Транзистор кт814: аналоги, характеристики, схемы, чем заменить

Содержание

Меры безопасности

Меры предосторожности при монтаже подобных устройств стандартные и обычно не вызывают вопросов у начинающих радиолюбителей. В техописании указывается на недопустимость давления на корпус при осуществлении изгибов металлических выводов

Пайка разрешена на расстоянии не ближе 5 мм от пластиковой упаковки. Температура припоя должна быть ниже +250 °C, с интервалом теплового воздействия на каждый контакт не превышающем 2 секунд.

Не стоит превышать предельно допустимые эксплуатационные параметры, указанные в техописании, при работе устройства. При длительной эксплуатации на максимальных значениях оно может выйти из строя.

Datasheet Download — INTEGRAL

Номер произв
KT814

Описание
PNP Transistor
Производители
INTEGRAL
логотип

 

1Page
No Preview Available !
КТ814

p-n-p кремниевый

биполярный транзистор
Назначение

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в

ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Зарубежные прототипы

• Прототип КТ814Б — BD136

• Прототип КТ814В — BD138

• Прототип КТ814Г — BD140

Особенности

• Диапазон рабочих температур корпуса от — 60 до + 125°C

• Комплиментарная пара – КТ815

Обозначение технических условий

• аАО. 336.184 ТУ / 02

Корпусное исполнение

• пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126) – КТ814А, Б, В, Г

• пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK) — КТ814А9, Б9, В9, Г9

Назначение выводов
Вывод

(корпус КТ-27)

№1

№2

№3

Назначение

(корпус КТ-27)

Эмиттер
Коллектор
База
Вывод

(корпус КТ-89)

№1

№2

№3

КТ-27

КТ-89

Назначение

(корпус КТ-89)

База
Коллектор
Эмиттер

КТ814 (январь 2011г., редакция 1.0)

1

No Preview Available !
Таблица 1. Основные электрические параметры КТ814 при Токр. среды = 25 °С

Паpаметpы

Граничное напряжение колл-эмит

КТ814А, А9

КТ814Б, Б9

КТ814В, В9

КТ814Г, Г9

Обратный ток коллектора

КТ814А, А9, Б, Б9

КТ814В, В9, Г, Г9

Обратный ток коллектор-эмиттер

КТ814А, А9, Б, Б9

КТ814В, В9, Г, Г9

Статический коэффициент передачи тока

КТ814А, А9, Б, Б9, В, В9

КТ814Г, Г9

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Обозна-

чение

Uкэо гp.

Ед. измеp

B

Режимы измеpения

Iэ=50mA,

tи=0,3 — 1 мс

Iкбо

Iкэr

h21э

Uкэ нас

мкА

Uкэ=50 В

Uкэ=65 В

мкА

Uкэ=50 В, Rбэ≤100 Ом

Uкэ=65 В, Rбэ≤100 Ом

Uкб=2 B, Iэ=0,15A

В Iк=0,5 A, Iб=50 мA

Min Max
30
45
65
85
50
50
100
100
40 275
30 275
0,6

Таблица 2. Предельно допустимые электрические режимы КТ814

Параметры

Напряжение коллектор-эмиттер (Rэб≤100Ом)

КТ814А, А9

КТ814Б, Б9

КТ814В, В9

КТ814Г, Г9

Напряжение эмиттер-база

Постоянный ток коллектора
Импульсный ток коллектора
Максимально допустимый постоянный ток базы
Рассеиваемая мощность коллектора
Температура перехода
Обозначение

Uкэ max

Uэб max

Iк max

Iки max

Iб max

Pк max

Tпер

Единица измер.

В
В
А
А
А
Вт
°C
Значение
40
50
70
100
5
1,5
3
0,5
10
150

КТ814 (январь 2011г., редакция 1.0)

2

No Preview Available !
ОАО «ИНТЕГРАЛ», г

Минск, Республика Беларусь

Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой

учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.

ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик

изделий без предварительного уведомления.

Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные прототипы не подразумевают

полного совпадения конструкции иили технологии

Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является

ближайшим или функциональным аналогом.

Контактная информация предприятия доступна на сайте

http://www.integral.by

КТ814 (январь 2011г., редакция 1.0)

3

Всего страниц
3 Pages
Скачать PDF

Технические характеристики

Технические характеристики транзистора КТ815 зависят от группы, которая обозначается символом в конце маркировки. Рассмотрим первый, самый слабый по своим параметрам, относительно других устройств — КТ815А. Он имеет следующие максимально допустимые режимы эксплуатации:

  • предельно допустимое постоянное напряжение между: К-Э до 40 В (RЭБ ≤ 100 Ом); Э-Б до 5 В;
  • коллекторный ток: постоянный до 1.5 А; импульсный до 3 А;
  • ток базы до 0.5 А;
  • мощность рассеиваемая на коллекторе: до 10 Вт (c теплотводом); до 1 Вт (без отвода тепла);
  • температура p-n-перехода до +150 °C;
  • диапазон рабочих температур вокруг корпуса -60 … +125 °C.

В техническом описании производители не указывают граничную частоту коэффициента передачи тока (fT). В некоторых справочниках для серии КТ815, считающейся низкочастотной, она указана на уровне до 3 МГц.

Другие устройства в серии, отличаются большими напряжениями между выводами К-Э (до 100 В для группы «Г») и немного другими режимами измерений. Подробнее об этом рассмотрено в статьях про КТ815Б, КТ815Г.

Электрические

Основные электрические параметры КТ815А, при температуре окружающей среды до +25 °C (±10 °C), представлены ниже. В отдельном столбце приведены режимы измерения (тестирования в процессе производства).

Обратите внимание на большой диапазон возможных знамений статического коэффициента передачи ток (H21Э от 40 до 275). С таким разбросом достаточно тяжело подобрать комплементарную пару, поэтому многие радиолюбители давно отказались от использования этого транзистора в своих схемах

Комплементарники

Для каждой из групп КТ815 разработана своя комплиментарная пара, относящаяся к серии отечественных транзисторов — КТ814. По своим свойствам и характеристикам, кроме структуры с p-n-p-проводимостью, она очень похожа на рассмотренный. В паре эти два транзистора часто встречаются в схемах предкаскадов усиления мощности, а также стабилизаторах напряжения для питания небольшой нагрузки.

Качественный аналог для КТ815 подобрать трудно, особенно если он работает по схеме вместе с другим транзистором. В связи с большим разбросом параметров по H21Э и вероятностью брака даже в новых белорусских образцах, его чаще всего меняют на зарубежный BD139. Именно он указан в даташите как импортный прототип. Также в качестве возможной альтернативы можно рассмотреть такие устройства: BD13910STU, BD135, BD137, BD165-BD169(ТО-126), TIP29C(ТО-220), КТ-817.

Таблица 1 – Краткие технические характеристики транзисторов КТ315 и КТ315-1

Тип Структура PК max, PК* т. max, мВт fгр, МГц UКБО max, UКЭR*max, В UЭБО max, В IК max, мА IКБО, мкА h21э, h21Э* CК, пФ rКЭ нас, Ом rб, Ом τк, пс
KT315A1 n-p-n 150 ≥250 25 6 100 ≤0,5 20…90 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Б1 n-p-n 150 ≥250 20 6 100 ≤0,5 50…350 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315В1 n-p-n 150 ≥250 40 6 100 ≤0,5 20…90 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Г1 n-p-n 150 ≥250 35 6 100 ≤0,5 50…350 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Д1 n-p-n 150 ≥250 40 6 100 ≤0,5 20…90 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Е1 n-p-n 150 ≥250 35 6 100 ≤0,5 20…90 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Ж1 n-p-n 100 ≥250 15 6 100 ≤0,5 30…250 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315И1 n-p-n 100 ≥250 60 6 100 ≤0,5 30 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
KT315Н1 n-p-n 150 ≥250 20 6 100 ≤0,5 50…350 (10 В; 1 мА) ≤7
KT315Р1 n-p-n 150 ≥250 35 6 100 ≤0,5 150…350 (10 В; 1 мА) ≤7
КТ315А n-p-n 150 (250*) ≥250 25 6 100 ≤0,5 30…120* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤300
КТ315Б n-p-n 150 (250*) ≥250 20 6 100 ≤0,5 50…350* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤500
КТ315В n-p-n 150 (250*) ≥250 40 6 100 ≤0,5 30…120* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤500
КТ315Г n-p-n 150 (250*) ≥250 35 6 100 ≤0,5 50…350* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤40 ≤500
КТ315Д n-p-n 150 (250*) ≥250 40* (10к) 6 100 ≤0,6 20…90 (10 В; 1 мА) ≤7 ≤30 ≤40 ≤1000
КТ315Е n-p-n 150 (250*) ≥250 35* (10к) 6 100 ≤0,6 50…350* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤30 ≤40 ≤1000
КТ315Ж n-p-n 100 ≥250 20* (10к) 6 50 ≤0,6 30…250* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤25 ≤800
КТ315И n-p-n 100 ≥250 60* (10к) 6 50 ≤0,6 ≥30* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤45 ≤950
КТ315Н n-p-n 150 ≥250 35* (10к) 6 100 ≤0,6 50…350* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤5,5 ≤1000
КТ315Р n-p-n 150 ≥250 35* (10к) 6 100 ≤0,5 150…350* (10 В; 1 мА) ≤7 ≤20 ≤500

Примечание: 1. IКБО – обратный ток коллектора – ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера, измеренный при UКБ = 10 В; 2. IК max – максимально допустимый постоянный ток коллектора; 3. UКBO max – пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе кол- лектора и разомкнутой цепи эмиттера; 4. UЭБO max – пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора; 5. UКЭR max – пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер; 6. РК.т max – постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом; 7. PК max – максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора; 8. rб – сопротивление базы; 9. rКЭ нас – сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером; 10. CК – емкость коллекторного перехода , измеренная при UК = 10 В; 11. fгp – граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы общим эмиттером; 12. h2lэ – коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме мало сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно; 13. h2lЭ – статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала; 14. τк – постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.

Транзистор КТ815: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

Транзистор КТ815 – биполярный, кремневый эпитаксиально-планарный, имеющий структуру n-p-n. Данный транзистор применяется в схемах усилителей низкой частоты (УНЧ), в дифференциальных и операционных усилителях, в импульсных устройствах и различных преобразователей. Транзистор КТ815 выполнен в пластмассовом корпусе и имеет жесткие выводы.

Параметры КТ815 транзистора

  • Uкбо — max разрешенное напряжение коллектор-база
  • Uкбо(и) — max разрешенное напряжение (импульсное) коллектор-база
  • Uкэо — max разрешенное напряжение коллектор-эмиттер
  • Uкэо(и) — max разрешенное напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
  • Iкmax — max разрешенный ток коллектора
  • Iкmax(и) — max разрешенный ток (импульсный) коллектора
  • Pкmax — max разрешенная стабильная рассеиваемая мощность коллектора без радиатора
  • Pкmax т — max разрешенная стабильная рассеиваемая мощность коллектора с радиатором
  • h21э — статический коэффициент передачи тока транзистора КТ815 в схеме с ОЭ (общий эмиттер)
  • Iкбо — обратный ток коллектора
  • fгр — граничная частота h21э в схеме с общим эмиттером
  • Uкэн — напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Габаритные и установочные размеры транзистора КТ815

При монтаже допускается сгибать выводы не ближе 5 миллиметров от самого корпуса транзистора и желательно с радиусом закругления не менее 2 мм. Так же необходимо исключить передачу усилия при сгибании выводов на корпус транзистора.

Производить пайку контактов транзистора следует не ближе 5 мм от корпуса. Температура пайки не более 250 гр. при погружении выводов в припой на период не более 2 сек.

Ниже представлена цоколевка транзистора КТ815 в корпусе КТ-27 (ТО-126)

Согласно маркировке: цифра 5 указывает на тип транзистора (КТ815), буква А – группа, U2 – дата выпуска.

Аналоги транзистора КТ815

Транзистор Кт815 возможно заменить на отечественный аналог: КТ8272, КТ961, либо на его зарубежный аналог: BD135, BD137, BD139, TIP29A

Скачать datasheet КТ815

Транзисторы серии КТ825, 2Т825

По своим техническим характеристикам транзисторы серии КТ825 подходят для использования в различных усилительных и коммутационных схемах. Встречаются в старых стабилизаторах напряжения, безконактных системах зажигания и управления двигателями. Кремниевые, изготавливаются по мезапланарной технологии и имеют p-n-p-структуру. Являются составными, т.е. сделанными по схеме Дарлингтона, имеющими большой статический коэффициент усиления по току (H21э до 25000) и способность прогонять через себя большие напряжения и токи. Основные свойства этого популярного полупроводникового прибора, разработанного еще в советские времена, примерно в конце 80-х, приведены в данной статье.

Транзисторы – купить. или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы? В основном здесь два варианта – либо купить, либо – получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки – можно купить. Если же нет – всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника – можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее. Транзисторы КТ814 можно найти в магнитофонах – «Весна 205-1», «Вильма 204 стерео», Маяк 240С-1, Маяк 233, Ореанда 204С и. т. д.

Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

КТ814 – кремниевый биполярный p-n-p транзистор низкочастотный средней мощности, в пластмассовом корпусе TO-126, либо в корпусе D-PAK для поверхностного монтажа (в наименовании суффикс 9, например, КТ814А9).

Назначение: КТ814 -транзистор широкого применения для использования в ключевых и линейных схемах.

Типы: КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г

Комплементарная пара: КТ815 (npn транзистор с такими же характеристиками)

Аналог: BD136, BD138, BD140

Цоколевка КТ814: Э-К-Б , смотри рисунок

Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)

Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров)

Транзисторы — купить. или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы? В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее. Транзисторы КТ814 можно найти в магнитофонах — «Весна 205-1», «Вильма 204 стерео», Маяк 240С-1, Маяк 233, Ореанда 204С и. т. д.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Datasheet Download — Integral

Номер произв
KT816

Описание
PNP Transistor
Производители
Integral
логотип

 

1Page
No Preview Available !
КТ816

p-n-p кремниевый

биполярный транзистор
Назначение

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в

ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Зарубежные прототипы

• Прототип КТ816Б – BD234

• Прототип КТ816В – BD236

• Прототип КТ816Г – BD238

Особенности

• Диапазон рабочих температур корпуса от — 60 до + 150°C

• Комплиментарная пара – КТ817

Обозначение технических условий

• аАО. 336.186 ТУ / 02

Корпусное исполнение

• пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126) – КТ816А, Б, В, Г

• пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK) — КТ816А9, Б9, В9, Г9

Назначение выводов
Вывод

(корпус КТ-27)

№1

№2

№3

Назначение

(корпус КТ-27)

Эмиттер
Коллектор
База
Вывод

(корпус КТ-89)

№1

№2

№3

КТ-27

КТ-89

Назначение

(корпус КТ-89)

База
Коллектор
Эмиттер

КТ816 (январь 2011г., редакция 1.0)

1

No Preview Available !
Таблица 1. Основные электрические параметры КТ816 при Токр. среды = 25 °С

Паpаметpы

Граничное напряжение колл-эмит

КТ816А, А9

КТ816Б, Б9

КТ816В, В9

КТ816Г, Г9

Обратный ток коллектора

КТ816А, А9

КТ816Б, Б9

КТ816В, В9

КТ816Г, Г9

Обратный ток коллектор-эмиттер

КТ816А, А9

КТ816Б, Б9

КТ816В, В9

КТ816Г, Г9

Статический коэффициент передачи тока

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Обозна-

чение

Uкэо гp.

Iкбо

Iкэr

h21э

Uкэ нас

Ед. изм. Режимы измеpения Min

B Iэ=0,1A, tи=0,3÷1 мс

25
45
60
80
мкА

Uкэ=40 В

Uкэ=45 В

Uкэ=60 В

Uкэ=100 В


мкА

Uкэ=40 В, Rбэ≤ 1 кОм —

Uкэ=45 В, Rбэ≤ 1 кОм

Uкэ=60 В, Rбэ≤ 1 кОм

Uкэ=100В, Rбэ≤ 1 кОм



Uкб=2 B, Iэ=1A

25

В Iк=1 A, Iб=0,1A


Max



100
100
100
100
200
200
200
200
275
0,6

Таблица 2. Предельно допустимые электрические режимы КТ816

Параметры

Напряжение коллектор-эмиттер (Rэб ≤ 1кОм)

КТ816А, А9

КТ816Б, Б9

КТ816В, В9

КТ816Г, Г9

Напряжение эмиттер-база

Постоянный ток коллектора
Импульсный ток коллектора
Максимально допустимый постоянный ток базы
Рассеиваемая мощность коллектора
Температура перехода
Обозначение

Uкэ max

Uэб max

Iк max

Iки max

Iб max

Pк max

Tпер

Единица

измер.

В
В
А
А
А
Вт
°C
Значение
40
45
60
100
5
3
6
1
25
150

КТ816 (январь 2011г., редакция 1.0)

2

No Preview Available !
ОАО «ИНТЕГРАЛ», г

Минск, Республика Беларусь

Внимание! Данная техническая спецификация является ознакомительной и не может заменить собой

учтенный экземпляр технических условий или этикетку на изделие.

ОАО “ИНТЕГРАЛ” сохраняет за собой право вносить изменения в описания технических характеристик

изделий без предварительного уведомления.

Изображения корпусов приводятся для иллюстрации. Ссылки на зарубежные прототипы не подразумевают

полного совпадения конструкции иили технологии

Изделие ОАО “ИНТЕГРАЛ” чаще всего является

ближайшим или функциональным аналогом.

Контактная информация предприятия доступна на сайте

http://www.integral.by

КТ816 (январь 2011г., редакция 1.0)

3

Всего страниц
3 Pages
Скачать PDF

Распиновка

Цоколевка для всей серии КТ815 одинаковая. Транзистор широко распространен в пластиковом корпусе для дырочного монтажа — КТ-27 (зарубежный аналог ТО-126). Если смотреть на его цифро-буквенное обозначение, то первая ножка слева — этоэмиттер (Э), вторая – коллектор (К), третья –база (Б). Для крепления к теплоотводу имеется отверстие (3 мм). Масса таких изделий не превышает 1 грамма.

Данный транзистор также встречается для поверхностного монтажа КТ-89 (он же импортный DPAK). В данном решении он имеет следующую распиновку – Б.К.Э. (коллектор сверху). Сейчас это редкость, выпускается исключительно в Белоруссии на предприятиях ОАО «ИНТЕГРАЛ».

Вывод коллектора у данных электронных компонентов, в обоих типах корпусов (КТ-27 и КТ-89), имеет сзади небольшое металлическое основание для соединения с радиатором. Его можно увидеть, если посмотреть на изделие с обратной стороны.

Цоколевка

Распиновка у серии КТ825 (он же 2Т825) представлена на рисунке. В первую очередь она зависит от корпусного исполнения устройства. В настоящее время этот транзистор производятся в двух типах корпусов: металлическом со стеклянными изоляторами КТ-9 (ГОСТ 18472-88) и пластиковом ТО-220.

Оба корпуса имеют три жестких вывода со следующим назначением: эмиттер (Э), база (Б), коллектор (К). Конструктивно контакт «К» в таком исполнении физически соединен с металлической частью, которой транзистор крепится на радиатор.

Существуют и бескорпусные версии этого транзистора. Они выпускаются в виде кристаллов неразделенных на пластине с контактными площадками для монтажа внутри гибридных интегральных микросхем. Масса кристалла без герметичной упаковки и выводов не превышает 0,025 гр. Такие устройства представлены у производителей с маркировкой на этикетке — 2Т825A-5.

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: 2N5153

  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
  • Корпус транзистора: TO39

Наименование производителя: 2N5153-220M

  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
  • Корпус транзистора: TO252

Наименование производителя: 2N5153S

  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
  • Корпус транзистора: TO39

Наименование производителя: 2N5153SM

  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 560 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
  • Корпус транзистора: TO252

Наименование производителя: 2N5153SMD

  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
  • Корпус транзистора: TO-276AB