Транзистор 2n5401

Related Datasheets

Технические характеристики 2n5401

Самыми важными, для транзистора, считаются предельно допустимые характеристики. Именно их производители приводят первыми в своей технической документации. Измерение параметров, как максимальных, так и электрических, происходит при температуре +25°С. Вот они:

• напряжение К – Б U_{кб max} (V_CBO) = -160 В;
• напряжение К – Э U_{кэ max} (V_CЕO) = -150 В;
• напряжение Э – Б U_{эб max} (V_ЕBO) = -5 В;
• ток через коллектор I_{к max} (I_C) = 600 мА;
• максимальная рассеиваемая мощность без теплоотвода:
  • для корпуса ТО-92 P_{к max} (P_D) = 0,625 Вт;
  • для корпуса SOT-89 P_{к max} (P_D) = 0,5 Вт
  • для корпуса SOT-23 P_{к max} (P_D) = 0,35 Вт.

• максимальная рассеиваемая мощность с теплоотводом (корпус ТО-92) P_{к max} (P_D) = 1,5 Вт;
• температура рабочая и хранения T_stg = -50 … +150°С;
• предельная температура кристалла Т_j = 150°С.

Следующими по важности характеристиками являются электрические. От них также зависят функциональные возможности транзистора

При их измерении важную роль играют значения внешних параметров. В таблице они расположены в отдельной колонке, которая называется «Условия измерения».

CZT5401 Datasheet (PDF)

0.1. czt5401e.pdf Size:534K _central

CZT5401Ewww.centralsemi.comENHANCED SPECIFICATIONSURFACE MOUNTDESCRIPTION:PNP SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CZT5401E is a PNP Silicon Transistor, packaged in an SOT-223 case, designed for general purpose amplifier applications requiring high breakdown voltage.MARKING: FULL PART NUMBERFEATURES: High Collector Breakdown Voltage 250VSOT-223 CASESOT-223

0.2. czt5401.pdf Size:614K _secos

CZT5401PNP Transistor Elektronische BauelementeEpitaxial Planar TransistorRoHS Compliant ProductSOT-223Description The CZT5401 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages.REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 6.70 7.30 B 13 TYP. C 2.90 3.10 J 2.30 REF. 5 4 0 1D 0.02 0.10 1 6.30 6.70 Date CodeE 0 10 2 6.30 6.70 I 0.60 0.80 3 3.3

 0.3. czt5401.pdf Size:313K _kexin

SMD Type TransistorsPNP TransistorsCZT5401 (KZT5401)Unit:mmSOT-2236.500.23.000.1 Features4 High Voltage High Voltage Amplifier Application1 2 30.2502.30 (typ)Gauge Plane1.Base 2.Collector0.700.13.Emitter4.60 (typ) 4.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector — Base Voltage VCBO -160 Coll

Справка об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2N5401.

Эта страница содержит информацию об аналогах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2N5401 .

Перед заменой транзистора на аналогичный, !ОБЯЗАТЕЛЬНО! сравните параметры оригинального транзистора и предлагаемого на странице аналога. Решение о замене принимайте после сравнения характеристик, с учетом конкретной схемы применения и режима работы прибора.

Можно попробовать заменить транзистор 2N5401 транзистором 2N5400; транзистором BF491; транзистором ECG288; транзистором КТ502Е; транзистором MPSA92; транзистором MPSA93; транзистором MPSL51;

транзистором MPSL51; транзистором 2SB646; транзистором 2SB646A; транзистором 2SA637; транзистором 2SB647; транзистором 2SB647A; транзистором 2SA638; транзистором 2SA639; транзистором BC526A; транзистором BC404VI;

2n5401 vs mpsa92

The table below is to compare the electrical specifications of each 2n5401 and mpsa92 transistor.

The voltage value of both transistors is different,

For, 2n5401 (VCB = -160V) and (VCE = -150V), but at mpsa92, it is (VCB = -300V) and (VCE= -300V).

The peak collector current and DC current gain value of each transistor is different,

• For, 2n5401 peak (I_C= -600mA) and for mpsa92 it is (I_C= -500mA)
• For, 2n5401 DC gain current value is (60 to 240hFE) and for mpsa92, it is (25 to 40hFE).

2n5401 graphical characteristics

DC current gain vs collector current

The figure shows the DC current gain vs collector current curve, we can see the current gain is dipping when the collector current increases to a maximum limit.

collector current vs base-emitter voltage

The figure shows the collector current vs base-emitter voltage curve, we can see an increase in collector current with the slightest change in base-emitter voltage.

Applications of 2n5401 transistor   

The 2n5401 is a PNP transistor type mostly used for high voltage applications, but the 2n5401 transistor is also the best option for amplifier circuits.

• General-purpose switching and amplifier applications
• Telephony applications
• High voltage applications
• Multi-stage amplifier circuits
• Power supply applications

Производители

Транзистор 2N5401 (datasheet можно скачать нажав на название) является достаточно популярным, и поэтому его производством занимаются многие зарубежные фирмы, перечислим основные из них:

• Diotec Semiconductor;
• Inchange Semiconductor Company Limited;
• ON Semiconductor;
• Samsung semiconductor;
• Foshan Blue Rocket Electronics;
• Fairchild Semiconductor;
• UNISONIC TECHNOLOGIES;
• Micro Electronics;
• Micro Commercial Components.

В отечественных магазинах чаще всего встречается продукция выпущенная на заводах следующих компаний: Diotec Semiconductor, ON Semiconductor, Fairchild Semiconductor, Micro Commercial Components, UNISONIC TECHNOLOGIES.

Производители

Далее по ссылкам и названием компаний можете найти datasheet 2N5401 от следующих производителей: NXP Semiconductors, Semtech Corporation, Boca Semiconductor Corporation, Micro Electronics, ON Semiconductor, Weitron Technology, UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, Samsung semiconductor, Motorola, Inc, Multicomp, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD., SEMTECH ELECTRONICS LTD, Inchange Semiconductor Company Limited, KODENSHI KOREA CORP, New Jersey Semi-Conductor Products, Inc, Daya Electric Group Co., Ltd, Dc Components, Central Semiconductor Corp, AUK corp, Fairchild Semiconductor, Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd, Micro Commercial Components, Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD.

Распиновка

Стандартная цоколевка 2n5401, если смотреть на маркировку, слева на право: эмиттер, база, коллектор. Он изготавливается в пластмассовом корпусе с гибкими ножками. Большинство производителей делают его в корпусе TO-92.

Компания Unisonic Technologies, выпускает данное устройство в корпусе SOT-89. Расположение выводов слева на право: база, коллектор, эмиттер. Будьте внимательны при выборе транзистора, некоторые фирмы изготавливают его с другим порядком расположения контактов. Например у Hottech Industrial, цоколевка такая, слева на право: 1 — эмиттер, 2 — коллектор, 3 — база.

Описание транзистора 2N5401

Транзистор 2N5401 — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > F_ГР < 300 МГц) транзистор типа P-N-P, средней мощности (300 мВт > P_К,МАКС < 1,5 Вт ). Тип корпуса TO-92. Аналоги данного транзистора это транзисторы: NTE288, SK3867A, PMBT5401, THC5401, TMPT5401, A5T5401*, A5T5400*.

Транзистор
U_КЭ0 /U_{КБ0 ПРОБ}В
I_{К, МАКС}мА
P_{К, МАКС}мВт
h_21Э
f_грМГц
Изготовитель

мин.
макс.
I_КмА
U_КЭВ
Название (полное)
Название (сокращённое)

2N5401
150/160
600
350

100
American Microsemiconductor Inc
AmerMicroSC

Allegro Microsystems Inc
AlegroMicro

Central Semiconductor Corp
CentralSemi

Continental Device India Ltd
Contin Dev

Crimson Semiconductor Inc
CrimsonSimi

Digitron Electronic Corp
Digitron

Diodes Inc
Diodes Inc

Elm State Electronics lnc
Elm State

Fairchild Semiconductor Corp
FairchildSC

Toshiba Corp/Industria Mexicana Toshiba SA
Indust Mexi

KSL Microdevices Ing
KSL Micro

Korea Electronics Со Ltd
Korea Elecs

Loras Industries Inc
Loras Ind

Micro Electronics Ltd
Micro Еlecs

Motorola Semiconductor Products Inc
Motorola

NAS Etektronische Halbleiter Gmbh
NAS Elekt

National Semiconductor Corp
Natl Semi

New Jersey Semi-Conductor Products Inc
New Jersey

Phitips International BV/Philips Components
PhilipsComp

Samsung Electronics Inc
Samsung

Semelab Plc
Semelab

Semiconductor Technology Inc
SemiconTech

Solid State Systems
Sld St Syst

Solid State Inc
Solid Stinc

Swampscott Electronics Со Inc
Swampscott

Toshiba America Electronic Components Inc
ToshibaAmer

Transistor Со
Transistor

Taiwan Liton Electronic Со Ltd
TwLitonEIec

Space Power Electronics Inc
Space Power

Цоколёвка

Тип
Номера выводов

1
2
3

3 вывода
C
B
E

U_{КЭ0, ПРОБ} — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

U_{КБ0, ПРОБ} — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

U_КЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h_21Э.

I_{К, МАКС} — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

I_К — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h_21Э.

h_21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

f_ГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

P_{К, МАКС} — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.

Аналоги

Таблица отображает аналоги с наиболее близкими техническими характеристиками, взятыми из даташип производителя.

Зависимость коэффициента усиления по току от тока коллектора

График отображает зависимость коэффициента усиления транзистора по току (h_fe) от тока коллектора (I_c). Большую наглядность добавляет наложение нескольких кривых на один рисунок. На их положение влияют дополнительные параметры:

• Т_j – рабочая температура (градусы Цельсия);
• I_c – ток коллектора (mA).

Хорошо видно, что все зависимости объединены в три пары. Положение линии в паре определяет дискретное изменение значения напряжения коллектор-эмиттер: 1,0/-5,0 V. Пары на рисунке располагаются в зависимости от изменения рабочей температуры, с шагом: -55, 25 и 125 градусов Цельсия. Анализируя взаимное расположение кривых и их форму на графике, можно сделать следующие выводы:

• активный радиокомпонент находится в рабочем состоянии в диапазоне температур, не менее чем от -55 до 125 градусов Цельсия;
• нагревание корпуса транзистора увеличивает его коэффициент усиления, причем эта зависимость (h_fe от Т_j) имеет нелинейную форму.

В целом, видно, что транзистор обладает усилительными свойствами во всем диапазоне изменений коллекторного тока, от 0 до 100mA. Зависимость имеет плавно изменяющуюся форму, с явно видимыми спадами в районе малых токов и при приближении к максимальному значению, -100mA. Уменьшение коэффициента усиления имеет сложное физическое обоснование и объясняется структурными изменениями режимов работы полупроводниковых переходов транзистора.

Транзистор 2n5401 может применяться как активный усилительный элемент для качественного усиления электрических сигналов или переключатель для дискретного снятия/подачи напряжения.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте». Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо. Спасибо за терпение и сотрудничество.

Характеристики транзистора 2N5401 говорят о том, что он биполярный, кремниевый, p-n-p структуры , произведенный по эпитаксиально-планарной технологии. Применяется в коммутирующих устройствах, усилителях. Его также используют в аппаратуре, для которой важен низкий уровень шума и повышенное напряжение.

2n5401 transistor brief description

2n5401 is a PNP BJT transistor capable to handle high voltages, most of the applications based on 2n5401 are general purpose switching and amplifier circuits.

The collector to base voltage is -160V, collector to emitter voltage is -150V, and emitter to base voltage is -5v, this is the reason why 2n5401 is called the high voltage transistor.

The maximum collector current of 2n5401 is -600mA, the current value shows that 2n5401 is a moderate level transistor, which is capable of general-purpose applications.

The current gain range of 2n5401 is 60 to 240hFE, the magnifying level of this transistor is good.

The power dissipation of 2n5401 is 625mW, the dissipation value shows it is a low power transistor, so we can use it at any general-purpose application.

The noise figure range of 2n5401 is 8dB, the maximum noise value shows that 2n5401 has better noise at amplifier circuit applications.

The transition frequency value at 2n5401 is 400MHz, the frequency value shows the capability of this transistor at switching and amplifier circuits.

The junction temperature value at 2n5401 is -55 to +150°C, so the transistor had a good range of heat capacity.

Equivalent for 2n5401 transistor

The transistors such as 2SA1319, 2SA1625, KTA1275, 2SC2909, and 2SA709 are the perfect equivalent for the 2n5401 PNP transistor type.

Each of the transistors on this list had identical pinout details but different electrical specifications, so at the replacement process you need to check voltage and current value before exchanging.

NPN complementary transistor for 2n5401

2n5551 is the NPN complementary component for the 2n5401 transistor, the 2n5551 transistor had similar electrical and physical characteristics to 2n5401.

Datasheet Download — Unisonic Technologies

DMMT5401 Datasheet (PDF)

0.1. dmmt5401.pdf Size:111K _diodes

DMMT5401 MATCHED PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features A Epitaxial Planar Die Construction SOT-26 Complementary NPN Type Available (DMMT5551) E1 E2 C2Dim Min Max Typ Ideal for Low Power Amplification and Switching A 0.35 0.50 0.38 Intrinsically Matched PNP Pair (Note 1) B CB 1.50 1.70 1.60 2% Matched Tolerance, hFE, VCE(SAT), VBE(SAT)

0.2. dmmt5401.pdf Size:1336K _kexin

SMD Type TransistorsPNP TransistorsDMMT5401 (KMMT5401)( )SOT-23-6 Unit:mm+0.10.4 -0.1 Features5 46 Epitaxial Planar Die Construction Complementary NPN Type Available (DMMT5551) Ideal for Medium Power Amplification and Switching Intrinsically Matched PNP Pair (Note 1)2 31 2% Matched Tolerance, hFE, VCE(SAT), VBE(SAT)+0.020.15 -0.02+0.0

 9.1. dmmt5551 dmmt5551s.pdf Size:114K _diodes

DMMT5551/DMMT5551S MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features A Epitaxial Planar Die Construction SOT-26 Complementary PNP Type Available (DMMT5401) Dim Min Max Typ Ideal for Low Power Amplification and Switching A 0.35 0.50 0.38 Intrinsically Matched NPN Pair (Note 1) B CB 1.50 1.70 1.60 2% Matched Tolerance, hFE, VCE(SAT), VBE(SAT)

9.2. dmmt5551.pdf Size:1286K _kexin

SMD Type TransistorsNPN TransistorsDMMT5551 (KMMT5551)( )SOT-23-6 Unit:mm0.4+0.1 Features -0.1 Epitaxial Planar Die Construction6 5 4 Complementary PNP Type Available (DMMT5401) Ideal for Low Power Amplification and Switching Intrinsically Matched NPN Pair (Note 1) 2% Matched Tolerance, hFE, VCE(SAT), VBE(SAT)2 31 Lead Free/RoHS Compliant

Похожие записи:

Как выставить зажигание с помощью стробоскопа? Сигнализация действия защиты и автоматики Подключение потолочного светильника со светодиодами Маркировка smd компонентов: кодовые обозначения Как сделать веб-приложение для вашего собственного bluetooth low energy девайса? Как подключить усилитель в машине