Даташит irfp064n pdf ( datasheet )

IRFP064NPBF Datasheet (PDF)

0.1. irfp064npbf.pdf Size:598K _international_rectifier

PD — 95001IRFP064NPbF Lead-Freewww.irf.com 12/11/04IRFP064NPbF2 www.irf.comIRFP064NPbFwww.irf.com 3IRFP064NPbF4 www.irf.comIRFP064NPbFwww.irf.com 5IRFP064NPbF6 www.irf.comIRFP064NPbFwww.irf.com 7IRFP064NPbFTO-247AC Package OutlineDimensions are shown in millimeters (inches)- D -3.65 (.143)5.30 (.209)15.90 (.626) 3.55 (.140)4.70 (.185)1

0.2. irfp064npbf.pdf Size:598K _infineon

PD — 95001IRFP064NPbF Lead-Freewww.irf.com 12/11/04IRFP064NPbF2 www.irf.comIRFP064NPbFwww.irf.com 3IRFP064NPbF4 www.irf.comIRFP064NPbFwww.irf.com 5IRFP064NPbF6 www.irf.comIRFP064NPbFwww.irf.com 7IRFP064NPbFTO-247AC Package OutlineDimensions are shown in millimeters (inches)- D -3.65 (.143)5.30 (.209)15.90 (.626) 3.55 (.140)4.70 (.185)1

 6.1. irfp064n.pdf Size:107K _international_rectifier

PD — 9.1383AIRFP064NHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 55V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.008 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 110A SDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance

6.2. irfp064n.pdf Size:364K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP064NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)8m100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONUltra Low On-resistanceFast SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 55 VDSSV Gate-Source

IRFP064N Datasheet PDF — Power MOSFET

Part Number IRFP064N
Description Power MOSFET
Manufacturers Power MOSFET 
Logo  

There is a preview and IRFP064N download ( pdf file ) link at the bottom of this page.

Total ( 8 pages )

Preview 1 page

No Preview Available !

l Advanced Process Technology

l Ultra Low On-Resistance

l Dynamic dv/dt Rating

l 175°C Operating Temperature

l Fast Switching

l Fully Avalanche Rated

G
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,
combined with the fast switching speed and ruggedized
device design that HEXFET Power MOSFETs are well
known for, provides the designer with an extremely efficient
and reliable device for use in a wide variety of applications.
The TO-247 package is preferred for commercial-industrial
applications where higher power levels preclude the use of
TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the
earlier TO-218 package because of its isolated mounting
hole.
Absolute Maximum Ratings

ID @ TC = 25°C

ID @ TC = 100°C

IDM

PD @TC = 25°C

VGS

EAS

IAR

EAR

dv/dt

TJ

TSTG

Parameter

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

Pulsed Drain Current

Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 srew
Thermal Resistance

RθJC

RθCS

RθJA

Parameter
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
PD — 9.1383A
IRFP064N

HEXFETPower MOSFET

D

VDSS = 55V

RDS(on) = 0.008Ω

ID = 110A

S
TO-247AC
Max.

110

80

390
200
1.3
± 20
480
59
20
5.0
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
10 lbf•in (1.1N•m)
Typ.
–––
0.24
–––
Max.
0.75
–––
40
Units
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
°C
Units
°C/W
8/25/97

120
LIMITED BY PACKAGE
100
80
60
40
20

25 50 75 100 125 150 175

TC , Case Temperature ( °C)

Fig 9. Maximum Drain Current Vs.

Case Temperature
1
IRFP064N

VDS

VGS

RG

RD

D.U.T.
10V

Pulse Width ≤ 1 µs

Duty Factor ≤ 0.1 %

+-VDD

Fig 10a. Switching Time Test Circuit

VDS

90%
10%

VGS

td(on) tr

td(off) tf

Fig 10b. Switching Time Waveforms

D = 0.50
0.20

0.1 0.10

0.05
0.02
0.01
0.01
0.00001

PDM

t1

SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)

t2

Notes:

1. Duty factor D = t1 / t 2

2. Peak T J = P DM x Z thJC + T C

0.0001
0.001
0.01

t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)

0.1
1

Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case


Preview 5 Page

Information Total 8 Pages
Link URL
Product Image and Detail view 1. — 55V, 110A, MOSFET (Transistor)
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

SparkFun Electronics Allied Electronics DigiKey Electronics Arrow Electronics
Mouser Electronics Adafruit Element14 Chip One Stop

Featured Datasheets

Part Number Description Manufacturers
IRFP064 The function is Power MOSFET. Power MOSFET
IRFP064 The function is Power MOSFET. Vishay
IRFP064N The function is Power MOSFET. Power MOSFET

Quick jump to:

IRFP 
1N4 
2N2 
2SA 
2SC 
74H 
ADC 
BC 
BF 
BU 
CXA 
HCF 
IRF 
KA 
KIA 
LA 
LM 
MC 
NE 
ST 
STK 
TDA 
TL 
UA 

IRFP064 Datasheet (PDF)

0.1. irfp064npbf.pdf Size:598K _international_rectifier

PD — 95001IRFP064NPbF Lead-Freewww.irf.com 12/11/04IRFP064NPbF2 www.irf.comIRFP064NPbFwww.irf.com 3IRFP064NPbF4 www.irf.comIRFP064NPbFwww.irf.com 5IRFP064NPbF6 www.irf.comIRFP064NPbFwww.irf.com 7IRFP064NPbFTO-247AC Package OutlineDimensions are shown in millimeters (inches)- D -3.65 (.143)5.30 (.209)15.90 (.626) 3.55 (.140)4.70 (.185)1

0.2. irfp064v.pdf Size:210K _international_rectifier

PD — 94112IRFP064VHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 60V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 5.5mG Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 130A Optimized for SMPS Applications SDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to

 0.3. irfp064.pdf Size:171K _international_rectifier

0.4. irfp064vpbf.pdf Size:222K _international_rectifier

PD — 95501AIRFP064VPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDl Dynamic dv/dt Rating VDSS = 60Vl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 5.5ml Fully Avalanche Rated Gl Optimized for SMPS ApplicationsID = 130Al Lead-FreeSDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced

 0.5. irfp064pbf.pdf Size:1790K _international_rectifier

PD- 95672IRFP064PbF Lead-Free8/2/04Document Number: 91201 www.vishay.com1IRFP064PbFDocument Number: 91201 www.vishay.com2IRFP064PbFDocument Number: 91201 www.vishay.com3IRFP064PbFDocument Number: 91201 www.vishay.com4IRFP064PbFDocument Number: 91201 www.vishay.com5IRFP064PbFDocument Number: 91201 www.vishay.com6IRFP064PbFPeak Diode Recovery d

0.6. irfp064n.pdf Size:107K _international_rectifier

PD — 9.1383AIRFP064NHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 55V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.008 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 110A SDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance

0.7. irfp064 sihfp064.pdf Size:1684K _vishay

IRFP064, SiHFP064Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60 Repetitive Avalanche Rated AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.009 Ultra Low On- ResistanceRoHS*COMPLIANTQg (Max.) (nC) 190 Very Low Thermal ResistanceQgs (nC) 55 Isolated Central Mounting HoleQgd (nC) 90 175 C Operating Temperature Fast Swi

0.8. irfp064npbf.pdf Size:598K _infineon

PD — 95001IRFP064NPbF Lead-Freewww.irf.com 12/11/04IRFP064NPbF2 www.irf.comIRFP064NPbFwww.irf.com 3IRFP064NPbF4 www.irf.comIRFP064NPbFwww.irf.com 5IRFP064NPbF6 www.irf.comIRFP064NPbFwww.irf.com 7IRFP064NPbFTO-247AC Package OutlineDimensions are shown in millimeters (inches)- D -3.65 (.143)5.30 (.209)15.90 (.626) 3.55 (.140)4.70 (.185)1

0.9. irfp064pbf.pdf Size:3803K _kexin

DIP Type MOSFETN-Channel MOSFETIRFP064PBF (KRFP064PBF)TO-247 Features VDS (V) = 60V ID = 70 A (VGS = 10V) RDS(ON) 9m (VGS = 10V) Very Low Thermal Resistance Isolated Central Mounting Hole 1 2 3 Fast SwitchingGD Dynamic dV/dt RatingSDGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Volt

0.10. irfp064.pdf Size:400K _inchange_semiconductor

iscN-Channel MOSFET Transistor IRFP064FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) 9m @V =10VGSEnhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER

0.11. irfp064n.pdf Size:364K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP064NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)8m100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONUltra Low On-resistanceFast SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 55 VDSSV Gate-Source

IRFP064N Datasheet (PDF)

0.1. irfp064npbf.pdf Size:598K _international_rectifier

PD — 95001IRFP064NPbF Lead-Freewww.irf.com 12/11/04IRFP064NPbF2 www.irf.comIRFP064NPbFwww.irf.com 3IRFP064NPbF4 www.irf.comIRFP064NPbFwww.irf.com 5IRFP064NPbF6 www.irf.comIRFP064NPbFwww.irf.com 7IRFP064NPbFTO-247AC Package OutlineDimensions are shown in millimeters (inches)- D -3.65 (.143)5.30 (.209)15.90 (.626) 3.55 (.140)4.70 (.185)1

0.2. irfp064n.pdf Size:107K _international_rectifier

PD — 9.1383AIRFP064NHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 55V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.008 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 110A SDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance

 0.3. irfp064npbf.pdf Size:598K _infineon

PD — 95001IRFP064NPbF Lead-Freewww.irf.com 12/11/04IRFP064NPbF2 www.irf.comIRFP064NPbFwww.irf.com 3IRFP064NPbF4 www.irf.comIRFP064NPbFwww.irf.com 5IRFP064NPbF6 www.irf.comIRFP064NPbFwww.irf.com 7IRFP064NPbFTO-247AC Package OutlineDimensions are shown in millimeters (inches)- D -3.65 (.143)5.30 (.209)15.90 (.626) 3.55 (.140)4.70 (.185)1

0.4. irfp064n.pdf Size:364K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP064NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)8m100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONUltra Low On-resistanceFast SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 55 VDSSV Gate-Source

IRFP064NPBF MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRFP064NPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20
V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 110
A

Максимальная температура канала (Tj): 175
°C

Общий заряд затвора (Qg): 170
nC

Время нарастания (tr): 100
ns

Выходная емкость (Cd): 1300
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008
Ohm

Тип корпуса:

IRFP064NPBF
Datasheet (PDF)

0.1. irfp064npbf.pdf Size:598K _international_rectifier

PD — 95001IRFP064NPbF Lead-Freewww.irf.com 12/11/04IRFP064NPbF2 www.irf.comIRFP064NPbFwww.irf.com 3IRFP064NPbF4 www.irf.comIRFP064NPbFwww.irf.com 5IRFP064NPbF6 www.irf.comIRFP064NPbFwww.irf.com 7IRFP064NPbFTO-247AC Package OutlineDimensions are shown in millimeters (inches)- D -3.65 (.143)5.30 (.209)15.90 (.626) 3.55 (.140)4.70 (.185)1

0.2. irfp064npbf.pdf Size:598K _infineon

PD — 95001IRFP064NPbF Lead-Freewww.irf.com 12/11/04IRFP064NPbF2 www.irf.comIRFP064NPbFwww.irf.com 3IRFP064NPbF4 www.irf.comIRFP064NPbFwww.irf.com 5IRFP064NPbF6 www.irf.comIRFP064NPbFwww.irf.com 7IRFP064NPbFTO-247AC Package OutlineDimensions are shown in millimeters (inches)- D -3.65 (.143)5.30 (.209)15.90 (.626) 3.55 (.140)4.70 (.185)1

 6.1. irfp064n.pdf Size:107K _international_rectifier

PD — 9.1383AIRFP064NHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 55V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.008 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 110A SDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance

6.2. irfp064n.pdf Size:364K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP064NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)8m100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONUltra Low On-resistanceFast SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 55 VDSSV Gate-Source

Другие MOSFET… SID40N03
, SID9435
, SID9575
, SID9971
, SJV01N60
, SMG1330N
, SMG2301
, SMG2301P
, IRF540N
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, SMG2306N
, SMG2306NE
, SMG2310A
.

Datasheet Download — Power MOSFET

Номер произв IRFP064N
Описание Power MOSFET
Производители Power MOSFET
логотип  

1Page

No Preview Available !

l Advanced Process Technology

l Ultra Low On-Resistance

l Dynamic dv/dt Rating

l 175°C Operating Temperature

l Fast Switching

l Fully Avalanche Rated

G
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,
combined with the fast switching speed and ruggedized
device design that HEXFET Power MOSFETs are well
known for, provides the designer with an extremely efficient
and reliable device for use in a wide variety of applications.
The TO-247 package is preferred for commercial-industrial
applications where higher power levels preclude the use of
TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the
earlier TO-218 package because of its isolated mounting
hole.
Absolute Maximum Ratings

ID @ TC = 25°C

ID @ TC = 100°C

IDM

PD @TC = 25°C

VGS

EAS

IAR

EAR

dv/dt

TJ

TSTG

Parameter

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

Pulsed Drain Current

Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 srew
Thermal Resistance

RθJC

RθCS

RθJA

Parameter
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
PD — 9.1383A
IRFP064N

HEXFETPower MOSFET

D

VDSS = 55V

RDS(on) = 0.008Ω

ID = 110A

S
TO-247AC
Max.

110

80

390
200
1.3
± 20
480
59
20
5.0
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
10 lbf•in (1.1N•m)
Typ.
–––
0.24
–––
Max.
0.75
–––
40
Units
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
°C
Units
°C/W
8/25/97

No Preview Available !

IRFP064N

Electrical Characteristics @ TJ = 25°C (unless otherwise specified)

Parameter

V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage

∆V(BR)DSS∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient

RDS(on)

Static Drain-to-Source On-Resistance

VGS(th)

Gate Threshold Voltage

gfs Forward Transconductance

IDSS Drain-to-Source Leakage Current

IGSS

Qg

Qgs

Qgd

td(on)

tr

td(off)

tf

Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain («Miller») Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time

LD Internal Drain Inductance

LS

Ciss

Coss

Crss

Internal Source Inductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Min. Typ. Max.
55 ––– –––
––– 0.057 –––
––– ––– 0.008
2.0 ––– 4.0
42 ––– –––
––– ––– 25
––– ––– 250
––– ––– 100
––– ––– -100
––– ––– 170
––– ––– 32
––– ––– 74
––– 14 –––
––– 100 –––
––– 43 –––
––– 70 –––
––– 5.0 –––

––– 13 –––

––– 4000 –––
––– 1300 –––
––– 480 –––
Units
V
V/°C

V
S
µA
nA
nC
ns
nH
pF
Conditions

VGS = 0V, ID = 250µA

Reference to 25°C, ID = 1mA

VGS = 10V, ID = 59A

VDS = VGS, ID = 250µA

VDS = 25V, ID = 59A

VDS = 55V, VGS = 0V

VDS = 44V, VGS = 0V, TJ = 150°C

VGS = 20V

VGS = -20V

ID = 59A

VDS = 44V

VGS = 10V, See Fig. 6 and 13

VDD = 28V

ID = 59A

RG = 2.5Ω

RD = 0.39Ω, See Fig. 10

Between lead,
D
6mm (0.25in.)
from package
G
and center of die contact
S

VGS = 0V

VDS = 25V

ƒ = 1.0MHz, See Fig. 5

Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter

IS Continuous Source Current

(Body Diode)

ISM Pulsed Source Current

(Body Diode)

VSD Diode Forward Voltage

trr Reverse Recovery Time

Qrr Reverse Recovery Charge

Min.
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units

––– 110

––– 390
––– 1.3
110 170
450 680
V
ns
nC
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
G
p-n junction diode.

TJ = 25°C, IS = 59A, VGS = 0V

TJ = 25°C, IF = 59A

di/dt = 100A/µs

D
S
Notes:

Repetitive rating; pulse width limited by

max. junction temperature. ( See fig. 11 )

VDD = 25V, starting TJ = 25°C, L = 190µH

RG = 25Ω, IAS = 59A. (See Figure 12)

ISD ≤ 59A, di/dt ≤ 290A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS,

TJ ≤ 175°C

Pulse width ≤ 300µs; duty cycle ≤ 2%.

Uses IRF3205 data and test conditions

Caculated continuous current based on maximum allowable

junction temperature; for recommended current-handling of the
package refer to Design Tip # 93-4

No Preview Available !

1000
TOP
BOTT OM
VGS
15 V
1 0V
8 .0V
7 .0V
6 .0V
5 .5V
5 .0V
4.5 V
100
1000
TOP
BOTT OM
V GS
15V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
4.5 V
100
IRFP064N
10
0.1
4.5 V
20µs PULSE W IDTH

TC = 2 5°C

A
1 10 100

VD S , D rain-to-S ource V oltage (V )

Fig 1. Typical Output Characteristics

4.5V
10
0.1
20µs P ULSE WIDTH

TC = 17 5°C

A
1 10 100

VD S , Drain-to-Source V oltage (V)

Fig 2. Typical Output Characteristics

1000

TJ = 2 5 °C

TJ = 1 7 5 ° C

100
10

V DS= 25V

20µs P ULSE W ID TH

1A

4 5 6 7 8 9 10

VGS , Ga te-to-So urce Voltage (V )

Fig 3. Typical Transfer Characteristics

2.0

ID = 98A

1.5
1.0
0.5
0.0

V GS = 10V

A
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180

TJ , Junction Temperature (°C)

Fig 4. Normalized On-Resistance

Vs. Temperature

Всего страниц 8 Pages
Скачать PDF

Проверка полевого MOSFET транзистора цифровым мультиметром

Для примера возьмем полевой МОП-транзистор с каналом n-типа IRF 640. Условно-графическое обозначение такого транзистора и его цоколевку вы видите на следующем рисунке.

Перед началом проверки транзистора замкните все его выводы между собой, что бы снять возможный заряд с транзистора.

Проверка встроенного диода

Для начал следует подготовить мультимер и перевести его в режим проверки диодов. Для этого переключатель режимов/пределов установите в положение с изображением диода.

В этом режиме мультиметр при подключении диода в прямом направлении (плюс прибора на анод, минус прибора на катод) показывает падение напряжения на p-n переходе диода. При включении диода в обратном направлении мультиметр показывает «1».

Итак, подключаем щупы мультиметра, как было сказано выше, в прямом включении диода. Таким образом, красный шум (+) подключаем на исток, а черный (-) на сток.

Мультиметр должен показать падение напряжение на переходе порядка 0,5-0,7.

Меняем полярность подключения встроенного диода, при этом мультиметр, при исправности диода покажет «1».

Проверка работы полевого МОП транзистора

Проверяемый нами МОП-транзистор имеет канал n-типа, поэтому, что бы канал стал электропроводен необходимо на затвор транзистора относительно истока либо стока подать положительный потенциал. При этом электроны из подложки переместятся в канал, а дырки будут вытолкнуты из канала. В результате канал между истоком и стоком станет электропроводен и через транзистор потечет ток.

Для открытия транзистора будет достаточно напряжения на щупах мультиметра в режиме прозвонки диодов.

Поэтому черный (отрицательный) щуп мультиметра подключаем на исток (или сток), а красным касаемся затвора.

Если транзистор исправен, то канал исток-сток станет электропроводным, то есть транзистор откроется.

Теперь если прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет какое-то значение падение напряжения на канале, в виду того, что через транзистор потечет ток.

Таким образом черный щуп транзистора ставим на исток, а красный на сток и мультиметр покажет падение напряжение на канале.

Если поменять полярность щупов, то показания мультиметра будут примерно одинаковыми.

Что бы закрыть транзистор достаточно относительно истока на затвор подать отрицательный потенциал.

Следовательно, подключаем положительный (красный) щуп мультиметра на исток, а черным касаемся затвор.

При этом исправный транзистор закроется. И если после этого прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет лишь падение напряжения на встроенном диоде.

Если транзистор управляется напряжением с мультиметра (то есть открывается и закрывается), значит можно сделать вывод, что транзистор исправен.

Проверка полевого МОП – транзистора с каналом p-типа осуществляется подобным образом. За тем исключением, что во всех пунктах проверки полярность подключения щупов меняется на противоположную.

Более подробно и просто всю методику проверки полевого транзистора я изложил в следующем видеоуроке: