Datasheet irfz46n pdf ( даташит )

Содержание

Аналоги

Для транзисторов IRFZ44N нет аналогов, с полностью идентичными характеристиками. При этом имеется ряд транзисторов, которые своими характеристиками лишь немного отличаются от IRFZ44N.

Тип	I_d, А	V_dss, В	V_GS(th), В	V_GS, В	R_DS(on),Ом	T_j °C
IRFZ44N	49	55	2-4	20	0.0175	175
Зарубежное производство
IRFZ44E	48	60	4	10	0.023	150
IRFZ45	35	60	2-4	20	0.035	150
IRFZ46N	46	55	2-4	10	0.02	150
STP45NF06	38	60	4	20	0.028	175
HUF75329P3	49	55	4	20	0.024	150
IRF3205	98	55	2-4	10	0.008	150
BUZ102	42	50	4	20	0.023	175
Отечественное производство
КП723	50	60	2-4	20	0.028	150
КП812А1	50	60	2-4	20	0.028	150

При этом стоит отметить, что рабочая температура у многих зарубежных и отечественных аналогов транзистора немного меньше оригинала.

Примечание: данные в таблице взяты из даташип-производителя.

IRFZ46N Datasheet (PDF)

0.1. irfz46ns.pdf Size:149K _international_rectifier

PD — 9.1305BIRFZ46NSIRFZ46NL Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET Surface Mount (IRFZ46NS)D Low-profile through-hole (IRFZ46NL)VDSS = 55V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 0.0165 Fully Avalanche RatedGDescriptionID = 53AAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalSRectifier utilize advanced processing techniques to achie

0.2. irfz46n.pdf Size:85K _international_rectifier

PD-91277IRFZ46NHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 16.5mG Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 53ASDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance

0.3. auirfz46ns.pdf Size:245K _international_rectifier

PD — 96434AUTOMOTIVE GRADEAUIRFZ46NSAUIRFZ46NLFeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Planar Technologyl Low On-ResistanceV(BR)DSSD 55Vl Dynamic dV/dT Ratingl 175C Operating Temperaturel Fast Switching RDS(on) max.16.5ml Fully Avalanche RatedGl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID(Silicon Limited) 53Al Lead-Free, RoHS Compliantl Automotive Qualifi

0.4. irfz46npbf.pdf Size:215K _international_rectifier

PD — 94952AIRFZ46NPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating Temperaturel Fast Switching RDS(on) = 16.5mGl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 53ASDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to achieve

0.5. irfz46nlpbf.pdf Size:679K _international_rectifier

PD — 95158IRFZ46NSPbFIRFZ46NLPbF Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Surface Mount (IRFZ46NS) Low-profile through-hole (IRFZ46NL)D 175C Operating TemperatureVDSS = 55V Fast Switching Fully Avalanche RatedRDS(on) = 0.0165 Lead-FreeGDescriptionID = 53A Advanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalSRectifier utilize advanced processing t

0.6. irfz46npbf.pdf Size:215K _infineon

0.7. irfz46ns.pdf Size:258K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ46NSFEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aS

0.8. irfz46n.pdf Size:246K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ46N IIRFZ46NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 16.5mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM

IRFZ46NS MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRFZ46NS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20
V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 53
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 48
nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02
Ohm

Тип корпуса:

IRFZ46NS
Datasheet (PDF)

0.1. irfz46ns.pdf Size:149K _international_rectifier

0.2. auirfz46ns.pdf Size:245K _international_rectifier

0.3. irfz46ns.pdf Size:258K _inchange_semiconductor

Другие MOSFET… IRFZ44EL
, IRFZ44ES
, IRFZ44N
, IRFZ44NL
, IRFZ44NS
, IRFZ45
, IRFZ46N
, IRFZ46NL
, IRF840
, IRFZ48N
, IRFZ48NL
, IRFZ48NS
, IRL1004
, IRL1004L
, IRL1004S
, IRL2203N
, IRL2203NL
.

IRFZ46Z Datasheet (PDF)

0.1. irfz46zlpbf irfz46zpbf irfz46zspbf.pdf Size:375K _international_rectifier

PD — 95562AIRFZ46ZPbFIRFZ46ZSPbFFeaturesIRFZ46ZLPbF Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingDVDSS = 55V 175C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 13.6mG Lead-FreeDescriptionID = 51ASThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniqu

0.2. irfz46zpbf irfz46zspbf irfz46zlpbf.pdf Size:375K _infineon

0.3. irfz46zs.pdf Size:258K _inchange_semiconductor

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ46ZSFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt

0.4. irfz46z.pdf Size:246K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ46ZIIRFZ46ZFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 13.6mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM

Назначение контактов

Перед применением полевка обычно уточняют его структуру, графическое обозначение и назначение контактов. Основой такого транзистора является появляющийся в полупроводнике, с двумя выводами (сток и исток), канал с электронной проводимостью (n-типа). Ширина этого канала зависит от величины подаваемого на затвор (третий вывод) отпирающего напряжения.

Графическое обозначение

Рассмотрим графическое обозначение. Канал типа-n рисуется пунктирной чертой, между примыкающими к нему линиями истока и стока. Стрелка, направленная на пунктирную черту, указывает на электронную проводимость прибора. Выводы канала обозначаются буквами: С-сток (D-drain), И-исток (S-source). Затвор, регулирующий сопротивление канала, обозначается буквой З (G-gate). В обозначении есть так называемый “паразитный” диод, он подключен к истоку анодом. Все графическое обозначение помещено в круг, символизирующий корпус прибора.

Распиновка

Наиболее широкое распространение rfz44n получил в пластиковом корпусе ТО220 с крепежным отверстием под винт, разработанном специально для дискретных мощных полевых транзисторов компанией International Rectifier. Цоколевка irfz44n, если смотреть на лицевую сторону, следующая: слева затвор (G), справа исток (S). Средний вывод является стоком (D), электрически соединенным с встроенным в корпус радиатором. Под маркой International Rectifier существуют экземпляры в корпусах D2PAK и ТО-262 (irfz44ns, irfz44nl), назначение выводов аналогично ТО-220.

Варианты применения

Полевой транзистор irfz44n очень популярен у радиолюбителей в различенных электронных схемах усиления на одном транзисторе, сенсорных переключателях, контроллеров скорости вращения двигателей, проектах с ардуино и др. Его часто можно увидеть в высокочастотных импульсных блоках питания, генераторах, стабилизаторах, инверторах и схемах подключения мощной нагрузки. Предлагаем Вам посмотреть видео на тему создания интересных идей на основе этого замечательного полупроводникового прибора.

Производители

В интернете встречается полный перевод DataSheet irfz44n на русском языке, но лучше использовать описание на английском от производителя. Ниже представлено тех описание следующих производителей радиоэлектронных компонентов:

Infineon Technologies (брэнд International Rectifier);
Philips Semiconductors;
INCHANGE Semiconductor;
Leshan Radio Company.

IRFZ46NS Datasheet (PDF)

0.1. irfz46ns.pdf Size:149K _international_rectifier

0.2. auirfz46ns.pdf Size:245K _international_rectifier

0.3. irfz46ns.pdf Size:258K _inchange_semiconductor

IRFZ46Z MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRFZ46Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 82
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20
V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 51
A

Максимальная температура канала (Tj): 175
°C

Общий заряд затвора (Qg): 31
nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0136
Ohm

Тип корпуса:

IRFZ46Z
Datasheet (PDF)

0.1. irfz46zlpbf irfz46zpbf irfz46zspbf.pdf Size:375K _international_rectifier

0.2. irfz46zpbf irfz46zspbf irfz46zlpbf.pdf Size:375K _infineon

0.3. irfz46zs.pdf Size:258K _inchange_semiconductor

0.4. irfz46z.pdf Size:246K _inchange_semiconductor

Другие MOSFET… IRFZ44V
, IRFZ44VL
, IRFZ44VS
, IRFZ44VZ
, IRFZ44VZS
, IRFZ44Z
, IRFZ44ZL
, IRFZ44ZS
, SPA11N60C3
, IRFZ46ZL
, IRFZ46ZS
, IRFZ48V
, IRFZ48VS
, IRFZ48Z
, IRFZ48ZL
, IRFZ48ZS
, IRL1404
.

Особенности

Впечатляющие выходные характеристики – 2,0A, 600V.
Сопротивление сток-исток открытого транзистора 5,0 Ω.
Малый заряд затвора, как правило 12,5 nC.
Небольшая емкость затвор-сток, как правило 7,6 pF.
Высокая скорость переключения.
Тестирование 100% продукции в лавинных режимах.

Транзисторы 2N60B характеризуются улучшенными усилительными характеристиками. При их производстве используется технология DMOS, запатентованная американской компанией Fairchild. В результате полевые транзисторы имеют минимальное сопротивление в рабочем состоянии, высокоскоростные переключающие характеристики и выдерживают импульсы большой мощности в лавинном и переключающем режимах.

Комплекс параметров сделал силовые полевые транзисторы идеальными для использования в мощных инверторных источниках питания.

IRFZ46N Datasheet (PDF)

0.1. irfz46ns.pdf Size:149K _international_rectifier

0.2. irfz46n.pdf Size:85K _international_rectifier

0.3. auirfz46ns.pdf Size:245K _international_rectifier

0.4. irfz46npbf.pdf Size:215K _international_rectifier

0.5. irfz46nlpbf.pdf Size:679K _international_rectifier

0.6. irfz46npbf.pdf Size:215K _infineon

0.7. irfz46ns.pdf Size:258K _inchange_semiconductor

0.8. irfz46n.pdf Size:246K _inchange_semiconductor

IRFZ46ZS Datasheet (PDF)

0.1. irfz46zlpbf irfz46zpbf irfz46zspbf.pdf Size:375K _international_rectifier

0.2. irfz46zpbf irfz46zspbf irfz46zlpbf.pdf Size:375K _infineon

0.3. irfz46zs.pdf Size:258K _inchange_semiconductor

Электрические характеристики

Данные в таблицах действительны при температуре корпуса 25°C.

Предельные значения

Обозначение	Параметр	Условия измерений	Мин.	Тип.	Макс.	Ед. изм
BV_DSS	Напряжение пробоя сток-исток	V_GS = 0 V, I_D = 250 µA	600	—	—	V
∆BV_DSS/∆T_J	Коэффициент напряжение пробоя/температура	I_D = 250 µA при 25°C	—	0,65	—	V/°C
I_DSS	Ток стока при нулевом напряжении затвора	V_DS = 600 V, V_GS = 0 V	—	—	10	µA
V_DS = 480 V, T_C = 125°C	—	—	100	µA
I_GSSF	Прямой ток утечки затвор-корпус	V_GS = 30 V, V_DS = 0 V	—	—	100	nA
I_GSSR	Обратный ток утечки затвор-корпус	V_GS= -30 V, V_DS = 0 V	—	—	-100	nA

Рабочие параметры

Обозначение	Параметр	Условия измерений	Мин.	Тип.	Макс.	Ед. изм.
V_GS(th)	Пороговое напряжение открытия транзистора	VDS = VGS, ID = 250 µA	2	—	4	V
R_DS(on)	Сопротивление сток-исток в открытом состоянии	VGS = 10 V, ID = 1.0 A	—	3.8	5	Ω
g_FS	Крутизна передаточной характеристики	V_DS = 40 V, I_D = 1.0 A	—	2.05	—	S

Динамические параметры

Обозна-чение	Параметр	Условия измерений	Мин.	Тип.	Макс.	Ед. изм.
C_iss	Входная емкость	V_DS = 25 V, V_GS = 0 V, f = 1.0 MHz	—	380	490	pF
C_oss	Выходная емкость	—	35	46	pF
C_rss	Проходная емкость	—	7.6	9.9	pF

Схема включения

Теперь поговорим о схеме включения Irfz44N, как писалось выше он является полевым транзистором-МОП с затвором отделенным от полупроводника тончайшим слоем SiO₂. Внутри кремниевой структуры присутствуют два перехода p–n. При отсутствии отпирающего напряжения проводящий ток отсутствует и транзистор находится в закрытом состоянии. Если подать на устройство положительное отпирающее V_GS, т.е. на затвор плюс, а на исток минус, то под влиянием электрического поля появится индуцированный канал n-проводимости. При подаче питания на нагрузку, по индуцированному каналу потечёт стоковый ток I_D.

Чем выше напряжение подается на затвор, тем больше электронов притягивается в область сток-исток и тем шире она становится для протекания тока. Однако, этот процесс может длится до переключения между областями графика линейной и отсечки. Затем, в области насыщения стоковый ток перестает расти. Область насыщения (рабочий режим) применяется в схемах усиления, а отсечки в ключевых. В даташит процесс перехода а рабочий режим, для разных значений V_GS, отображают на графиках типовых выходных характеристик (Typical оutput сharacteristics). Для mosfet области насыщения можно определить по линии проходящих почти горизонтально относительно оси напряжения стока-истока.

Аналоги

В перечне полевых транзисторов, выпускаемых отечественной радиоэлектронной промышленностью, нет элементов, которые можно использовать для замены 2N60B.

Из импортных радиокомпонентов наиболее близкими по техническим параметрам являются полевые транзисторы компании STMicroelectronics, перечень которых приведен в таблице.

Тип	V_DSS	R_DS(on)	I_D	P_W
2N60B	600 V	5.0 Ω	2.0 А	3 W
STQ2HNK60ZR-AP	600 V		0.5 A	3 W
STD2HNK60Z-1	600 V		2.0 A	45 W
STF2HNK60Z	600 V		2.0 A	20 W
STP3NK60Z	600 V		2.4 A	45 W
STP3NK60ZFP	600 V		2.4 A	20 W
STB3NK60Z	600 V		2.4 A	45 W
STD3NK60Z	600 V		2.4 A	45 W
STD3NK60Z-1	600 V		2.4 A	45 W

Примечание: данные в таблице взяты из даташип-производителя.

IRFZ46ZS MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRFZ46ZS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 82
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20
V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 51
A

Максимальная температура канала (Tj): 175
°C

Общий заряд затвора (Qg): 31
nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0136
Ohm

Тип корпуса:

IRFZ46ZS
Datasheet (PDF)

0.1. irfz46zlpbf irfz46zpbf irfz46zspbf.pdf Size:375K _international_rectifier

0.2. irfz46zpbf irfz46zspbf irfz46zlpbf.pdf Size:375K _infineon

0.3. irfz46zs.pdf Size:258K _inchange_semiconductor

Другие MOSFET… IRFZ44VS
, IRFZ44VZ
, IRFZ44VZS
, IRFZ44Z
, IRFZ44ZL
, IRFZ44ZS
, IRFZ46Z
, IRFZ46ZL
, IRLR2905
, IRFZ48V
, IRFZ48VS
, IRFZ48Z
, IRFZ48ZL
, IRFZ48ZS
, IRL1404
, IRL1404L
, IRL1404S
.

Таблица предельно допустимых значений

Производитель не гарантирует безопасную работу транзистора, если значения параметров превысят, указанные в таблице. В этом случае не гарантируется работа транзистора в номинальных режимах, согласно технической документации. Существует большая вероятность необратимого выхода элемента из строя.

Значения напряжения и тока в таблице соответствуют температуре окружающей среды +25°C.

Обозначение	Параметр	SSW2N60B SSI2N60B	Ед.изм.
V_DSS	Напряжение сток-исток	600	V
I_D	Постоянный ток стока
T_C=25°C	2	A
T_C=100°C	1.3	A
I_DM	Импульсный ток стока	6	A
V_GSS	Напряжение затвор-исток	±30	V
E_AS	Максимальная энергия одиночного импульса	120	mJ
I_AR	Лавинный ток	2	A
E_AR	Максимальная энергия повторяющихся импульсов	5.4	mJ
dv/dt	Скорость восстановления диода	5.5	V/ns
P_D	Мощность рассеяния
T_A = 25°C	3.13	W
T_C = 25°C	54	W
T_J, T_stg	Диапазон безопасных температур хранения и работы	-55…+150	°C
T_L	Максимальная температура припоя при пайке на расстоянии 4мм от корпуса в течение 5 секунд	300	°C

IRFZ44EPBF MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRFZ44EPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20
V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 48
A

Максимальная температура канала (Tj): 175
°C

Общий заряд затвора (Qg): 60
nC

Время нарастания (tr): 60
ns

Выходная емкость (Cd): 420
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.023
Ohm

Тип корпуса:

IRFZ44EPBF
Datasheet (PDF)

0.1. irfz44epbf.pdf Size:150K _international_rectifier

PD — 94822IRFZ44EPbFHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating DVDSS = 60V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 0.023 Fully Avalanche RatedG Lead-FreeID = 48ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.

7.1. irfz44e.pdf Size:96K _international_rectifier

PD — 91671BIRFZ44EHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 60V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 0.023G Fully Avalanche RatedID = 48ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Thisbenefi

7.2. irfz44espbf.pdf Size:234K _international_rectifier

PD — 95572IRFZ44ESPbFIRFZ44ELPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Surface Mount (IRFZ44ES)DVDSS = 60Vl Low-profile through-hole (IRFZ44EL)l 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.023l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 48Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing tec

7.3. irfz44es.pdf Size:163K _international_rectifier

PD — 9.1714IRFZ44ES/LPRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 60V Surface Mount (IRFZ44ES) Low-profile through-hole (IRFZ44EL) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.023G Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 48ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing techniques to achieve

7.4. irfz44espbf irfz44elpbf.pdf Size:234K _infineon

7.5. irfz44e.pdf Size:246K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ44E IIRFZ44EFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 23mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM R

7.6. irfz44es.pdf Size:205K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ44ESFEATURESWith TO-263(D2PAK) packagingUninterruptible power supplyHigh speed switchingHard switched and high frequency circuits100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2

Другие MOSFET… IRFZ34EPBF
, IRFZ34L
, IRFZ34NLPBF
, IRFZ34NPBF
, IRFZ34NSPBF
, IRFZ34PBF
, IRFZ34S
, IRFZ40PBF
, BUZ90A
, IRFZ44ESPBF
, IRFZ44L
, IRFZ44NLPBF
, IRFZ44NPBF
, IRFZ44NSPBF
, IRFZ44PBF
, IRFZ44R
, IRFZ44RPBF
.

IRFZ46NPBF MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRFZ46NPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 107
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20
V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 53
A

Максимальная температура канала (Tj): 175
°C

Общий заряд затвора (Qg): 72
nC

Время нарастания (tr): 76
ns

Выходная емкость (Cd): 407
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0165
Ohm

Тип корпуса:

IRFZ46NPBF
Datasheet (PDF)

0.1. irfz46npbf.pdf Size:215K _international_rectifier

0.2. irfz46npbf.pdf Size:215K _infineon

7.1. irfz46ns.pdf Size:149K _international_rectifier

7.2. irfz46n.pdf Size:85K _international_rectifier

7.3. auirfz46ns.pdf Size:245K _international_rectifier

7.4. irfz46nlpbf.pdf Size:679K _international_rectifier

7.5. irfz46ns.pdf Size:258K _inchange_semiconductor

7.6. irfz46n.pdf Size:246K _inchange_semiconductor

Другие MOSFET… SMG2301
, SMG2301P
, SMG2302
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, IRF1404
, SMG2306NE
, SMG2310A
, SMG2310N
, SMG2314N
, SMG2314NE
, SMG2318N
, SMG2319P
, SMG2321P
.

Даташит irfz46n pdf ( datasheet )

Аналоги

IRFZ46N Datasheet (PDF)

IRFZ46NS MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

IRFZ46NS Datasheet (PDF)

IRFZ46Z Datasheet (PDF)

Назначение контактов

Графическое обозначение

Распиновка

Варианты применения

Производители

IRFZ46NS Datasheet (PDF)

IRFZ46Z MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

IRFZ46Z Datasheet (PDF)

Особенности

IRFZ46N Datasheet (PDF)

IRFZ46ZS Datasheet (PDF)

Электрические характеристики

Предельные значения

Рабочие параметры

Динамические параметры

Схема включения

Аналоги

IRFZ46ZS MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

IRFZ46ZS Datasheet (PDF)

Таблица предельно допустимых значений

IRFZ44EPBF MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

IRFZ44EPBF Datasheet (PDF)

IRFZ46NPBF MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

IRFZ46NPBF Datasheet (PDF)

Похожие записи:

IRFZ46NS
Datasheet (PDF)

IRFZ46Z
Datasheet (PDF)

IRFZ46ZS
Datasheet (PDF)

IRFZ44EPBF
Datasheet (PDF)

IRFZ46NPBF
Datasheet (PDF)