Даташит tip35c pdf ( datasheet )

TIP35C Datasheet (PDF)

TIP35CW TIP36CW Complementary power transistors . Features ■ Low collector-emitter saturation voltage ■ Complementary NPN — PNP transistors Applications ■ General purpose 3 2 ■ Audio amplifier 1 TO-247 Description The devices are manufactured in planar Figure 1. Internal schematic diagrams technology with “base island” layout. The resulting transistors show exc

TIP35C TIP36C Complementary power transistors . Features � Low collector-emitter saturation voltage � Complementary NPN — PNP transistors Applications � General purpose 3 2 � Audio amplifier 1 TO-247 Description The devices are manufactured in planar Figure 1. Internal schematic diagrams technology with �base island� layout. The resulting transistors show exceptional high gai

TIP35CP TIP36CP Complementary power transistors . Features � Low collector-emitter saturation voltage � Complementary NPN-PNP transistors Applications � General purpose 3 � Audio amplifier 2 1 TO-3P Description The devices are manufactured in planar Figure 1. Internal schematic diagrams technology with �base island� layout. The resulting transistors show exceptional high gain

TIP35A, TIP35B, TIP35C (NPN); TIP36A, TIP36B, TIP36C (PNP) TIP35B, TIP35C, TIP36B, and TIP36C are Preferred Devices Complementary Silicon High-Power Transistors http://onsemi.com Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. 25 AMPERE Features COMPLEMENTARY SILICON � 25 A Collector Current POWER TRANSISTORS � Low Leakage Current — 60-100 VOLTS, 125 WATTS

1.5. tip35c.pdf Size:138K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD TIP35C NPN SILICON TRANSISTOR HIGH POWER TRANSISTORS ? DESCRIPTION The UTC TIP35C is a NPN Expitaxial-Base transistor, designed for using in general purpose amplifier and switching applications. Complement to TIP36C. ? INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM C (2) (1) B E (3) ? ORDERING INFORMATION Order Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Ha

SEMICONDUCTOR TIP35CA TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. A Q B N FEATURES O K Recommended for 75W Audio Frequency DIM MILLIMETERS Amplifier Output Stage. _ A + 15.60 0.20 _ B 4.80 + 0.20 Complementary to TIP36CA. _ C 19.90 + 0.20 _ D 2.00 0.20 + Icmax:25A. _ d + 1.00 0.20 _ E + 3.00 0.20 _ F 3.80 + 0.20 D _ G 3.50 +

1.7. tip35c.pdf Size:289K _kec

SEMICONDUCTOR TIP35C TECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION. A Q B K FEATURES Recommended for 75W Audio Frequency Amplifier Output Stage. DIM MILLIMETERS Complementary to TIP36C. A 15.9 MAX B 4.8 MAX Icmax:25A. _ C 20.0 + 0.3 _ D 2.0 + 0.3 D d 1.0+0.3/-0.25 E 2.0 F 1.0 G 3.3 MAX d H 9.0 MAXIMUM RATING (Ta=25 ) I 4.5 P PT J 2.0

Аналоги транзистора Tip35c:

Type Mat Struct Pc Ucb Uce Ueb Ic Tj Ft Hfe Caps
BU323AP Si NPN 125,00 350,00 250,00 7,00 40,00 200,00 4,00 1000,00 TOP3
BU999 Si NPN 100,00 160,00 140,00 25,00 150,00 40,00 TOP3
BUD98 Si NPN 250,00 850,00 400,00 32,00 150,00 100,00 TOP3
BUD98I Si NPN 110,00 850,00 400,00 32,00 150,00 100,00 TOP3
BUF420 Si NPN 200,00 850,00 450,00 30,00 150,00 100,00 TOP3
BUF420A Si NPN 200,00 1000,00 450,00 30,00 150,00 100,00 TOP3
BUF420AI Si NPN 115,00 1000,00 450,00 30,00 150,00 100,00 TOP3
BUF420AM Si NPN 115,00 1000,00 450,00 30,00 150,00 100,00 TOP3
BUF420I Si NPN 115,00 850,00 450,00 30,00 150,00 100,00 TOP3
BUF420M Si NPN 115,00 850,00 450,00 30,00 150,00 100,00 TOP3
BUS24B Si NPN 250,00 750,00 400,00 30,00 200,00 25,00 TOP3
BUS24C Si NPN 250,00 850,00 450,00 30,00 200,00 25,00 TOP3
TIP35C Si NPN 90,00 140,00 100,00 5,00 25,00 150,00 3,00 20,00 TOP3

Биполярный транзистор TIP35A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: TIP35A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20

Корпус транзистора:

TIP35A
Datasheet (PDF)

0.1. tip35are.pdf Size:157K _motorola

Order this documentMOTOROLAby TIP35A/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNTIP35AComplementary SiliconTIP35B*High-Power Transistors. . . for general purpose power amplifier and switching

0.2. tip35a tip35b tip35c tip36a tip36b tip36c.pdf Size:80K _onsemi

TIP35A, TIP35B, TIP35C(NPN); TIP36A, TIP36B,TIP36C (PNP)TIP35B, TIP35C, TIP36B, and TIP36C are Preferred DevicesComplementary SiliconHigh-Power Transistorshttp://onsemi.comDesigned for general-purpose power amplifier and switchingapplications.25 AMPEREFeaturesCOMPLEMENTARY SILICON 25 A Collector Current POWER TRANSISTORS Low Leakage Current — 60-100 VOLTS, 125

 0.3. tip35 tip35a tip35b tip35c.pdf Size:160K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors TIP35/35A/35B/35C DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type TIP36/36A/36B/36C DC current gain hFE=25(Min)@IC=1.5A APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications. PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base

0.4. tip35at.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor TIP35ATDESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 25(Min)@I = 1.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier andswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)a

 0.5. tip35af.pdf Size:222K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor TIP35AFDESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 25(Min)@I = 1.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier andswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)a

0.6. tip35ab.pdf Size:212K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor TIP35ABDESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 25(Min)@I = 1.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier andswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)a

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

TIP35A Datasheet (PDF)

0.1. tip35are.pdf Size:157K _motorola

Order this documentMOTOROLAby TIP35A/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATANPNTIP35AComplementary SiliconTIP35B*High-Power Transistors. . . for general purpose power amplifier and switching

0.2. tip35a tip35b tip35c tip36a tip36b tip36c.pdf Size:80K _onsemi

TIP35A, TIP35B, TIP35C(NPN); TIP36A, TIP36B,TIP36C (PNP)TIP35B, TIP35C, TIP36B, and TIP36C are Preferred DevicesComplementary SiliconHigh-Power Transistorshttp://onsemi.comDesigned for general-purpose power amplifier and switchingapplications.25 AMPEREFeaturesCOMPLEMENTARY SILICON 25 A Collector Current POWER TRANSISTORS Low Leakage Current — 60-100 VOLTS, 125

 0.3. tip35 tip35a tip35b tip35c.pdf Size:160K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors TIP35/35A/35B/35C DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type TIP36/36A/36B/36C DC current gain hFE=25(Min)@IC=1.5A APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications. PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base

0.4. tip35at.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor TIP35ATDESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 25(Min)@I = 1.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier andswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)a

 0.5. tip35af.pdf Size:222K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor TIP35AFDESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 25(Min)@I = 1.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier andswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)a

0.6. tip35ab.pdf Size:212K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor TIP35ABDESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 25(Min)@I = 1.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 60V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier andswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25)a

Представители типа

Название проекта (китай/иностранное) Номер модели Постройка и ввод в эксплуатацию Текущий статус
035 / ES5C 232 1969.10 — 1974.11 В отставке
035 / ES5C 233 В отставке
035A / ES5D 342 1980.06 — 1982.12 В отставке
035A / ES5E 352 1988.8 — 1990.12 В отставке
035A / ES5E 353 В отставке
035A / ES5E 354 В отставке
035G / ES5E 356 1990-1999 гг. На вооружении
035G / ES5E 357 На вооружении
035G / ES5E 358 На вооружении
035G / ES5E 359 На вооружении
035G / ES5E 360 На вооружении
035G / ES5E 361 Крушение 26 апреля 2003 года
035G / ES5E 362 На вооружении
035G / ES5E 363 На вооружении
035G / ES5E 305 На вооружении
035G / ES5E 306 На вооружении
035G / ES5E 307 На вооружении
035G / ES5E 308 На вооружении
035B / ES5F 309 2000-2003 гг. На вооружении
035B / ES5F 310 На вооружении
035B / ES5F 311 На вооружении
035B / ES5F 312 На вооружении
035B / ES5F 313 На вооружении

Происшествия

16 апреля 2013 года в Жёлтом море, в районе между территорией КНДР и провинцией Шаньдун затонула подлодка 361 данного проекта. Есть несколько версий, в результате чего произошла данная трагедия. По одной из них экипаж задохнулся из-за неполадок дизельного двигателя. Классические или ныряющие подлодки с дизель-электрической силовой установкой используют дизель для подзарядки аккумуляторов, обеспечивающих запас хода под водой. Обычно его запускают в надводном положении, но — для обеспечения скрытности — лодка может идти на этом двигателе и продолжать зарядку батарей, находясь на так называемой шнорхельной глубине. Это — глубина подвсплытия, которая обеспечивает подачу воздуха в дизель через специальную трубу (шнорхель). Сама труба оборудована системой клапанов автоматической герметизации, предотвращающих попадание в корабль забортной воды, если шнорхель окажется под морской поверхностью. По утверждению «Вэнь Вэй По», на 361-й лодке работала дизельная установка, когда клапан подачи воздуха оказался перекрытым из-за высокой волны или возникла неисправность системы питания атмосферным воздухом. Как бы то ни было, автоматического отключения двигателя, предусмотренного в таких ситуациях, не произошло. Судя по всему, дизель израсходовал большую часть воздуха в отсеках корабля всего за две минуты. Уже на первой минуте члены экипажа могли испытывать головокружение и затрудненность дыхания, а уже на второй — наступила потеря сознания. Резкое снижение давления внутри корпуса лодки сделало практически невозможным открытие люков подводниками. По другой же версии, из установленных на субмарине аккумуляторных батарей могла вытечь кислота, в результате смешения которой с морской водой образовался токсический хлор, возможно, и ставший причиной гибели экипажа. Любой из описанных сценариев говорит о серьезных недочетах в подготовке экипажа, так и о конструктивных недостатках самой лодки. В результате этого происшествия все 70 человек, находившиеся на борту субмарины погибли. Кроме основного экипажа (57 человек) на борту находились 13 стажеров-курсантов из китайской военно — морской академии. После катастрофы подводная лодка дрейфовала в море еще в течение десяти дней, поскольку экипаж соблюдал режим радиомолчания. 25 апреля 2003 года лодку обнаружили китайские рыбаки, заметившие ее перископ, который торчал над поверхностью воды. На следующий день подводная лодка была отбуксирована в Юлин — Харбор возле города Санья на Хайнань остров, а затем обратно в северо — восточный порт Далянь в провинции Ляонинь. Эта катастрофа стала одной из самых серьёзных катастроф вооружённых сил КНР, случившихся в мирное время. Были отправлены в отставку командующий ВМС НОАК Ши Юншэн и политрук Ян Хуайцин.

Вооружение

Торпедное вооружение

Торпеда Yu-1

Китайская торпеда Yu-3

Торпеда Yu-4

Yu-1 — первая торпеда собственного китайского производства. Она являлась копией торпеды 53-51. Собственное производство ведется с 1966 года. Вариант торпеды Yu-1A оснащен пассивной акустической системой самонаведения. Yu-1 имеет длину — 6600 мм, калибр — 533 мм, дальность хода — 8 км при скорости хода 39 узлов и 4 км при скорости хода 51 узел.

Yu-3 — это акустическая самонаводящаяся торпеда противолодочной обороны (ASW), разработанная Сианьским институтом точного машиностроения (705 институт, подчиненным китайской корпорации судостроительной промышленности). Yu-3 имеет длину — 7488 мм, калибр — 533.4 мм, дальность хода — 13 км.

Yu-4 — торпеда китайского производства, пассивно наводящаяся и идущая со скоростью 40 узлов, конструкция которой основана на конструкции SAET-50 и в целом сопоставима с SAET-60 по характеристикам. Надводные цели могут быть атакованы на дистанции до 15 км.

Средства связи, обнаружения, вспомогательное оборудование

Радиоэлектронное вооружение представлено активно-пассивной ГАС «Herkules» и пассивной ГАС «Feniks», последняя лодка проекта получила французский ГАК DUUX-5 — пассивного определения дистанции с разнесенными бортовыми антеннами. РЛС CEIC-921A или «Thomson CUF DR-2000U», система спутниковой навигации «Magnavox SATNAV». Имеются станции радиоразведки и электронного противодействия.

История создания

Проектирование и постройка

  • Тип 035A: Является первой крупной модификацией типа 035, а также это первая субмарина под номером 342, которая заложена на стапелях Учанского судостроительного завода. В результате проведения ее испытаний были обнаружены множественные недостатки, и 701-му институту было поручено устранить их. В процессе доработок субмарины удалось повысить ее максимальную скорость на 40 %. В июне 1980 года первая подлодка была представлена в новом варианте, а 24 декабря 1982 года начала службу в составе китайского флота. В декабре 1983 года было решено прекратить производство подлодок типа 033 и заменить их на тип 035A.
  • ES5C: Экспортная версия типов 035/035A с улучшенной системой управления огня для запуска акустических торпед. Известны случаи обновления уже имевшихся подлодок ВМС НОАК по такому образцу, но нет данных об экспорте.
  • ES5D: Улучшение экспортной версии с возможностью запуска противокорабельных ракет в погружённом состоянии субмарины. Известны случаи обновления уже имевшихся подлодок ВМС НОАК по такому образцу, но отсутствуют данные об экспорте.
  • Тип 035G: Является второй крупной модификацией типа 035. Первое усовершенствованное судно (борт № 356) было построено на верфи Учан в августе 1988 года. В 1990—1999 годах было построено 12 судов типа 035G, последний из которых был удлинен примерно на 2 метра и оснащен системой AIP. Состоит на службе с декабря 1990 года, государственная регистрация с 1993 года. Первая субмарина типа 035 с противолодочным вооружением. Основное вооружение — торпеды Yu-3, французский сонар DUUX-5 и его китайская копия использовались на последующих субмаринах.
  • ES5E: Экспортная версия типа 035G с возможностью запуска управляемой по проводам торпеды. Нет данных об экспорте.
  • Тип 035ET: Более дешёвая версия модификациям 035G и ES5E с итальянскими сонарами — активным JP-64 и пассивным Velox, использовавшиеся на субмаринах типа «Энрико Тоти». Попытка экспорта была не удачной, подлодки заступили на службу в ВМС НОАК.
  • ES5F: Экспортная версия с интегрированной системой сонаров. На этих образцах был реализован ряд усовершенствований, необходимость внедрения которых вытекала из опыта применения первых в серии лодок. Они включали установку французской пассивной ГАС определения дальности и ведения разведки DUUX 5, усовершенствованной системы управления огнем, современной управляющей системы выработки данных для повышения эффективности торпедной стрельбы, а также использование черного плиточного безэхового покрытия корпусов лодок для снижения их шумности и возможности обнаружения противником в подводном положении.
  • Тип 035B: Третья крупная модификация типа 035, производство с 2000 по 2003 годы. Изменен внешний вид подлодки с капитанским мостиком, что делает подлодку более схожей с типом 039. Возможен запуск крылатых ракет из торпедных аппаратов.

В 1997 году было возобновлено строительство лодок типа 035, передававшихся затем в состав южного флота. В период с 1975 по 2003 год было построено до 23 подводных лодок этого типа (всех модификаций), которые в дальнейшем выводились из состава флота (в том числе одна — в результате пожара на борту), и на данный момент в строю остались около 17 единиц.

Замещение

Подводная лодки типа 039

Проект 039 — это последний и наиболее современный тип подводных лодок, который был самостоятельно разработан и построен в Китае. Лодки были предназначены для замены устаревших подводных лодок типа «Мин» (тип 035) и полностью непригодных к использованию лодок типа «Ромео» (тип 033), которые в течение четырех десятилетий составляли основу группировки дизельных подводных лодок ВМС Китая. Разработка нового типа подводных лодок основывалась на конструктивных требованиях, которые соответствуют западным подходам к строительству подводных лодок. Они включали обеспечение хорошей гидродинамики за счет плавных обводов корпуса и ограждения боковой рубки, а также установку новых цилиндрических ГАС в носовой части, использование энергетической установки на основе дизелей серии МТU немецкого производства и вооружение лодок новыми российскими противолодочными торпедами.

Эксплуатация выключателя.

7.1. Персонал, обслуживающий выключатели, должен знать устройство и принцип действия аппарата, знать и выполнять требования настоящей инструкции;

7.2. Все сведения о неисправностях, обнаруженных во время работы выключателя, необходимо записывать в » Журнал дефектов и неполадок с оборудованием» и сообщать начальнику группы подстанций, а сведения об отключенных коротких замыканиях записываются в «Журнал автоматических отключений «;

7.3. Во время эксплуатации обслуживающий персонал обязан:

  • следить за тем, чтобы ток нагрузки не превышал величин указанных в таблице раздела 3;
  • осматривать выключатель в сроки определённые ПТЭ, внеочередные осмотры производятся после отключения коротких замыканий;
  • после отключения 4 коротких замыканий выключатель должен быть выведен во внеочередной ремонт;
  • при наружном осмотре проверять:
  • уровень масла в баках и отсутствие течи масла;
  • состояние изоляторов: чистота поверхности и отсутствие видимых дефектов, трещин, подтёков заливочной мастики;
  • отсутствие следов выброса масла из газооотводов;
  • отсутствие тресков и шумов внутри бака, короны и разрядов на вводах;
  • отсутствие нагрева контактных соединений;
  • отсутствие оплавлений на ошиновке, колпаках и фланцах вводов и на крышке выключателя;
  • состояние механических креплений выключателя и привода;
  • соответствие указателей положения масляного выключателя действительному его состоянию;
  • состояние проводки вторичной коммутации и клемных рядов;
  • состояние шинки заземления;

7.4 Механические характеристики в процессе эксплуатации должны соответствовать нормам приведённым в таблице раздела 3.

7.5 Текущий ремонт должен производиться ежегодно.
При текущем ремонте необходимо выполнять следующие работы:

  • проверку состояния и подтяжку болтовых соединений, в том числе и контактных;
  • проверку работы кинематики приводного механизма и привода;
  • проверку состояния газоотводов
  • очистку и смазку привода незамерзающей смазкой (например, ГОИ-54);
  • проверку целостности и очистку изоляторов, указателей уровня масла и регулировку уровня масла в баках;
  • подтяжку или замену уплотняющих прокладок;
  • проверку исправности устройства для подогрева масла
  • оформление ремонтной и технической документации;

7.6 Средний ремонт производится через 3 — 4 года после капитального.
При этом выполняется комплекс работ в объёме текущего ремонта и дополнительно замеряется переходное сопротивление и скорости включения и отключения . В случае, если эти параметры окажутся больше нормы, выключатель выводится во внеочередной капитальный ремонт.

7.7 Капитальный ремонт производится с периодичностью 1 раз в 6 — 8 лет. Объём капитального ремонта состоит из следующих основных операций :

  • слив масла, опускание баков, ремонт и очистка баков и арматуры;
  • ремонт дугогасительных камер, изолирующих штанг и подвижных контактов
  • осмотр вводов, проверка герметичности уплотнений и состояния заливочной мастики;
  • ремонт, проверка и регулировка приводного механизма и привода;
  • ремонт встроенных трансформаторов тока и цепей вторичной коммутации;
  • регулировка контактов выключателя;
  • подъём баков, заливка их маслом, ремонт прочих деталей и покраска выключателя;
  • профилактические испытания и приёмка выключателя из ремонта;
  • оформление ремонтной и технической документации;

TIP35C Datasheet (PDF)

0.1. tip35cp tip36cp.pdf Size:196K _st

TIP35CPTIP36CPComplementary power transistors .Features Low collector-emitter saturation voltage Complementary NPN-PNP transistorsApplications General purpose3 Audio amplifier 21TO-3PDescriptionThe devices are manufactured in planar Figure 1. Internal schematic diagramstechnology with base island layout. The resulting transistors show excepti

0.2. tip35cw tip36cw.pdf Size:190K _st

TIP35CWTIP36CWComplementary power transistors .Features Low collector-emitter saturation voltage Complementary NPN — PNP transistorsApplications General purpose32 Audio amplifier1TO-247DescriptionThe devices are manufactured in planar Figure 1. Internal schematic diagramstechnology with base island layout. The resulting transistors show exc

 0.3. tip35c tip36c tip36b.pdf Size:43K _st

TIP35CTIP36B/TIP36CCOMPLEMENTARY SILICON HIGH POWERTRANSISTORS STMicroelectronic PREFERREDSALESTYPESDESCRIPTION The TIP35C is a silicon Epitaxial-Base NPNtransistor mounted in TO-218 plastic package. Itis intented for use in power amplifier andswitching applications.3The complementary PNP type is TIP36C.2Also TIP36B is a PNP type. 1TO-218INTERNAL SCHEMATIC DI

0.4. tip35c tip36c.pdf Size:194K _st

TIP35CTIP36CComplementary power transistors .Features Low collector-emitter saturation voltage Complementary NPN — PNP transistorsApplications General purpose32 Audio amplifier1TO-247DescriptionThe devices are manufactured in planar Figure 1. Internal schematic diagramstechnology with base island layout. The resulting transistors show excep

 0.5. tip35a tip35b tip35c tip36a tip36b tip36c.pdf Size:80K _onsemi

TIP35A, TIP35B, TIP35C(NPN); TIP36A, TIP36B,TIP36C (PNP)TIP35B, TIP35C, TIP36B, and TIP36C are Preferred DevicesComplementary SiliconHigh-Power Transistorshttp://onsemi.comDesigned for general-purpose power amplifier and switchingapplications.25 AMPEREFeaturesCOMPLEMENTARY SILICON 25 A Collector Current POWER TRANSISTORS Low Leakage Current — 60-100 VOLTS, 125

0.6. tip35c.pdf Size:138K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD TIP35C NPN SILICON TRANSISTOR HIGH POWER TRANSISTORS DESCRIPTION The UTC TIP35C is a NPN Expitaxial-Base transistor, designed for using in general purpose amplifier and switching applications. Complement to TIP36C. INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM C (2)(1)BE (3) ORDERING INFORMATION Order Number Pin Assignment Package Packing Lea

0.7. tip35ca.pdf Size:440K _kec

SEMICONDUCTOR TIP35CATECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.AQ BNFEATURESO KRecommended for 75W Audio Frequency DIM MILLIMETERSAmplifier Output Stage. _A +15.60 0.20_B4.80 + 0.20Complementary to TIP36CA._C 19.90 + 0.20_D 2.00 0.20+Icmax:25A. _d +1.00 0.20_E +3.00 0.20_F 3.80 + 0.20D_G 3.50 +

0.8. tip35c.pdf Size:289K _kec

SEMICONDUCTOR TIP35CTECHNICAL DATA TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTORHIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION.A Q BKFEATURESRecommended for 75W Audio Frequency Amplifier Output Stage.DIM MILLIMETERSComplementary to TIP36C.A 15.9 MAXB 4.8 MAXIcmax:25A. _C 20.0 + 0.3_D 2.0 + 0.3Dd 1.0+0.3/-0.25E 2.0F 1.0G 3.3 MAXdH 9.0MAXIMUM RATING (Ta=25 )I 4.5P PT J 2.0

0.9. tip35cf.pdf Size:225K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor TIP35CFDESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 25(Min)@I = 1.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V(Min)CEO(SUS)Complement to Type TIP36CFCurrent Gain-Bandwidth Product-: f = 3.0MHz(Min)@I = 1.0AT CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in gen

0.10. tip35 tip35a tip35b tip35c.pdf Size:160K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors TIP35/35A/35B/35C DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type TIP36/36A/36B/36C DC current gain hFE=25(Min)@IC=1.5A APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications. PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base

0.11. tip35c.pdf Size:219K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor TIP35CDESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 25(Min)@I = 1.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V(Min)CEO(SUS)Complement to Type TIP36CCurrent Gain-Bandwidth Product-: f = 3.0MHz(Min)@I = 1.0AT CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in gener

ОБЩИЕ УКАЗАНИЯ. КРИТЕРИИ И ПРЕДЕЛЫ БЕЗОПАСНОГО СОСТОЯНИЯ.

2.1 Выключатели типа C-35 относятся к многообъемным масляным выключателям — баковым. Выключатели этого типа выпускались с номинальным током 630А и током отключения 10 кА.

2.2 Выключатели предназначены для коммутации высоковольтных цепей трехфазного переменного тока в номинальном режиме работы электроустановки, а также для их автоматического отключения при коротких замыканиях и перегрузках, возникающих при аварийных режимах.

2.3 Выключатели предназначены для работы в окружающей среде невзрыво и непожароопасной, не содержащей агрессивных газов и паров в концентрациях, разрушающих металлы и изоляцию и не насыщенной токопроводящей пылью и водяными парами в концентрациях, препятствующих нормальной работе выключателя.

2.4 Рабочее положение выключателя в пространстве — вертикальное.

2.5 Выключатели могут сочленяться с приводами ШПЭ -12 или ПП -67

2.6 Коммутационный ресурс — 4 отключенных коротких замыкания.

2.7 Механический ресурс — 50 циклов.

Вывод выключателя из работы, допуск к ремонту и испытаниям.

8.1 Вывод выключателя в плановый ремонт производится по заявке, подаваемой в установленные сроки . Вывод в аварийный ремонт — по аварийной заявке, подаваемой немедленно после обнаружения аварийного состояния .

8.2 Ремонт выключателя на месте установки производится по наряду-допуску после допуска бригады на подготовленное в соответствии ПТБ рабочее место.

8.3 У руководителя работ на рабочем месте должна находиться утверждённая технологическая карта ремонта или проект организации работ.

8.4 В состав бригады по ремонту может быть включён персонал лаборатории изоляции для проведения высоковольтных испытаний.