Характеристики транзистора mje13009

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — от 8 до 40.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер — 700 В.

Максимальный ток коллектора — постоянный 12 А, пульсирующий — 24 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 5А, базы 1 А — 1в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 5А, базы 1 А — 1,2в.

Рассеиваемая мощность коллектора — около 100 Вт(на радиаторе).

Граничная частота передачи тока — 4 МГц.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Маркировка

Транзистор, чаще всего, обозначен на корпусе только цифрами. Цифры “13009” обозначают серийный номер в американской системе JEDEC. Считается, что впервые данный транзистор произвела американская компания Motorola. Символы mje, в начале маркировки транзистора указывали на брэнд именно этой компании. После 1999 года, когда компания Motorola была реструктуризирована, с символов «MJE» начинается маркировка данного транзистора у других производителей, не связанных с этой компанией. В то же время ON Semiconductor, дочерняя компания Motorola, так же продолжает выпускать эти транзисторы с указанием mje13009 на корпусе.

Биполярный транзистор KSE13009 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KSE13009

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 180
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8

Корпус транзистора:

KSE13009
Datasheet (PDF)

0.1. kse13009f.pdf Size:25K _samsung

KSE13009F NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATIONTO-220F High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 700 V Collector-Emitter Voltage V CEO 400 V Emitter-Base Voltage VEBO 9 V Collector Current (DC) IC 12 A Collector Current (Pulse) IC 24

7.1. kse13004,13005.pdf Size:48K _fairchild_semi

KSE13004/13005High Voltage Switch Mode Application High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage : KSE13004 600 V : KSE13005 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage : KSE13004

7.2. kse13006,13007.pdf Size:48K _fairchild_semi

KSE13006/13007High Voltage Switch Mode Application High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage : KSE13006 600 V : KSE13007 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage : KSE13006

 7.3. kse13003.pdf Size:465K _fairchild_semi

March 2008KSE13003NPN Silicon TransistorHigh Voltage Switch Mode Applications High Voltage Capability High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlTO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseAbsolute Maximum Ratings* TC = 25C unless otherwise noted (notes_1)Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 700 VVCEO Collector-Emitter

7.4. kse13003t.pdf Size:47K _fairchild_semi

KSE13003THigh Voltage Switch Mode Applications High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlTO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 9 V IC C

 7.5. kse13006.pdf Size:70K _samsung

KSE13006/13007 NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATION High Speed SwitchingTO-220 Suitable for Switching Regulator and Motor ControlABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit VCBO 600 V Collector Base Voltage : KSE13006V : KSE13007 700 VCEO 300 V Collector Emitter Voltage : KSE13006V : KSE13007 400V Emitter Base Voltage VEB

7.6. kse13005f.pdf Size:23K _samsung

KSE13005F NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATIONSTO-220F High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector Base Voltage VCBO 700 V Collector Emitter Voltage V CEO 400 V Emitter Base Voltage VEBO 9 V Collector Current (DC) IC 4 A Collector Current (Pulse) IC 8

7.7. kse13007f.pdf Size:23K _samsung

KSE13007F NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATIONSTO-220F High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector Base Voltage VCBO 700 V Collector Emitter Voltage V CEO 400 V Emitter Base Voltage VEBO 9 V Collector Current (DC) IC 8 A Collector Current (Pulse) IC 16

7.8. kse13003t.pdf Size:21K _samsung

KSE13003 NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATIONSTO-126 High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor ControlABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 700 V Collector-Emitter Voltage V CEO 400 V Emitter-Base Voltage VEBO 9 V Collector Current (DC) IC 1.5 A Collector Current (Pulse) IC 3

Другие транзисторы… KSE13003
, KSE13004
, KSE13005
, KSE13005F
, KSE13006
, KSE13007
, KSE13007F
, KSE13008
, AC125
, KSE13009F
, KSE170
, KSE171
, KSE172
, KSE180
, KSE181
, KSE182
, KSE200
.

Технические характеристики транзистора MJE13009

При температуре окружающей среды +25 °C, если не указано иного, имеет такие параметры:

физические:

• биполярный транзистор;
• корпус ТО-220, ТО-3PN;
• материал корпуса  – пластик;
• кристалл — кремний (Si);

электрические (допустимые):

• проводимость – NPN;
• U_{КЭ макс} (V_CEmax) до 400 В (V);
• U_КЭВ (V_CEV) 700 В (V), при U_БЭ(V_BE) = -1.5 В (V);
• U_{ЭБ макс} (V_{ЕВ max}) до 9 В (V);
• I_K(I_C) 12 А, I_{K макс} (I_Cmax) до 24 А;
• I_Б. (I_B) 6А, импульсный пиковый I_{Б пик.} (I_Bmax) до 12 А, при t_p≤10 мc (ms);
• I_Э (I_E) 18А, импульсный пиковый  I_{Э пик.} (I_Emax) до 36 А, при t_p≤10 мc (ms);
• P (P_tod)= 100 Вт (W), при Tc ≤ 25°C и использовании радиатора;
• F_{Гр мин.}(f_tMIN) 4 МГц (MHz), при U _КЭ  (V_CE ) =10 В (V), I_K (I_{c )}= 0,5 А;
• U_КЭ.раб.(V_CEOsus) 400 В (V), при I_C (I_К) = 10 мA(mA), I_Б (I_B)=  0;
• I_КЭВ (I_CEV) 1 мА (mA) при U_КЭВ(V_CEV) = 700 В (V), до 5 мА (mA) при повышении T_раб (T_amb) до 150 °C;
• I_ЭБО (I _EBO) ≤1 мА (mA), при U _EБ (V_EB ) = 9 В (V) и I_К (I_С)=0);
• выходная емкость C_22б (C_ob) = 180 пФ (pF);

напряжение насыщения между коллектором и эмиттером U_{КЭ нас.} (V_BEsat):

напряжение насыщения между базой и эммитером U_{БЭ нас.} (V_BE sat):

коммутационные характеристики (при U_КЭ =120 В, I_K =8 A, I_{Б вкл}=1.6А, I_{Б выкл.}= -1.6А):

• время задержки t_зад (t_d) = 0.1 мкс (µs);
• время включения t_вкл (t_on) = 1.1 мкс (µs);
• время спада t_сп (t_f)  = 0.7 мкс (µs);
• время рассасывания t_РАС (t_s) = 3 мкс (µs);

тепловые:

• Тепловое сопротивление перехода кристалла к корпусу R_θJC = 1.26 °C/W (°C/Вт);
• Тепловое сопротивление корпуса к окружающей среде R_θCA= 62.5 °C/W (°C/Вт);
• Общее тепловое сопротивление R_θJA= 100 °C/W (°C/Вт);
• T_{перехода}(T_j) ≤ + 150 °C;
• T_хран.(T_str) от — 65 до + 150 °C;
• T_раб.(T_amb) от — 65 до + 150 °C;
• T_пайки (T_L) до 275 °C.

коэффициент усиления по току у транзистора 13009  находится в пределах от 8 до 40 Hfe.

Параметры 13009 у различных производителей незначительно отличаются.

Технические характеристики транзистора MJE13009

При температуре окружающей среды +25 °C, если не указано иного, имеет такие параметры:

физические:

• биполярный транзистор;
• корпус ТО-220, ТО-3PN;
• материал корпуса  – пластик;
• кристалл — кремний (Si);

электрические (допустимые):

• проводимость – NPN;
• U_{КЭ макс} (V_CEmax) до 400 В (V);
• U_КЭВ (V_CEV) 700 В (V), при U_БЭ(V_BE) = -1.5 В (V);
• U_{ЭБ макс} (V_{ЕВ max}) до 9 В (V);
• I_K(I_C) 12 А, I_{K макс} (I_Cmax) до 24 А;
• I_Б. (I_B) 6А, импульсный пиковый I_{Б пик.} (I_Bmax) до 12 А, при t_p≤10 мc (ms);
• I_Э (I_E) 18А, импульсный пиковый  I_{Э пик.} (I_Emax) до 36 А, при t_p≤10 мc (ms);
• P (P_tod)= 100 Вт (W), при Tc ≤ 25°C и использовании радиатора;
• F_{Гр мин.}(f_tMIN) 4 МГц (MHz), при U _КЭ  (V_CE ) =10 В (V), I_K (I_{c )}= 0,5 А;
• U_КЭ.раб.(V_CEOsus) 400 В (V), при I_C (I_К) = 10 мA(mA), I_Б (I_B)=  0;
• I_КЭВ (I_CEV) 1 мА (mA) при U_КЭВ(V_CEV) = 700 В (V), до 5 мА (mA) при повышении T_раб (T_amb) до 150 °C;
• I_ЭБО (I _EBO) ≤1 мА (mA), при U _EБ (V_EB ) = 9 В (V) и I_К (I_С)=0);
• выходная емкость C_22б (C_ob) = 180 пФ (pF);

напряжение насыщения между коллектором и эмиттером U_{КЭ нас.} (V_BEsat):

напряжение насыщения между базой и эммитером U_{БЭ нас.} (V_BE sat):

коммутационные характеристики (при U_КЭ =120 В, I_K =8 A, I_{Б вкл}=1.6А, I_{Б выкл.}= -1.6А):

• время задержки t_зад (t_d) = 0.1 мкс (µs);
• время включения t_вкл (t_on) = 1.1 мкс (µs);
• время спада t_сп (t_f)  = 0.7 мкс (µs);
• время рассасывания t_РАС (t_s) = 3 мкс (µs);

тепловые:

• Тепловое сопротивление перехода кристалла к корпусу R_θJC = 1.26 °C/W (°C/Вт);
• Тепловое сопротивление корпуса к окружающей среде R_θCA= 62.5 °C/W (°C/Вт);
• Общее тепловое сопротивление R_θJA= 100 °C/W (°C/Вт);
• T_{перехода}(T_j) ≤ + 150 °C;
• T_хран.(T_str) от — 65 до + 150 °C;
• T_раб.(T_amb) от — 65 до + 150 °C;
• T_пайки (T_L) до 275 °C.

коэффициент усиления по току у транзистора 13009  находится в пределах от 8 до 40 Hfe.

Параметры 13009 у различных производителей незначительно отличаются.

Биполярный транзистор SBW13009S — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: SBW13009S

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 6

Корпус транзистора:

SBW13009S
Datasheet (PDF)

0.1. sbw13009s.pdf Size:428K _winsemi

SBW13009-SSBW13009-SSBW13009-SSBW13009-SHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionThis Device is designed for high voltage,High speedswitching characteristics required such as lightingsystem,switching mode power supply.Absolute Maximum RatingsSymbol Param

6.1. sbw13009o.pdf Size:404K _winsemi

SBW13009-OSBW13009-OSBW13009-OSBW13009-OHigh voltage Fast Switching NPN Power TransistorFeatures Very High Switching Speed High voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionThis Device is designed for high voltage, High speedswitching characteristics required such as lightingsystem,switching mode power supply.Absolute Maximum RatingsSymbol Para

6.2. sbw13009k.pdf Size:428K _winsemi

SBW13009-KSBW13009-KSBW13009-KSBW13009-KHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionThis Device is designed for high voltage,High speedswitching characteristics required such as lightingsystem,switching mode power supply.Absolute Maximum RatingsSymbol Param

Другие транзисторы… 3CA313E
, 3CA350
, 3CA3741
, 3CA4A
, 3CA4B
, SBU13003BD
, SBW13009K
, SBW13009O
, TIP31
, SBW3320
, SBW3320W
, STN0214
, STN2580
, STN826
, STN9360
, STP5508
, STR1550
.

Производители

Выберите производителя, чтобы ознакомится с его DataSheet на 13009:

Маркировка

Транзистор, чаще всего, обозначен на корпусе только цифрами. Цифры “13009” обозначают серийный номер в американской системе JEDEC. Считается, что впервые данный транзистор произвела американская компания Motorola. Символы mje, в начале маркировки транзистора указывали на брэнд именно этой компании. После 1999 года, когда компания Motorola была реструктуризирована, с символов «MJE» начинается маркировка данного транзистора у других производителей, не связанных с этой компанией. В то же время ON Semiconductor, дочерняя компания Motorola, так же продолжает выпускать эти транзисторы с указанием mje13009 на корпусе.
Более именитые из производители, вместо MJE, указывают в начале маркировки первые буквы из названия своих компаний: ST13009 (ST Microelectronics), J13009,FJP13009 (Fairchild), PHE13009 (WeEn Semiconductors).

Список источников

• russianstartuprating.ru
• www.promebel.com
• shematok.ru
• elektrikaetoprosto.ru
• alltransistors.com

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: KT972A

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750

Наименование производителя: WW263

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Корпус транзистора: TO220

Наименование производителя: U2T833

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Аналоги (замена) для U2T833

Наименование производителя: U2T832

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000

Наименование производителя: U2T823

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000

Наименование производителя: U2T6O1

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Корпус транзистора: TO66

Наименование производителя: U2T605

• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Корпус транзистора: TO66

Наименование производителя: TTD1415B

• Маркировка: D1415B
• Тип материала: Si
• Полярность: NPN
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
• Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
• Корпус транзистора: TO220SIS

Биполярный транзистор 13005A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 13005A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора:

13005A
Datasheet (PDF)

0.1. mje13005a.pdf Size:273K _nell

RoHS MJE13005A(NPN)RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsSwitchmode Series NPN Silicon Power Transistors(4A / 400V / 75W)FEATURESVCEO(SUS) 400V @ lC = 10 mA, lB = 0 VCE(sat) = 1.0V (Max.) @ lC = 4 A, lB = 1 ASwitching time — tf = 0.9 s (Max.) @ lC = 2 A 700V blocking capability123TO-220AB(MJE13005A) DESCRIPTION These devices are designed for high-

0.2. 3dd13005a1.pdf Size:180K _crhj

NPN R 3DD13005 A1 3DD13005 A1 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot Ta=25 0.8 W

 0.3. 3dd13005a7.pdf Size:145K _crhj

NPN R 3DD13005 A7 3DD13005 A7 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot W TC=25 40

0.4. 3dd13005a3.pdf Size:143K _crhj

NPN R 3DD13005 A3 3DD13005 A3 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot W TC=25 40

 0.5. s13005a.pdf Size:113K _jdsemi

RS13005A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 22

0.6. 13005adl.pdf Size:121K _jdsemi

R13005ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

0.7. h13005adl.pdf Size:120K _jdsemi

RH13005ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

0.8. 13005ad.pdf Size:121K _jdsemi

R13005AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

0.9. 13005a.pdf Size:113K _jdsemi

R13005A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 22

0.10. ksg13005ar.pdf Size:220K _semihow

KSG13005AR SEMIHOW REV.A0,Feb 2009KSG13005ARKSG13005ARSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls3 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted3.8 WattsTO-92LCHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT1. Emitter2. Collec

0.11. ksu13005a.pdf Size:558K _semihow

KSD13005A KSU13005A SEMIHOW REV.A1,August 2013 KSD13005A_KSU13005AKSU13005A/KSU13005A Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 40 Watts TO-252 / TO-251 CHARA

0.12. ksd13005a.pdf Size:558K _semihow

KSD13005A KSU13005A SEMIHOW REV.A1,August 2013 KSD13005A_KSU13005AKSU13005A/KSU13005A Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 40 Watts TO-252 / TO-251 CHARA

0.13. ksh13005a.pdf Size:227K _semihow

KSH13005AKSH13005A SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130005AKSH13005ASwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls4 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted75 WattsTO-220

0.14. ksh13005af.pdf Size:223K _semihow

KSH13005AFKSH13005AF SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130005AFKSH13005AFSwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls4 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted75 WattsTO

Другие транзисторы… , , , 13001-0
, 13001-2
, 13001-A
, 13003AD
, 13003B
, S9012
, 13005AD
, 13005ADL
, 13005D
, 13005DL
, 13005ED
, 13005F
, 13005S
, 13005SD
.

Маркировка

Транзистор, чаще всего, обозначен на корпусе только цифрами. Цифры “13009” обозначают серийный номер в американской системе JEDEC. Считается, что впервые данный транзистор произвела американская компания Motorola. Символы mje, в начале маркировки транзистора указывали на брэнд именно этой компании. После 1999 года, когда компания Motorola была реструктуризирована, с символов «MJE» начинается маркировка данного транзистора у других производителей, не связанных с этой компанией. В то же время ON Semiconductor, дочерняя компания Motorola, так же продолжает выпускать эти транзисторы с указанием mje13009 на корпусе. Более именитые из производители, вместо MJE, указывают в начале маркировки первые буквы из названия своих компаний: ST13009 (ST Microelectronics), J13009,FJP13009 (Fairchild), PHE13009 (WeEn Semiconductors).

Параметры

Основные технические параметры 13001 (при температуре окружающей среды +25 °C) следующие:

физические:

• принцип действия – биполярный;
• корпус ТО-92 или SOT-23;
• материал корпуса – пластик;
• материал – монокристаллический кремний;

электрические (для устройства в корпусе ТО-92):

• проводимость – n-p-n (обратная);
• I_{K макс.} (I_{c max}) не более 200 мА (mA);
• U_{КЭ макс.} (V_CEmax) не более 400 В (V);
• U_{КБ макс.} (V_CBmax) не более 500 В (V);
• U_{ЭБ макс.} (V_{ЕВ max}) не более 9 В (V);
• U_{КЭ нас.} (V_CEsat) не более 0.5 В (V), при I_K (I_c)=50 мА (mA) и I_Б (I_c)= 10 мА (mA);
• U_{КЭ нас.} (V_CEsat) не более 1.2 В (V), при I_K (I_c)=50 мА (mA) и I_Б (I_c)= 10 мА (mA);
• f_гр (f_t) от 8 МГц (MHz), при U _{КЭ =} 20 В (V), I_K = 20 мА (mA);
• U_{КБ макс.} (V_{CB max} ) = 500 В (V) и отключенном эммитере (ток эммитора I_Э (I_E)=0;
• I_КЭО (I_CEO) не более 200 мкА (µA), при U _{КЭ макс.} (V_CEmax ) =400 В (V) и I_Б (I_B)=0;
• I_ЭБО (I_EBO) не более 100 мкА (µA), при U _{EБ макc.} (V_{EB max} ) = 9 В (V) и I_К (I_С)=0;
• P_{K макс.} (P_C) 0,75 Вт (W);
• T_раб.(T_j) не более + 150 °C;
• T_хран. (T_str) от — 55 до + 150 °C.;
• H_fe при U_КЭ = 20 В (V) и I_K = 20 мА (mA) от 10 до 40 , при U_КЭ = 10 В (V) и I_K = 0,25 мА (mA) — 8;

электрические (для устройств в корпусе SOT-23):

• проводимость – n-p-n;
• I_K (I_{c max}) 200 мА (mA);
• U_КЭО (V_CEO) ≤ 500 В (V);
• U_КБО (V_CBO) ≤ 800 В (V);
• U_ЭБО  (V_ЕВO) ≤ 9 В (V);
• U_{КЭ нас.} (V_CEsat) ≤ 0.5 В (V), при I_K (I_c) = 50 мА (mA) и I_Б (I_c)= 10 мА (mA);
• U_{КЭ нас.} (V_CEsat) ≤1.2 В (V), при I_K (I_c) = 50 мА (mA) и I_Б (I_c)= 10 мА (mA);
• f_гр (f_t) 8 МГц (MHz), при U _{КЭ =} 20 В (V), I_K = 20 мА (mA);
• I_КБО (I_CBO) ≤1 мкА (µA) при U _КБ (V_CBО) = 600 В (V);
• I_КЭО (I_CEO) ≤10 мкА (µA), при U _КЭ (V_CEО ) = 400 В (V) и I_Б (I_B)=0;
• I_ЭБО (I_EBO) ≤1 мкА (µA), при U _EБ (V_EBО ) = 9 В (V) и I_К (I_С)=0;
• P_K (P_C) = 0,5 Вт (W);
• T_раб.(T_j) ≤ + 150 °C.;
• T_хран. (T_str) от — 55 до + 150 °C.;
• H_fe при U_КЭ = 20 В (V) и I_K  = 20 мА (mA) 8 H_fe, при U_КЭ = 5 В (V) и I_K = 1 мА (mA) от 10 до 30 H_fe.

Похожие записи:

Как выставить зажигание с помощью стробоскопа? Сигнализация действия защиты и автоматики Подключение потолочного светильника со светодиодами Маркировка smd компонентов: кодовые обозначения Как сделать веб-приложение для вашего собственного bluetooth low energy девайса? Как подключить усилитель в машине