Кт819 характеристики транзистора, datasheet, цоколевка и аналоги

Содержание

Технические характеристики

КТ819Г(ГМ) самые мощные транзисторы в серии. У них наибольшая, по сравнению с другими, максимальная мощность рассеивания до 60 Вт (до 100 Вт) и величина пропускаемого напряжения (до 100 В). Вместе с тем самый низкий коэффициент усиления по току (H_21Э) до 12.

Максимальные параметры

Приведем предельные эксплуатационные параметры КТ819Г подробней (в скобках данные для КТ819ГМ, если значения не совпадают):

постоянное напряжение между: К-Б до 60В (до 100В); К-Б до 5В;
коллекторный ток: до 10А (до 15А); импульсный до 15А (до 20А);
базовый ток: до 3А; импульсный до 5А;
мощность рассеиваемая на коллекторе: до 100Вт (с радиатором); до 2Вт (без теплоотвода);
температуры: кристалла до +125 oC; окружающей среды -45 до +100 oC.

Как видно из представленных данных, максимальная рассеваемая мощность P_К устройства заметно снижается если не использовать радиатор. Так, для КТ819Г при температуре окружающей среды более +25 °C она уменьшается на 0.6 Вт/°С (1 Вт/°С) с теплоотводом и на 0,015 Вт/°С (0,02 Вт/°С) без него.

Электрические параметры

Как известно, предельно допустимые значения не стоит превышать, в таких случаях с большой вероятностью выйдет из строя. Поэтому, в техописаниях кроме них приведены номинальные величины при которых допускается нормальная работа устройства. Они указываются в разделе – электрических характеристик.

Приведем значения электрических параметров КТ819Г(ГМ,Г1). Они представлены в даташит с учётом температуры вокруг изделия не более +25oC. В графе «режимы измерения» указаны условия, при которых они были получены.

Технические характеристики

Семейство кремниевых биполярных транзисторов КТ819, в зависимости от модификации, могут иметь следующие предельные эксплуатационные характеристики:

напряжение между: коллектором и базой от 25 до 60 В; коллектором и эмиттером (при R_БЭ ≤ 100 Ом) от 40 до 100 В; базой и эмиттером – 5 В;
постоянный ток на коллекторе от 10 до 15 А; проходящий через базу – 3 А;
импульсный ток (при t_и ≤ 10 мс, Q ≥ 100): коллектора от 15 до 20 А; базы– 5 А;
максимальная рассеиваемая мощность (при Т_К≤ 25 oC) с теплоотводом от 60 до 100 Вт и без него от 1,5 до 3 Вт;
температура p-n перехода от +125 до +150 oC;
диапазон рабочих температур от -45 до +150 oC;

Основные параметры представлены в документации от производителя. Значения приводятся с учетом температуры окружающей среды не более +25 oC. Рассмотрим их подробнее, в зависимости от классификации устройств.

В связи с тем, что транзистор устарел, современные производители указывают в его техописании только минимальный набор параметров. Более подробную информацию по серии можно найти в старой версии даташит. Там данные приведены вместе с графиками передаточных характеристик, зависимостями статического коэффициента усиления от тока эмиттера и др.

Маркировка

Изучая параметры КТ819, стоит знать и другую маркировку этой серии транзисторов. Выполняя условия отраслевого стандарта ОСТ 11.336.919-81 различные отечественные производители обозначали его так — 2Т819. Первые символы «2T» указывают на кремневые биполярные транзисторы. В старых технических описаниях данные об этих устройствах приводят вместе с рассматриваемыми в этой статье.

Технические характеристики

Сначала рассмотрим предельно допустимые характеристики. В них приведены максимальные значения, превышать которые нельзя, так как транзистор выйдет из строя. Стандартная температура, при которой производились измерения равна 25°С. Вот они:

напряжение К-Б:
2Т819(А) U_{КБ max}= 25 В;
2Т819(Б) U_{КБ max}= 40 В;
2Т819(В_ U_{КБ max}= 60 В;
напряжение К-Э (R_БЭ ≤ 100 Ом, Т = Т_мин – 323 К)
КТ819(А, АМ) U_{КЭ max} = 40 В;
2Т819(Б) U_{КЭ max} = 80 В;
КТ819(Б, БМ) U_{КЭ max} = 50 В;
КТ819(В, ВМ) U_{КЭ max} = 70 В;
2Т819(В) U_{КЭ max} = 60 В
2Т819(А), КТ819(Г, ГМ) U_{КЭ max} = 100 В.
напряжение Б-Э U_{ЭБ max} = 5 В;
постоянный ток через коллектор
КТ819(А, Б, В, Г) I_{K max} = 10 А;
2Т8І9(А, Б, В), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) I_{K max} = 15 А.
импульсный ток через коллектор (t_и < 10 мс. Q ≥ 100)
КТ819(А, Б, В, Г) I_{К , и max} = 15 А;
2Т8І9(А, Б, В), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) I_{К , и max} = 20 А.
ток через базу I_{Б max} = З А;
импульсный через ток базу (t_и < 10 мс, Q > 100) I_{Б и max} = 5 А;
мощность (с теплоотводом при Т_к ≤ 298 К)
КТ819(А, Б, В, Г) P_{K Т max} = 60 Вт;
2Т8І9(А, Б, В), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) P_{K Т max} = 100 Вт.
мощность (без теплоотвода при Т_к ≤ 298 К)
КТ819(А, Б, В, Г) P_K = 1,5 Вт;
2Т8І9(А, Б, В) P_K = 3 Вт;
КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) P_K = 2 Вт.
т-ра перехода
2Т8І9(А, Б, В) T_п= 423 К;
КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) T_п = 398 К.

Для того, чтобы понять возможности транзистора, нужно рассмотреть также и его электрические характеристики. Они так же, как и в предыдущем случае измерялись при температуре +25°С. Все остальные параметры приведены рядом с результатами тестирования.

граничное напряжение (I_К = 0,1 А, t_И ≤ 300 мкс, Q ≥ 100)
KT8I9(A, АМ) U_КЭО_гр ≤ 25 В;
КТ819(Б, БМ), 2Т819(В) U_{КЭО гр} ≤ 40 В;
КТ819(В, ВМ), 2Т819(Б) U_{КЭО гр} ≤ 60 В;
КТ819(Г, ГМ), 2Т819(А) U_{КЭО гр} ≤ 60 В.
напряжение насыщения К – Э

при I_К = 5 А, I_Б = 0,5 А:

2Т8І9(А, Б, В) U_{КЭ нас} = 1 В;
КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) U_{КЭ нас} = 2 В.

при I_К = 20 А, I_Б = 4 А:

2Т8І9(А, Б, В) UКЭ нас = 5 В;

при I_К = 15 А, I_Б = 3 А:

КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) U_{КЭ нас} = 4 В.
напряжение насыщения база-эмиттер (I_К = 5 А, I_Б = 0,5 А)
2Т8І9(А, Б, В) U_{БЭ нас} = 1,5 В;
КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) U_{БЭ нас} = 3 В.
Статический к-т передачи тока в схеме с ОЭ (U_КБ = 5 В, I_К = 5 А),

при Т = 298 К и Т= Т_{к макс}:

2Т8І9(А, Б, В) h_21э = 20;
KT8I9(A, В, AM, ВМ) h₂₁_э = 15;
КТ819(Б, БМ) h_21э = 20;
КТ819(Г, ГМ) h_21э = 12.

при Т =213 К:

2Т8І9(А, Б, В) h21э = 9;

при Т = 233 К

KT8I9(A, В, AM, ВМ) h₂₁_э = 10;
КТ819(Б, БМ) h_21э = 15;
КТ819(Г,(ГМ) h_21э = 7.
частота к-та передачи в схеме с ОЭ при U_КБ=5 В, I_э = 05 А f_гр = 3 (min), 5 (typ), 12 (max) МГц;
время выкл. (I_К = 5 А, I_Б = 0,5 А) t_вкл = 2,5 мкс;
ёмкость на коллекторе (U_КБ=5 В) c_к = 360 (min), 600 (typ), 1000 (max) пФ;
пробивное напряжение К-Б (Т = 213 — 298 К, I_К,= 1 мА)
2Т819(А) U_{КБО проб} = 100 В;
2Т8І9(Б) U_{КБО проб} = 80 В;
2T8I9(B) U_{КБО проб} = 60 В.
Обратный ток через коллектор при (U_КБ =40 В)
КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) I_КБО = 1 мА.

Аналоги

Чаще всего аналог КТ819Г ищут из-за выхода их из строя, в выходных каскадах старых советских усилителей, в которых он работает вместе с КТ818Г. Иногда такое происходит сразу в нескольких каналах. Обычно безуспешно перебрав большое количество таких транзисторов в поисках равного по коэффициенту усиления H_21Э, останавливаются на импортных устройствах (в скобках комплементарные пары): MJ15023(MJ15022), 2SC5200 (2SA1943), TIP41(TIP42). В остальных случаях замену, в зависимости от схемы и решаемых задач, можно подобрать из любых похожих по характеристикам. Например, из зарубежных: TIP41C, 2N3055, 2N6292, BD711, MJ3001, BD243. Из отечественных: КТ834, КТ841, КТ847, КТ729А.

Распиновка

Цоколевка КТ819 зависит от его назначения. В советские времена устройство выпускали в двух вариантах корпусов: пластиковом КТ-28 (аналог зарубежного ТО-220) и металлостеклянном КТ-9(ТО-3). В настоящее время такое разделение продолжается и встречается в некоторых технических описаниях. Рассмотрим поподробней расположение выводов у указанного транзистора в пластмассовой упаковке КТ-28, cлева на право у него: эмиттер (Э), коллектор (К), база (Б).

Подобные устройства, особенно в металлическом корпусе, встречаются на российском рынке с каждым годом все реже. Это происходит из-за практически полного сокращения их производства в нашей стране и наличия в большом количестве недорогих аналогов от зарубежных компаний. Вот так выглядит КТ819 в корпусе КТ-9.

Если смотреть на него снизу, то база расположена слева, эмиттер справа. Металлическая подложка-корпус — это коллектор. Рассмотрим другие данные этой серии полупроводниковых триодов.

Транзистор кт819

Технические характеристики

Максимальные параметры

Электрические параметры

Технические характеристики

Маркировка

Технические характеристики

Аналоги

Распиновка

Похожие записи: