Таблица 1 – Краткие технические характеристики транзисторов КТ315 и КТ315-1
Тип | Структура | PК max, PК* т. max, мВт | fгр, МГц | UКБО max, UКЭR*max, В | UЭБО max, В | IК max, мА | IКБО, мкА | h21э, h21Э* | CК, пФ | rКЭ нас, Ом | rб, Ом | τк, пс |
KT315A1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 25 | 6 | 100 | ≤0,5 | 20…90 (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
KT315Б1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 20 | 6 | 100 | ≤0,5 | 50…350 (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
KT315В1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 40 | 6 | 100 | ≤0,5 | 20…90 (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
KT315Г1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 35 | 6 | 100 | ≤0,5 | 50…350 (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
KT315Д1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 40 | 6 | 100 | ≤0,5 | 20…90 (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
KT315Е1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 35 | 6 | 100 | ≤0,5 | 20…90 (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
KT315Ж1 | n-p-n | 100 | ≥250 | 15 | 6 | 100 | ≤0,5 | 30…250 (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
KT315И1 | n-p-n | 100 | ≥250 | 60 | 6 | 100 | ≤0,5 | 30 (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
KT315Н1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 20 | 6 | 100 | ≤0,5 | 50…350 (10 В; 1 мА) | ≤7 | – | – | – |
KT315Р1 | n-p-n | 150 | ≥250 | 35 | 6 | 100 | ≤0,5 | 150…350 (10 В; 1 мА) | ≤7 | – | – | – |
КТ315А | n-p-n | 150 (250*) | ≥250 | 25 | 6 | 100 | ≤0,5 | 30…120* (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤300 |
КТ315Б | n-p-n | 150 (250*) | ≥250 | 20 | 6 | 100 | ≤0,5 | 50…350* (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤500 |
КТ315В | n-p-n | 150 (250*) | ≥250 | 40 | 6 | 100 | ≤0,5 | 30…120* (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤500 |
КТ315Г | n-p-n | 150 (250*) | ≥250 | 35 | 6 | 100 | ≤0,5 | 50…350* (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | ≤40 | ≤500 |
КТ315Д | n-p-n | 150 (250*) | ≥250 | 40* (10к) | 6 | 100 | ≤0,6 | 20…90 (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤30 | ≤40 | ≤1000 |
КТ315Е | n-p-n | 150 (250*) | ≥250 | 35* (10к) | 6 | 100 | ≤0,6 | 50…350* (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤30 | ≤40 | ≤1000 |
КТ315Ж | n-p-n | 100 | ≥250 | 20* (10к) | 6 | 50 | ≤0,6 | 30…250* (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤25 | – | ≤800 |
КТ315И | n-p-n | 100 | ≥250 | 60* (10к) | 6 | 50 | ≤0,6 | ≥30* (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤45 | – | ≤950 |
КТ315Н | n-p-n | 150 | ≥250 | 35* (10к) | 6 | 100 | ≤0,6 | 50…350* (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤5,5 | – | ≤1000 |
КТ315Р | n-p-n | 150 | ≥250 | 35* (10к) | 6 | 100 | ≤0,5 | 150…350* (10 В; 1 мА) | ≤7 | ≤20 | – | ≤500 |
Примечание: 1. IКБО – обратный ток коллектора – ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера, измеренный при UКБ = 10 В; 2. IК max – максимально допустимый постоянный ток коллектора; 3. UКBO max – пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе кол- лектора и разомкнутой цепи эмиттера; 4. UЭБO max – пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора; 5. UКЭR max – пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер; 6. РК.т max – постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом; 7. PК max – максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора; 8. rб – сопротивление базы; 9. rКЭ нас – сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером; 10. CК – емкость коллекторного перехода , измеренная при UК = 10 В; 11. fгp – граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы общим эмиттером; 12. h2lэ – коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме мало сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно; 13. h2lЭ – статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала; 14. τк – постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.
Транзистор КТ815: параметры, цоколевка, аналог, datasheet
Транзистор КТ815 – биполярный, кремневый эпитаксиально-планарный, имеющий структуру n-p-n. Данный транзистор применяется в схемах усилителей низкой частоты (УНЧ), в дифференциальных и операционных усилителях, в импульсных устройствах и различных преобразователей. Транзистор КТ815 выполнен в пластмассовом корпусе и имеет жесткие выводы.
Параметры КТ815 транзистора
- Uкбо — max разрешенное напряжение коллектор-база
- Uкбо(и) — max разрешенное напряжение (импульсное) коллектор-база
- Uкэо — max разрешенное напряжение коллектор-эмиттер
- Uкэо(и) — max разрешенное напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
- Iкmax — max разрешенный ток коллектора
- Iкmax(и) — max разрешенный ток (импульсный) коллектора
- Pкmax — max разрешенная стабильная рассеиваемая мощность коллектора без радиатора
- Pкmax т — max разрешенная стабильная рассеиваемая мощность коллектора с радиатором
- h21э — статический коэффициент передачи тока транзистора КТ815 в схеме с ОЭ (общий эмиттер)
- Iкбо — обратный ток коллектора
- fгр — граничная частота h21э в схеме с общим эмиттером
- Uкэн — напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Габаритные и установочные размеры транзистора КТ815
При монтаже допускается сгибать выводы не ближе 5 миллиметров от самого корпуса транзистора и желательно с радиусом закругления не менее 2 мм. Так же необходимо исключить передачу усилия при сгибании выводов на корпус транзистора.
Производить пайку контактов транзистора следует не ближе 5 мм от корпуса. Температура пайки не более 250 гр. при погружении выводов в припой на период не более 2 сек.
Ниже представлена цоколевка транзистора КТ815 в корпусе КТ-27 (ТО-126)
Согласно маркировке: цифра 5 указывает на тип транзистора (КТ815), буква А – группа, U2 – дата выпуска.
Аналоги транзистора КТ815
Транзистор Кт815 возможно заменить на отечественный аналог: КТ8272, КТ961, либо на его зарубежный аналог: BD135, BD137, BD139, TIP29A
Скачать datasheet КТ815