Диоды 1n4000 и 1n5400 серии. характеристики

Характерные особенности

  • Малые токи утечки.
  • Малое падение напряжения в проводящем состоянии.
  • Высокая токовая нагрузка и устойчивость к ударному току.
  • Низкие потери мощности.
  • Высокая надежность.
  • Корпус: формованный пластик. Эпоксидное покрытие по аттестации UL 94V-0 пламезамедляющее.
  • Полярность: цветная полоса обозначает катод.
  • Ориентация при монтаже – любая.

Характеристики, представленные ниже в таблицах, определялись в следующем режиме: температура внешней среды, если не указано иное, Ta = 25°C. Однофазная сеть, частота 60 Гц, одна полуволна тока, индуктивная или резистивная нагрузка. При емкостной нагрузке значения токов необходимо уменьшить на 20%.

Справка об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2N5401.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2N5401 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор 2N5401 транзистором 2N5400; транзистором BF491; транзистором ECG288; транзистором КТ502Е; транзистором MPSA92; транзистором MPSA93; транзистором MPSL51;

транзистором MPSL51; транзистором 2SB646; транзистором 2SB646A; транзистором 2SA637; транзистором 2SB647; транзистором 2SB647A; транзистором 2SA638; транзистором 2SA639; транзистором BC526A; транзистором BC404VI;

Предельные эксплуатационные характеристики

Превышение этих параметров приводит к необратимому ухудшению свойств или потере работоспособности любого п/п прибора.

Характеристика, ед. измерения Обозначение Особенности измерений Величина
Максимальное повторяющееся обратное напряжение, В URRM — 1000
Максимальное среднеквадратичное обратное напряжение, В URMS — 700
Максимальное блокирующее обратное напряжение постоянного тока, В UDC — 1000
Максимальный среднеквадратичный прямой ток, А IF(AV) Ta = 75°C, длина выводов при монтаже 9,5 мм 3
Максимальный неповторяющийся ударный прямой ток, А IFSM TJ = 125°C, синусоидальная полуволна тока длительностью 8,3 мс. 200
Предельная рассеиваемая мощность, Вт PD — 6,25
Тепловое сопротивление p/n-переход – внешняя среда, °С/Вт RƟJA — 20…40 ٭
Допустимое значение интеграла плавления (интеграла Джоуля), А2с I2t Длительность не более 8,3 мс. 166
Диапазон рабочих температур п/п структуры, °С TJ — -55°С…+150°С
Диапазон температур хранения, °С Tstg — -55°С…+150°С

٭ — для разных производителей.

Чем заменить диод gs1m

Статистика
Главная » Электронные компоненты » ДИОДЫ, СТАБИЛИТРОНЫ, МОСТЫ » Выпрямительные диоды
Регулярные поставки, Оптовые поставки по заказу | 03.08.2011, 12:59:58
ЦЕНА розничная: 2руб | от 10шт: 1,5руб | от 100шт: 1руб | от 1000шт: 0,9руб
Диод 1A 1000V SMA.

S1M – выпрямительный диод 1А 1000В в корпусе для smd-монтажа. Диод S1M выполнен в пластиковом корпусе для планарного монтажа. Полярность диодов маркируется полосой со стороны катода.

1000V
Uобр.max (импульсное, повтор.) 1000V
Uобр.max (действующее) 700VAC
Iпрям.max (при t=+50°C) 1A*
Iпрям.имп.max (8,3mS)** 30A
Uпрям. (не более)** 1,1..1,2V
Iобр. (при t=+25°C)** 5..10µA
Типовая ёмкость** 12..30pF
Время восстановления** 2,0..2,5µS
Диапазон температур** -55..+125°C
Вес 0,065g
Тип корпуса
Аналоги M7, SMA4007, GS1M

* Значение тока указано при работе на резистивную либо индуктивную нагрузку. При работе на емкостную нагрузку значение тока следует уменьшить на 20%.

** Некоторые параметры могут несколько отличаться у изделий разных производителей.

Более подробные характеристики диода S1M с графиками работы Вы можете получить, скачав файл документации ниже (на английском языке).

SMD выпрямительный диод. Диапазон напряжения от 50 до 1000 вольт.

Особенности:

  1. Для поверхностного монтажа
  2. Низкое прямое падение напряжения
  3. Встроенный зажим, идеальный для автоматического размещения
  4. Высокая импульсная перегрузочная способность
  5. Эпитаксиальная конструкция
  6. Пластиковые материалы UL классификация воспламеняемости 94 V-0

Механические данные:

  1. Корпус: литой пластиковый корпус
  2. Вывода: покрытые припоем
  3. Высокая температура пайки, гарантированно: 260°С в течение 10 секунд
  4. Полярность: цветовое обозначение катода
  5. Стандартная упаковка: 12 мм лента (EIASTD RS-481
  6. Вес: 0,064 грамма

Максимальные технические и электрические характеристики диодов S1A-S1M

Значения параметров при 25°С температуре окружающей среды, если не указано иное. Однофазный, напряжение (В) половина волны, частота – 60 Гц, для резистивных и индуктивных нагрузок. Для емкостной нагрузки уменьшайте ток на 20%

Аналоги

1N5408 можно без проблем заменить на аналоги: 1N5400, 1SR34, 30S10, BY226, BY251, BY254, BY255, CPR3-100, ECG156, ECG156, ECG5809, FR305, GP30J, GP30M, GP30K, MR-1, MR510, CR3-100GPP, P300M. Существуют диоды, у которых расположение выводов такое же, но электрические параметры могут немного не совпадать: BYM56D, RL257, G3M, CL510. Есть ещё приборы которые не полностью совместимы с рассматриваемым по своим характеристикам. При необходимости замены нужно изучить их технические характеристики, и только после этого принимать решение о возможности установки. Вот эти изделия: 2A1000, HR1000, P300M, RM4C, 1N2533, 1N2534, 1N255, 1N2556, 1N5407K, PG5408, P207. Близких по техническим параметрам устройств отечественная промышленность не производит.

Производители

Далее по ссылкам и названием компаний можете найти datasheet 2N5401 от следующих производителей: NXP Semiconductors, Semtech Corporation, Boca Semiconductor Corporation, Micro Electronics, ON Semiconductor, Weitron Technology, UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, Samsung semiconductor, Motorola, Inc, Multicomp, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD., SEMTECH ELECTRONICS LTD, Inchange Semiconductor Company Limited, KODENSHI KOREA CORP, New Jersey Semi-Conductor Products, Inc, Daya Electric Group Co., Ltd, Dc Components, Central Semiconductor Corp, AUK corp, Fairchild Semiconductor, Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd, Micro Commercial Components, Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD.

Аналоги

Аналог VCEO IC PC hFE fT
2N5401 150 0,6 0,31 60 100
Отечественное производство
КТ6116А 160 0,6 0,625 60 100
КТ502Е 80 0,15 0,35 40 5
Импорт
2N5400 120 0,6 0,31 40 100
ECG288 300 0,5 0,625 40 50
MPSA92 300 0,5 0,625 25 50
MPSA93 200 0,5 0,625 30 50
MPSL51 100 0,6 0,31 40 60
BF491 200 0,5 0,625 25 50
ECG288 300 0,5 0,625 40 50
2SB646 80 0,5 0,9 60 70
2SB646A 100 0,5 0,9 60 70
2SB647 150 0,5 0,3 30 40
2SB647A 80 1 0,9 60 70
2SA638 100 1 0,9 60 70
BC526A 50 0,2 0,625 100 200
BC404VI 60 0,15 0,35 50 150
2SA1015 50 0,15 0,4 70 80

Таблица отображает аналоги с наиболее близкими техническими характеристиками, взятыми из даташип производителя.

Распиновка

Стандартная цоколевка 2n5401, если смотреть на маркировку, слева на право: эмиттер, база, коллектор. Он изготавливается в пластмассовом корпусе с гибкими ножками. Большинство производителей делают его в корпусе TO-92.

Компания Unisonic Technologies, выпускает данное устройство в корпусе SOT-89. Расположение выводов слева на право: база, коллектор, эмиттер. Будьте внимательны при выборе транзистора, некоторые фирмы изготавливают его с другим порядком расположения контактов. Например у Hottech Industrial, цоколевка такая, слева на право: 1 — эмиттер, 2 — коллектор, 3 — база.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

Характеристики транзистора 2N5401 говорят о том, что он биполярный, кремниевый, p-n-p структуры , произведенный по эпитаксиально-планарной технологии. Применяется в коммутирующих устройствах, усилителях. Его также используют в аппаратуре, для которой важен низкий уровень шума и повышенное напряжение.

Производители

Транзистор 2N5401 (datasheet можно скачать нажав на название) является достаточно популярным, и поэтому его производством занимаются многие зарубежные фирмы, перечислим основные из них:

  • Diotec Semiconductor;
  • Inchange Semiconductor Company Limited;
  • ON Semiconductor;
  • Samsung semiconductor;
  • Foshan Blue Rocket Electronics;
  • Fairchild Semiconductor;
  • UNISONIC TECHNOLOGIES;
  • Micro Electronics;
  • Micro Commercial Components.

В отечественных магазинах чаще всего встречается продукция выпущенная на заводах следующих компаний: Diotec Semiconductor, ON Semiconductor, Fairchild Semiconductor, Micro Commercial Components, UNISONIC TECHNOLOGIES.

Описание транзистора 2N5401

Транзистор 2N5401 — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > FГР < 300 МГц) транзистор типа P-N-P, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС < 1,5 Вт ). Тип корпуса TO-92. Аналоги данного транзистора это транзисторы: NTE288, SK3867A, PMBT5401, THC5401, TMPT5401, A5T5401*, A5T5400*.

Транзистор
UКЭ0 /UКБ0 ПРОБВ
IК, МАКСмА
PК, МАКСмВт
h21Э
fгрМГц
Изготовитель

мин.
макс.
IКмА
UКЭВ
Название (полное)
Название (сокращённое)

2N5401
150/160
600
350

100
American Microsemiconductor Inc
AmerMicroSC

Allegro Microsystems Inc
AlegroMicro

Central Semiconductor Corp
CentralSemi

Continental Device India Ltd
Contin Dev

Crimson Semiconductor Inc
CrimsonSimi

Digitron Electronic Corp
Digitron

Diodes Inc
Diodes Inc

Elm State Electronics lnc
Elm State

Fairchild Semiconductor Corp
FairchildSC

Toshiba Corp/Industria Mexicana Toshiba SA
Indust Mexi

KSL Microdevices Ing
KSL Micro

Korea Electronics Со Ltd
Korea Elecs

Loras Industries Inc
Loras Ind

Micro Electronics Ltd
Micro Еlecs

Motorola Semiconductor Products Inc
Motorola

NAS Etektronische Halbleiter Gmbh
NAS Elekt

National Semiconductor Corp
Natl Semi

New Jersey Semi-Conductor Products Inc
New Jersey

Phitips International BV/Philips Components
PhilipsComp

Samsung Electronics Inc
Samsung

Semelab Plc
Semelab

Semiconductor Technology Inc
SemiconTech

Solid State Systems
Sld St Syst

Solid State Inc
Solid Stinc

Swampscott Electronics Со Inc
Swampscott

Toshiba America Electronic Components Inc
ToshibaAmer

Transistor Со
Transistor

Taiwan Liton Electronic Со Ltd
TwLitonEIec

Space Power Electronics Inc
Space Power

Цоколёвка

Тип
Номера выводов

1
2
3

3 вывода
C
B
E

UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.

Аналоги

Для замены могут подойти диоды кремниевые, диффузионные, быстродействующие, выпрямительные, предназначенные для использования в источниках питания и выпрямительных устройствах аппаратуры общего назначения

Отечественное производство

Тип URRM URMS UDC IF(AV) TJ RƟJA UF IR ٭ Ta=25°C IR ٭ Ta=100°C CT Корпус
1N5408 1000 700 1000 3 150 20…40 1,0…1,2 5 500 30…50 DO-201AD
КД203Г 1000 — 700 2 140 — 1 — 1500 — КДЮ-11-4
2Д210В/Г 1000 — 1000 10 140 3 1 — 4500 — КД-11
КД210В/Г 1000 — 1000 10 140 2 1 — 4500 — КД-11
2Д220Г/И 1000 — 1000 3 — — 1,1 45 1500 — КД-10
2Д230Г/И 1000 — 1000 3 125 1,5 /1,3 45 1500 — КД-11
КД241А 1500 — 1500 2 — — 1,4 — 5 — —
КД243Ж 1000 — 1000 1 125 — 1,1 — 10 — КД-4Б
КД257Д 1000 — 1000 3 125 — 1,5 — 200 — КД-29С
КД258Д 1000 — 1000 3 155 — 1,6 — 2 — КД-29А
КД529В/Г 1600 — 1600 8 — — ˂ 3,5 — 1500 — —

Зарубежное производство

Тип URRM URMS UDC IF(AV) IFSM TJ RƟJA UF IR ٭ Ta=25°C IR ٭ Ta=25°C CT Корпус
1N5408 1000 700 1000 3 200 150 20…40 1,0…1,2 5 500 30…50 DO-201AD
30S10 1000 — — 3 178 175 16,5 1 — — — DO-201AD
BY255 1300 910 1300 3 200 175 30 1,1 5 500 40 DO-27
BYM56E 1000 — 1000 3,5 80 175 75 0,95 1 150 90 SOD-64
CR3-100 1000 700 1000 3 300 175 28 1,1 10 100 25 DO-201AD
CR3-120 1200 840 1200 3 300 175 28 1,1 10 100 25 DO-201AD
CR3-100GPP 1000 700 1000 3 200 175 20 1,1 5 100 30 DO-201AD
ER307 1000 700 1000 3 200 150 — 1,3 5 150 60 DO-27
G3M 1000 — — 3 125 175 20 1,1 5 100 40 G3
GI510 1000 700 1000 3 100 150 20 1,1 5 50 28 DO-201AD
GP30M 1000 700 1000 3 125 150 20 1,1 5 100 40 DO-201AD
P300M 1000 700 1000 3 200 150 20 1,2 5 25 30 DO-201AD
RL157G 1000 700 1000 1,5 50 175 50 1,1 5 50 20 DO-15
RL257GP 1000 700 1000 2,5 70 150 25 1,1 5 50 40 R-3
RM3C 1000 — — 2 150 150 10 0,95 10 100 — —
RM4C 1000 — — 1,7 150 150 8 0,97 10 50 — —

٭ — в столбцах таблиц обратный ток IR (ток утечки) измеряется в мкА

Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителя.

Технические характеристики 2n5401

Самыми важными, для транзистора, считаются предельно допустимые характеристики. Именно их производители приводят первыми в своей технической документации. Измерение параметров, как максимальных, так и электрических, происходит при температуре +25°С. Вот они:

  • напряжение К – Б Uкб max (VCBO) = -160 В;
  • напряжение К – Э Uкэ max (VCЕO) = -150 В;
  • напряжение Э – Б Uэб max (VЕBO) = -5 В;
  • ток через коллектор Iк max (IC) = 600 мА;
  • максимальная рассеиваемая мощность без теплоотвода:
    • для корпуса ТО-92 Pк max (PD) = 0,625 Вт;
    • для корпуса SOT-89 Pк max (PD) = 0,5 Вт
    • для корпуса SOT-23 Pк max (PD) = 0,35 Вт.
  • максимальная рассеиваемая мощность с теплоотводом (корпус ТО-92) Pк max (PD) = 1,5 Вт;
  • температура рабочая и хранения Tstg = -50 … +150°С;
  • предельная температура кристалла Тj = 150°С.

Следующими по важности характеристиками являются электрические. От них также зависят функциональные возможности транзистора

При их измерении важную роль играют значения внешних параметров. В таблице они расположены в отдельной колонке, которая называется «Условия измерения».

Электрические характеристики транзистора 2N5401 (при Т = +25°C)
Параметры Обозн. Условия измерения min max Ед. изм
Напряжение пробоя К –Э Uкэ(проб.) IК=-1,0мA, IБ=0 -150 В
Напряжение пробоя К – Б Uкб(проб.) IК=-100мкA, IЭ=0 -160 В
Напряжение пробоя Э – Б Uэб(проб.) IЭ=-10мкA, IК=0 -5 В
Обратный ток коллектора Iкбо Uкб=-120В, IЭ=0 -50 нА
Uкб=-120В, IЭ=0, ТА=100°С -50 мкА
Обратный ток эмиттера Iэбо Uэб= — 3 В, IК=0 -50 нА
Статический к-т передачи тока h21э IК=-1 мA, Uкэ=-5В 50 240
IК=-10мA, Uкэ=-5В 60
IК=-50мA, Uкэ=-5В 50
Напряжение насыщения К — Э Uкэ(нас.) IК=-10мA, IБ=-1мA -0,2 В
IК=-50мA, IБ=-5мA -0,5
Напряжение насыщения Б — Э Uбэ(нас.) IК=-10мA, IБ=-1мA -1 В
IК=-50мA, IБ=-5мA -1
Граничная частота к-та передачи тока fгр Uкэ=-10B,IК=-10мA 100 300 МГц
Ёмкость коллекторного перехода Cк Uкб = -10В, IЭ = 0, f= 1мГц 6 пФ
К-т шума Кш IК=-250мкA, Uкэ=-5В,

RS =1.0 кОм,

f =10 Гц … 15.7 кГц

 8 дБ

Похожие записи:

Как выставить зажигание с помощью стробоскопа? Сигнализация действия защиты и автоматики Подключение потолочного светильника со светодиодами Default ThumbnailМаркировка smd компонентов: кодовые обозначения Как сделать веб-приложение для вашего собственного bluetooth low energy девайса? Как подключить усилитель в машине