	110-800	300	кбэ
Отечественное производство
КТ3102	20-50	100	250	100-1000	от 150	+ (кбэ)
Импорт
BC171	45	100	350	120-800	150	+ (кбэ)
BC182	50	100	350	120-500	100	+ (кбэ)
BC237	45	100	500	120-460	100	+ (кбэ)
BC414	45	100	300	120-800	200	+ (кбэ)
BC447	80	300	625	50-460	от 100	+ (кбэ)
BC550	45	200	500	110-800	300	+ (кбэ)
2SC2474	30	100	310	20	2000	+ (кбэ)
2SC828A	45	100	400	130-520	220	— (экб)
2SC945	50	100	250	150-450	от 150	— (экб)

Примечания:

У КТ3102 значения V_CEO и h_FE зависит от буквы, следующей за последней цифрой.
В последнем столбце знак «+» означает совпадение порядка следования выводов с BC547, знак «-» – различие.
Параметры транзисторов указанные в таблице взяты из производителя.

Транзисторы BC546, BC547, BC548, BC549, BC550 с буквами A, B, C.

Т ранзисторы BC546 — BC550 — кремниевые, высокочастотные усилительные общего назначения, структуры — n-p-n. Корпус пластиковый TO-92B. Маркировка буквенно — цифровая.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 500 мВт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером — 300 МГц;

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — У транзисторов BC546 65в. У транзисторов BC547, BC550 45в. У транзисторов BC548, BC549 30в.

Максимальное напряжение коллектор — база — У транзисторов BC546 80в. У транзисторов BC547, BC550 50в. У транзисторов BC548, BC549 30в.

Максимальное напряжение эмиттер — база — У транзисторов BC546, BC547 6в. У транзисторов BC548, BC549, BC550 5в.

Коэффициент передачи тока: У транзисторов BC546A, BC547A, BC548A, BC549A, BC550A — от 110 до 220. У транзисторов BC546B, BC547B, BC548B, BC549B, BC550B — от 200 до 450. У транзисторов BC546C, BC547C, BC548C, BC549C, BC550C — от 420 до 800.

Максимальный постоянный ток коллектора — 100 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора100мА, базы 5мА — не выше 0,6в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5мА — 0,9в.

Транзисторы BC546, BC547, BC548, BC549, BC550 в западном мире столь же популярны, как были популярны в Советском Союзе в свое время — КТ315. Сравнивать напрямую эти транзисторы было бы совершенно некорректно, более поздняя западная разработка конечно, намного совершенней.

BC547, BC548 иногда(в малосигнальных каскадах УЗЧ) можно заменить КТ3102А, Б, Г( и почти всегда — наоборот). BC549 меняется на КТ3102Д, Е. Нужно учитывать что КТ3102 имеют более низкую мощность рассеиваемую коллектором и уступают по предельной частоте передачи тока.

BC546, BC547, BC548, BC549, BC550 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой частоты, так и в радиочастотных каскадах. Пример — популярная схема переговорного устройства(уоки — токи) на 27мГц.

BC558A Datasheet (PDF)

0.1. bc556abk bc557abk bc558abk bc559abk bc556bbk bc557bbk bc558bbk bc559bbk bc556cbk bc557cbk bc558cbk bc559cbk.pdf Size:80K _diotec

9.1. bc556 bc557 bc558.pdf Size:159K _motorola

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC556/DAmplifier TransistorsBC556,BPNP SiliconBC557A,B,CCOLLECTORBC558B12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGS12BC

9.2. bc556 bc557 bc558 2.pdf Size:220K _motorola

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC556/DAmplifier TransistorsBC556,BPNP SiliconBC557A,B,CCOLLECTORBC558B12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGS12BC

9.3. bc556 bc557 bc558 bc559 bc560.pdf Size:43K _fairchild_semi

9.4. bc556b bc557a-b-c bc558b.pdf Size:81K _onsemi

9.5. sbc558.pdf Size:94K _auk

9.6. bc556 bc557 bc558.pdf Size:353K _cdil

9.7. bc556 bc557 bc558.pdf Size:274K _kec

9.8. bc556 bc557 bc558.pdf Size:573K _lge

9.9. bc556 bc557 bc558.pdf Size:2241K _wietron

Datasheet Download — General Semiconductor

Номер произв

BC556

Описание

Small Signal Transistors (PNP)

Производители

General Semiconductor

логотип

1Page

No Preview Available !

BC556 THRU BC559
Small Signal Transistors (PNP)
TO-92
.181 (4.6)
.142 (3.6)

max.∅ .022 (0.55)

.098 (2.5)
CE
B
Dimensions in inches and (millimeters)
FEATURES

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors for

switching and AF amplifier applications.

These transistors are subdivided into

three groups A, B and C according to
their current gain. The type BC556 is avail-
able in groups A and B, however, the types
BC557 and BC558 can be supplied in all three
groups. The BC559 is a low-noise type available
in all three groups. As complementary types, the
NPN transistors BC546 … BC549 are recommended.

On special request, these transistors are also manufac-

tured in the pin configuration TO-18.
MECHANICAL DATA

Case: TO-92 Plastic Package

Weight: approx. 0.18 g

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified
Symbol
Value
Collector-Base Voltage
BC556
BC557
BC558, BC559

–VCBO

80
50
30
Collector-Emitter Voltage
BC556
BC557
BC558, BC559

–VCES

80
50
30
Collector-Emitter Voltage
BC556
BC557
BC558, BC559

–VCEO

65
45
30
Emitter-Base Voltage

–VEBO

5
Collector Current

–IC 100

Peak Collector Current

–ICM

200
Peak Base Current

–IBM

200
Peak Emitter Current

IEM 200

Power Dissipation at Tamb = 25 °C

Ptot 5001)

Junction Temperature

Tj 150

Storage Temperature Range

TS –65 to +150

1) Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case.

Unit
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
°C
4/98

No Preview Available !

BC556 THRU BC559
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified
Symbol
Min.
Typ.
Max.
h-Parameters

at –VCE = 5 V, –IC = 2 mA, f = 1 kHz

Current Gain
Current Gain Group A
B
C
Input Impedance
Current Gain Group A
B
C

Output Admittance Current Gain Group A

B
C
Reverse Voltage Transfer Ratio
Current Gain Group A
B
C

hfe

hie

hoe

hre

– 220 –
– 330 –
– 600 –
1.6 2.7 4.5
3.2 4.5 8.5
6 8.7 15
– 18 30
– 30 60
– 60 110

– 1.5 · 10–4 –

–

2 · 10–4

–
–

3 · 10–4

–
DC Current Gain

at –VCE = 5 V, –IC = 10 µA

Current Gain Group A
B
C

at –VCE = 5 V, –IC = 2 mA

Current Gain Group A
B
C

at –VCE = 5 V, –IC = 100 mA

Current Gain Group A
B
C

hFE

– 90 –
– 150 –
– 270 –
110 180 220
200 290 450
420 500 800
– 120 –
– 200 –
– 400 –
Thermal Resistance Junction to Ambient Air

RthJA

–
–

2501)

Collector Saturation Voltage

at –IC = 10 mA, –IB = 0.5 mA

at –IC = 100 mA, –IB = 5 mA

–VCEsat

–
–
80 300
250 650
Base Saturation Voltage

at –IC = 10 mA, –IB = 0.5 mA

at –IC = 100 mA, –IB = 5 mA

–VBEsat

–
–
700 –
900 –
Base-Emitter Voltage

at –VCE = 5 V, –IC = 2 mA

at –VCE = 5 V, –IC = 10 mA

–VBE 600 660 750

–VBE

–
–
800
Collector-Emitter Cutoff Current

at –VCE = 80 V

at –VCE = 50 V

at –VCE = 30 V

at –VCE = 80 V, Tj = 125 °C

at –VCE = 50 V, Tj = 125 °C

at –VCE = 30 V, Tj = 125 °C

BC556
BC557
BC558
BC556
BC557
BC558, BC559

–ICES

–
–
–
–
–
–
0.2 15
0.2 15
0.2 15
–4
–4
–4

1) Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case.

Unit
–
–
–

kΩ

µS

–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
K/W
mV
mV
mV
mV
mV
mV
nA
nA
nA

µA

No Preview Available !

BC556 THRU BC559
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified
Gain-Bandwidth Product

at –VCE = 5 V, –IC = 10 mA, f = 100 MHz

Collector-Base Capacitance

at –VCB = 10V, f = 1 MHz

Noise Figure

at –VCE = 5 V, –IC = 200 µA, RG = 2 kΩ,

f = 1 kHz, ∆f = 200 Hz BC556, BC557, BC558

BC559
Noise Figure

at –VCE = 5 V, –IC = 200 µA, RG = 2 kΩ,

f = 30…15000 Hz
BC559
Symbol

CCBO

F
F
F
Min.
–
–
–
–
–
Typ.
150
–
2
1
1.2
Max.
–
6
10
4
4
Unit
MHz
pF
dB
dB
dB
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES BC556 THRU BC559

Всего страниц

6 Pages

Скачать PDF

BC558C Datasheet (PDF)

0.1. bc556abk bc557abk bc558abk bc559abk bc556bbk bc557bbk bc558bbk bc559bbk bc556cbk bc557cbk bc558cbk bc559cbk.pdf Size:80K _diotec

9.1. bc556 bc557 bc558.pdf Size:159K _motorola

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC556/DAmplifier TransistorsBC556,BPNP SiliconBC557A,B,CCOLLECTORBC558B12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGS12BC

9.2. bc556 bc557 bc558 2.pdf Size:220K _motorola

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC556/DAmplifier TransistorsBC556,BPNP SiliconBC557A,B,CCOLLECTORBC558B12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGS12BC

9.3. bc556 bc557 bc558 bc559 bc560.pdf Size:43K _fairchild_semi

9.4. bc556b bc557a-b-c bc558b.pdf Size:81K _onsemi

9.5. sbc558.pdf Size:94K _auk

9.6. bc556 bc557 bc558.pdf Size:353K _cdil

9.7. bc556 bc557 bc558.pdf Size:274K _kec

9.8. bc556 bc557 bc558.pdf Size:573K _lge

9.9. bc556 bc557 bc558.pdf Size:2241K _wietron

Даташит bc556b pdf ( datasheet )

Производители

BC558 Datasheet (PDF)

Транзисторы BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 с буквами A, B, C.

Наиболее важные параметры.

Биполярный транзистор BC558C — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

BC558C Datasheet (PDF)

Импортные и отечественные аналоги

Транзисторы BC546, BC547, BC548, BC549, BC550 с буквами A, B, C.

Наиболее важные параметры.

BC558A Datasheet (PDF)

Datasheet Download — General Semiconductor

BC558C Datasheet (PDF)

Похожие записи:

BC558C
Datasheet (PDF)