Содержание
Аналоги
Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, предназначенные для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, схемах управления электродвигателями и др., аппаратуре общего применения.
Отечественное производство
Транзисторы, близкие по параметрам к серии 13003 (MJE13003).
| Тип | PC, Вт | UCB, В | UCE, В | UBE, В | IC, А | UCE(sat), В | Tj , °С | fT , МГц | hFE | ton / ts / tf, мкс | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MJE13003 | 40 | 700 | 400 | 9 | 2 | 0,6 | 150 | 4 | 5…40 | — / 3,5 / 1 | TO-126 |
| КТ8170А | 40 | 700 | 400 | 9 | 2,25 | 3 | 150 | 4 | 5…40 | 1,1 / 4 / 0,7 | TO-126 |
| КТ859А | 40 | 800 | 800 | 10 | 3 | 1,5 | 150 | ˃ 3,3 | ˃ 10 | 0,35 / 3,3 / 0,35 | TO-220AB |
| КТ841А/В | 50 | 600/800 | 350 | 5 | 10 | 1,5 | 150 | 10 | 12…45 | 0,08 / 0,8 / 0,2 | TO-3 |
| КТ8118А | 50 | 900 | 800 | — | 3 | ˂ 2,0 | 150 | ˃ 15 | 10…40 | — | TO-220 |
| КТ8120А | 60 | 600 | 450 | 5 | 8 | 1 | 150 | 20 | ˃ 10 | — / 2 / 0,2 | TO-220 |
| КТ840А/Б/В | 60 | 900/750/800 | 400/350/375 | 5 | 6 | 0,6 | 150 | 8…15 | 10…60 | 0,2 / 3,5 / 0,6 | TO-3 |
| КТ868А/Б | 70 | 900/750 | 400/375 | 5 | 6 | 1,5 | 150 | ˃ 8 | 10…100 | — | TO-3PML |
Зарубежное производство
Аналоги транзистора E13003 (MJE13003).
| Тип | PC, Вт | UCB, В | UCE, В | UBE, В | IC, А | UCE(sat), В | Tj , °С | fT , МГц | hFE | ton / ts / tf, мкс | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MJE13003 | 40 | 700 | 400 | 9 | 2 | 0,6 | 150 | 4 | 5…40 | — / 3,5 / 1 | TO-126 |
| 3DD1910 | 40 | 700 | 400 | 9 | 2,5 | 1 | 150 | 5 | 15…30 | 1 / 5 / 0,8 | TO-126A |
| 3DD13005A7 | 40 | 800 | 400 | 9 | 3 | 0,6 | 150 | 5 | 15…35 | 1 / 5 / 1 | TO-126F |
| WBR13005D1 | 40 | 700 | 400 | 9 | 4 | 1 | 150 | 4 | 10…40 | — / 3,6 / 1,6 | TO-126 |
| BTN3A60T3 | 40 | 900 | 700 | 9 | 3 | 0,6 | 150 | 4 | 10…40 | — | TO-126 |
| HLD133D | 35 | 700 | 400 | 9 | 2 | 1 | 150 | — | 5…40 | — / 4 / 0,8 | TO-126 |
| ST13007DFP | 36 | 700 | 400 | 9 | 8 | 3 | 150 | 4 | 8…40 | — / 2,2 / 0,15 | TO-220FP |
| BUL310FP | 36 | 1000 | 500 | 9 | 5 | 1,1 | 150 | — | 10 | — / 1,8 / 0,5 | TO-220FP |
Аналоги транзисторов 13003BR (MJE13003BR) и 13003T (KSE13003T).
| Тип | PC, Вт | UCB, В | UCE, В | UBE, В | IC, А | UCE(sat), В | Tj , °С | fT , МГц | hFE | ton / ts / tf, мкс | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MJE13003BR | 30 | 600 | 400 | 9 | 2 | 0,85 | 150 | — | 5…40 | — / 3 / 0,8 | TO-126 |
| BLD123D | 30 | 600 | 400 | 9 | 2 | 0,9 | 150 | — | 5…40 | — / 4 / 0,8 | TO-126 |
| KSE13003T | 30 | 700 | 400 | 9 | 1,5 | 3 | 150 | 4 | 5…40 | 1,1 / 4 / 0,7 | TO-220 |
| FJPE3305 | 30 | 700 | 400 | 9 | 4 | 1 | 150 | 4 | 8…40 | 0,8 / 4 / 0,9 | TO-220F |
| KSH13005AF | 30 | 700 | 400 | 9 | 4 | 1 | 150 | 4 | 8…60 | 0,8 / 4 / 0,9 | TO-220F |
| MJE13005AF | 30 | 800 | 400 | 10 | 5 | 1 | 150 | 4 | 8…35 | 0,15 / 5 / 0,8 | TO-220IS |
| MJE13005F | 30 | 700 | 400 | 9 | 4 | 1 | 150 | 4 | 10…35 | 0,8 / 4 / 0,9 | TO-220IS |
| STD13005F/FC | 30 | 700 | 400 | 9 | 4 | 1 | 150 | 4 | 8…40 | 0,8 / 4 / 0,9 | TO-220F-3L |
| STL128DFP | 30 | 700 | 400 | — | 4 | 1,5 | 150 | — | 10…32 | — / 0,6 / 0,1 | TO-220FP |
| TS13005CI | 30 | 700 | 400 | 9 | 4 | 1 | 150 | 4 | 8…40 | 0,7 / 3 / 0,5 | ITO-220 |
| TSC236CI | 30 | 700 | 400 | 9 | 4 | 1,3 | 150 | — | 8…32 | 0,5 / 3 / 0,5 | ITO-220 |
| BUL128FP | 31 | 700 | 400 | 9 | 4 | 1,5 | 150 | — | 10…45 | — / 2,9 / 0,4 | TO220FP |
Примечание: данные таблиц получены из даташип компаний-производителя.
Биполярный транзистор MJE13003G — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MJE13003G
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 21
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
Корпус транзистора:
MJE13003G
Datasheet (PDF)
0.1. mje13003g.pdf Size:107K _onsemi
MJE13003SWITCHMODEt Series NPNSilicon Power TransistorThese devices are designed for high-voltage, high-speed powerswitching inductive circuits where fall time is critical. They areparticularly suited for 115 and 220 V SWITCHMODE applicationshttp://onsemi.comsuch as Switching Regulators, Inverters, Motor Controls,Solenoid/Relay drivers and Deflection circuits.1.5 AMPERESFeat
0.2. mje13003g6.pdf Size:219K _foshan
MJE13003G6(3DD13003G6) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V
0.3. mje13003g1.pdf Size:212K _foshan
MJE13003G1(3DD13003G1) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V
0.4. mje13003g5.pdf Size:219K _foshan
MJE13003G5(3DD13003G5) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V
Другие транзисторы… MJE13003DK7
, MJE13003DN5
, MJE13003E1
, MJE13003F1
, MJE13003F2
, MJE13003F5
, MJE13003F6
, MJE13003FT
, 2N2219
, MJE13003G1
, MJE13003G5
, MJE13003G6
, MJE13003H1
, MJE13003H3
, MJE13003H5
, MJE13003H6
, MJE13003HK5
.
Биполярный транзистор H13003H — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: H13003H
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.6
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO126D
H13003H
Datasheet (PDF)
0.1. h13003h.pdf Size:111K _jdsemi
RH13003H www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1ChargerComputer aided power and Switch-mode power supplies 222FEATURES
8.1. ksh13003.pdf Size:23K _samsung
KSH13003 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE POWER TRANSISTORD-PAKD-PACK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS High speed Switching Suitable for Switching Regulator Motor Control Straight Lead(I.PACK, I Suffix)1 Lead Formed for Surface Mount Applications(No Suffix)1. Base 2. Collector 3. EmitterABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating UnitI-PAK
8.2. h13003ad 2.pdf Size:116K _jdsemi
RH13003AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222
8.3. h13003adl.pdf Size:117K _jdsemi
RH13003ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222
8.4. h13003.pdf Size:114K _jdsemi
RH13003 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 22
8.5. h13003d 3.pdf Size:117K _jdsemi
RH13003D www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222
8.6. h13003 2.pdf Size:114K _jdsemi
RH13003 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 22
8.7. h13003adl 2.pdf Size:117K _jdsemi
RH13003ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222
8.8. h13003d 2.pdf Size:116K _jdsemi
RH13003D www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222
8.9. h13003dl.pdf Size:117K _jdsemi
RH13003DL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222
8.10. h13003ad.pdf Size:117K _jdsemi
RH13003AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222
8.11. h13003ah.pdf Size:114K _jdsemi
RH13003AH www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Computer aided power and Switch-mode power supplies 222FEATURES 2 H
8.12. h13003d.pdf Size:117K _jdsemi
RH13003D www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222
8.13. ksh13003a.pdf Size:366K _semihow
KSH13003AKSH13003A SEMIHOW REV.A1,Jan 2008KSH130003AKSH13003AHigh Voltage Switch Mode Applicationsgg pp High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor Control1.5 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted30 WattsTO-220CHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT1. Base2. CollectorCollector-Bas
Другие транзисторы… DK55SD
, E13005SDL
, H13003
, H13003AD
, H13003ADL
, H13003AH
, H13003D
, H13003DL
, BC148
, H13005
, H13005ADL
, H13005D
, H13005DL
, H6084B
, J13003
, P13003
, P13003D
.
13003AD Datasheet (PDF)
0.1. 13003ada.pdf Size:136K _utc
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 13003ADA Preliminary NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON BIPOLAR TRANSISTORS FOR LOW FREQUENCY AMPLIFICATION DESCRIPTION The UTC 13003ADA is a silicon NPN power switching transistor; it uses UTCs advanced technology to provide customers high collector-base breakdown voltage, low reverse leakage current and high reliability, etc. The UTC 1
0.2. h13003ad 2.pdf Size:116K _jdsemi
RH13003AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222
0.3. h13003adl.pdf Size:117K _jdsemi
RH13003ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222
0.4. s13003ad 3.pdf Size:116K _jdsemi
RP13003D www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222
0.5. s13003ad 2.pdf Size:120K _jdsemi
RS13003AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222
0.6. s13003ad-h.pdf Size:116K _jdsemi
RS13003AD-H www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Charger and Switch-mode power supplies 222FEATURES 2 High voltage c
0.7. h13003adl 2.pdf Size:117K _jdsemi
RH13003ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222
0.8. s13003adl.pdf Size:119K _jdsemi
RS13003ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222
0.9. 13003ad.pdf Size:116K _jdsemi
R13003AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222
0.10. s13003ad 4.pdf Size:120K _jdsemi
RS13003AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222
0.11. h13003ad.pdf Size:117K _jdsemi
RH13003AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222
0.12. s13003ad.pdf Size:121K _jdsemi
RS13003AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222
Маркировка
Маркируется на корпусе цифрами “13003”, указывающими на серийный номер устройства по системе JEDEC. Префикс MJE, в начале указывает на происхождение устройства у именитого брэнда — компании Motorola. В настоящее время префикс mje в обозначении своей продукции добавляют и другие производители радиоэлектронного оборудования. Так что, не удивительно встретить транзистор с таким префиксом от другого компании.
Также, вместо MJE, но с другими буквами в названиях, могут встречается похожие устройства: ST13003 SOT-32 (ST Microelectronics), FJP13003, KSE 13003 (Fairchild). В последнее время стали встречается копии устройств от китайских компаний с такой маркировкой на корпусе: 13003d, 13003br, j13003, e13003. В большинстве случаев у приборов с буквой “d” в конце есть встроенный защитный диод, а у остальных меньшая мощность до 25 Вт.
Основные технические характеристики
13003 – это высоковольтный силовой транзистор, прежде всего спроектированный для работы с большими токами и пропускаемым напряжением между коллектором и базой. Высокая скорость переключений и низким временем задержки включения/выключения позволяет использовать его преимущественно в импульсных схемах с индуктивной нагрузкой.
Предельные режимы эксплуатации
13003 рассчитан на работу с большими напряжениями и токами. Так, заявленные производителями максимально допустимые характеристики постоянного рабочего напряжения достигают (VCEO) 400 вольт, а порогового (VCEV) 700 вольт. Номинальное значение постоянного коллекторного тока коллектора (IC) 1.5 A, а импульсного пиковое (ICM), как у большинства силовых транзисторов, в два раза больше 3 A. Максимальная мощность рассеивания, при этом, не должна превышать 40 Ватт.
Предельные значения для пикового тока измерены при длительности импульса в 5 мс и величине обратной скважности не более 10%
Электрические характеристики
Следует учесть, что для расчета возможности применения 13003 в своих схемах, величины предельных режимов эксплуатации обычно уменьшают на 25-30%. Это связано с тем, что они рассчитаны на работу прибора при температуре Тс=25°С. Рабочая же температура устройства будет значительно выше. Зная это, производители в электрических характеристиках на 13003, указывают параметры его использования не только при температуре Тс=25°С.
Как мы видим, в таблице электрических параметров 13003, величины напряжений насыщения и времени переключения приведены и для температуры 100 градусов. Если внимательно присмотреться, то можно увидеть, что эти значения указаны при максимальном токе коллектора IC не превышающем 1 A. А это в 1.5 раза (на 33%) меньше, приведенного значения в предельно допустимых параметрах.
Усилитель на транзисторах 13002
Хотя компактные люминесцентные лампы уже непопулярны, у многих самодельщиков накопились платы от них. Среди прочих компонентов, там присутствуют транзисторы типов 13001, 13002, 13003. Хотя они считаются ключевыми, перевести их в линейный режим общепринятым способом не составляет труда, выходная мощность при этом, конечно, невелика. Так, например, автор Instructables под ником Utsource123 собрал из двух таких транзисторов составной (его также называют транзистором Дарлингтона, который сделал соответствующее изобретение в 1953 году) и построил на нём простой однотактный усилитель мощности звуковой частоты (УМЗЧ). Поскольку мастер решил не составлять схему усилителя, переводчику пришлось восстановить её по описанию и фотографиям. Получилась самая обыкновенная схема УМЗЧ на составном транзисторе без каких-либо особенностей. На старых транзисторах МП она выглядела бы точно так же. С учётом противоположной структуры, конечно.
Смещение на базу резистором, конденсатор, чтобы это смещение не попало в источник сигнала — всё как обычно. Конденсатор на 100 мкФ, 25 В, резистор на 1 кОм.
Первым делом мастер знакомит читателей с цоколёвкой транзистора 13002:
Затем он, как и положено при сборке из двух транзисторов одного составного, соединяет эмиттер первого транзистора с базой второго. Хорошо, они как раз расположены рядом.
Впаивает резистор смещения между коллектором и базой первого транзистора. Благодаря ему оба транзистора будут работать в линейном режиме.
Подключает к базе первого транзистора плюсовой вывод конденсатора:
Соединяет коллекторы обоих транзисторов перемычкой:
Подключает сигнальный кабель: общий провод припаивает к эмиттеру второго транзистора, а выход любого из стереоканалов — к минусовому выводу конденсатора:
Один вывод динамической головки соединяет с плюсом питания, второй — с соединёнными вместе коллекторами обоих транзистора. Минус питания подаёт на эмиттер второго транзистора.
Усилитель готов к работе. Если не добавлять к нему регулятор громкости, источник сигнала придётся взять такой, в котором соответствующий регулятор имеется. И можно слушать.
Собрав второй такой же усилитель и подав на него сигнал с другого стереоканала, вы получите стереофонический эффект.
Источник (Source)
Становитесь автором сайта, публикуйте собственные статьи, описания самоделок с оплатой за текст. Подробнее здесь.
H13003D Datasheet (PDF)
0.1. h13003d 3.pdf Size:117K _jdsemi
RH13003D www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222
0.2. h13003d 2.pdf Size:116K _jdsemi
RH13003D www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222
0.3. h13003dl.pdf Size:117K _jdsemi
RH13003DL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222
0.4. h13003d.pdf Size:117K _jdsemi
RH13003D www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222
Распиновка
Цоколевка 13003 у большинства производителей выполняется в пластиковым корпусом ТО-126. У компании STMicroelectronics (STM) этот корпус называется SOT-32. Фирменный MJE13003 у компании Motorola имел пластиковый корпус — ТО-225A. Это тот же, немного улучшенный ТО-126, согласно системы стандартизации полупроводниковых приборов Jedec. Три гибких вывода из корпуса ТО-126, если смотреть на маркировку, имеют следующее назначение: самый левый контакт – база; посередине – коллектор; крайний справа – эмиттер.
В статье рассмотрено назначение выводов, встречающееся у большинства производителей, однако бывает и другая – нетипичная распиновка 13003 в ТО-126. У той же STM, если смотреть на прибор как описано выше, эмиттер будет слева, база справа, а коллектор посередине. Аналогичная цоколевка у KSE13003 (Fairchild Semiconductor). Очень редко, но встречаются приборы в корпусе ТО-220. Для наглядности просмотрите рисунок с цоколевкой от разных компаний.
Биполярный транзистор P13003 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: P13003
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
Корпус транзистора: TO126D
P13003
Datasheet (PDF)
0.1. p13003.pdf Size:113K _jdsemi
RP13003 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampCharger and Switch-mode power supplies 222FEATURES 2
0.2. p13003d.pdf Size:116K _jdsemi
RP13003D www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222
0.3. sbp13003o.pdf Size:364K _winsemi
SBP13003-OSBP13003-OSBP13003-OSBP13003-OHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeaturesFeaturesFeaturesFeatures Very High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionG
0.4. wbp13003d.pdf Size:395K _winsemi
WBP13003DWBP13003DWBP13003DWBP13003DHighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistorFeaturessymbolsymbolsymbolsymbol Very High Switching Speed2.Collector High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOA 1.Base Built-in free wheeling diode3.EmitterGeneral DescriptionThis Device is designed for high Voltage ,High speedswitching Characteristics required such
0.5. sbp13003h.pdf Size:445K _winsemi
SBP13003HSBP13003HSBP13003HSBP13003HHigh Voltage Fast -Switching NPN Power TransistorFeaturesVery High Switching Speed High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOAGeneral DescriptionThis Device is designed for high voltage , High speedSwitching characteristics required such as lightingsystem, switching mode power supply.Absolute Maximum RatingsSymbol Parameter
0.6. sbp13003d.pdf Size:560K _winsemi
SBP13003DSBP13003DSBP13003DSBP13003DHigh Voltage Fast -Switching NPN Power TransistorFeaturessymbolsymbolsymbolsymbol Very High Switching Speed2.Collector High Voltage Capability Wide Reverse Bias SOA1.Base Built-in free wheeling diode3.EmitterGeneral DescriptionThis Device is designed for high Voltage ,High speedswitching Characteristics requir
0.7. sbp13003.pdf Size:160K _semiwell
SBP13003SemiWell SemiconductorHigh Voltage Fast-Switching NPN Power TransistorFeaturesSymbol2.Collector- Very High Switching Speed — Minimum Lot-to-Lot hFE Variation1.Base — Short storge time- Wide Reverse Bias S.O.A3.EmitterGeneral DescriptionTO-220This devices is designed for high voltage, high speed switchingcharacteristic,especially suitable for ba
Другие транзисторы… H13003DL
, H13003H
, H13005
, H13005ADL
, H13005D
, H13005DL
, H6084B
, J13003
, A733
, P13003D
, P13009
, P13009A
, P1488
, S13003
, S13003A
, S13003AD
, S13003A-D
.
Модификации и группы
| Тип | PC | UCB | UCE | UBE | IC | TJ | fT | hFE | Группы по hFE | Врем. параметры: ton / tstg / tf мкс | Корпус |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 13001-0 | 0,8 | 700 | 400 | 9 | 0,4 | 150 | ˃ 5 | 8…30 | — | 0,7 / 1,8 / 0,6 | TO-92T |
| 13001-2 | 0,8 | 700 | 400 | 9 | 0,45 | 150 | ˃ 5 | 8…30 | — | 0,7 / 2,0 / 0,6 | TO-92T |
| 13001-A | 0,8 | 600 | 400 | 9 | 0,5 | 150 | ˃5 | 8…30 | — | 0,7 / 2,5 / 0,6 | TO-92T |
| 3DD13001 | 0,75 | 600 | 400 | 7 | 0,2 | 150 | ˃8 | 5…26 | Группы A/B | — / 1,5 / 0,3 | TO-92 |
| 3DD13001A1 | 0,8 | 600 | 400 | 9 | 0,25 | 150 | ˃5 | 15…30 | — | 0,8 / 1 / 1 | TO-92 |
| 3DD13001P | 0,6 | 600 | 400 | 9 | 0,17 | 150 | ˃5 | 15…30 | — | 1 / 3 / 1 | TO-92 |
| 3DD13001P1 | 0,6 | 600 | 400 | 9 | 0,2 | 150 | ˃5 | 15…30 | — | 1 / 3 / 1 | TO-92 |
| 3DD13001A1 | 0,8 | 600 | 400 | 9 | 0,25 | 150 | ˃5 | 15…30 | — | 1 / 3 / 1 | TO-92 |
| ALJ13001 | 1 | 600 | 400 | 7 | 0,2 | 150 | ˃8 | 10…40 | 10 групп без обозначения | — / 1,5 / 0,3 | TO-92 |
| CD13001 | 0,9 | 500 | 400 | 9 | 0,5 | 150 | — | — | 6 групп A/B/C/…/F | — / 1,5 / 0,3 | TO-92 |
| CS13001 | 0,75 | 700 | 480 | 9 | 0,2 | 150 | — | 8…30 | 4 группы без обозначения | — | TO-92 |
| HMJE13001 | 1 | 600 | 400 | 6 | 0,3 | 150 | — | 8…36 | — | — | TO-92 |
| MJ13001A | 0,625 | 500 | 400 | 8 | 0,5 | 150 | ˃10 | 8…40 | — | — | TO-92 |
| MJE13001 | 0,75 | 600 | 400 | 7 | 0,2 | 150 | ˃8 | 10…70 | 12 групп A/B/C…/L | — | TO-92, SOT-89 |
| MJE13001A1 | 0,8 | 600 | 400 | 9 | 0,17 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 1,2 | TO-92 |
| MJE13001A2 | 0,8 | 600 | 400 | 9 | 0,17 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 1,2 | TO-92L |
| MJE13001AH | 1 | 700 | 480 | 9 | 0,3 | 150 | — | 5…30 | — | — / 2 / 0,8 | TO-92(S) |
| MJE13001B1 | 1 | 600 | 400 | 9 | 0,2 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 0,6 | TO-92 |
| MJE13001C1 | 1 | 600 | 400 | 9 | 0,25 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 0,6 | TO-92 |
| MJE13001C2 | 1 | 600 | 400 | 9 | 0,25 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 0,6 | TO-92L |
| MJE13001DE1 | 1 | 600 | 400 | 9 | 0,5 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 0,8 | TO-92 |
| MJE13001E1 | 1 | 600 | 400 | 9 | 0,45 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 0,6 | TO-92 |
| MJE13001E2 | 1 | 600 | 400 | 9 | 0,45 | 150 | ˃5 | 10…40 | — / 3 / 0,6 | TO-92L | |
| MJE13001H | 1 | 700 | 480 | 9 | 0,18 | 150 | — | 5…30 | — | — | TO-92(S) |
| MJE13001P | 0,75 | 600 | 400 | 7 | 0,2 | 150 | ˃8 | 5…70 | 12 групп A/B/C…/L | — / 1,5 / 0,3 | TO-92 |
| SBN13001 | 0,6 | 600 | 400 | 9 | 0.5 | 150 | — | 10…40 | — | — / 2 / 0,8 | TO-92 |
| SXW13001 | 9 | 600 | 400 | — | 0.5 | — | — | 8…70 | — | — | TO-92 |
| SXW13001 | 10 | 600 | 400 | — | 0.5 | — | — | 10…40 | — | — | TO-126 |
| XW13001 | 7 | 600 | 400 | — | 0,25 | — | — | 8…70 | — | — | TO-92 |
| Исполнение SMD | |||||||||||
| MJD13001 | 0,3 | 700 | 400 | 8 | 0,2 | 150 | ˃8 | 10…40 | 6 групп A/B/C/…/F | — / 2,4 / 0,9 | SOT-23 |
| MJE13001A0 | 0,5 | 600 | 400 | 9 | 0,17 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 1,2 | SOT-23 |
| MJE13001AT | 0,8 | 600 | 400 | 9 | 0,17 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 1,2 | SOT-89 |
| MJE13001C0 | 0,65 | 600 | 400 | 9 | 0,25 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 0,6 | SOT-23 |
| MJE13001CT | 1 | 600 | 400 | 9 | 0,25 | 150 | ˃5 | 10…40 | — | — / 3 / 0,6 | SOT-89 |
Примечание. Маркировка:
- MJE13001A0, MJE13001AT — H01A.
- MJE13001C0, MJE13001CT — H01C.
MJE13003G Datasheet (PDF)
0.1. mje13003g.pdf Size:107K _onsemi
MJE13003SWITCHMODEt Series NPNSilicon Power TransistorThese devices are designed for high-voltage, high-speed powerswitching inductive circuits where fall time is critical. They areparticularly suited for 115 and 220 V SWITCHMODE applicationshttp://onsemi.comsuch as Switching Regulators, Inverters, Motor Controls,Solenoid/Relay drivers and Deflection circuits.1.5 AMPERESFeat
0.2. mje13003g6.pdf Size:219K _foshan
MJE13003G6(3DD13003G6) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V
0.3. mje13003g1.pdf Size:212K _foshan
MJE13003G1(3DD13003G1) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V
0.4. mje13003g5.pdf Size:219K _foshan
MJE13003G5(3DD13003G5) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: High frequency electronic lighting ballast applicationsconverters, inverters, switching regulators, etc. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 600 V
H13003H Datasheet (PDF)
0.1. h13003h.pdf Size:111K _jdsemi
RH13003H www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1ChargerComputer aided power and Switch-mode power supplies 222FEATURES
8.1. ksh13003.pdf Size:23K _samsung
KSH13003 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE POWER TRANSISTORD-PAKD-PACK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS High speed Switching Suitable for Switching Regulator Motor Control Straight Lead(I.PACK, I Suffix)1 Lead Formed for Surface Mount Applications(No Suffix)1. Base 2. Collector 3. EmitterABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating UnitI-PAK
8.2. h13003ad 2.pdf Size:116K _jdsemi
RH13003AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222
8.3. h13003adl.pdf Size:117K _jdsemi
RH13003ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222
8.4. h13003.pdf Size:114K _jdsemi
RH13003 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 22
8.5. h13003d 3.pdf Size:117K _jdsemi
RH13003D www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222
8.6. h13003 2.pdf Size:114K _jdsemi
RH13003 www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 22
8.7. h13003adl 2.pdf Size:117K _jdsemi
RH13003ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222
8.8. h13003d 2.pdf Size:116K _jdsemi
RH13003D www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222
8.9. h13003dl.pdf Size:117K _jdsemi
RH13003DL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222
8.10. h13003ad.pdf Size:117K _jdsemi
RH13003AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222
8.11. h13003ah.pdf Size:114K _jdsemi
RH13003AH www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Computer aided power and Switch-mode power supplies 222FEATURES 2 H
8.12. h13003d.pdf Size:117K _jdsemi
RH13003D www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222
8.13. ksh13003a.pdf Size:366K _semihow
KSH13003AKSH13003A SEMIHOW REV.A1,Jan 2008KSH130003AKSH13003AHigh Voltage Switch Mode Applicationsgg pp High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Motor Control1.5 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted30 WattsTO-220CHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT1. Base2. CollectorCollector-Bas
Графические иллюстрации характеристик
Рис. 1. Зависимость времени задержки td и времени нарастания импульса tr от коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.
При измерении времени задержки td установлено напряжение смещения UBE(OFF) = 5 В.
Рис. 2. Зависимость времени сохранения ts и времени спадания импульса tf от величины коллекторной нагрузки IC.
Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.
Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления hFE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки IC.
Зависимость снята для различных значений температуры структуры Tj и напряжений коллектор-эмиттер UCE.
Рис. 4. Изменение падения напряжения на транзисторе UCE при изменении управляющего тока базы IB. Зависимости сняты при различных нагрузках IC и температуре структуры Tj = 25°C.
Рис. 5. Изменение напряжения насыщения на базовом переходе UBE(sat) при разных нагрузках IC и разных температурах структуры Tj. Соотношение токов IC / IB = 3.
Пунктиром показано изменение напряжения включения UBE(ON) при напряжении на коллекторе UCE = 2 В.
Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от коллекторного тока IC при различных температурах и соотношении токов IC/ IB = 3.
Рис. 7. Область выключения транзистора. Зависимость коллекторного тока IC от напряжения база-эмиттер UBE.
Характеристика снята при разных температурах Tj структуры и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 250 В.
FORWARD – напряжение база-эмиттер приложено в прямом направлении.
REVERS — напряжение база-эмиттер приложено в обратном направлении.
Рис. 8. Зависимости входной емкости Cib перехода эмиттер-база и выходной емкости Cob коллекторного перехода от величины обратного приложенного напряжения. Температура структуры Tj= 25°С.
Рис. 9. Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке.
Предельные токи ограничены: значением максимального постоянного тока IC = 1,5 А и максимального импульсного тока ICM = 3,0 А.
При этих значениях тока разрушаются паяные соединения подводящих проводов со слоями п/п структуры. Показано штрихпунктирной линией.
Предельные напряжения ограничены максимальным рабочим напряжением UCEO(SUS) = 400 В.
Общее тепловое разрушение структуры наступает при превышении ограничений по току и напряжений, показанных пунктирной линией.
Сплошная линия обозначает ограничения, связанные с вторичным необратимым пробоем п/п структуры транзистора. Во всех режимах работы линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ограничений.
Рис. 10. Ограничение величины рассеиваемой мощности (нагрузки) транзистора при возрастании температуры окружающей среды Ta.
Характеристика снята для условий работы на резистивную нагрузку.
Рис. 11. Область безопасной работы транзистора с обратным смещением для случая с введенными ограничениями перенапряжений.
Предельное ограничение по напряжению (перенапряжению) UCLAMP = 700 В.
Величины напряжений обратного смещения UBE(OFF) соответственно 9 В, 5 В, 3 В и 1,5 В.
Характеристики построены для температуры структуры в пределах 100°С и при токе базы IB1 = 1 А.
Такая ОБР с обратным смещением характерна для схем работы транзистора на индуктивную нагрузку.
В этих режимах работы, линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ОБР ограничений.
Маркировка
Цифры “13001” на корпусе дают общее представление об этом полупроводниковом устройстве. Многие производители маркируют так свои изделия из-за отсутствия места на корпусе ТО-92, не указывая при этом префикс в начале. В статье приведены технические характеристики устройств малоизвестных в России производителей DGNJDZ, Semtech Electronics, YFWDIODE. Указанные производители в своих даташитах не указывают дополнительных символов маркировки. Без дополнительных обозначений маркирует свой транзистор TS13001 тайваньская компания TSMC. Первые две литеры “TS” являются аббревиатурой первых двух слов в полном названии компании Taiwan Semiconductor Manufacturing Company. В тоже время, на рыке достаточно широко представлены транзисторы mje13001, которые тоже промаркированы цифрами 13001. SHENZHEN JTD ELECTRONICS и многие другие производители применяют s13001 s8d при маркировке своих девайсов. Встречаются и другие префиксы, не рассмотренные в статье. Многие продавцы не заморачиваясь с маркировкой в наименовании товара, указывают все возможные его типы вместе с датой производства.
Похожие записи:
Как выставить зажигание с помощью стробоскопа?
Сигнализация действия защиты и автоматики
Подключение потолочного светильника со светодиодами
Маркировка smd компонентов: кодовые обозначения
Как сделать веб-приложение для вашего собственного bluetooth low energy девайса?
Как подключить усилитель в машине