Транзистор s8050 (j3y)

Электрические параметры (при Ta = 25°C)

٭ — транзисторы классифицируются по группам в зависимости от величины коэффициента усиления по току:

Биполярный транзистор L8550 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: L8550

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85

Корпус транзистора:

L8550
Datasheet (PDF)

0.1. l8550m.pdf Size:407K _blue-rocket-elect

L8550M Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features L8050M Complementary pair with L8050M. / Applications Power amplifier applications. / Equivalent Circuit / Pinning 3 2

0.2. l8550.pdf Size:603K _blue-rocket-elect

L8550(BR3CA8550K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 PNP Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features PC, IC , L8050(BR3DA8050K) High PC and IC, complementary pair with L8050(BR3DA8050K). / Applications 2W 2W output amplifier of portable radios in cl

 0.3. l8550plt1g.pdf Size:234K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550PLT1G SeriesPNP SiliconS-L8550PLT1GFEATURE SeriesWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.312DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONSOT

0.4. l8550hslt1g.pdf Size:83K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L8550HPLT1GGeneral Purpose TransistorsSeriesS-L8550HPLT1GPNP SiliconFEATURESeries High current capacity in compact package. Epitaxial planar type.3 PNP complement: L8550H We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site1and Control Change Requir

 0.5. l8550hplt1g.pdf Size:89K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L8550HPLT1GGeneral Purpose TransistorsSeriesPNP Silicon S-L8550HPLT1GSeriesFEATURE High current capacity in compact package. Epitaxial planar type.3 PNP complement: L8550H We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1and Control Change Requirem

0.6. l8550hqlt1g.pdf Size:85K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550HPLT1GSeriesPNP SiliconS-L8550HPLT1GFEATURESeries High current capacity in compact package. Epitaxial planar type. PNP complement: L8550H3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site1and Control Change Requir

0.7. l8550qlt1g.pdf Size:202K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550PLT1G SeriesPNP SiliconS-L8550PLT1GFEATURE SeriesWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.312DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONSOT

0.8. l8550hrlt1g.pdf Size:84K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550HPLT1GSeriesPNP SiliconS-L8550HPLT1GFEATURESeries High current capacity in compact package. Epitaxial planar type. PNP complement: L8550H 3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1and Control Change Requir

Другие транзисторы… KSA928T
, KSC2328T
, KTA1273T
, KTC2022I
, KTC3199M
, KTC3205T
, L8050
, L8050M
, 2N2222
, L8550M
, M28M
, MJE13009ZJ
, MMBR911
, MMBT5401T
, MMBT5551T
, MMBTA42T
, MMBTA44N
.

8550C Datasheet (PDF)

0.1. s8550b s8550c s8550d.pdf Size:177K _mcc

S8550-BMCCMicro Commercial ComponentsTMS8550-C20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311S8550-DPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.PNP Silicon Collector-current 0.5A Collector-base Voltage 40VTransistors Operating a

0.2. 8550c.pdf Size:143K _sunroc

SUNROC8550C TRANSISTOR(PNP) MAXIMUM RATINGS(Ta=25 unless otherwise noted) 1. EMITTER Symbol Parameter Value UnitsCollector-Base Voltage 2. BASE VCBO -40 VCollector-Emitter Voltage -25VCEO V3. COLLECTOR Emitter-Base Voltage VEBO -5 VCollector Current IC -0.5 ACollector Power Dissipation PC 625 mWJunction Temperature Tj 150 Storag Temperature -55150

Проверка и безопасное использование

Будьте внимательными в использовании транзисторов этой серии, при покупке S8050 убедитесь, что он именно то, что Вам нужно. Очень редко, но встречаются данные транзисторы с PNP проводимостью. Так, компания Wing Shing Computer Components выпускает его с PNP проводимостью.

Придерживайтесь следующих мер безопасности:

• Не эксплуатируйте его с напряжением выше 20 В (V) и нагрузкой более 700 мА (mA);
• Используйте подходящий базовый резистор, который ограничит ток базы до требуемого уровня;
• Не подвергайте его нагреву более 150 и ниже минус 60 градусов по Цельсию;

Производители

Транзистор S8050 выпускают следующие компании:

1. Wing Shing Computer Components Co.Ltd. (WS);
2. UTC (Unisonic Technologies Company);
3. Weitron technology co.,ltd;
4. Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited;
5. Daya Electric Group Co., Ltd;
6. SeCoS Halbleitertechnologie GmbH;
7. Shenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd;
8. SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD.

Графические данные (эксплуатационные характеристики)

Рис.1. Зависимость тока коллектора (I_C) от напряжения коллектор-эмиттер (V_CE).

 

Рис.2. Зависимость коэффициента усиления (h_FE) от тока коллектора (I_C).

Рис.3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) от тока коллектора (I_C).

Рис.4. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер (V_BE(sat)) от тока коллектора (I_C).

Рис.5. Зависимость тока коллектора (I_C) от напряжения база-эмиттер (V_BE).

Рис.6. Зависимость емкости (C) от обратного напряжения (V).

Рис.7. Зависимость граничной частоты (f_T) от тока коллектора (I_C).

Рис.8. Зависимость мощности рассеяния (Р_С) от температуры воздуха (Т_а).

8550SS Datasheet (PDF)

0.1. 8550ss-c 8550ss-d.pdf Size:366K _mcc

MCC8550SS-CTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components8550SS-DCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Capable of 1.0Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.PNP Silicon Collector-current 1.5A Collector-base Voltage 40VTransistors Operating and storage

0.2. 8550sst.pdf Size:344K _secos

8550SST -1.5A , -40V PNP Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES General Purpose Switching and Amplification. G HEmitter Collector Base JCLASSIFICATION OF hFE (1) A DMillimeterProduct-Rank 8550SST-B 8550SST-C 8550SST-DREF.B Min. Max.A 4.

 0.3. 8550ss.pdf Size:230K _jiangsu

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO 92 8550SS TRANSISTOR (PNP) 1.EMITTER FEATURES 2.COLLECTOR General Purpose Switching and Amplification. 3.BASE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V VEBO Emitter-

Электрические характеристики

٭ — измерено при длительности импульса тока 350 мкс и скважности 2%. Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C.

Производитель разделяет транзисторы по величине параметра h_FE2 на группы R, O, Y в пределах указанного диапазона.

Модификации и группы транзистора C3198

٭ — диапазон значений параметра h_FE разделяется производителями во всех модификациях на четыре подгруппы (O, Y, GR, BL).

٭٭ — значения коэффициента шума транзистора KTC3198L: 0,5 (1) и 0,2 (2) определены при частотах сигнала соответственно 100 Гц и 1 кГц.

SS8550-D Datasheet (PDF)

7.1. ss8550-c-d.pdf Size:196K _mcc

MCCSS8550-CTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsSS8550-DCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Capable of 1.0Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.PNP Silicon Collector-current 1.5A Collector-base Voltage 40VTransistors Operating and storage

7.2. mmss8550-h.pdf Size:153K _mcc

MCCMMSS8550-LMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsMMSS8550-HCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939FeaturesPNP Silicon Case Material:Molded Plastic. UL FlammabilityClassificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1 Marking:Y2 Plastic-Encapsulate Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.Tra

 7.3. mmss8550-l.pdf Size:153K _mcc

MCCMMSS8550-LMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsMMSS8550-HCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939FeaturesPNP Silicon Case Material:Molded Plastic. UL FlammabilityClassificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1 Marking:Y2 Plastic-Encapsulate Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.Tra

Электрические характеристики

В следующей таблице приведены основные параметры, используемые при расчете электрических схем.

Таблица 2. Электрические параметры S9015.

Примечание.

1. Измерение параметров проводилось при температуре окружающей среды 25 °С. Предельно допустимые значения (таблица 1) указаны для тех же условий.
2. В первом столбце обеих таблиц в скобках указаны обозначения, принятые в соответствии с ГОСТ 15172-70.

Использование в двухтактной конфигурации

Как уже упоминалось в параметрах, S8550 обычно используется в двухтактной конфигурации с усилителем класса B. Итак, давайте обсудим, как это делается.

Двухтактный усилитель, обычно известный как усилитель класса B, является типом многоступенчатого усилителя, обычно используемого для усиления звука динамика. Это очень просто построить и требует двух идентичных дополнительных транзисторов. Под дополнительным подразумевается, что нам нужен транзистор NPN и его эквивалентный PNP. Простая принципиальная схема усилителя класса B с использованием S8050 показана ниже.

2D модель корпуса

Если вы проектируете печатную плату или перфорированную плату с этим компонентом, вам будет полезно изучить следующее изображение , чтобы узнать тип и размеры корпуса данного устройства.

Биполярный транзистор SS8550-H — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: SS8550-H

Маркировка: HY2D

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора:

SS8550-H
Datasheet (PDF)

0.1. mmss8550-h.pdf Size:153K _mcc

MCCMMSS8550-LMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsMMSS8550-HCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939FeaturesPNP Silicon Case Material:Molded Plastic. UL FlammabilityClassificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1 Marking:Y2 Plastic-Encapsulate Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.Tra

7.1. ss8550-c-d.pdf Size:196K _mcc

MCCSS8550-CTM Micro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsSS8550-DCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors Capable of 1.0Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.PNP Silicon Collector-current 1.5A Collector-base Voltage 40VTransistors Operating and storage

7.2. mmss8550-l.pdf Size:153K _mcc

MCCMMSS8550-LMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsMMSS8550-HCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939FeaturesPNP Silicon Case Material:Molded Plastic. UL FlammabilityClassificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1 Marking:Y2 Plastic-Encapsulate Capable of 0.625Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.Tra

Другие транзисторы… MMBT4401W
, MMBT491
, MMBT493
, MMBT5401W
, MMBT5551W
, MMBT591
, MMBT593
, MMBT619
, TIP122
, MMBTA92W
, MMDT4944
, PZT13003
, S8050T
, S8550T
, S9012T
, S9013T
, S9014T
.

H8550 Datasheet (PDF)

0.1. lh8550plt1g.pdf Size:157K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLH8550PLT1GPNP SiliconSeriesFEATURE S-LH8550PLT1G High current capacity in compact package.SeriesIC =-1.5A. Epitaxial planar type. PNP complement: LH85503 Pb-Free Package is available.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 1Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

0.2. lh8550qlt1g.pdf Size:138K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLH8550PLT1GPNP SiliconSeriesFEATURE S-LH8550PLT1G High current capacity in compact package.SeriesIC =-1.5A. Epitaxial planar type. PNP complement: LH85503 Pb-Free Package is available.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 1Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and

 0.3. h8550s.pdf Size:127K _shantou-huashan

PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H8550S APPLICATIONS Audio Frequency Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150 TO-92 TjJuncttion Temperature150PCCollector Dissipation

0.4. h8550.pdf Size:138K _shantou-huashan

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H8550 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 2W OUTPUT AMPLIFIER OF PORTABLE RADIOS IN CLASS B PUSH-PULL OPERATION. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TstgStorage Temperature -55~150 TO-92 TjJunction Temperature150PCCollector Dissipation

 0.5. h8550.pdf Size:796K _kexin

SMD Type TransistorsPNP TransistorsH8550 Features1.70 0.1 Collector Power Dissipation: PC=0.5W Collector Current: IC=-1.5A Comlementary to H80500.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -40 VCollector-emitter voltage VCEO -25 VEmitter-base voltage VEBO —

Отечественные и импортные аналоги

Первая позиция в таблице, – транзистор С945, для которого предлагаются аналоги.

Среди перечня аналогов транзистор КТ3102 отличается широкой доступностью и незначительной стоимостью, поэтому радиолюбители часто используют его для замены С945

Обращаем ваше внимание, что его мощность рассеяния значительно ниже оригинала, – ориентировочно на 30%. Перед использованием КТ3102 проверьте мощностные режимы, в которых ему предстоит работать

Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителей.

Импортные и отечественные аналоги транзистора D209L

Примечание: параметры аналогов в таблице взяты из даташип производителя.

KTC8550S Datasheet (PDF)

0.1. ktc8550s.pdf Size:393K _kec

SEMICONDUCTOR KTC8550STECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORHIGH CURRENT APPLICATION. FEATUREEL B LComplementary to KTC8050S.DIM MILLIMETERS_A 2.93 0.20+B 1.30+0.20/-0.15C 1.30 MAX23 D 0.45+0.15/-0.05E 2.40+0.30/-0.20MAXIMUM RATING (Ta=25 )1G 1.90H 0.95CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITJ 0.13+0.10/-0.05K 0.00 ~ 0.10VCBO -35 VCollector-Base

7.1. ktc8550.pdf Size:69K _kec

SEMICONDUCTOR KTC8550TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORHIGH CURRENT APPLICATION. B CFEATURE Complementary to KTC8050.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKB 4.80 MAXMAXIMUM RATING (Ta=25 ) GC 3.70 MAXDD 0.45CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITE 1.00F 1.27VCBO -35 VCollector-Base VoltageG 0.85H 0.45VCEO -30 VCollector-Emitter Voltage_HJ 14.00 +

7.2. ktc8550a.pdf Size:360K _kec

SEMICONDUCTOR KTC8550ATECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTORHIGH CURRENT APPLICATION. B CFEATUREComplementary to KTC8050A.N DIM MILLIMETERSA 4.70 MAXEKB 4.80 MAXMAXIMUM RATING (Ta=25) GC 3.70 MAXDD 0.45CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITE 1.00F 1.27VCBOCollector-Base Voltage -35 VG 0.85H 0.45VCEOCollector-Emitter Voltage -30 V_HJ 14

Биполярный транзистор 2SC945P — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC945P

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора:

2SC945P
Datasheet (PDF)

8.1. 2sc945.pdf Size:73K _nec

8.2. 2sc945-y.pdf Size:244K _mcc

MCC2SC945-YMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components2SC945-GRCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Capable of 0.4Watts of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0.15APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 60V Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC

 8.3. 2sc945-gr.pdf Size:244K _mcc

MCC2SC945-YMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial Components2SC945-GRCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Capable of 0.4Watts of Power Dissipation. NPN Silicon Collector-current 0.15APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 60V Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC

8.4. 2sc945.pdf Size:180K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC945 NPN SILICON TRANSISTOR AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER HIGH FREQUENCY OSC NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SC945 is an audio frequency amplifier high frequency OSC NPN transistor. FEATURES * Collector-Emitter voltage: BVCBO=50V * Collector current up to 150mA * High hFE linearity Lead-free: 2SC945L * Complimentary to UTC 2SA733

 8.5. 2sc945.pdf Size:226K _no

ST 2SC945 NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into five groups, R, O, Y, P and L, according to its DC current gain. As complementary type the PNP transistor ST 2SA733 is recommended. On special request, these transistors can be 1. Emitter 2. Collector 3. Base manufactured in different pin configurati

8.6. 2sc945.pdf Size:272K _shenzhen

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 2SC945 TRANSISTOR (NPN) FEATURE 1. BASE Excellent hFE Linearity2. EMITTER Low noise 3. COLLECTOR Complementary to A733 MARKING:CR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 60 VVCEO Collector-Emi

8.7. 2sc945m.pdf Size:1517K _blue-rocket-elect

2SC945M(BR3DG945M) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 NPN Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features ,High voltage, excellent hFE linearity. / Applications General power amplifier application and low speed switching.

8.8. 2sc945lt1.pdf Size:634K _china

SEMICONDUCTOR 2SC945LT1 Shandong Yiguang Electronic Joint stock Co., Ltd TECHNICAL DATA NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Package:SOT-23 * Collector Current: Ic= 150mA * Collector-Emitter Voltage:Vce= 50V * High Total Power Dissipation:Pc=225mW * High Hfe And Good Linearity ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25 Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage Vcbo 60 V

8.9. 2sc945.pdf Size:781K _kexin

SMD TypeSMD Type si o orsSMD Type TranDistdesNPN Transistors2SC945SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features Collector current up to 150mA High hFE linearity1 2 Complementary to 2SA733+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector

8.10. 2sc945.pdf Size:189K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Transistor 2SC945DESCRIPTIONHigh VoltageExcellent h linearityFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDsigned for use in driver stage of AF amplifierand low speed switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 60 VCBOV Collector-Emitter Vol

Другие транзисторы… MMBT4401W
, MMBT491
, MMBT493
, MMBT5401W
, MMBT5551W
, MMBT591
, MMBT593
, MMBT619
, TIP122
, MMBTA92W
, MMDT4944
, PZT13003
, S8050T
, S8550T
, S9012T
, S9013T
, S9014T
.

SS8550W Datasheet (PDF)

0.1. mmss8550w-j.pdf Size:187K _mcc

MMSS8550W-LMCCMicro Commercial Components MMSS8550W-HTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311MMSS8550W-JPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Halogen free available upon request by adding suffix «-HF»PNP Silicon Case Material:Molded Plastic. UL FlammabilityClassificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1 Marking:Y2 Plasti

0.2. mmss8550w-h.pdf Size:187K _mcc

MMSS8550W-LMCCMicro Commercial Components MMSS8550W-HTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311MMSS8550W-JPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Halogen free available upon request by adding suffix «-HF»PNP Silicon Case Material:Molded Plastic. UL FlammabilityClassificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1 Marking:Y2 Plasti

 0.3. mmss8550w-l.pdf Size:187K _mcc

MMSS8550W-LMCCMicro Commercial Components MMSS8550W-HTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311MMSS8550W-JPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Halogen free available upon request by adding suffix «-HF»PNP Silicon Case Material:Molded Plastic. UL FlammabilityClassificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1 Marking:Y2 Plasti

0.4. ss8550w.pdf Size:115K _secos

SS8550WPNP SiliconElektronische BauelementeGeneral Purpose TransistorRoHS Compliant ProductSOT-323FEATURESCollectorDim Min Max33A 1.800 2.200Power dissipation11 B 1.150 1.3502 BasePCM : 0.2 WC 0.800 1.000Collector CurrentD 0.300 0.4002ICM : -1.5 A A G 1.200 1.400EmitterLH 0.000 0.100Collector-base voltageJ 0.100 0.2503V(BR)CBO : — 40 VS

 0.5. ss8550w.pdf Size:264K _wietron

SS8550WPNP Plastic-Encapsulate Transistor3P b Lead(Pb)-Free12MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted)1. BASESymbol Parameter Value Units2. EMITTER3. COLLECTORV(BR)CBO Collector- Base Voltage -40 VICM Collector Current -1.5 ASOT-323(SC-70).PCM Power Dissipation (Tamb=25C) W0.2TJ Junction Temperature -55 to +150 Tstg Storage Temperature -55 to +15

Электрические характеристики

Параметры действительны при температуре воздуха 25℃.

Корпус и цоколевка

Транзистор выпускается в корпусах двух вариантов:

1. SOT-23 – предназначен для поверхностного монтажа и представляет собой параллелепипед размером 3,0 х 1,4 х 1,0 мм, на одну из длинных сторон которого выведены две ножки, на другую – одна. Если смотреть на корпус со стороны надписи, при этом внизу находится сторона с двумя выводами, то, начиная с правой нижней ножки, выводы по часовой стрелке пойдут в таком порядке – эмиттер, база, коллектор.
2. ТО-92 – пластмассовый цилиндр, усеченный с одной стороны, на торце которого закреплены три вывода, находящиеся в одной плоскости. Если смотреть со стороны среза, то последовательность следующая (слева направо) – эмиттер, база, коллектор. Вариант предназначен для монтажа на плату навесным способом.

По электрическим параметрам исполнения в различных корпусах отличаются лишь величиной допустимой мощности рассеяния.

HE8550S Datasheet (PDF)

0.1. he8550s.pdf Size:55K _hsmc

Spec. No. : HE6129HI-SINCERITYIssued Date : 1993.01.15Revised Date : 2004.07.26MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HE8550SPNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HE8550S is designed for general purpose amplifier applications.FeaturesTO-92 High DC Current gain: 100-500 at IC=150mA Complementary to HE8050SAbsolute Maximum Ratings Maximum Temperatures

8.1. he8550.pdf Size:156K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD HE8550 PNP SILICON TRANSISTOR LOW VOLTAGE HIGH CURRENT SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC HE8550 is a low voltage high current small signal PNP transistor, designed for Class B push-pull 2W audio amplifier for portable radio and general purpose applications. FEATURES * Collector Current up to 1.5A * Collector-Emitter Voltage

8.2. he8550l.pdf Size:21K _utc

UTC HE8550 PNP EPITAXIAL SILIC ON TRANSISTORLOW VOLTAGE HIGH CURRENTSMALL SIGNAL PNP TRANSISTORDESCRIPTION The UTC HE8550 is a low voltage high current smallsignal PNP transistor, designed for Class B push-pull2W audio amplifier for portable radio and general purposeapplications.1FEATURES*Collector current up to 1.5A*Collector-Emitter voltage up to 25 V*Complimentary to

 8.3. he8550.pdf Size:46K _hsmc

Spec. No. : HE6114HI-SINCERITYIssued Date : 1992.09.30Revised Date : 2006.07.28MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/4HE8550PNP Epitaxial Planar TransistorDescriptionThe HE8550 is designed for use in 2W output amplifier of portable radios in class B push-pulloperation. TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature…………………………..

Характерные особенности

• Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: U_CE(sat) ≤ 1 В при I_C = 3 А.
• Высокая скорость переключений: время спадания импульса t_f ≤ 1 мкс при I_C = 3 А.
• Расширенная область безопасной работы транзистора при обратном смещении в цепи управления (базы): U_{CEX (sus)1} ≥ 450 В I_C = 3 А.

٭ — измерено при длительности импульса тока 300 мкс и скважности 10%

Электрические параметры (при Ta = 25°C)

٭ — производитель разделяет транзисторы по величине параметра h_FE на группы B, C, D в пределах указанного диапазона. См. таблицу.

Электрические параметры

Характеристика
Обозначение
Параметры при измерениях
Значения Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В ٭
UCEO(SUS)
IC = 10 мА, IB = 0 А.
400 Ток коллектора выключения, мА ٭
Ta = 25°C
ICEO
UCEO = номинальное значение, UBE(OFF) = 1,5 В
1 Tc = 25°C
5 Ток эмиттера выключения, мА ٭
IEBO
UEB = 9,0 В, IC = 0
1 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В ٭
UCE(sat)
IC = 0,5 А, IB = 0,1 А
0,5 IC = 1,0 А, IB = 0,25 А
1 IC = 1,2 А, IB = 0,4 А
3 IC = 1,0 А, IB = 0,25 А, Tc = 100°C
1 Напряжение насыщения база-эмиттер, В ٭
UBE(sat)
IC = 0,5 А, IB = 0,1 А
1 IC = 1,0 А, IB = 0,25 А
1,2 IC = 1,0 А, IB = 0,25 А, Tc = 100°C
1,1 Статический коэффициент усиления по току ٭
hFE (1)
UCE = 5,0 В, IC = 0,4 А
14….57 hFE (2)
UCE = 5,0 В, IC = 1,0 А
5…30 Выходная емкость коллектора, pF
Cob
UCB = 10 В, IE = 0, f = 0,1 МГц
21 Частота среза, МГц
fT
UCE = 10 В, IC = 0,1 А
10 Временные параметры транзистора при работе на резистивную нагрузку Время задержки, мкс
td
См

схему измерения временных параметров: UCC = 125 В, IC = 1 А, IB1 = IB2 = 0,2 А, tp = 25 мкс, скважность импульсов ≤ 1%
0,05 Время нарастания импульса тока, мкс
tr
0,5 Время сохранения импульса, мкс
ts
2 Время спадания импульса тока, мкс
tf
0,4 Временные параметры транзистора при работе на индуктивную нагрузку с ограничениями напряжений Время сохранения импульса, мкс
ts
IC = 1 А, UCLAMP = 300 В, IB1 = 0,2 А, UBE(OFF) = 5 В, Tc = 100°C.
1,7 Коммутационный промежуток, мкс
tc
0,29 Время спадания импульса тока, мкс
tf
0,15. ٭ — определено в импульсном режиме: длительность импульса = 300 мкс, скважность импульсов ≤ 2%

٭ — определено в импульсном режиме: длительность импульса = 300 мкс, скважность импульсов ≤ 2%. Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды T_a=25°C, если не указано иное.

Похожие записи:

Выбор импульсных зарядных устройств для автомобильного аккумулятора Как подключить бра с выключателем шнурком, цепочкой Гофрированная труба для вытяжки и ее преимущества Оптоволоконные линии связи: неограниченные возможности Какой дифавтомат поставить? Рекани анжело люстры