Как проверить полевой транзистор КП303? (Электретный микрофон не робит
Может есть такой способ? А то я не могу заставить работать электретный микрофон МКЭ — 30. Не могу и всё тут. Всяко перепробовал. Этих КП303 у меня 5 штук. но в этих пробах я их возможно убил.
Их ведь заземлять надо при пайке, закорачивать все четыре ножки. статическое напряжение с себя убирать. Вот и не знаю,живые ли они. Чтобы дожать микрофон. Заколебал он меня. Уж скока лет не запускается.
Сдох сам элемент. У них ограниченный срок жизни. Хотя электрет должен «жить» 30 лет.
Сам капюль?! А я думал, что там всего лишь две мембраны, точно расположенные и дистанцированные друг от дружки. Это ж. не механизм. чтобы ломаться.
Но головка(капсюль) действительно старая. Да и размер гораздо больше, чем нынешние, которые продаются. Я предполпгпл, что у этого, из-за размера и частотка получше.
И еще, заоднем, спрошу. Этих транзисторов в наших радиодеталях нету. Не торгуют они отечественными деталями. Но не об этом
Я ещё хотел купить самые экономичные синие светодиоды. А там только одного типа. 8 рублей стоит. тип светодиода на чеке значится как GNL 5013BW (хотя. продавщица мне продиктовала как L 5013BC)
Это экономичный? Мне надо в схему питающейся от кроны.
Это у чисто конденсаторных. А у электретных. http://cxem.net/sprav/sprav96.php
(вздыхает
«Электретные микрофоны по принципу работы являются теми же конденсаторными, но постоянное напряжение в них обеспечивается зарядом электрета, тонким слоем нанесённого на мембрану и сохраняющим этот заряд продолжительное время (свыше 30 лет).»
Действительно. что то такое, временное, в них есть. Только про 30 лет наеврное преувеличение. Эхх. значит не заработает. А сейчас такие головки выпускаются? Со свежим зарядом электрета? Да что б побольше диаметром?
Для музыки. Записи голоса и звуков. Частоты хочу, хрусталиков.
Для студийных записей эти ожидания естественно неразумны. Но. хочется послушать. поэкспериментировать.
И все это к капсюлю за 20 рублей? Очень сомнительно. Да и насчет акустических камер. тоже неубедительно. Рассматривая один из них я видел, (через металлическую круговую сетку видно )что там плоская круглая штука, видимо головка микрофона. Диаметром примерно 3-4 см. Она на растяжках внутри корпуса. Блинчик этот сориентирован так, чтобы через сетку голос подавался на него. То есть вполне открытое воздушное пространство.
Да и питание у таких микрофонов 48 вольт. (и нет там отсека для батареек)
Так что. игнорировать качество капсюля, мне кажется, не стоит.
Хотяя. интересны мнения об этом. Может эти капсюли и потенциально хороши. Надо только создать условия для проявления этого потенциала.
Проверка полевого транзистора с управляющим p-n переходом и каналом n-типа.
1. Проверка сопротивления канала (на рис. R)
Для проверки сопротивления канала с помощью мультиметра необходимо на приборе установить режим измерения сопротивления, предел измерения 2000 Ом.
Измерить сопротивление между истоком и стоком транзистора при разной полярности подключения щупов мультиметра.
Значения сопротивления канала при разной полярности подключения щупов должны быть примерно одинаковыми.
2. Проверка p-n перехода исток-затвор (на рис. VD1).
Включаем мультиметр в режим проверки диодов. Красный (плюсовой ) щуп мультиметра подключаем на затвор (имеет p-проводимость), а черный на исток. Мультиметр должен показать падение напряжения на открытом p-n переходе, которое должно быть в пределах 600-700 мВ.
Меняем полярность подключения щупов (красный на исток, черный на затвор), мультиметр, в случае исправности транзистора показывает бесконечность (на дисплее «1»), то есть переход включен в обратном направлении и закрыт.
3. Проверка p-n перехода сток-затвор (на рис. VD2).
Так же проверяем исправность p-n перехода сток-затвор. То есть включаем мультиметр в режим проверки диодов. Красный (плюсовой ) щуп мультиметра подключаем на затвор (имеет p-проводимость), а черный на сток. Мультиметр должен показать падение напряжения на открытом p-n переходе затвор-сток, которое должно быть в пределах 600-700 мВ.
Меняем полярность подключения щупов (красный на сток, черный на затвор), мультиметр, в случае исправности транзистора показывает бесконечность (на дисплее «1»), то есть переход включен в обратном направлении и закрыт.
Если все три условия выполнились, то считается, что полевой транзистор исправен.
Как проверить полевой транзистор мультиметром. Часть 1. Транзистор с управляющим p-n переходом.
Продолжаем рубрику проверки электрорадиоэлементов, и сегодня я представляю первую статью по проверке полевых транзисторов тестером или как сейчас принято говорить — мультиметром.
Перед началом проверки полевых транзисторов рассмотрим, какие бывают виды полевых транзисторов.
На рисунке 1 вы видите классификацию полевых транзисторов.
Из этого рисунку видно, что полевые транзисторы подразделяются на транзисторы с управляющим p-n переходом и полевые транзисторы с изолированным затвором.
В зарубежной литературе полевой транзистор с управляющим p-n переходом обозначается как JFET(junction gate field-effect transistor), а транзистор с изолированным затвором — MOSFET (Metall-Oxid-Semiconductor FET).
Сегодня я вам расскажу, как проверить полевой транзистор с управляющим p-n переходом, а в следующем выпуске журнал перейдем к проверке MOSFET транзистора, так что не забываем подписываться на журнал. Форма подписки после статьи.
Для начала кратко рассмотрим структуру транзистора и принцип его работы.
Полевые транзисторы бывают n-канальные и p-канальные. В виду того, что широкое распространение получили n-канальные полевые транзисторы, на их примере и рассмотрим принцип работы полевого транзисторы с управляющим p-n переходом.
Итак, транзистор состоит из n-полупроводника с внедренными в него высоколегированными n-областями с большой концентрацией носителей заряда – электронов. Сам полупроводник находится на подложке p-типа, которая соединена с еще одной p-областью. Вместе эти области называются затвором (gate). Таким образом, каждая высоколегированная n-область создает с p-подложкой свой p-n переход.
Та часть n-полупроводника, которая находится между p-областями (затворами) называется каналом (в частности каналом n-типа).
Если к высоколегированным n-областям подключить источник напряжение, то в канале создастся электрическое поле, под воздействием этого поля электроны из n-области, к которой подключен «минус» источника будут перемещаться в n-область, к которой подключен «плюс» источника напряжения. Таким образом, через канал потечет электрический ток. Величина этого тока будет напрямую зависеть от электропроводности канала, которая в свою очередь зависит от площади поперечного сечения канала. Нетрудно догадаться, что площадь поперечного сечения канала зависит от ширины p-n переходов.
Та область, от которой движутся носители заряда, а в случае n-канала это электроны, называется истоком (source), а к которой движутся – стоком (drain).
Если на затвор относительно истока подать отрицательное напряжение, то p-n переход, образованный между затвором и истоком будет смещаться в обратном направлении, при этом ширина запирающего слоя будет увеличиваться, тем самым сужая размеры канала и уменьшая электропроводность.
Таким образом, изменяя напряжение между затвором и истоком, мы можем управлять током через канал полевого транзистора.
На этом об устройстве полевого транзистора все, далее в подробности углубляться я не буду, так как этого будет достаточно, что бы понять, как проверить полевой транзистор с управляющим p-n переходом.
Исходя из вышеизложенного можно составить эквивалентную схему полевого транзистора с управляющим p-n переходом, как мы делали при проверке биполярного транзистора.
При составлении схемы будем руководствоваться следующими принципами:
1. В транзисторе имеются два p-n перехода, первый между затвором и истоком, второй между затвором и стоком.
2. Канал между истоком и стоком при отсутствии отрицательного запирающего напряжения на затворе не закрыт и электропроводен, то есть имеет определенное значение сопротивления.
3. Теперь p-n переходы обозначим диодами, а электропроводность канала резистором.
Составляем эквивалентную схему полевого транзистора с управляющим p-n переходом.
Теперь зная эквивалентную схему полевого транзистора с управляющим p-n переходом можно построить алгоритм или схему проверки полевого транзистора.
