Характеристики транзистора c2383

SI2335DS Datasheet (PDF)

0.1. si2335ds.pdf Size:181K _vishay

Si2335DSVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.051 at VGS = — 4.5 V — 4.0 TrenchFET Power MOSFETs: 1.8 V Rated 0.070 at VGS = — 2.5 V — 12 — 3.50.106 at VGS = — 1.8 V — 3.0TO-236(SOT-23)G 13 DS 2Top ViewSi2335DS (E5)**Marking CodeOrde

0.2. si2335ds-3.pdf Size:1625K _kexin

SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI2335DS (KI2335DS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.1 Features0.4-0.13 VDS (V) =-12V ID =-4.0A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 51m (VGS =-4.5V)1 2 RDS(ON) 70m (VGS =-2.5V)+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.1 RDS(ON) 106m (VGS =-1.8V)1.9 -0.2G 13 D1. GateS 22. Source3. Drai

 0.3. si2335ds.pdf Size:1573K _kexin

SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI2335DS (KI2335DS)SOT-23Unit: mm+0.1 Features 2.9-0.1+0.10.4 -0.1 VDS (V) =-12V3 ID =-4.0A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 51m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 70m (VGS =-2.5V)1 2+0.10.95-0.1 RDS(ON) 106m (VGS =-1.8V) 0.1+0.05-0.011.9+0.1-0.1G 11.Gate3 D2.SourceS 23.Drain Abso

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, применяемые в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, преобразователях и другой аппаратуре общего применения.

Отечественное производство

Тип PC UCB UCE UBE IC TJ fT Cob hFE Временные параметры: ton / tstg / tf мкс. Корпус
2SC5027 50 1100 800 7 3 150 15 60 8…40 0,5 / 3 /0,3 TO-220
КТ840А 60 900 400 5 6 150 8 — 10…60 0,2 / 3,5 / 0,6 TO-3
2Т856А/Г 125 1000 950/850 5 10/12 — — — 10…60 — / — / 0,5 TO-3
КТ859А 40 800 800 10 3 150 ˃ 25 — ˃ 10 0,5 / 3,5 / 0,35 TO-220AB
КТ872А 100 1500 700 6 8 150 — — 6 — / 6,7 / 0,8 TO-218
КТ878А 100 — 900 5 25 150 10 500 12…50 — / 3 / — TO-3
2Т886 175 — 1400 7 10 150 — — — — / — / 0,7 TO-3
КТ8107А 100 1500 700 6 10 125 ˃ 7 — 2,3 — / 3,5 / 0,5 TO-220
КТ8108А/В 70 800/900 — 5 3 150 15 75 10…50 — / 3 / 0,3 TO-220
КТ8114А/Б/В 125 1500 700 6 8 150 — — — — / — / 0,5 TO-218
КТ8118А 50 900 800 5 3 150 15 — 10…40 — / 2 / 0,7 TO-220
КТ8121А 75 700 400 5 4 150 ˃ 4 — 8…60 — / 3 / 0,4 TO-220
КТ8126А1/Б1 80 700 400 9 8 150 ˃ 4 — 8…60 — / 1,7 / — TO-220
КТ8137А 40 700 700 9 1,5 150 ˃ 4 — 8…40 1 / 4 / 0,7 КТ-27
КТ8164А/Б 75 700 400 9 4 150 ˃ 4 110 8…60 0,8 / 4 / 0,9 TO-220
КТ8170А1 40 700 400 9 1,5 150 ˃ 4 35 8…40 1,1 / 4 / 0,7 TO-126

Зарубежное производство

Тип PC UCB UCE UBE IC TJ fT Cob hFE Врем. параметры: ton / tstg / tf мкс. Корпус
2SC5027 50 1100 800 7 3 150 15 60 8…40 0,5 / 3 /0,3 TO-220
2SD1290 50 1500 — 5 3 130 — — 3…8 — / 3 / 1 TO-3PN
2SD1291 65 1500 — 5 3 150 — — 4…12 — / 4 / 1 TO-3PN
BUJ302A 80 1050 400 24 4 150 — — 25…100 — /3,5 / 0,5 TO-220AB
BUJ303A 100 1000 — — 5 150 — — 10…35 0,7 / 4 / 0,45 TO-220AB
BUJ403A 100 1200 550 — 6 150 — — 15 0,5 / 3 /0,3 TO-220AB
BUL216 90 1600 800 9 4 150 — — 10…40 — / 3 / 0,6 TO-220
BUL218D-B 70 700 400 — 4 150 — — 10…32 — / 0,6 / 0,1 TO-220
BUL416 110 1600 800 9 6 150 — — 10…32 — / 3 / 0,7 TO-220
BUL416T 800 9 6 150 — — 10…32 — / 1,5 / 0,8 TO-220A
FJP2145 120 1100 800 7 5 125 15 11,4 8…40 — TO-220
KSC5603D 100 1600 800 12 3 150 5 56 6…46 1 / 0,18 / 0,2 TO-220
2SC2979 40 900 800 7 3 150 — — 7…15 1 / 3 / 1 TO-220
3DD5023/24 40 1500 800 5 6 150 ˃ 2 — 5…30 — / — / 1,0 TO-220F
FJPF5021 40 800 500 7 5 150 15 80 8…50 0,5 / 3 /0,3 TO-220F
FJPF5321 40 800 500 7 5 150 14 65 8…40 0,5 / 3 /0,3 TO-220F
FJPF5200 50 250 250 5 17 150 30 200 35…160 — TO-220F
MJE15028 50 120 120 5 8 150 30 — 20…40 — TO-220C

Примечание: FJPF5200 — Маркировка J5200.

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителя.

IRF640NPBF MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF640NPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20
V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18
A

Максимальная температура канала (Tj): 175
°C

Общий заряд затвора (Qg): 67
nC

Время нарастания (tr): 19
ns

Выходная емкость (Cd): 185
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.15
Ohm

Тип корпуса:

IRF640NPBF
Datasheet (PDF)

0.1. irf640nlpbf irf640npbf irf640nspbf.pdf Size:336K _international_rectifier

PD — 95046AIRF640NPbFIRF640NSPbFl Advanced Process Technology IRF640NLPbFl Dynamic dv/dt RatingHEXFET Power MOSFETl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingDVDSS = 200Vl Fully Avalanche Ratedl Ease of Parallelingl Simple Drive Requirements RDS(on) = 0.15Gl Lead-FreeDescriptionID = 18AFifth Generation HEXFET Power MOSFETs fromSInternational Rectif

0.2. irf640npbf irf640nspbf irf640nlpbf.pdf Size:336K _infineon

PD — 95046AIRF640NPbFIRF640NSPbFl Advanced Process Technology IRF640NLPbFl Dynamic dv/dt RatingHEXFET Power MOSFETl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingDVDSS = 200Vl Fully Avalanche Ratedl Ease of Parallelingl Simple Drive Requirements RDS(on) = 0.15Gl Lead-FreeDescriptionID = 18AFifth Generation HEXFET Power MOSFETs fromSInternational Rectif

 7.1. irf640n.pdf Size:155K _international_rectifier

PD — 94006IRF640NIRF640NSIRF640NL Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt RatingD 175C Operating TemperatureVDSS = 200V Fast Switching Fully Avalanche RatedRDS(on) = 0.15 Ease of ParallelingG Simple Drive RequirementsDescriptionID = 18AFifth Generation HEXFET Power MOSFETs from SInternational Rectifier utilize advanced processi

7.2. irf640ns.pdf Size:228K _inchange_semiconductor

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF640NSFEATURESWith TO-263( DPAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

 7.3. irf640nl.pdf Size:244K _inchange_semiconductor

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF640NLFEATURESWith TO-262 packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PAR

7.4. irf640n.pdf Size:245K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor IRF640NIIRF640NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 150mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITION Efficient and reliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

Другие MOSFET… SMG2301
, SMG2301P
, SMG2302
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, IRF1404
, SMG2306NE
, SMG2310A
, SMG2310N
, SMG2314N
, SMG2314NE
, SMG2318N
, SMG2319P
, SMG2321P
.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, используемые в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, преобразователях, стабилизаторах.

Отечественное производство

Тип PC UCB UCE UBE IC TJ fT hFE Временные параметры Корпус
KSC2335 40 500 400 7 7 150 — 10…80 ton ˂ 1 мкс tstg ˂ 2,5 мкс tf ˂ 1 мкс TO-220
КТ840А 60 900 400 5 6 150 8 10…60 ton ˂ 0,2 мкс tstg ˂ 3,5 мкс tf ˂ 0,6 мкс TO-3
КТ841А 50 600 400 5 10 150 10 10 ton = 0,08 мкс tstg = 0,8 мкс tf = 0,5 мкс TO-3
2Т842А 50 300 300 5 5 150 20 15 ton = 0,12 мкс tstg = 0,8 мкс tf = 0,13 мкс TO-3
КТ847А 125 650 — 8 15 150 ˃ 15 ˃ 8 tstg = 3,0 мкс tf = 1,5 мкс TO-3
КТ858А 60 400 400 6 7 150 — ˃ 10 tstg ˂ 2,5 мкс tf ˂ 0,75 мкс TO-220
2Т862 50 600 400 5 10 150 20 12…50 ton ˂ 0,4 мкс tstg ˂ 1,0 мкс tf ˂ 0,25 мкс TO-3
КТ812А 50 400 400 7 8 150 ˃ 3 — tf = 0,2…1,3 мкс TO-3
КТ8126А1 80 700 400 9 8 150 ˃ 4 8…40 ton = 1,6 мкс tstg = 3,0 мкс tf = 0,7 мкс TO-220
КТ8164А 75 700 400 9 4 150 ˃ 4 10…60 ton = 0,8 мкс tstg = 0,9 мкс tf = 4,0 мкс TO-220

Зарубежное производство

Тип PC UCB UCE UBE IC TJ hFE Корпус
KSC2335 40 500 400 7 7 150 10…80 TO-220
KSC2334 40 150 100 7 7 150 20…240 TO-220C
2SC2502 50 500 400 7 8 150 ˃ 15 TO-220
TT2194 50 500 400 7 12 150 20 TO-220
WBP3308 45 900 500 7 7 150 20 TO-220
2SC3038 40 500 400 7 7 150 50 TO-220
2SC3039 50 500 400 7 7 150 30 TO-220
2SC3170 40 500 — — 7 150 25 TO-220
2SC3626 40 — 400 — 8 — 55 TO-220
2SC4055 60 600 450 7 8 180 100 TO-220
2SC4106 M/N 50 500 400 7 7 175 60 TO-220
2SC4107 M/N 60 500 400 7 10 150 20/60 TO-220
2SC4274 40 500 400 — 10 150 40 TO-220
2SC4458 L 40 900 500 9 8 150 25 TO-220F
2SC4559 40 500 400 — 7 175 150 TO-220
2SD1162 40 500 — 10 10 150 400 TO-220
2SD1349 50 500 — — 7 150 150 TO-220
2SD1533 45 500 — — 7 150 800 TO-220
2SD1710A 50 900 500 9 8 150 25 TO-220
3DK3039 50 500 400 7 7 175 25 TO-220, TO-276AB
MJ10012T 65 600 400 — 15 200 200 TO-220

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип-производителя.

Datasheet Download — NEC

Номер произв C2335
Описание 2SC2335
Производители NEC
логотип 　

1Page

No Preview Available !

www.DataSheet4U.com
DATA SHEET
SILICON POWER TRANSISTOR
2SC2335
NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR
FOR HIGH-SPEED HIGH-VOLTAGE SWITCHING
The 2SC2335 is a mold power transistor developed for high-speed
high-voltage switching, and is ideal for use as a driver in devices such
as switching regulators, DC/DC converters, and high-frequency power
amplifiers.
FEATURES

• Low collector saturation voltage: VCE(sat) = 1.0 V MAX. @IC = 3.0 A

• Fast switching speed: tf = 1.0 µs MAX. @IC = 3.0 A

• Wide base reverse-bias SOA: VCEX(SUS)1 = 450 V MIN. @IC = 3.0 A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Collector current (DC)
Collector current (pulse)
Base current (DC)
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

IC(DC)

IC(pulse)

IB(DC)

PT

Tj

Tstg

Conditions

PW ≤ 300 µs,

duty cycle ≤ 10%

TC = 25°C

TA = 25°C

Ratings
500
400
7.0
7.0
15
Unit
V
V
V
A
A
3.5
40
1.5
150

−55 to +150

A
W
W

°C

°C

ORDERING INFORMATION
Part No.
2SC2335
Package
TO-220AB
(TO-220AB)
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for
availability and additional information.
Document No. D14861EJ2V0DS00 (2nd edition)
Date Published April 2002 N CP(K)
Printed in Japan

219928

No Preview Available !

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)

Parameter
Symbol
Conditions
Collector to emitter voltage
Collector to emitter voltage
Collector to emitter voltage

VCEO(SUS)

VCEX(SUS)1

VCEX(SUS)2

IC = 3.0 A, IB1 = 0.6 A, L = 1 mH

IC = 3.0 A, IB1 = −IB2 = 0.6 A,

VBE(OFF) = −5.0 V, L = 180 µH, clamped

IC = 6.0 A, IB1 = 2.0 A, −IB2 = 0.6 A,

VBE(OFF) = −5.0 V, L = 180 µH, clamped

Collector cutoff current
Collector cutoff current
Collector cutoff current
Collector cutoff current

ICBO

ICER

ICEX1

ICEX2

VCB = 400 V, IE = 0 A

VCE = 400 V, RBE = 51 Ω, TA = 125°C

VCE = 400 V, VBE(OFF) = −1.5 V

VCE = 400 V, VBE(OFF) = −1.5 V,

TA = 125°C

Emitter cutoff current
DC current gain
DC current gain
DC current gain
Collector saturation voltage
Base saturation voltage
Turn-on time
Storage time
Fall time

IEBO

hFE1

hFE2

hFE3

VCE(sat)

VBE(sat)

ton

tstg

tf

VEB = 5.0 V, IC = 0 A

VCE = 5.0 V, IC = 0.1 ANote

VCE = 5.0 V, IC = 1.0 ANote

VCE = 5.0 V, IC = 3.0 ANote

IC = 3.0 A, IB = 0.6 ANote

IC = 3.0 A, IB = 0.6 ANote

IC = 3.0 A, RL = 50 Ω,

IB1 = −IB2 = 0.6 A, VCC ≅ 150 V

Refer to the test circuit.

Note Pulse test PW ≤ 350 µs, duty cycle ≤ 2%

hFE CLASSIFICATION

Marking

hFE2

M
20 to 40
L
30 to 60
K
40 to 80

SWITCHING TIME (ton, tstg, tf) TEST CIRCUIT

2SC2335
MIN.
400
450
400
20
20
10
TYP.
MAX.
10
1.0
10
1.0
10
80
80
1.0
1.2
1.0
2.5
1.0
Unit
V
V
V

µA

mA

µA

mA

µA

V
V

µs

µs

µs

Base current
waveform
Collector current
waveform

2 Data Sheet D14861EJ2V0DS

No Preview Available !

TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)

PP DOXPLQXP ERDUG
QR LQVXODWLQJ ERDUG
JUHDVH FRDWLQJ QDWXUDO
DLU FRROLQJ
:LWK LQILQLWH KHDWVLQN

$PELHQW 7HPSHUDWXUH 7$ °&

2SC2335
6LQJOH SXOVH

&ROOHFWRU WR (PLWWHU 9ROWDJH 9&( 9

&DVH 7HPSHUDWXUH 7& °&

3XOVH :LGWK 3: PV

&ROOHFWRU WR (PLWWHU 9ROWDJH 9&( 9

&ROOHFWRU WR (PLWWHU 9ROWDJH 9&( 9

Data Sheet D14861EJ2V0DS
3
Всего страниц 6 Pages
Скачать PDF

Модификации и группы транзистора C3198

Модель PC UCB UCE UBE IC TJ fT CC hFE ٭ NF (типовое) dB Корпус
C3198 0,625 60 50 5 0,15 150 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
C SC3198 (O, Y, GR, BL) 0,625 60 50 5 0,15 125 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
FTC3198 0,625 60 50 5 0,15 150 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
KTC3198 0,625 60 50 5 0,15 150 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
KTC3198A 0,4 60 50 5 0,15 150 80 2 25…700 1 TO-92
KTC3198L ٭٭ 0,625 60 50 5 0,15 150 80 2 25…700 0,5 (1) 0,2 (2) TO-92

٭ — диапазон значений параметра hFE разделяется производителями во всех модификациях на четыре подгруппы (O, Y, GR, BL).

٭٭ — значения коэффициента шума транзистора KTC3198L: 0,5 (1) и 0,2 (2) определены при частотах сигнала соответственно 100 Гц и 1 кГц.

Биполярный транзистор 2SC2335F — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC2335F

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10

Корпус транзистора:

2SC2335F
Datasheet (PDF)

0.1. 2sc2335f.pdf Size:201K _inchange_semiconductor

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2335F DESCRIPTION With TO-220F package Collector-emitter sustaining voltage VCEO(sus)=400V(Min) Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)=1.0V(Max.)@IC=3.0A,IB=0.6A Switching time-tf=1.0s(Max.)@IC=3.0A APPLICATIONS Designed for use in high-voltage ,high- speed ,power switching

7.1. 2sc2335.pdf Size:118K _nec

DATA SHEETSILICON POWER TRANSISTOR2SC2335NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTORFOR HIGH-SPEED HIGH-VOLTAGE SWITCHINGThe 2SC2335 is a mold power transistor developed for high-speed ORDERING INFORMATIONhigh-voltage switching, and is ideal for use as a driver in devices suchPart No. Packageas switching regulators, DC/DC converters, and high-frequency power2SC2335 TO-220ABamplif

7.2. 2sc2335.pdf Size:131K _mospec

AAA

 7.3. 2sc2335.pdf Size:205K _jmnic

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2335 DESCRIPTION With TO-220C package Collector-emitter sustaining voltage VCEO(sus)=400V(Min) Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)=1.0V(Max.)@IC=3.0A,IB=0.6A Switching time-tf=1.0s(Max.)@IC=3.0A APPLICATIONS Designed for use in high-voltage ,high- speed ,power switching in inductive cir

7.4. 2sc2335.pdf Size:203K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2335DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)CEO(SUS)Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max)@ I = 3A, I = 0.6ACE(sat) C BFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high-voltage, high-speed switching in

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

Основные электрические параметры

Значения напряжения и тока в таблице соответствуют температуре окружающей среды +25°C.

Обозначение Параметр Условия измерения Величина Ед. изм.
V(BR)CBO Напряжение пробоя коллектор-база IC=1мA, IE=0 60 В
V(BR)CЕO Напряжение пробоя коллектор-эмиттер IC=100мкA, IВ=0 50 В
V(BR)ЕBO Напряжение пробоя эмиттер-база IЕ=1мкA, IС=0 5 В
ICBO Ток отсечки коллектора VCB=60В, IE=0 0,1 мкА
ICЕO Ток отсечки коллектора VCЕ=45В, IE=0 0,1 мкА
IЕВО Ток отсечки эмиттера VЕВ=45В, IС=0 0,1 мкА
hFE(1) Коэффициент усиления по постоянному току VCE=6В, IC=1мA 70…700
hFE(2) VCE=6В, IC=0.1мA 40
VCE(sat) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер IC=100мA, IB=10мA 0,3 В
VBE(sat) Напряжение насыщения база-эмиттер IC=100мA, IB=10мA 1 В
fT Граничная частота коэффициента передачи тока VCE=6В, IC=10mA, f=30МГц 200 МГц
Cob Выходная емкость коллектора VCB=10В, IE=0, f=1МГц 3 пФ
NF Уровень шума VCE=6В, IC=0.1мА RG=10кОм, f=1МГц 10 dB

Характерные особенности

  • Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: UCE(sat) ≤ 1 В при IC = 3 А.
  • Высокая скорость переключений: время спадания импульса tf ≤ 1 мкс при IC = 3 А.
  • Расширенная область безопасной работы транзистора при обратном смещении в цепи управления (базы): UCEX (sus)1 ≥ 450 В IC = 3 А.
Характеристика Обозначение Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В VCBO 500
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В VCEO 400
Напряжение эмиттер – база транзистора, В VEBO 7
Ток коллектора постоянный, А IC 7
Ток коллектора импульсный, А ICP ٭ 15
Ток базы постоянный, А IB 3,5
Рассеиваемая мощность (Ta = 25°C), Вт PC 1,5
Рассеиваемая мощность (Tc = 25°C), Вт PC 40
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С Tj 150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° Tstg -55…+150

٭ — измерено при длительности импульса тока 300 мкс и скважности 10%

SI2335DS MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SI2335DS

Маркировка: E5*

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 12
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8
V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.45
V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Время нарастания (tr): 15
ns

Выходная емкость (Cd): 260
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.045
Ohm

Тип корпуса:

SI2335DS
Datasheet (PDF)

0.1. si2335ds.pdf Size:181K _vishay

Si2335DSVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.051 at VGS = — 4.5 V — 4.0 TrenchFET Power MOSFETs: 1.8 V Rated 0.070 at VGS = — 2.5 V — 12 — 3.50.106 at VGS = — 1.8 V — 3.0TO-236(SOT-23)G 13 DS 2Top ViewSi2335DS (E5)**Marking CodeOrde

0.2. si2335ds-3.pdf Size:1625K _kexin

SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI2335DS (KI2335DS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.1 Features0.4-0.13 VDS (V) =-12V ID =-4.0A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 51m (VGS =-4.5V)1 2 RDS(ON) 70m (VGS =-2.5V)+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.1 RDS(ON) 106m (VGS =-1.8V)1.9 -0.2G 13 D1. GateS 22. Source3. Drai

 0.3. si2335ds.pdf Size:1573K _kexin

SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI2335DS (KI2335DS)SOT-23Unit: mm+0.1 Features 2.9-0.1+0.10.4 -0.1 VDS (V) =-12V3 ID =-4.0A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 51m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 70m (VGS =-2.5V)1 2+0.10.95-0.1 RDS(ON) 106m (VGS =-1.8V) 0.1+0.05-0.011.9+0.1-0.1G 11.Gate3 D2.SourceS 23.Drain Abso

Другие MOSFET… SMG2301
, SMG2301P
, SMG2302
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, IRF1404
, SMG2306NE
, SMG2310A
, SMG2310N
, SMG2314N
, SMG2314NE
, SMG2318N
, SMG2319P
, SMG2321P
.

Электрические параметры

Характеристика
Обозначение
Параметры при измерениях
Значения Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В ٭
UCEO(SUS)
IC = 10 мА, IB = 0 А.
400 Ток коллектора выключения, мА ٭
Ta = 25°C
ICEO
UCEO = номинальное значение, UBE(OFF) = 1,5 В
1 Tc = 25°C
5 Ток эмиттера выключения, мА ٭
IEBO
UEB = 9,0 В, IC = 0
1 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В ٭
UCE(sat)
IC = 0,5 А, IB = 0,1 А
0,5 IC = 1,0 А, IB = 0,25 А
1 IC = 1,2 А, IB = 0,4 А
3 IC = 1,0 А, IB = 0,25 А, Tc = 100°C
1 Напряжение насыщения база-эмиттер, В ٭
UBE(sat)
IC = 0,5 А, IB = 0,1 А
1 IC = 1,0 А, IB = 0,25 А
1,2 IC = 1,0 А, IB = 0,25 А, Tc = 100°C
1,1 Статический коэффициент усиления по току ٭
hFE (1)
UCE = 5,0 В, IC = 0,4 А
14….57 hFE (2)
UCE = 5,0 В, IC = 1,0 А
5…30 Выходная емкость коллектора, pF
Cob
UCB = 10 В, IE = 0, f = 0,1 МГц
21 Частота среза, МГц
fT
UCE = 10 В, IC = 0,1 А
10 Временные параметры транзистора при работе на резистивную нагрузку Время задержки, мкс
td
См

схему измерения временных параметров: UCC = 125 В, IC = 1 А, IB1 = IB2 = 0,2 А, tp = 25 мкс, скважность импульсов ≤ 1%
0,05 Время нарастания импульса тока, мкс
tr
0,5 Время сохранения импульса, мкс
ts
2 Время спадания импульса тока, мкс
tf
0,4 Временные параметры транзистора при работе на индуктивную нагрузку с ограничениями напряжений Время сохранения импульса, мкс
ts
IC = 1 А, UCLAMP = 300 В, IB1 = 0,2 А, UBE(OFF) = 5 В, Tc = 100°C.
1,7 Коммутационный промежуток, мкс
tc
0,29 Время спадания импульса тока, мкс
tf
0,15. ٭ — определено в импульсном режиме: длительность импульса = 300 мкс, скважность импульсов ≤ 2%

٭ — определено в импульсном режиме: длительность импульса = 300 мкс, скважность импульсов ≤ 2%. Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.

Биполярный транзистор 2SC2335O — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC2335O

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30

Корпус транзистора:

2SC2335O
Datasheet (PDF)

7.1. 2sc2335.pdf Size:118K _nec

DATA SHEETSILICON POWER TRANSISTOR2SC2335NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTORFOR HIGH-SPEED HIGH-VOLTAGE SWITCHINGThe 2SC2335 is a mold power transistor developed for high-speed ORDERING INFORMATIONhigh-voltage switching, and is ideal for use as a driver in devices suchPart No. Packageas switching regulators, DC/DC converters, and high-frequency power2SC2335 TO-220ABamplif

7.2. 2sc2335.pdf Size:131K _mospec

AAA

 7.3. 2sc2335.pdf Size:205K _jmnic

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2335 DESCRIPTION With TO-220C package Collector-emitter sustaining voltage VCEO(sus)=400V(Min) Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)=1.0V(Max.)@IC=3.0A,IB=0.6A Switching time-tf=1.0s(Max.)@IC=3.0A APPLICATIONS Designed for use in high-voltage ,high- speed ,power switching in inductive cir

7.4. 2sc2335f.pdf Size:201K _inchange_semiconductor

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2335F DESCRIPTION With TO-220F package Collector-emitter sustaining voltage VCEO(sus)=400V(Min) Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)=1.0V(Max.)@IC=3.0A,IB=0.6A Switching time-tf=1.0s(Max.)@IC=3.0A APPLICATIONS Designed for use in high-voltage ,high- speed ,power switching

 7.5. 2sc2335.pdf Size:203K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2335DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)CEO(SUS)Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max)@ I = 3A, I = 0.6ACE(sat) C BFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high-voltage, high-speed switching in

Другие транзисторы… 2SC2333O
, 2SC2333R
, 2SC2333Y
, 2SC2334
, 2SC2334O
, 2SC2334R
, 2SC2334Y
, 2SC2335
, BEL187
, 2SC2335R
, 2SC2335Y
, 2SC2336
, 2SC2336A
, 2SC2336B
, 2SC2337
, 2SC2337A
, 2SC2338
.

Биполярный транзистор L8550 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: L8550

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85

Корпус транзистора:

L8550
Datasheet (PDF)

0.1. l8550m.pdf Size:407K _blue-rocket-elect

L8550M Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features L8050M Complementary pair with L8050M. / Applications Power amplifier applications. / Equivalent Circuit / Pinning 3 2

0.2. l8550.pdf Size:603K _blue-rocket-elect

L8550(BR3CA8550K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 PNP Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features PC, IC , L8050(BR3DA8050K) High PC and IC, complementary pair with L8050(BR3DA8050K). / Applications 2W 2W output amplifier of portable radios in cl

 0.3. l8550plt1g.pdf Size:234K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550PLT1G SeriesPNP SiliconS-L8550PLT1GFEATURE SeriesWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.312DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONSOT

0.4. l8550hslt1g.pdf Size:83K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L8550HPLT1GGeneral Purpose TransistorsSeriesS-L8550HPLT1GPNP SiliconFEATURESeries High current capacity in compact package. Epitaxial planar type.3 PNP complement: L8550H We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site1and Control Change Requir

 0.5. l8550hplt1g.pdf Size:89K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L8550HPLT1GGeneral Purpose TransistorsSeriesPNP Silicon S-L8550HPLT1GSeriesFEATURE High current capacity in compact package. Epitaxial planar type.3 PNP complement: L8550H We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1and Control Change Requirem

0.6. l8550hqlt1g.pdf Size:85K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550HPLT1GSeriesPNP SiliconS-L8550HPLT1GFEATURESeries High current capacity in compact package. Epitaxial planar type. PNP complement: L8550H3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site1and Control Change Requir

0.7. l8550qlt1g.pdf Size:202K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550PLT1G SeriesPNP SiliconS-L8550PLT1GFEATURE SeriesWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.312DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONSOT

0.8. l8550hrlt1g.pdf Size:84K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550HPLT1GSeriesPNP SiliconS-L8550HPLT1GFEATURESeries High current capacity in compact package. Epitaxial planar type. PNP complement: L8550H 3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1and Control Change Requir

Другие транзисторы… KSA928T
, KSC2328T
, KTA1273T
, KTC2022I
, KTC3199M
, KTC3205T
, L8050
, L8050M
, 2N2222
, L8550M
, M28M
, MJE13009ZJ
, MMBR911
, MMBT5401T
, MMBT5551T
, MMBTA42T
, MMBTA44N
.

Аналоги

Транзисторов которые были бы полным аналогом S9013 нет, но можно попытаться заменить его на такие зарубежные устройства:

  • 2SC1008;
  • KSC1008;
  • KSP42;
  • KSP43;
  • MPSA42;
  • MPSA43;
  • MPSW05;
  • ZTX457.

При замене нужно быть осторожным и перед принятием решения ознакомиться с технической документацией и после этого решать, подойдёт ли данный конкретный транзистор для замены. В качестве аналога также можно использовать отечественный КТ580, но он имеет другую распиновку. Также вместо S9013 можно попытаться установить КТ680, но к него немного другие параметры. Имеется также комплементарной пара – S9012.

Отечественные и импортные аналоги

Первая позиция в таблице, – транзистор С945, для которого предлагаются аналоги.

Аналог VCEO IC PC hFE fT
C945 50 0,15 0,4 70 200
Отечественное производство
КТ3102 45 0,1 0,25 250 300
Импорт
KSC945 50 0,15 0,25 40 300
2N2222 30 0,8 0,5 100 250
2N3904 40 0,2 0,31 40 300
2SC3198 50 0,15 0,4 20 130
2SC1815 50 0,15 0,4 70 80
2SC2002 60 0,3 0,3 90 70
2SC3114 50 0,15 0,4 55 100
2SC3331 50 0,2 0,5 100 200
2SC2960 50 0,15 0,25 100 100

Среди перечня аналогов транзистор КТ3102 отличается широкой доступностью и незначительной стоимостью, поэтому радиолюбители часто используют его для замены С945

Обращаем ваше внимание, что его мощность рассеяния значительно ниже оригинала, – ориентировочно на 30%. Перед использованием КТ3102 проверьте мощностные режимы, в которых ему предстоит работать

Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителей.

Временные параметры

По предназначению, основной режим работы транзистора C2335 – ключевой, с глубоким насыщением и частыми переключениями. Тепловые потери транзистора, работающего в ключевом режиме, во многом определяются потерями на коммутационных интервалах, когда транзистор переходит из проводящего состояния в непроводящее и наоборот. Поэтому все производители таких изделий придают большое значение временным параметрам и приводят их значения в информационных материалах.

Пример схемы измерения временных параметров транзистора.

Временные параметры:

  • ton – время включения;
  • tstg – время сохранения импульса тока;
  • tf – время спадания импульса тока.

Импульсы напряжения UIN длительностью PW = 50 мкс поступают на вход схемы со скважностью ≤ 2%

  • UCC – напряжение питания.
  • RL – сопротивление нагрузки.
  • IC – ток коллектора.
  • IB1 и IB2 – токи базы в разные периоды времени.
  • UBB = — 5 В – напряжение смещения транзистора.

“Base current waveform” – диаграмма тока базы во времени.

“Collector current waveform” – диаграмма тока коллектора во времени.

2SC2335R Datasheet (PDF)

7.1. 2sc2335.pdf Size:118K _nec

DATA SHEETSILICON POWER TRANSISTOR2SC2335NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED TRANSISTORFOR HIGH-SPEED HIGH-VOLTAGE SWITCHINGThe 2SC2335 is a mold power transistor developed for high-speed ORDERING INFORMATIONhigh-voltage switching, and is ideal for use as a driver in devices suchPart No. Packageas switching regulators, DC/DC converters, and high-frequency power2SC2335 TO-220ABamplif

7.2. 2sc2335.pdf Size:131K _mospec

AAA

 7.3. 2sc2335.pdf Size:205K _jmnic

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2335 DESCRIPTION With TO-220C package Collector-emitter sustaining voltage VCEO(sus)=400V(Min) Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)=1.0V(Max.)@IC=3.0A,IB=0.6A Switching time-tf=1.0s(Max.)@IC=3.0A APPLICATIONS Designed for use in high-voltage ,high- speed ,power switching in inductive cir

7.4. 2sc2335f.pdf Size:201K _inchange_semiconductor

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC2335F DESCRIPTION With TO-220F package Collector-emitter sustaining voltage VCEO(sus)=400V(Min) Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)=1.0V(Max.)@IC=3.0A,IB=0.6A Switching time-tf=1.0s(Max.)@IC=3.0A APPLICATIONS Designed for use in high-voltage ,high- speed ,power switching

 7.5. 2sc2335.pdf Size:203K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2335DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min)CEO(SUS)Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 1.0V(Max)@ I = 3A, I = 0.6ACE(sat) C BFast Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in high-voltage, high-speed switching in

Похожие записи:

Как выставить зажигание с помощью стробоскопа? Сигнализация действия защиты и автоматики Подключение потолочного светильника со светодиодами Default ThumbnailМаркировка smd компонентов: кодовые обозначения Как сделать веб-приложение для вашего собственного bluetooth low energy девайса? Как подключить усилитель в машине