Тиристоры и симисторы
Тиристор
— это полупроводниковый прибор, который может находится в двух
состояниях:
- открытом — пропускает ток, но только в одном направлении,
- закрытом — не пропускает ток.
Так как тиристор пропускает ток только в одном направлении, для
включения и выключения нагрузки он подходит не очень хорошо. Половину
времени на каждый период переменного тока прибор простаивает. Тем не
менее, тиристор можно использовать в диммере. Там он может применяться
для управления мощностью, отсекая от волны питания кусочек требуемой
мощности.
Симистор — это, фактически двунаправленный тиристор. А значит он
позволяет пропускать не полуволны, а полную волну напряжения питания
нагрузки.
Открыть симистор (или тиристор) можно двумя способами:
- подать (хотя бы кратковременно) отпирающий ток на управляющий электрод;
- подать достаточно высокое напряжение на его «рабочие» электроды.
Второй способ нам не подходит, так как напряжение питания у нас будет
постоянной амплитуды.
После того, как симистор открылся, его можно закрыть поменяв
полярность или снизив ток через него то величины, меньшей чем так
называемый ток удержания. Но так как питание организовано переменным
током, это автоматически произойдёт по окончании полупериода.
При выборе симистора важно учесть величину тока удержания
(). Если взять мощный симистор с большим током удержания, ток
через нагрузку может оказаться слишком маленьким, и симистор просто не
откроется
Защитные и контрольные функции драйверов
Защита силовых ключей от разного рода аварийных ситуаций является одной из важнейших функций схемы управления. Для ее реализации драйверы снабжаются блоками оперативного мониторинга перегрузки по току и КЗ, перенапряжения на коллекторе и затворе, перегрева, а также падения напряжения управления VGG+/VGG-.
Защита от перегрузки по току
Измерение тока коллектора/стока производится с помощью резистивных шунтов, токовых трансформаторов, индукционных сенсоров и т. д. Одним из самых распространенных методов мониторинга состояния токовой перегрузки является измерение напряжения насыщения транзистора. Выход из насыщения (Desaturation), при котором величина VCEsat достигает определенного порога, рассматривается как аварийная ситуация. При этом драйвер блокирует силовые транзисторы и формирует сигнал неисправности ERROR, который через изолирующий барьер передается на входной каскад и далее на контроллер. Интеллектуальные модули высокой степени интеграции (например, SKiiP компании SEMIKRON) имеют в своем составе датчики тока, информация с которых используется схемой защиты вместе с напряжением насыщения, что позволяет сократить время реакции и отключить IGBT при меньшем уровне перегрузки.
Защита от перенапряжения на затворе
Функцию ограничения напряжения на затворе рекомендуется реализовывать в любом драйвере, независимо от наличия аварийной ситуации. Кроме защиты затвора от пробоя, это позволяет ограничить ток КЗ. Подробнее данный вопрос будет рассмотрен далее.
Защита от перенапряжения на коллекторе (стоке)
Ограничение напряжения на силовых терминалах может осуществляться самим модулем (большинство MOSFET обладает стойкостью к лавинному пробою), внешними пассивными снабберами, а также активными цепями, переводящими транзистор в линейный режим при возникновении опасного перенапряжения.
В ряде интеллектуальных модулей (например, SKiiP) реализована функция запрета коммутации при достижении напряжением DC-шины порогового уровня. Эта опция не способна защитить от внешних перенапряжений, однако она позволяет исключить влияние коммутационных выбросов в критических режимах, что существенно повышает надежность работы преобразовательного устройства. Мониторинг напряжения питания производится «квази-изолированным» датчиком на основе высокоомного дифференциального усилителя, передающего аналоговый сигнал, пропорциональный VDC, на схему управления. Если величина VDC превышает заданный уровень, силовые транзисторы отключаются, и схема защиты формирует сигнал неисправности. В ряде случаев параллельно цепи питания инвертора устанавливается тормозной чоппер, активно разряжающий конденсаторы звена постоянного тока при опасном увеличении напряжения. Такая схема чаще всего применяется в приводах, где используется режим динамического торможения (электротранспорт, лифты и т. д.).
Защита от перегрева
Температура силовых кристаллов, а также изолирующей подложки рядом с чипами, корпуса модуля и радиатора может быть определена расчетным методом или с помощью сенсоров. Если термодатчик гальванически изолирован, то его выходной сигнал передается на схему управления и используется для отключения силового каскада и формирования сигнала неисправности.
Защита от падения напряжения управления VGG+, VGG- (Under Voltage LockOut, UVLO)
Падение напряжения питания выходного каскада драйвера и, соответственно, уровня VGE нежелательно по многим причинам. В первую очередь при этом возрастает опасность перехода ключа в линейный режим работы и резкого увеличения рассеиваемой мощности. Кроме того, в этом случае теряется управляемость: транзистор не может быть полностью открыт или заблокирован. Мониторинг критического состояния производится путем измерения величин VGG+, VGG- с последующим отключением силового каскада при их снижении до опасного уровня.
Изолированные драйверы затворов
Для получения очень высоких мощностей разработчики начинают использовать такие топологии, как двухключевой прямоходовый преобразователь, полумостовой или мостовой преобразователи. Во всех этих топологиях необходимо применять плавающий ключ.
Существуют решения этой задачи с использованием полупроводниковых компонентов, но только для низковольтных применений. Интегральные драйверы верхнего плеча не предоставляют разработчику достаточной гибкости, а также не обеспечивают такого уровня защиты, изоляции, устойчивости к переходным процессам и подавления синфазных помех, который дает хорошо спроектированный и изготовленный трансформатор для управления затвором.
На рис. 4 показан самый примитивный способ получения плавающего управления затвором. Выход микросхемы драйвера подключен через разделительный конденсатор к небольшому трансформатору (обычно тороидальному для лучшей производительности). Вторичная обмотка подключена непосредственно к затвору ПТ, и любые замедляющие резисторы должны располагаться со стороны первичной обмотки трансформатора
Обратите внимание на стабилитроны в затворе для защиты от переходных процессов. На выходе драйвера необходимо использовать ограничительные диоды, ими нельзя пренебрегать, даже если при первых испытаниях не возникли проблемы с реактивными токами в трансформаторе
Рис. 4. Простейшая изолированная схема для управления затвором
В простейшей изолированной схеме для управления затвором используется трансформатор, как показано на рис. 4. Ограничительные диоды необходимы для защиты от реактивных токов, а разделительный конденсатор предотвращает насыщение трансформатора. Конденсатор дает сдвиг уровня выходного напряжения драйвера, который зависит от относительной длительности управляющих импульсов.
Схема, представленная на рис. 4, обеспечивает отрицательное напряжение на вторичной обмотке на интервалах времени, когда ПТ выключен
Это значительно увеличивает устойчивость к синфазным помехам, что особенно важно для мостовых схем
Однако недостаток отрицательного смещения это уменьшение положительного напряжения, открывающего ПТ. При небольшой относительной длительности импульсов положительный импульс большой. При относительной длительности, равной 50%, половина имеющегося напряжения драйвера теряется. При большой относительной длительности положительного напряжения может не хватить для полного открывания ПТ.
Схемы с трансформаторной развязкой наиболее эффективны при относительной длительности от 0 до 50%. К счастью, именно это и нужно для прямоходовых, мостовых и полумостовых преобразователей.
Обратите внимание: на рис. 5 показано, как напряжение на разделительном конденсаторе смещается под действием низкочастотных колебаний, наложенных на выходные импульсы драйвера
Эти колебания должны тщательно подавляться для обеспечения безопасной работы. Обычно для борьбы с этим явлением увеличивают емкость конденсатора, что уменьшает Q для низкочастотных составляющих. Необходимо проверить работу схемы при всех возможных переходных процессах, особенно при старте, когда конденсатор разряжен.
Рис. 5. Колебания, возникающие в разделительном конденсаторе и влияющие на работу трансформатора
Поведение транзисторов
Несмотря на доступность широчайшего выбора диапазонов рабочих напряжений и токов мощных транзисторов, выпускаемых в разнообразных корпусах и обеспеченных технической поддержкой производителей, каждому из трех видов транзисторов – биполярным, MOSFET и IGBT – присуще свое поведение, определяющее области их применения. Благодаря дешевизне в больших партиях (например, стоят от 12 до 15 центов за штуку), 100-вольтовые биполярные транзисторы широко используются для получения напряжений ±40 В в усилителях мощности звукового диапазона. (В биполярные транзисторы для аудиоприложений некоторые производители встраивают цепи автоматического смещения).
Между тем, 600-вольтовые IGBT можно найти дома в электроприводах бытовой техники, подключенной к сети переменного тока 220 В, например, в стиральных машинах или сушилках. Основная область применения мощных MOSFET – безусловно, импульсные источники питания. В них транзисторы на напряжения 25, 30 или 40 В, называемые «низковольтные MOSFET», используются для получения питающих напряжений 5 или 12 В, необходимых компьютерам и телекоммуникационной аппаратуре.
Хотя и не всегда, инженеры склонны выбирать транзисторы с запасом по току и напряжению. Вы можете заметить, что в стиральной машине, которая подключается к сети 220 В, используются IGBT, рассчитанные на 600 или 650 В, а в силовых цепях плат серверных модулей, питающиеся от 5.0 В или 3.3 В, установлены MOSFET, допустимые напряжения которых начинаются с 30 В. И, наконец, на стереодинамики работают 100- и 200-вольтовые биполярные транзисторы.
Такой запас позволяет быть уверенным, что наши системы не останутся без источников питания. Кроме того, он защищает от резких выбросов напряжения и скачков тока. (Автомобильное оборудование особенно подвержено выбросам, и для того, чтобы справиться с бросками в 150 В, выбираются компоненты, рассчитанные на 400 В).
Убедить инженеров отказаться от чрезмерного запаса по предельным параметрам, в конечном счете, могут постоянное сглаживание, фильтрация и стабилизация на протяжении всей цепи прохождения питания. Такой подход затронул бы архитектуру вычислительных серверов, где такие производители, как, например, IBM и NTT DOCOMO выступают за распределительные сети 385 В постоянного тока для мегаваттных дата-центров и 48 В как промежуточное напряжение для стоек и шкафов. Это позволило бы разработчикам сузить границы предельных параметров мощных компонентов и, например, использовать меньшие по размерам и более дешевые 60-вольтовые компоненты в тех слотах, где раньше служили компоненты с допустимым напряжением 100 В
При этом инженеры должны обращать внимание на области безопасной работы (safe operating areas – SOA) тех транзисторов, которые они надеются использовать
Синхронные многофазные драйверы
Renesas предлагает широкий ассортимент синхронных MOSFET-драйверов для многофазной широтно-импульсной модуляции (ШИМ).
- Найти и сравнить
Изделие | Особенности | Uвх/Uшим, макс. | Вых. ток верхнего плеча, Source/Sink (A) | Вых. ток нижнего плеча, Source/Sink (A) | Фазное напр., макс. | Ток потр. | Раб. температура | Корпус |
ZL1505 | 5V | 4.5 | 3.3 | — | — | -40 … +125 | 10pin-DFN | |
RAA220002 | 2 канала | 15V | 1.25/2 | 1.75/3 | 25VDC, 30V (200ns) | 12.5 mA | — | 12pin-TDFN |
RAA220001 | 15V | 1.25/2 | 1.75/3 | 25VDC, 30V (200ns) | 7.0 mA | — | 8pin-DFN | |
ISL95808 | -0.3V … VCC + 0.3V | 2.2 | 2.4 | 30V | 0.08 mA | -40 … +100 | 8pin-DFN | |
ISL6627 | -0.3V … VCC + 0.3V | 2.4 | 2.2 | 25VDC, 30V (100ns) | 1.85 µA | -40 … +85 | 10pin-DFN | |
ISL6625A | 15V | 1.25/2 | 1.75/3 | 25VDC, 30V (200ns) | 7.56 mA | -40 … +85 | 8pin-DFN | |
ISL6622A | 15V | 1.25/2 | 2.3 | 15VDC, 30V (200ns) | 5.7 mA | -40 … +85 | 10pin-DFN | |
ISL6622 | 15V | 1.25/2 | 2.3 | 15VDC, 30V (200ns) | 5.7 mA | -40 … +85 | 10pin-DFN, 8pin-SOICN | |
ISL6620A | 15V | 2.2 | 2.4 | 15VDC, 30V (100ns) | 1.85 mA | 0 … +70 | 10pin-DFN | |
ISL6620 | 15V | 2.2 | 2.4 | 15VDC, 30V (100ns) | 1.85 mA | -40 … +85 | 10pin-DFN | |
ISL6617A | Дублер фаз | -0.3V … VCC + 0.3V | 0.05/0.05 | 0.05/0.05 | N/A | 5 mA | -40 … +125 | 10pin-DFN |
ISL6617 | Дублер фаз | -0.3V … VCC + 0.3V | 0.05/0.05 | 0.05/0.05 | N/A | 5 mA | -40 … +85 | 10pin-DFN |
ISL6615A | 15V | 2.5 | 4.6 | 15VDC, 30V (200ns) | 8 mA | -40 … +85 | 10pin-DFN, 8pin-SOICN | |
ISL6615 | 15V | 2.5 | 4.6 | 15VDC, 30V (200ns) | 8 mA | -40 … +85 | 10pin-DFN | |
ISL6614A | 2 канала | GND — 0.3V … 7V | 1.25/2 | 2.3 | 15VDC, 30V (200ns) | 7.1 mA | 0 … +70 | 14pin-SOICN, 16pin-QFN |
ISL6614 | 2 канала | GND — 0.3V … 7V | 1.25/2 | 2.3 | 15VDC, 30V (200ns) | 7.1 mA | 0 … +70 | 16pin-QFN |
ISL6613A | GND — 0.3V … 7V | 1.25/2 | 2.3 | 15VDC, 30V (200ns) | 4.5 mA | -40 … +85 | 8pin-SOICN-EP | |
ISL6612A | GND — 0.3V … 7V | 1.25/2 | 2.3 | 15VDC, 30V (200ns) | 7.2 mA | -40 … +85 | 8pin-SOICN | |
ISL6612 | 15V | 1.25/2 | 2.3 | 24V (200ns, VBOOT-PHASE=12V) | 4.5 mA | 0 … +70 | 10pin-DFN | |
ISL6611A | 2 канала | -0.3V … VCC + 0.3V | 2.2 | 2.4 | 27VDC, 30V (100ns) | 2.5 mA | 0 … +70 | 16pin-QFN |
ISL6609A | -0.3V … VCC + 0.3V | 2.2 | 2.4 | 15VDC, 30V (100ns) | 0.132 mA | -40 … +85 | 8pin-QFN, 8pin-SOICN | |
ISL6609 | -0.3V … VCC + 0.3V | 2.2 | 2.4 | 15VDC, 30V (100ns) | 0.132 mA | -40 … +85 | 8pin-QFN | |
ISL6608 | -0.3V … 7V | 2.2 | 2.4 | 22V | 0.08 mA | 0 … +70 | 8pin-SOICN | |
ISL6605 | 17V | 2.2 | 2.4 | 22V | 0.002 mA | -40 … +85 | 8pin-QFN | |
ISL6596 | 3.3 и 5 | 2.2 | 2.4 | 15VDC, 30V (100ns) | 0.19 mA | -40 … +85 | 10pin-DFN | |
ISL6594D | GND — 0.3V … 7V | 1.25/2 | 2.3 | 15VDC, 30V (200ns) | 4.5 mA | 0 … +70 | 10pin-DFN | |
ISL6594A | GND — 0.3V … 7V | 1.25/2 | 2.3 | 15VDC, 30V (200ns) | 8 mA | 0 … +70 | 10pin-DFN | |
ISL6208C | -0.3V … VCC + 0.3V | 2.2 | 2.4 | 30V | 0.08 mA | -40 … +100 | 8pin-DFN | |
ISL6208B | -0.3V … VCC + 0.3V | 2.2 | 2.4 | 30V | 0.08 mA | -40 … +100 | 8pin-DFN | |
ISL6208 | -0.3V … VCC + 0.3V | 2.2 | 2.4 | 30V | 0.08 mA | -40 … +85 | 8pin-QFN, 8pin-SOICN | |
HIP2106A | 3.3 и 5 | 2.2 | 2.4 | 15VDC, 30V (100ns) | 0.19 mA | -40 … +85 | 10pin-DFN | |
HIP2105 | — | 2.2 | 2.4 | GND — 0.3VDC GND — 8V (20ns) | 0.19 mA | — | 10pin-DFN |
Микросхемы данного класса предназначены для применения в одно- и многофазных DC/DC преобразователях большой мощности.
Расчёт и выбор драйвера
Исходными данными для расчета является входная емкость модуля С вх или эквивалентный заряд Q вх, входное сопротивление модуля R вх, размах напряжения на входе модуля .U =30 В (приводятся в справочной информации по модулю), максимальная рабочая частота, на которой работает модуль f max.
Необходимо найти импульсный ток, протекающий через управляющий вход модуля Imax, максимальную мощность DC/DC-преобразователя P.
На рис.16 приведена эквивалентная схема входа модуля, которая состоит из емкости затвора и ограничивающего резистора.
Если в исходных данных задан заряд Q вх , то необходимо пересчитать его в эквивалентную входную емкость C вх =Q вх / DU.
Реактивная мощность, выделяемая на входной емкости модуля, рассчитывается по формуле Рс =f Q вхDU. Общая мощность DC/DC-преобразователя драйвера Р складывается из мощности, потребляемой выходным каскадом драйвера Рвых, и реактивной мощности, выделяемой на входной емкости модуля Рс: Р =Р вых +Рс.
Рабочая частота и размах напряжения на входе модуля при расчетах взяты максимальными, следовательно, получена максимально возможная при нормальной работе драйвера мощность DC/DC-преобразователя.
Зная сопротивление ограничивающего резистора R, можно найти импульсный ток, протекающий через драйвер: I max = DU/R.
Примеры применения
Может быть, аудиоусилители являются наиболее популярной областью применения p-канальных MOSFET-транзисторов. На рис. 10а n-канальный MOSFET применен в качестве верхнего ключа (HS), а p-канальный — в качестве нижнего (LS). Выход аудиоусилителя как бы является в данном случае схемой истокового повторителя. Если коэффициент усиления по напряжению данной схемы равен 1, схема устойчива. На рис. 10б использован транзистор Дарлингтона в комбинации p-n-p- и n-канального транзисторов, вместо p-канального MOSFET. MOSFET включен по схеме с общим истоком, которая имеет большой коэффициент усиления по напряжению и обратную связь, контролируемую p-n-p-транзистором. То есть эта схема может быть неустойчива. После компенсации частотный диапазон этой схемы не может быть достаточен для передачи аудиосигнала высокого качества.
Рис. 10. Выходной каскад на MOSFET для аудиоусилителя:
а) n-канальный и p-канальный;
б) оба n-канальные
Защита от помех AC
Момент выключения
Напряжение в сети является синусоидой, которая 100 раз в секунду пересекает значение 0. Если выключить нагрузку в тот момент, когда напряжение в сети равно нулю – это сильно уменьшит выброс. Для этих целей проще всего использовать твердотельные реле (SSR) с детектором нуля (Zero-Crossing Detector): такие реле сами отключают и включают нагрузку в нужный момент. Детектор нуля есть почти во всех моделях SSR, но лучше уточнить в документации. Для самодельных симисторных ключей, работающих в режиме вкл/выкл (без диммирования) рекомендуется ставить управляющую оптопару с детектором нуля: она тоже будет включать и выключать нагрузку в лучший для этого момент, то есть в ближайшем нуле.
Искрогасящие цепи AC
Также обратите внимание на то, что в некоторых твердотельных реле уже стоит снабберная цепь, об этом можно узнать из даташита на конкретную модель. На самодельный симисторный диммер такую цепь желательно не лениться и всё таки ставить, чтобы уменьшить помехи в сети
Встроенная в прибор схема накачки заряда позволяет открывать внешний N-канальный ключ на произвольное время, обеспечивая тем самым 100% коэффициент заполнения
Компания Linear Technology Corporation, входящая в настоящее время в состав Analog Devices Inc., объявила о выпуске быстродействующего драйвера затвора N-канальных MOSFET-транзисторов верхнего плеча LTC7004, способного работать при напряжении источника питания нагрузки до 60 В. Встроенная в прибор схема накачки заряда позволяет открывать внешний N-канальный ключ на произвольное время, обеспечивая тем самым 100% коэффициент заполнения. Выходной каскад драйвера с сопротивлением 1 Ом может легко управлять MOSFET-транзисторами с большой емкостью затвора при минимальной длительности фронта импульса и времени задержки распространения не более 35 нс. Такая возможность одинаково подходит как для высокочастотных приложений, так и для статичных схем коммутации.
На вход драйвера подается низковольтный управляющий цифровой сигнал относительно общего провода схемы, при этом LTC7004 способен быстро переключать N-канальный MOSFET-транзистор верхнего плеча, на стоке которого действует напряжение в диапазоне от 0 В до 60 В (максимально 65 В).
Драйвер силового ключа с напряжением питания от 3.5 В до 15 В оснащен программируемой схемой защиты от недопустимого падения напряжения (UVLO). Типовая длительность фронтов управляющих затвором импульсов равна 13 нс при работе на емкость затвора величиной 1 нФ. Это обеспечивает минимальный уровень потерь на переключение. Другими особенностями прибора являются регулировка длительности фронта управляющего затвором импульса и устанавливаемый пользователем порог срабатывания схемы защиты от недопустимого превышения входного напряжения (OVLO).
LTC7004 поставляется в корпусе MSOP-10 с увеличенным шагом выводов, гарантирующих надежную работу в высоковольтных приложениях. Доступны версии драйвера для эксплуатации в промышленном и расширенном диапазоне температур – от –40°C до +125°C, а также в высокотемпературном автомобильном диапазоне – от –40°C до +150°C и версия военного назначения – от –55°C до +150°C.
Внутренняя архитектура LTC7004 |
Отличительные особенности:
- Широкий диапазон входного напряжения: от 0 В до 60 В (максимальное значение — 65 В)
- Встроенная схема накачки заряда для режима со 100% коэффициентом заполнения
- Выходное сопротивление драйвера, обеспечивающее малые длительности фронтов управляющего импульса: относительно общего провода – 1 Ом, относительно положительного полюса источника питания — 2.2 Ом
- Малое время задержки распространения сигнала: 35 нс
- Регулировка длительности фронта управляющего импульса
- Напряжение источника питания схемы управления затвором: от 3.5 В до 15 В
- Регулируемый порог срабатывания схемы защиты от недопустимого падения напряжения питания (UVLO)
- Регулируемый порог срабатывания схемы защиты от недопустимого повышения входного напряжения (OVLO)
- CMOS-совместимый уровень управляющего сигнала
- Оптимизированный для высоковольтных схем 10-выводной корпус MSOP с улучшенными тепловыми характеристиками
Опытные образцы доступны для заказа в ООО «Гамма Плюс»
- тел.: (812) 320-40-53
- факс: (81378) 3-54-77
- info@icgamma.ru
- www.icgamma.ru
Виды транзисторов
Каждая из ветвей отличается на 0. Изображение схем подключения полевых триодов Практически каждая схема способна работать при очень низких входных напряжениях. Схема включения MOSFET Традиционная, классическая схема включения «мосфет», работающего в режиме ключа открыт-закрыт , приведена на рис 3. Испытания показали, что транзисторный ключ прекрасно работает, подавая напряжение на нагрузку. Транзисторы управляются напряжением, и в статике не потребляют ток управления. Если к такому транзистору приложить напряжение, к стоку плюс, а к истоку минус, через него потечет ток большой величины, он будет ограничен только сопротивлением канала, внешними сопротивлениями и внутренним сопротивлением источника питания. Это значит что нужно этого избежать, введя каскад с высоким входным сопротивлением. Среди них можно выделить: биполярные транзисторы с внедрёнными и их схему резисторами; комбинации из двух триодов одинаковых или разных структур в одном корпусе; лямбда-диоды — сочетание двух полевых триодов, образующих участок с отрицательным сопротивлением; конструкции, в которых полевой триод с изолированным затвором управляет биполярным триодом применяются для управления электромоторами. Чтобы на резисторе Rи не выделялась переменная составляющая напряжения, его шунтируют конденсатором Си. Каскад с общим истоком дает очень большое усиление тока и мощности. Разница потенциалов достигает величины от 0,3 до 0,6 В. Только вот стрелки на условном изображении полевых транзисторов имеют направление, прямо противоположное своим биполярным аналогам.
Это значит что нужно этого избежать, введя каскад с высоким входным сопротивлением. Стабильность при изменении температуры. При некотором напряжении Uси происходит сужение канала, при котором границы обоих р-n- переходов сужаются и сопротивление канала становится высоким. Это возможно благодаря тому, что не используется инжекция неосновных носителей заряда.
Принцип работы триода При обесточивании базы транзистор очень быстро приходит в первоначальное состояние и коллекторный переход закрывается. Поэтому использование такого подхода на практике сильного ограничено в усилительной технике.
Также сюда подключается и усилитель колебаний. Функцию затвора исполняет металлический вывод, который отделяется от кристалла слоем диэлектрика и, таким образом, электрически с ним не контактирует. Защита от переполюсовки на основе полевого транзистора
“Универсальное” электромагнитное реле
Электромагнитное реле является по сути управляемым механическим выключателем: подали на него ток – оно замкнуло контакты, сняли ток – разомкнуло. Контакты являются именно контактами: металлическими “пятаками”, которые прижимаются друг к другу. Именно поэтому такое реле может управлять как нагрузкой постоянного, так и переменного тока.
Сама катушка реле является неслабой индуктивной нагрузкой, что приводит к дополнительным проблемам (читай ниже), поэтому для управления “голым” реле нам понадобится дополнительная силовая и защитная цепь.
После изучения данного урока вы сами сможете её составить (транзистор и диод), а сейчас мы поговорим о модулях реле: готовая плата, на которой стоит само реле, а также цепи коммутации, защиты и даже оптическая развязка. Такие модули бывают “семейными” – с несколькими реле на борту. Спасибо китайцам за это! Смотрите варианты у меня в каталоге ссылок на Али.
Такое реле сделано специально для удобного управления с микроконтроллера: пины питания VCC (Vin, 5V) и GND подключаются к питанию, а далее реле управляется логическим сигналом, поданным на пин IN. С другой стороны стоит клеммник для подключения проводов, обычно контакты подписаны как NO, NC и COM. Это общепринятые названия пинов кнопок, переключателей и реле:
- COM – Common, общий. Реле является переключающим, и пин COM является общим.
- NO – Normal Open, нормально открытый. При неактивном реле данный контакт не соединён с COM. При активации реле он замыкается с COM.
- NC – Normal Closed, нормально закрытый. При неактивном реле данный контакт соединён с COM. При активации реле он размыкается с COM.
Подключение нагрузки через реле думаю для всех является очевидным:
Важный момент: катушка реле в активном режиме потребляет около 60 мА, то есть подключать больше одного модуля реле при питании платы от USB не рекомендуется – уже появятся просадки по напряжению и помехи:
Такие модули реле бывают двух типов: низкого и высокого уровня. Реле низкого уровня переключается при наличии низкого сигнала (GND) на управляющем пине . Реле высокого уровня соответственно срабатывает от высокого уровня . Какого типа вам досталось реле можно определить экспериментально, а можно прочитать на странице товара или на самой плате. Также существуют модули с выбором уровня:
На плате, справа от надписи High/Low trigger есть перемычка, при помощи которой происходит переключение уровня. Электромагнитное реле имеет ряд недостатков перед остальными рассмотренными ниже способами, вы должны их знать и учитывать:
- Ограниченное количество переключений: механический контакт изнашивается, особенно при большой и/или индуктивной нагрузке.
- Противно щёлкает!
- При большой нагрузке реле может “залипнуть”, поэтому для больших токов нужно использовать более мощные реле, которые придётся включать при помощи… маленьких реле. Или транзисторов.
- Необходимы дополнительные цепи для управления реле, так как катушка является индуктивной нагрузкой, и нагрузкой самой по себе слишком большой для пина МК (решается использованием китайского модуля реле).
- Очень большие наводки на всю линию питания при коммутации индуктивной нагрузки.
- Относительно долгое переключение (невозможно поставить детектор нуля, читай ниже), при управлении индуктивными цепями переменного тока можно попасть на большой индуктивный выброс, необходимо ставить искрогасящие цепи.
Важный момент связан с коммутацией светодиодных светильников и ламп, особенно дешёвых: у них прямо на входе стоит конденсатор, который при резком подключении в цепь становится очень мощным потребителем и приводит к скачку тока. Скачок может быть настолько большим, что 15-20 Ваттная светодиодная лампа буквально сваривает контакты реле и оно “залипает”! Данный эффект сильнее выражен на дешёвых лампах, будьте с ними аккуратнее (за инфу спасибо DAK). При помощи реле можно плавно управлять сильно инерционной нагрузкой, такой как большой обогреватель. Для этого нужно использовать сверхнизкочастотный ШИМ сигнал, у меня есть готовая библиотека. Не забываем, что реле противно щёлкает и изнашивается, поэтому для таких целей лучше подходит твердотельное реле, о котором мы поговорим ниже.