Транзистор кт801б

Содержание драгметаллов

Извлечение драгметаллов из радиокомпонентов — процесс довольно трудоёмкий и опасный, т.к. в большинстве случаев в домашних условиях для этого используют очень сильные кислоты. Что касается Транзистора КТ808А, то в различных справочниках информация о содержании серебра и золота в нем разнится. Видимо это связано с тем, что с течением времени в технологию изготовления вносились изменения. В представленном ниже фрагменте этикетки указаны следующие значения: золото — 0,014763г. , серебро — 0,058677г. Это не самые большие показатели, встречаются компоненты и с большим содержанием ценных металлов.

Детали

Трансформатор ТV1 выполнен на Ш-образном сердечнике сечением 5×2,5 см. Сетевая обмотка I — 836 витков ПЭВ-1 диаметром 0,31 мм, вторичная обмотка II: 6 В — 25 витков, 10В — 42 витка, 12 В — 50 витков ПЭВ-1 диаметром 1,0 мм. Дополнительная обмотка III (40 В) — 155 витков ПЭВ-1 диаметром 0,2 мм. Тумблеры SA1 — ТП1-2, SA2, SA3 — Т3.

В качестве приборов РА1 и PV1 использованы микроамперметры М5-2 с током отклонения 300 мА. Резистор R12 выполнен из отрезка нихромового провода диаметром 1,5 мм.

Транзистор VТ3 установлен на литом радиаторе, диоды VD1…VD4 — на отдельных П-образных радиаторах (рис. 3), остальные детали — на печатной плате размером 100×70 мм. Транзистор VТ1 можно заменить на КТ815, VТ2 — КТ817, VТ3 — КТ808, КТ819.

Блок питания выполнен в корпусе размером 190x140x90 мм (рис. 4). Для улучшения охлаждения на левой боковой стенке корпуса (со стороны расположения радиатора транзистора VТ3), а также на задней стенке просверлены отверстия диаметром 7 мм.

Для получения большего выходного тока необходимо применить трансформатор ТV1 большей мощности, увеличить емкость конденсаторов С2, С3 и, возможно, применить более мощный транзистор VТ3.

Несмотря на простоту конструкции, для автора блок питания уже много лет является неизменным помощником, а тиристорная защита многократно спасала от аварийных режимов не только блока питания, но и в испытуемых устройствах.

В. Кандауров. п. Камышеваха, Луганская обл. Украина. РМ-09-17.

И снова УМЗЧ JLH. Тест отечественных транзисторов в выходном каскаде.

Продолжение экспериментов с усилителем JLH. Тест отечественных транзисторов, которые есть почти у каждого радиолюбителя. В этом обзоре ещё больше занудства. Часть 1. УМЗЧ JLH 1969. Транзисторы 2SC5200 vs 2N3055 в выходном каскаде.

Транзисторы, которые были установлены на первом этапе экспериментов: VT1 — 2N5401 VT2 — TIP41C VT3, VT4 — 2SС5200 (2N3055)

По причине того, что приходится сидеть дома и есть какое-то количество свободного времени, из закромов были извлечены запасы отечественных транзисторов:

— пара кт864 (отбраковка с низким h21э ) — кт819 — кт808 (из усилителя Орбита-002, когда был выкинут аналог Квад-405; без особых причин, просто так захотелось) — кт838 (высоковольтные; интересно попробовать, а вдруг… ) — кт829 (составные, т.е. мимо) — кт805 — кт8101 (в далёком приближении аналог 2sc5200)

Настройка

Настройка схемы заключается в подборе величины резистора R12, который одновременно выполняет роль шунта амперметра РА1, на максимальный ток отсечки защиты (обычно тиристоры имеют большой разброс по чувствительности), подбору дополнительных резисторов R10, R14 в цепи приборов РА1, РV1 для калибровки показаний шкал приборов.

В авторском варианте при номинале резистора R12 0,2 Ом ток отсечки равнялся 8 А, шкала РА1 — 2,5 А, шкала РV1 — 25 В. Также желательно подобрать резисторы делителей R3, R4, R5 для того, чтобы в крайнем верхнем по схеме положении потенциометра R11 максимальные напряжения на каждом пределе соответствовали заданным.

Усилитель 200 Вт — простой и надежный аппарат

Желающим повторить эту схему, есть широкое поле для ее усовершенствования, например: вместо УД7 можно поставить более быстрый ОУ. Можно поднять мощность на выходе, увеличив при этом количество транзисторов в выходном тракте и подняв напряжение питания до 70v. Этот вариант может гарантировать мощность на выходе до 450 Вт. Так, что с этой схемой можно смело экспериментировать.

Мощные транзисторы в оконечном тракте необходимо монтировать на радиаторе. Теплоотвод по площади своего сечения, должен быть достаточно большим. То есть, чтобы мог эффективно рассеивать тепло выделяемое транзисторами в выходном тракте с некоторым запасом. Выходные транзисторы крепить к радиатору обязательно нужно через изолирующие прокладки с использованием теплопроводной пасты, например: КПТ-8.

В приложении ниже, находятся печатная плата на восьми транзисторах и принципиальная схема:

Оконечный усилитель на 200 Вт

Резисторы: R1 R11 =1к R2 = 36 кОм R3 = 240 Ом R4 R5 = 330 Ом R6 R7 = 20 кОм R8R9 = 3.3кОм.5w R10 = 27 Ом 2w R12 R13 R14 R15 = 0.22 Ом 5w R16 = 10 кОм

Конденсаторы: С1 = О.ЗЗ мкФ С2=180 пФ СЗ С4= 10 мкФ 25v С5 С6 = 0.1 мкФ С7 = 0.1 мкФ С8 = 0.22 мкФ С9-С10 = 56 пФ

Транзисторы: VD1 VD2 = KC515A VT1 = КТ815Г VT2 = КТ814Г VT3VT5VT…= 2SA1943 VT4 VT6 VT…= 2CA5200

Вместо выходных транзисторов указанных в схеме, можно поставить комплементарные транзисторы советского производства КТ8101А и КТ8102А. Использовать их можно в любом количестве.

Источник

Схема

Предлагаемая схема (рис. 1) позволяет получить четыре ступени регулируемого стабилизированного выходного напряжения с возможностью получения максимального тока на каждой ступени.

Входное напряжение переключается с помощью SA2.1, SA3.1, в качестве которых используются тумблеры. Преимущество использования тумблеров — малые габариты (по сравнению с галетными переключателями), возможность коммутировать большие токи, двумя тумблерами можно получить четыре варианта выходного напряжения.

Рис. 1. Принципиальная схема лабораторного блока питания.

При изменении входного напряжения потребуется изменять и источник опорного напряжения для каждой ступени. В качестве источника опорного напряжения используется стабилитрон VD2, который питается от отдельного выпрямителя, выполненного на диодной сборке VDS1, подключенного к дополнительной обмотке трансформатора.

Такое подключение стабилитрона улучшает стабильность выходного напряжения при изменении тока нагрузки. Опорное напряжение со стабилитрона через делители R2…R5, переключатели SA2.2, SA3.2 и потенциометр R11 поступает на базу VТ1.

Наличие отдельного выпрямителя и делителя R2…R5 позволяет обойтись одним стабилитроном для получения четырех ступеней опорного напряжения. SA2 и SA3 на схеме показаны в нижнем положении, варианты выходных напряжений — на рис. 2.

Рис. 2. Переключатели режимов напряжений.

На тиристоре VS1 выполнена защита стабилизированного блока питания от КЗ в нагрузке. В цепь нагрузки включен резистор R12, при превышении определенного тока падающее на нем напряжение поступает на управляющий электрод VS1, который открывается, шунтируя опорное напряжение на потенциометре R11.

В результате транзисторы VТ1…VT3 запираются, напряжение на выходе пропадает. Для возврата защиты в исходное состояние необходимо кратковременно нажать кнопку SB1.

Из-за высокого быстродействия защиты при подключении нагрузки, имеющей на входе емкость (начиная от 1,5…2 мкФ), из-за броска зарядного тока происходит ложное срабатывание защиты.

В этом случае необходимо сначала подключить нагрузку, и лишь потом выставить нужное напряжение. Полностью отключить защиту можно с помощью SB2, при этом функцию защиты выполняет только предохранитель FU2 (расположен на передней панели). С клеммы XS6 снимается регулируемое стабилизированное напряжение.

Клемма XS7 подключена к выходу диодного моста VD1 …VD4, напряжение на ней не стабилизировано, и зависит от положения переключателей SA2.1, SA3.1. Здесь можно подключать нагрузку, не требующую стабильности напряжения, защита от КЗ в нагрузке — предохранитель FU2.

Вольтметр РV1 контролирует выходное стабилизированное напряжение, амперметр РА1 — ток нагрузки как стабилизированного, так и нестабилизированного напряжения.

Со вторичной обмотки трансформатора выведены клеммы XS1…XS4, напряжение с которых можно использовать для подключения низковольтного паяльника либо лампы подсветки. Лампа HL1, расположенная на передней панели, индицирует включенное состояние блока питания.

Аналоги

КТ808А можно заменить на транзистор КТ808АТ, он выпускался с целью использования его в условиях тропического климата. Этот транзистор встречается довольно редко. Производят его на предприятии АО «НПП «Завод Искра»».

Другим отечественным аналогом устройства является 2Т808Б. Данный транзистор тоже трудно найти. Он применялся только в коммутаторе ТК-200-0, который использовался военными.

Наиболее распространённой заменой является отечественный прибор КТ802А.

Существуют также изделия иностранных фирм, по всем параметрам похожие :

2N4913, 2N4914, 2N4915;
BLY48A, KD602, BUY55;
2N5427, 2N5429, 2SD201;
2SC1113, 2SC1618, 2SC1619;
BLY47, BLY47A, BLY48;
KU606, 2SC1619A, 2SD867;
2SD202, 2SD203, KU606.

Прежде чем их использовать нужно тщательно сравнить те параметры которые для вас наиболее важны.

Транзистор КТ808 — DataSheet

Цоколевка транзистора КТ808	Цоколевка транзистора КТ808-1
Цоколевка транзистора КТ808-3	Цоколевка транзистора КТ808М

Параметры транзистора КТ698
Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ808АМ		2SC1116 2, 2N5633, MJ4247, KDY56 2, BD550 2, 2SC519A 2, КТС1617 2, 2SC1617 2, 2SD214, 2SD203 *2
КТ808БМ		BDX95, BDW21C 2, 2N5758 2, 181Т2А 2, KDY24 2, SDT7733 2, 2N3446, 2SC1619 2
КТ808ВМ		MJ2841, BD313, 2N5878, BDX93, BDW21B 2, 2N5874 2, SDT7732, BDY17 *2
КТ808ГМ		2N5877, BD311, MJ2840, BDX91, BDW21A 2, KDY23 2
КТ808А3		BD955, BDT41C *2
КТ808Б3		BD245C, BD303B 2, NTC2334 2, BDX77 2, NTD569 2, BD501В, 2N5496 2, 2N5497 2, BDT 2, 2N6131 2, BD245B *2
Структура			—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	P_K max,P_{K, τ max},P*_{K, и max}	КТ808А	—	50*	Вт
КТ808А1	—

70*
КТ808Б1
—
70*

КТ808В1
—
70*

КТ808Г1
—
70*

КТ808А3
—
70*

КТ808Б3
—
70*

КТ808АМ
50 °С
60*

КТ808БМ
50 °С
60*

КТ808ВМ
50 °С
60*

КТ808ГМ
50 °С
60*

Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
f_гр,f*_h31б,f**_h31э, f***_max
КТ808А
—
≥7.2
МГц

КТ808А1
—
≥8

КТ808Б1
—
≥8

КТ808В1
—
≥8

КТ808Г1
—
≥8

КТ808А3
—
≥8

КТ808Б3
—
≥8

КТ808АМ
—
≥8

КТ808БМ
—
≥8

КТ808ВМ
—
≥8

КТ808ГМ
—
≥8

Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
U_{КБО проб.,}U*_{КЭR проб.,}U**_{КЭО проб.}
КТ808А
200 имп.
120*
В

КТ808А1
—
130*

КТ808Б1
—
100*

КТ808В1
—
80*

КТ808Г1
—
70*

КТ808А3
—
130

КТ808Б3
—
100

КТ808АМ
250 имп.
130*

КТ808БМ
160 имп.
100*

КТ808ВМ
150 имп.
80*

КТ808ГМ
80 имп.
70*

Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
U_{ЭБО проб.,}
КТ808А
—
4
В

КТ808А1
—
5

КТ808Б1
—
5

КТ808В1
—
5

КТ808Г1
—
5

КТ808А3
—
5

КТ808Б3
—
5

КТ808АМ
—
5

КТ808БМ
—
5

КТ808ВМ
—
5

КТ808ГМ
—
5

Максимально допустимый постоянный ток коллектора
I_{K max,} I*_{К , и max}
КТ808А
—
10
А

КТ808А1
—
10

КТ808Б1
—
10

КТ808В1
—
10

КТ808Г1
—
10

КТ808А3
—
10(15*)

КТ808Б3
—
10(15*)

КТ808АМ
—
10

КТ808БМ
—
10

КТ808ВМ
—
10

КТ808ГМ
—
10

Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера
I_КБО, I*_КЭR, I**_КЭO
КТ808А
120 В
≤3*
мкА

КТ808А1
130 В
≤2*

КТ808Б1
100 В
≤2*

КТ808В1
80 В
≤2*

КТ808Г1
70 В
≤2*

КТ808А3
130 В
≤2*

КТ808Б3
100 В
≤2*

КТ808АМ
120 В
≤2*

КТ808БМ
100 В
≤2*

КТ808ВМ
100 В
≤2*

КТ808ГМ
70 В
≤2*

Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером
h_21э, h*_21Э
КТ808А
3 В; 6 А
10…50*

КТ808А1
3 В; 2 А
20..125

КТ808Б1
3 В; 2 А
20..125

КТ808В1
3 В; 2 А
20..125

КТ808Г1
3 В; 2 А
20..125

КТ808А3
3 В; 2 А
20..125

КТ808Б3
3 В; 2 А
20..125

КТ808АМ
3 В; 2 А
20..125*

КТ808БМ
3 В; 2 А
20..125*

КТ808ВМ
3 В; 2 А
20..125*

КТ808ГМ
3 В; 2 А
20..125*

Емкость коллекторного перехода
c_к, с*_12э
КТ808А
10 В
≤500
пФ

КТ808А1
10 В
≤500

КТ808Б1
10 В
≤500

КТ808В1
10 В
≤500

КТ808Г1
10 В
≤500

КТ808А3
100 В
≤500

КТ808Б3
100 В
≤500

КТ808АМ
100 В
≤500

КТ808БМ
100 В
≤500

КТ808ВМ
100 В
≤500

КТ808ГМ
100 В
≤500

Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером
r_{КЭ нас}, r*_{БЭ нас, К}**_у.р.
КТ808А
—
—
Ом, дБ

КТ808А1
—
≤0.33

КТ808Б1
—
≤0.33

КТ808В1
—
≤0.33

КТ808Г1
—
≤0.33

КТ808А3
—
—

КТ808Б3
—
—

КТ808АМ
—
≤0.33

КТ808БМ
—
≤0.33

КТ808ВМ

≤0.33

КТ808ГМ
—
≤0.33

Коэффициент шума транзистора
К_ш, r*_b, P**_вых
КТ808А
—
—
Дб, Ом, Вт

КТ808А1
—
—

КТ808Б1
—
—

КТ808В1
—
—

КТ808Г1
—
—

КТ808А3
—
—

КТ808Б3
—
—

КТ808АМ
—
—

КТ808БМ
—
—

КТ808ВМ
—
—

КТ808ГМ
—
—

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
τ_к, t*_рас, t**_выкл, t***_пк(нс)
КТ808А
—
≤2000*
пс

КТ808А1
—
—

КТ808Б1
—
—

КТ808В1
—
—

КТ808Г1
—
—

КТ808А3
—
≤2000*

КТ808Б3
—
≤2000*

КТ808АМ
—
≤2000*

КТ808БМ
—
≤2000*

КТ808ВМ
—
≤2000*

КТ808ГМ
—
≤2000*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.