Маркировка различных видов диодов

Маркировка диодов

На корпусе диода обычно указывают материал полупроводника, из которого он изготовлен (буква или цифра), тип (буква), назначение или электрические свойства прибора (цифра), букву, соответствующую разновидности прибора, и дату изготовления, а также его условное обозначение.

Условное обозначение диода (анод и катод) указывает, как нужно подключать диод на платах устройств. Диод имеет два вывода, один из которых катод (минус), а другой — анод (плюс).

Условное графическое изображение на корпусе диода наносится в виде стрелки, указывающей прямое направление, если стрелки нет, то ставится знак «+».

На плоских выводах некоторых диодов (например, серии Д2) прямо выштамповано условное обозначение диода и его тип. При нанесении цветового кода, цветную метку, точку или полоску наносят ближе к аноду (рис. 1).

Для некоторых типов диодов используется цветная маркировка в виде точек и полосок (табл. 1). Диоды старых типов, в частности точечные, выпускались в стеклянном оформлении и маркировались буквой «Д» с добавлением цифры и буквы, обозначающих подтип прибора. Германиево-индиевые плоскостные диоды имели обозначение «Д7».

Рис. 1. Нанесение цветового кода на диоды.

Таблица 1 Цветовая маркировка полупроводниковых диодов.

* Цвет корпуса коричневый.

Литература: В.М. Пестриков. Энциклопедия радиолюбителя.

Технические сравнения

я против. V кривая германиевого туннельного диода 10 мА, снятая на Tektronix model 571 измеритель кривой.

В обычном полупроводниковом диоде проводимость имеет место, когда переход P-N смещен в прямом направлении, и блокирует ток, когда переход имеет обратное смещение. Это происходит до точки, известной как «обратное напряжение пробоя», в которой начинается проводимость (часто сопровождаемая разрушением устройства). В туннельном диоде концентрации примеси в слоях P и N увеличиваются до такого уровня, что обратное напряжение пробоя становится нуль а диод проводит в обратном направлении. Однако при прямом смещении возникает эффект, называемый квантово-механическое туннелирование что приводит к возникновению области зависимости напряжения от тока, где увеличивать в прямом напряжении сопровождается снижаться в прямом токе. Этот «отрицательное сопротивление»регион может быть использован в твердотельной версии динатронный генератор который обычно использует тетрод термоэмиссионный клапан (вакуумная труба).

Использует

Их «отрицательное» дифференциальное сопротивление часть их рабочего диапазона позволяет им функционировать как генераторы и усилители, И в коммутационные схемы с помощью гистерезис. Они также используются как преобразователи частоты и детекторы.:7–35 Их низкий емкость позволяет им функционировать в микроволновая печь частоты, намного превышающие диапазон обычных диодов и транзисторы.

Туннельный диодный усилитель 8–12 ГГц, около 1970 г.

Из-за низкой выходной мощности туннельные диоды не получили широкого распространения. РФ выходная мощность ограничена несколькими сотнями милливатт из-за небольшого колебания напряжения. Однако в последние годы были разработаны новые устройства, использующие туннельный механизм. В резонансно-туннельный диод (RTD) достиг одних из самых высоких частот среди всех твердое состояние осциллятор.

Другой тип туннельного диода — это металл – изолятор – изолятор – металл (MIIM) диод, где дополнительный слой изолятора позволяет «ступенчатое туннелирование»для более точного управления диодом. Также есть металл – изолятор – металл (MIM) диод, но из-за присущей ему чувствительности его настоящее применение, похоже, ограничено исследовательскими средами.

Маркировка диодов

Маркировка полупроводниковых диодов, рассчитанных на сравнительно небольшие токи (до 10 А) состоит из шести буквенных и цифровых элементов:

• первый элемент обозначает исходный материал: К или 2 – кремний; Г или 1 – германий; А или 3 – арсенид галлия.
• второй буквенный элемент обозначает тип прибора: Д – диоды выпрямительные; А – сверхвысокочастотные диоды; В – варикапы; И – туннельные диоды; С – стабилитроны; Л – светодиоды.
• третий, четвертый, пятый элементы – цифры, характеризующие некоторые электрические параметры прибора, в частности мощность рассеяния.
• шестой элемент – буква (от А до Я), обозначающая последовательность разработки.

Полупроводниковые диоды, рассчитанные на токи от 10 А до 2000 А и более часто называют силовыми неуправляемыми вентилями и маркируют буквой В (вентиль), после которой проставляется число, указывающее значение прямого номинального тока. В качестве силовых, в основном используют кремниевые диоды, которые делятся на группы, классы и подклассы.

Таблица маркировки диодов.

Вместо понятия напряжения пробоя U_пр. обычно используют понятие U_заг.( напряжение загиба ВАХ), так как напряжение пробоя всегда чуть больше напряжения загиба. Напряжение загиба – это максимальное напряжение цепи, которое выдерживает вентиль не пробиваясь. Класс диода (вентиля) определяют по значению допустимого напряжения отношением. Допустимое напряжение – это максимальное напряжение цепи, в которую может быть поставлен данный вентиль. Т.е. для определения класса вентиля в значении допустимого напряжения мысленно убирают две последние цифры, тогда оставшееся число показывает класс вентиля. Класс вентиля показывает количество сотен Вольт допустимого напряжения.

Допустимое напряжение принимается для обычных диодов равным половине напряжения загиба, а для лавинных диодов 0.7 U_заг. Пример. Если напряжение загиба обычного вентиля составляет 850 В, то допустимое напряжение – 425В, т.е. класс вентиля – 4. По назначению диоды разделяются на следующие:

• выпрямительные диоды (как разновидность выпрямительных – силовые), которые предназначены для выпрямления переменного тока низкой частоты (рис. 8.3, а). В качестве выпрямительных диодов используют плоскостные диоды, допускающие большие выпрямительные токи;
• высокочастотные диоды, предназначенные для выпрямления переменного тока в широком диапазоне частот, а также для детектирования. В качестве высокочастотных диодов применяют диоды точечной конструкции;
• импульсные диоды, которые применяют в схемах генерирования и усиления импульсов микросекундного и наносекундного диапазонов;
• туннельные диоды (рис. 8.3, в), применяемые в качестве усилителей и генераторов высокочастотных колебаний;
• светодиоды (рис. 8.3, е), которые используют в качестве световой индикации наличия тока и которые имеют разные цвета свечения;
• стабилитроны (рис. 8.3, б), предназначенные для стабилизации уровня напряжения при изменениях значения протекающего через них тока;
• варикапы (рис. 8.3, г) – полупроводниковые диоды, емкость которых можно изменять в широких пределах;
• фотодиоды (рис. 8.3, д), которые являются источниками тока, преобразующими световую энергию в электрическую, причем сила тока пропорциональна освещенности фотодиода.

Первый элемент (цифра или буква) обозначает исходный полупроводниковый материал, второй (буква) — подкласс приборов, третий (цифра) — основные функциональные возможности прибора, четвертый — число, обозначающее порядковый номер разработки, пятый элемент — буква, условно определяющая классификацию (разбраковку по параметрам) приборов, изготовленных по единой технологии.

Виды диодов

Диоды подразделяются на полупроводниковые и не полупроводниковые.

Не полупроводниковые — это газонаполненные и ламповые.

Полупроводниковые — являются в современном мире электроники самыми востребованными на настоящий момент. Такие элементы подразделяются между собой по множественным характеристикам.

По размеру токового перехода— различаются выпрямительные, точечные и микросплавные диоды.

Выпрямительные диоды — имеют возможность эксплуатироваться в условиях влажности при значительном напряжении прямого тока. Они устанавливаются в блоках питания и выполняют роль выпрямителей переменного тока.

Точечные модели — отличаются малой площадью и участвуют в преобразовании колебаний значительной частоты.

Микросплавные диоды — по характеру применений аналогичны точечным моделям.

1. По частотному диапазону, подразделяются на элементы с высокой, низкой и сверхвысокой частотностью.
2. По области применения:

• Диодный мост или выпрямитель используется практически во всех блоках питания и автомобильных генераторах.
• В радиоприемниках и телевизорах используют разработанную схему диодов с конденсаторами или диодные детекторы.
• Для работы с высокочастотными сигналами используют диодные переключатели. Они помогают мгновенно изменять частоту высокочастотных сигналов при помощи переменного тока.
• Для защиты от скачков напряжения используют ограничительные диоды и искрозащитные.

Также выделяются параметрические, сместительные, генераторные, настоечные и умножительные радиоэлементы.

Для стабилизации напряжения требуются диоды, которые способны стабилизировать действия переменного тока. Называются эти диоды стабилитронами, и они могут при электрическом пробое сохранять свои рабочие функции.

Для оформления светящихся рекламных баннеров или вывесок используют специально разработанные светодиоды. Лампы для освещения изготовленные на основе светодиодов потребляют минимальное количество тока и считаются экономичными. Работа токового прибора зависит от номинального тока, а не от напряжения. Кроме того, они в свою очередь также подразделяются на индикаторные, с легким свечением и осветительные, они применяются в LED-лампах и фонариках.

Те диоды, проводимость у которых управляется с помощью дополнительного электрода, называют тиристорами. Они применяются для управления высокой мощностью при помощи сигнала, который подается дополнительному электроду. Они в свою очередь подразделяются на диоды, которые пропускают через себя ток в двух направлениях, поэтому их используют в цепях с переменным током и в одном направлении.

Если человек запутался в характеристиках диодов и не знает какой диод для чего приспособлен, то это легко исправить. Дело в том, что на всех диодах имеется необходимая маркировка, которую будет весьма нетрудно расшифровать.

Первый знак на маркировке будет означать заглавную букву того вещества, из которого был изготовлен диод. Например, буква К, означает что исходным материалом для изготовления был кремний.

Второй знак — означает подкласс. Например, буква С — стабилизатор, Г — генератор шумов.

Третьим знаком обычно является цифра, которая обозначает функции диода. Например, выпрямительные или импульсивные.

Четвертый знак — порядковый номер партии.

Пятый знак — классификация, к которой принадлежит данное изделие.

Обращенные диоды

Обращенным называют полупроводниковый диод на основе полупроводника с критической концентрацией примеси, в котором проводимость при обратном напряжении вследствие туннельного эффекта значительно больше, чем при прямом напряжении, а пиковый ток и ток впадины приблизительно равны.

Прямая ветвь вольт-амперной характеристики обращенного диода (рис.1в) аналогична прямой ветви вольт-амперной характеристики выпрямительного диода. Обратная ветвь вольт-амперной характеристики аналогична обратной ветви вольт-амперной характеристики туннельного диода. Обратные токи в обращенных диодах большие при ничтожно малых обратных напряжениях (десятки милливольт) и значительно превосходят прямые токи в этой области напряжений. Таким образом, обращенные диоды обладают выпрямляющим эффектом, но проводящее направление у них соответствует обратному включению, а запирающее — прямому. Туннельные диоды способны работать при очень малых сигналах. Основные параметры обращенных диодов те же, что и туннельных (кроме U_рр) (таблицы 1 и 2 см. ниже). Дополнительно задаются параметры обратной ветви вольт-амперной характеристики (напряжение при заданном обратном токе).

Таблица 1. Основные параметры туннельных диодов:

Таблица 2. Основные параметры обращенных диодов:

*Прямой импульсный ток.

рис. IV.20

Сфера применения и популярные модели

Полупроводниковый радиотехнический элемент Шоттки характеризуется отсутствием диффузной емкости из-за отсутствия неосновных носителей. Поэтому этот элемент в первую очередь — это СВЧ-диод широкого спектра применения. Его используют в роли следующих элементов:

• тензодатчик;
• приемник излучения;
• модулятор света;
• детектор ядерного излучения;
• выпрямитель тока высокой частоты.

Малое падение напряжения, к сожалению, наблюдается у большинства этих элементов при рабочем напряжении в пределах 55−60 В. Если напряжение выше этого значения, то диод Шоттки имеет такие же качества, как и обычный полупроводниковый элемент на кремниевой основе. Максимум обратного напряжения обычно составляет порядка 250 В, но есть особые модели, которые выдерживают и 1200 В (например, VS-10ETS12-M3).

Из сдвоенных моделей популярной среди радиолюбителей является 60CPQ150. Этот радиоэлемент имеет максимум обратного напряжения 150 В, а каждый отдельный диод из сборки рассчитан на пропускание тока в прямом включении силой 30 А. В мощных импульсных источниках питания иногда можно встретить модель VS-400CNQ045, у которой сила тока на выходе после выпрямления достигает 400 А.

У радиолюбителей пользуются популярностью диоды Шоттки серии 1N581x. Такие образцы, как 1N5817, 1N5818, 1N5819 имеют максимальный номинальный прямой ток 1 А, а обратное напряжение у них составляет 20−40 В. Падение напряжения на барьере (переходе) в диапазоне от 0.45 до 0.55 В. Также в радиолюбительской практике встречается элемент 1N5822 с прямым током до 3 А.

Устройство

1. Корпус представляет собой вакуумный баллон, который может быть изготовлен из стекла, металла или прочных керамических разновидностей материала.
2. Внутри баллона имеется 2 электрода. Первый является накаленным катодом, который предназначен для обеспечения процесса эмиссии электронов. Самый простейший по конструкции катод представляет собой нить с небольшим диаметром, которая накаливается в процессе функционирования, но на сегодняшний день более распространены электроды косвенного накала. Они представляют собой цилиндры, изготовленные из металла, и обладающие особым активным слоем, способным испускать электроны.
3. Внутри катода косвенного накала имеется специфический элемент – проволока, которая накаливается под воздействием электрического тока, она называется подогреватель.
4. Второй электрод является анодом, он необходим для приема электронов, которые были выпущены катодом. Для этого он должен обладать положительным относительно второго электрода потенциалом. В большинстве случаев анод также имеет цилиндрическую форму.
5. Оба электрода вакуумных приборов полностью идентичны эмиттеру и базе полупроводниковой разновидности элементов.
6. Для изготовления диодного кристалла чаще всего используется кремний или германий. Одна из его частей является электропроводимой по p-типу и имеет недостаток электронов, который образован искусственным методом. Противоположная сторона кристалла также имеет проводимость, но n-типа и обладает избытком электронов. Между двумя областями имеется граница, которая и называется p-n переходом.

Такие особенности внутреннего устройства наделяют диоды их главным свойством – возможностью проведения электрического тока только в одном направлении.

принцип действия туннельного диода

туннельные диоды с очень малым сопротивлением относят к группе вырожденных. они имеют:

• электронно-дырочный переход – в десятки раз тоньше, по сравнению с обычными диодными устройствами;
• потенциальный барьер – в 2 раза выше относительно стандартных полупроводниковых деталей;
• наличие напряженности поля даже при отключении питающего напряжения – 106 В/см.

Уникальные свойства туннельного диода проявляются в его вольтамперной характеристике (ВАХ) при прямом смещении в полупроводнике.

На схеме видно, что на отрезке А ток растет с увеличением напряжения. На участке В проявляет отрицательное сопротивление (туннельный эффект), приводящее к тому, что при росте вольтовой характеристики ток снижается. На отрезке С прибор снова обеспечивает прямую зависимость между током и напряжением.

Туннельные диоды предназначены для работы как раз на отрезке, для которого характерно отрицательное сопротивление. Небольшое повышение напряжения выключает его, а снижение – включает.

Приложения [ править ]

Туннельный диод показал большие перспективы в качестве генератора и высокочастотного порогового (триггерного) устройства, поскольку он работал на частотах, намного превышающих возможности тетрода: в микроволновых диапазонах. Применения туннельных диодов включают гетеродины для телевизионных тюнеров УВЧ , схемы запуска в осциллографах , схемы высокоскоростных счетчиков и схемы генератора импульсов с очень быстрым нарастанием. В 1977 году спутниковый приемник Intelsat  V использовал входной микрополосковый туннельный диодный усилитель (TDA) в полосе частот 14–15,5 ГГц. Такие усилители считались самыми современными, с лучшими характеристиками на высоких частотах, чем любые входные каскады на транзисторах . Туннельный диод можно также использовать в качестве малошумящего СВЧ-усилителя. : 13–64 С момента своего открытия более традиционные полупроводниковые устройства превзошли свои характеристики с использованием традиционных методов генерации. Для многих целей устройство с тремя выводами, такое как полевой транзистор, более гибкое, чем устройство с двумя выводами. Практические туннельные диоды работают при нескольких миллиампер и нескольких десятых вольта, что делает их маломощными устройствами. Ганна диод имеет аналогичную возможность высокой частоты и может обрабатывать больше энергии.

Туннельные диоды также более устойчивы к ионизирующему излучению, чем другие диоды. [ необходима цитата ] Это делает их хорошо подходящими для условий с более высоким уровнем излучения, например, в космосе.

Долголетие

Туннельные диоды подвержены повреждению из-за перегрева, поэтому при их пайке требуется особая осторожность.

Туннельные диоды отличаются своей долговечностью, и приборы 1960-х годов все еще работают. В статье в Nature Эсаки и соавторы заявляют, что полупроводниковые устройства в целом чрезвычайно стабильны, и предполагают, что их срок годности должен быть «бесконечным» при хранении при комнатной температуре . Далее они сообщают, что небольшое испытание устройств 50-летней давности выявило «отрадное подтверждение долговечности диода». Как было замечено на некоторых образцах диодов Esaki, позолоченные стальные штыри могут на самом деле корродировать и замыкать корпус. Обычно это можно диагностировать и лечить с помощью простой техники перекиси / уксуса, обычно используемой для ремонта печатных плат телефона, и диод внутри обычно все еще работает.

Излишки российских компонентов также надежны и часто могут быть куплены за несколько пенсов, несмотря на то, что первоначальная стоимость находилась в диапазоне 30–50 фунтов стерлингов. Блоки , как правило , проданные на основе GaAs , и имеют I _рк / _{I v} соотношении 5: 1 в пределах 1-20 мА I _рк , и поэтому они должны быть защищены от перегрузки по току.

Фотодиоды

Основной частью фотодиода является переход, работающий при обратном смещении. В его корпусе имеется окошко, через которое освещается кристалл полупроводника. В отсутствие света ток через р-п переход очень мал — не превышает обратного тока обычного диода.

Рис. 8. Фотодиоды и их изображение на схемах.

При освещении кристалла обратное сопротивление перехода резко падает, ток через него растет. Чтобы показать такой полупроводниковый диод на схеме, базовый символ диода помещают в кружок, а рядом с ним (слева сверху, независимо от положения символа) изображают знак фотоэлектрического эффекта — две наклонные параллельные стрелки, направленные в сторону символа (рис. 8,а).

Подобным образом нетрудно построить и условнбе обозначение любого другого полупроводникового прибора, изменяющего свои свойства под действием оптического излучения. В качестве примера на рис. 8,6 показано обозначение фотодинистора.

Технические сравнения [ править ]

Кривая зависимости I от V германиевого туннельного диода 10 мА, снятая на измерителе кривой Tektronix, модель 571 .

В обычном полупроводниковом диоде проводимость имеет место, когда PN-переход смещен в прямом направлении, и блокирует ток, когда переход имеет обратное смещение. Это происходит до точки, известной как «обратное напряжение пробоя», в которой начинается проводимость (часто сопровождаемая разрушением устройства). В туннельном диоде концентрации примеси в слоях P и N увеличиваются до такого уровня, что обратное напряжение пробоя становится равным нулю, а диод проводит в обратном направлении. Однако при прямом смещении возникает эффект, называемый квантово-механическим туннелированием, который приводит к возникновению области зависимости напряжения от тока, где увеличение прямого напряжения сопровождается уменьшениемв прямом токе. Эта область « отрицательного сопротивления » может быть использована в твердотельной версии динатронного генератора, который обычно использует термоэмиссионный клапан тетрода ( вакуумная трубка ).

Операция с прямым смещением

Под нормальным прямое смещение операция, как Напряжение начинает увеличиваться, электроны сначала туннелируют через очень узкий барьер P-N-перехода и заполняют электронные состояния в зоне проводимости на N-стороне, которые выравниваются с пустыми дырочными состояниями валентной зоны на P-стороне P-N-перехода. При дальнейшем увеличении напряжения эти состояния становятся все более несовместимыми, и ток падает. Это называется отрицательное дифференциальное сопротивление потому что текущий уменьшается с увеличение Напряжение. Когда напряжение увеличивается за пределами фиксированной точки перехода, диод начинает работать как обычный диод, где электроны перемещаются за счет проводимости через P-N-переход, а не через туннелирование через барьер P-N-перехода

Наиболее важной рабочей областью туннельного диода является область «отрицательного сопротивления». Его график отличается от обычного диода с P-N переходом

Ссылки [ править ]

1. ^ a b «Полупроводниковый прибор диодного типа» . Патент США. 3 033 714.
2. ^ a b Esaki, L .; Kurose, Y .; Сузуки, Т. (1957). «Соединение Ge PN の Излучение внутреннего поля» .日本 物理学 会 年 会 講演 予 稿. 12 (5): 85.
3. ^ a b «Глава 9: Транзистор модели 2T7» . www.sony.net . История Sony. Sony Global . Проверено 4 апреля 2018 года .
4. ^ Эсаки, Лев (15 января 1958). «Новое явление в узких p − n-переходах германия» . Физический обзор . 109 (2): 603–604. Bibcode1958PhRv..109..603E . DOI10.1103 / PhysRev.109.603 .
5. ^ Берлин, Лесли (2005). Человек, стоящий за микрочипом: Роберт Нойс и изобретение Кремниевой долины . Оксфорд, Великобритания: Издательство Оксфордского университета. ISBN 0-19-516343-5.
6. ^ ソ ニ ー 半導体 の 歴 史(на японском языке). Архивировано из оригинального 2 -го февраля 2009 года.
7. ^ Rostky, Джордж. «Туннельные диоды: убийцы транзисторов» . EE Times . Архивировано из оригинального 7 -го января 2010 года . Проверено 2 октября 2009 года .
8. ^ a b Финк, Дональд Г. , изд. (1975). Справочник инженера-электронщика . Нью-Йорк, штат Нью-Йорк: Макгроу Хилл. ISBN 0-07-020980-4.
9. ^ Браун, ER; Söderström, JR; Паркер, КД; Махони, LJ; Молвар, КМ; McGill, TC (18 марта 1991 г.). «Колебания до 712 ГГц в резонансно-туннельных диодах InAs / AlSb» . Письма по прикладной физике . 58 (20): 2291. Bibcode1991ApPhL..58.2291B . DOI10.1063 / 1.104902 . ISSN 0003-6951 .
10. ↑ Конли, Джон (4 сентября 2013 г.). «Развитие электроники приближается к миру за пределами кремния» . Инженерный колледж ОГУ .
11. ^ «MIM-диод: еще один претендент на корону электроники» . SciTechStory . 19 ноября 2010 года Архивировано из оригинала 24 декабря 2016 года . Проверено 4 января 2017 года .
12. Перейти ↑ Mott, RC (ноябрь 1978 г.). «Исследование коэффициента шума туннельного диода Intelsat V 14 ГГц». COMSAT Технический обзор . 8 : 487–507. Bibcode1978COMTR … 8..487M . ISSN 0095-9669 .
13. ^ Тернер, LW, изд. (1976). Справочник инженера-электронщика (4-е изд.). Лондон, Великобритания: Ньюнес-Баттерворт. С. 8–18. ISBN 0-408-00168-2.
14. ^ Эсаки, Лео; Аракава, Ясухико; Китамура, Масатоши (2010). «Диод Esaki по-прежнему остается звездой радио, спустя полвека» . Природа . 464 (7285): 31. Bibcode2010Natur.464Q..31E . DOI10.1038 / 464031b . PMID 20203587 .
15. ^ «Русские туннельные диоды» . w140.com . TekWiki . Проверено 4 апреля 2018 года .

Цветовая маркировка

Для диодов применяют стандартный тип коробки под обозначением SOD123. На одном конце есть тиснение или цветная калибровочная полоса. Колер говорит о коде, при котором есть отрицательная полярность для расширения р-п-перехода.

Цветовая маркировка диодов учитывает:

• показатели обратного и рабочего вольтажа;
• значение предельного тока сквозь р-п-переход;
• мощность передачи и другие показатели.

Тип коробки не оказывает решающего значения при эксплуатации диода. При этом важная характеристика — степень рассеивания объема тепла с плоскости элемента.

Отечественные диоды

Российские производители применяют кодировочную цветовую надпись, включающую точки и полосы. Расшифровать комбинацию можно, обратившись к специализированным справочникам. В таком случае находят материал производства, назначение диода, эксплуатационные показатели.

Современные производители диодов на схеме обозначают продукцию с учетом требований ГОСТ 20.859.1 – 1989. Для отечественной цветовой маркировки есть нормированная таблица.

В ней есть обозначение материала, причем по нормам букву К (кремний) можно менять цифрой 1. Вторая литера говорит о том, что изделие — выпрямитель (Д) на базе варикапа (В), стабилитрона (С), туннельного диода (И).

Импортные диоды

Изготовленные за рубежом диоды также имеют цветовую шкалу в качестве разметки. Для считывания употребляют цифровые и буквенные обозначения, которые расшифровывают по специальной таблице.

Используют при выпуске условное обозначение диода:

• JEDEC — американская база;
• PRO-ELECTRON 1 европейские изготовители.

В Европе первая литера свидетельствует о типе производственного сырья, далее идут сведения о предназначении и виде элемента.

Номер серии говорит о способе применения:

• для общего использования;
• в специальных системах.

SMD диоды

Элементы чаще имеют иностранное производство. Их строение выполнено в форме платы, на поверхностной плоскости которой есть зафиксированный чип. Изделия настолько маленькие, что не позволяют обозначить цифрами и буквами маркировку (нанести обозначение на поверхность). Если модели более крупные, все параметры указаны буквами, цифрами и цветом.

Похожие записи:

Как выставить зажигание с помощью стробоскопа? Сигнализация действия защиты и автоматики Подключение потолочного светильника со светодиодами Книги по ардуино Правильная пайка проводов паяльником Птф солярис