Содержание
Характеристики популярных аналогов
Наименование производителя: 2N5153
- Тип материала: Si
- Полярность: PNP
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
- Корпус транзистора: TO39
Наименование производителя: 2N5153-220M
- Тип материала: Si
- Полярность: PNP
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
- Корпус транзистора: TO252
Наименование производителя: 2N5153S
- Тип материала: Si
- Полярность: PNP
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
- Корпус транзистора: TO39
Наименование производителя: 2N5153SM
- Тип материала: Si
- Полярность: PNP
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
- Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
- Корпус транзистора: TO252
Наименование производителя: 2N5153SMD
- Тип материала: Si
- Полярность: PNP
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
- Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
- Корпус транзистора: TO-276AB
Цоколевка
Распиновка у серии КТ825 (он же 2Т825) представлена на рисунке. В первую очередь она зависит от корпусного исполнения устройства. В настоящее время этот транзистор производятся в двух типах корпусов: металлическом со стеклянными изоляторами КТ-9 (ГОСТ 18472-88) и пластиковом ТО-220.
Оба корпуса имеют три жестких вывода со следующим назначением: эмиттер (Э), база (Б), коллектор (К). Конструктивно контакт «К» в таком исполнении физически соединен с металлической частью, которой транзистор крепится на радиатор.
Существуют и бескорпусные версии этого транзистора. Они выпускаются в виде кристаллов неразделенных на пластине с контактными площадками для монтажа внутри гибридных интегральных микросхем. Масса кристалла без герметичной упаковки и выводов не превышает 0,025 гр. Такие устройства представлены у производителей с маркировкой на этикетке — 2Т825A-5.
Транзисторы серии КТ825, 2Т825
По своим техническим характеристикам транзисторы серии КТ825 подходят для использования в различных усилительных и коммутационных схемах. Встречаются в старых стабилизаторах напряжения, безконактных системах зажигания и управления двигателями. Кремниевые, изготавливаются по мезапланарной технологии и имеют p-n-p-структуру. Являются составными, т.е. сделанными по схеме Дарлингтона, имеющими большой статический коэффициент усиления по току (H21э до 25000) и способность прогонять через себя большие напряжения и токи. Основные свойства этого популярного полупроводникового прибора, разработанного еще в советские времена, примерно в конце 80-х, приведены в данной статье.
Транзисторы – купить. или найти бесплатно.
Где сейчас можно найти советские транзисторы? В основном здесь два варианта – либо купить, либо – получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.
Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки – можно купить. Если же нет – всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».
Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника – можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее. Транзисторы КТ814 можно найти в магнитофонах – «Весна 205-1», «Вильма 204 стерео», Маяк 240С-1, Маяк 233, Ореанда 204С и. т. д.
Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
КТ814 – кремниевый биполярный p-n-p транзистор низкочастотный средней мощности, в пластмассовом корпусе TO-126, либо в корпусе D-PAK для поверхностного монтажа (в наименовании суффикс 9, например, КТ814А9).
Назначение: КТ814 -транзистор широкого применения для использования в ключевых и линейных схемах.
Типы: КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г
Комплементарная пара: КТ815 (npn транзистор с такими же характеристиками)
Аналог: BD136, BD138, BD140
Цоколевка КТ814: Э-К-Б , смотри рисунок
Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)
Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров)
Технические характеристики
Вначале рассмотрим предельные эксплуатационные данные. Они являются основными при выборе и при подборе устройства для замены. При превышении данных параметров, даже в течение небольшого промежутка времени, изделие может выйти из строя. Приведём характеристики для КТ818Г:
- напряжение К – Б (постоянное) – 80 В;
- постоянное напряжение К – Э (Rбэ ≤ 100 Ом) – 90 В;
- постоянное напряжение Б – Э – 5 В;
- постоянный ток коллектора – 10 А;
- кратковременный ток коллектора – 15 А;
- постоянный ток базы – 3 А;
- импульсный ток базы – 5 А;
- мощность, рассеиваемая на коллекторе:
- с теплоотводом – 60 Вт;
- без теплоотвода – 1,5 Вт;
- температура кристалла — +125ОС;
- диапазон рабочих температур – от -40 до +100 ОС;
Электрические параметры также содержат важную и интересную информацию о рассматриваемом изделии. От них зависят функциональные возможности КТ818Г:
- статический коэффициент передачи тока (UКБ = 5 В, IК = 5 А) – 12;
- граничная частота коэффициента передачи тока (UКБ = 5 В, IЭ = 0,5 А) – 3 МГц;
- граничное напряжение (IЭ = 0,1 А) – 80 В;
- напряжение К-Э (при IК = 5 А, IБ = 0,5 А) – 2 В;
- напряжение К-Э (IК = 20 А, IБ = 5 А) – 0,7 В;
- напряжение Б-Э (IК = 5 А, IБ = 0,5 А) – 3 В;
- напряжение Б-Э (IК = 20 А, IБ = 5 А) – 1,6 В;
- пробивная разность потенциалов Б-Э (IЭ = 5 мА) – 5 В;
- обратный ток коллектора (UКБ = 40 В):
- Т = от -40 до +25 ОС – 1 мА;
- Т = +100 ОС – 10 мА;
- время включения (UКБ = 5 В, IК = 0,5 А) – 2,5 мкс;
- ёмкость коллекторного перехода (UКБ = 5 В, f = 1 МГц) – 400 пФ;
- ёмкость эмиттерного перехода (UБЭ = 0,5 В, f = 1 МГц) – 2000 пФ.
Похожие записи:
Активное, емкостное и индуктивное сопротивление. закон ома для цепей переменного тока
Ретро проводка в современном доме
Где используется фидерный кабель
Маркировка smd компонентов: кодовые обозначения
Как сделать веб-приложение для вашего собственного bluetooth low energy девайса?
Как подключить усилитель в машине