/ bt1690 параметры

Содержание

Схемы тестирования временных параметров транзистора

Диаграмма входного сигнала.

Схема измерения при резистивной нагрузке.

Параметры режима:

UCC = 125 В. RC = 125 Ом. RB = 47 Ом. D1 диод 1N5820 или подобный. SCOPE – осциллограф “Tektronics 475” или подобный

tr, tf ˂ 10 нс; скважность ≤ 1%

Схема измерений с параметрами элементов при индуктивной нагрузке транзистора.

Входной сигнал: прямоугольный импульс с амплитудой 5 В и протяженностью фронтов tr и tf не более 10 нс

Скважность импульсов 10%. Протяженность импульса подбирается из требуемой величины коллекторного тока IC

UCC подбирается из требуемой величины IC. RB подбирается из требуемой величины IB1. Диод MR826 выбирается на напряжение 1 кВ. Напряжение ограничения UCLAMP = 300 В.

Диаграммы выходных токов и напряжений.

На рисунке:

  • tf CLAMPED – время спадания импульса тока при ограничении напряжения на уровне UCLAMPED.
  • IC(PK) максимальное достижимое значение тока, по которому подбираются значение UCC и длительность входного импульса.

Расчетные формулы: t1 = L × IC(PK) / UCC; t2 = L × IC(PK) / UCLAMP.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, предназначенные для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, схемах управления электродвигателями и др., аппаратуре общего применения.

Отечественное производство

Транзисторы, близкие по параметрам к серии 13003 (MJE13003).

Тип PC, Вт UCB, В UCE, В UBE, В IC, А UCE(sat), В Tj , °С fT , МГц hFE ton / ts / tf, мкс Корпус
MJE13003 40 700 400 9 2 0,6 150 4 5…40 — / 3,5 / 1 TO-126
КТ8170А 40 700 400 9 2,25 3 150 4 5…40 1,1 / 4 / 0,7 TO-126
КТ859А 40 800 800 10 3 1,5 150 ˃ 3,3 ˃ 10 0,35 / 3,3 / 0,35 TO-220AB
КТ841А/В 50 600/800 350 5 10 1,5 150 10 12…45 0,08 / 0,8 / 0,2 TO-3
КТ8118А 50 900 800 — 3 ˂ 2,0 150 ˃ 15 10…40 — TO-220
КТ8120А 60 600 450 5 8 1 150 20 ˃ 10 — / 2 / 0,2 TO-220
КТ840А/Б/В 60 900/750/800 400/350/375 5 6 0,6 150 8…15 10…60 0,2 / 3,5 / 0,6 TO-3
КТ868А/Б 70 900/750 400/375 5 6 1,5 150 ˃ 8 10…100 — TO-3PML

Зарубежное производство

Аналоги транзистора E13003 (MJE13003).

Тип PC, Вт UCB, В UCE, В UBE, В IC, А UCE(sat), В Tj , °С fT , МГц hFE ton / ts / tf, мкс Корпус
MJE13003 40 700 400 9 2 0,6 150 4 5…40 — / 3,5 / 1 TO-126
3DD1910 40 700 400 9 2,5 1 150 5 15…30 1 / 5 / 0,8 TO-126A
3DD13005A7 40 800 400 9 3 0,6 150 5 15…35 1 / 5 / 1 TO-126F
WBR13005D1 40 700 400 9 4 1 150 4 10…40 — / 3,6 / 1,6 TO-126
BTN3A60T3 40 900 700 9 3 0,6 150 4 10…40 — TO-126
HLD133D 35 700 400 9 2 1 150 — 5…40 — / 4 / 0,8 TO-126
ST13007DFP 36 700 400 9 8 3 150 4 8…40 — / 2,2 / 0,15 TO-220FP
BUL310FP 36 1000 500 9 5 1,1 150 — 10 — / 1,8 / 0,5 TO-220FP

Аналоги транзисторов 13003BR (MJE13003BR) и 13003T (KSE13003T).

Тип PC, Вт UCB, В UCE, В UBE, В IC, А UCE(sat), В Tj , °С fT , МГц hFE ton / ts / tf, мкс Корпус
MJE13003BR 30 600 400 9 2 0,85 150 — 5…40 — / 3 / 0,8 TO-126
BLD123D 30 600 400 9 2 0,9 150 — 5…40 — / 4 / 0,8 TO-126
KSE13003T 30 700 400 9 1,5 3 150 4 5…40 1,1 / 4 / 0,7 TO-220
FJPE3305 30 700 400 9 4 1 150 4 8…40 0,8 / 4 / 0,9 TO-220F
KSH13005AF 30 700 400 9 4 1 150 4 8…60 0,8 / 4 / 0,9 TO-220F
MJE13005AF 30 800 400 10 5 1 150 4 8…35 0,15 / 5 / 0,8 TO-220IS
MJE13005F 30 700 400 9 4 1 150 4 10…35 0,8 / 4 / 0,9 TO-220IS
STD13005F/FC 30 700 400 9 4 1 150 4 8…40 0,8 / 4 / 0,9 TO-220F-3L
STL128DFP 30 700 400 — 4 1,5 150 — 10…32 — / 0,6 / 0,1 TO-220FP
TS13005CI 30 700 400 9 4 1 150 4 8…40 0,7 / 3 / 0,5 ITO-220
TSC236CI 30 700 400 9 4 1,3 150 — 8…32 0,5 / 3 / 0,5 ITO-220
BUL128FP 31 700 400 9 4 1,5 150 — 10…45 — / 2,9 / 0,4 TO220FP

Примечание: данные таблиц получены из даташип компаний-производителя.

Datasheet Download — NXP Semiconductors

Номер произв BT169
Описание Thyristor logic level
Производители NXP Semiconductors
логотип 　

1Page

No Preview Available !

BT169 series
Thyristors logic level
Rev. 5 — 30 September 2011
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Passivated, sensitive gate thyristors in a SOT54 plastic package.
1.2 Features and benefits

 Designed to be interfaced directly to microcontrollers, logic integrated circuits and

other low power gate trigger circuits.
1.3 Applications

 General purpose switching and phase control applications.

1.4 Quick reference data

 VDRM, VRRM  200 V (BT169B)

 VDRM, VRRM  400 V (BT169D)

 VDRM, VRRM  600 V (BT169G)

 IT(RMS)  0.8 A

 IT(AV)  0.5 A

 ITSM  8 A

2. Pinning information
Table 1.
Pin
1
2
3
Discrete pinning
Description
anode (a)
gate (g)
cathode (k)
Simplified outline
Symbol
AK
G
sym037
321
SOT54 (TO-92)

No Preview Available !

NXP Semiconductors
BT169 series
Thyristor logic level
3. Ordering information
Table 2. Ordering information
Type number
Package
Name
Description
BT169B
—
plastic single-ended leaded (through hole) package; 3 leads
BT169D
BT169G
4. Limiting values
Version
SOT54
Table 3. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions

VDRM, VRRM

repetitive peak off-state voltages
BT169B
BT169D
BT169G

IT(AV)

average on-state current
half sine wave;

Tlead  83 C;

see Figure 1

IT(RMS)

RMS on-state current
all conduction angles;

see Figure 4 and 5

ITSM non-repetitive peak on-state current half sine wave;

Tj = 25 C prior to

surge;

see Figure 2 and 3

t = 10 ms
t = 8.3 ms

I2t I2t for fusing

t = 10 ms

dIT/dt

IGM

VGM

VRGM

PGM

PG(AV)

Tstg

Tj

repetitive rate of rise of on-state
current after triggering
peak gate current
peak gate voltage
peak reverse gate voltage
peak gate power
average gate power
storage temperature
junction temperature

ITM = 2 A; IG = 10 mA;

dIG/dt = 100 mA/s

over any 20 ms period
Min

—

—

—

—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—

40

—
Max Unit
200 V
400 V
600 V
0.5 A
0.8 A
8
9
0.32
50
1
5
5
2
0.1
+150
125
A
A

A2s

A/s

A
V
V
W
W

C

C

Although not recommended, off-state voltages up to 800 V may be applied without damage, but the thyristor may switch to the on-state.

The rate of rise of current should not exceed 15 A/s.

BT169_SER
Product data sheet
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
Rev. 5 — 30 September 2011
NXP B.V. 2011. All rights reserved.
2 of 13

No Preview Available !

NXP Semiconductors

BT169 series
Thyristor logic level
0.8

Ptot

(W)
0.6
1.9
2.2
a=
1.57

001aab446 77

Tlead(max)

(°C)

89
0.4
0.2

2.8
4
0.1 0.2 0.3
conduction form
angle factor
(degrees) a
30 4
60 2.8
90 2.2
120 1.9
180 1.57
0.4 0.5
α

IT(AV) (A)

101
113
125
0.6

a = form factor = IT(RMS)/IT(AV).

Fig 1. Total power dissipation as a function of average on-state current; maximum values.
10

ITSM

(A)
8
001aab499
6
4

IT ITSM

2

tp t

Tj(init) = 25 °C max

1 10 102 103

number of cycles
f = 50 Hz.
Fig 2. Non-repetitive peak on-state current as a function of the number of sinusoidal current cycles; maximum
values.
BT169_SER
Product data sheet
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
Rev. 5 — 30 September 2011
NXP B.V. 2011. All rights reserved.
3 of 13
Всего страниц 13 Pages
Скачать PDF

Биполярный транзистор 13005A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 13005A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора:

13005A
Datasheet (PDF)

0.1. mje13005a.pdf Size:273K _nell

RoHS MJE13005A(NPN)RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsSwitchmode Series NPN Silicon Power Transistors(4A / 400V / 75W)FEATURESVCEO(SUS) 400V @ lC = 10 mA, lB = 0 VCE(sat) = 1.0V (Max.) @ lC = 4 A, lB = 1 ASwitching time — tf = 0.9 s (Max.) @ lC = 2 A 700V blocking capability123TO-220AB(MJE13005A) DESCRIPTION These devices are designed for high-

0.2. 3dd13005a1.pdf Size:180K _crhj

NPN R 3DD13005 A1 3DD13005 A1 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot Ta=25 0.8 W

 0.3. 3dd13005a7.pdf Size:145K _crhj

NPN R 3DD13005 A7 3DD13005 A7 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot W TC=25 40

0.4. 3dd13005a3.pdf Size:143K _crhj

NPN R 3DD13005 A3 3DD13005 A3 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot W TC=25 40

 0.5. s13005a.pdf Size:113K _jdsemi

RS13005A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 22

0.6. 13005adl.pdf Size:121K _jdsemi

R13005ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

0.7. h13005adl.pdf Size:120K _jdsemi

RH13005ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

0.8. 13005ad.pdf Size:121K _jdsemi

R13005AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

0.9. 13005a.pdf Size:113K _jdsemi

R13005A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 22

0.10. ksg13005ar.pdf Size:220K _semihow

KSG13005AR SEMIHOW REV.A0,Feb 2009KSG13005ARKSG13005ARSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls3 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted3.8 WattsTO-92LCHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT1. Emitter2. Collec

0.11. ksu13005a.pdf Size:558K _semihow

KSD13005A KSU13005A SEMIHOW REV.A1,August 2013 KSD13005A_KSU13005AKSU13005A/KSU13005A Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 40 Watts TO-252 / TO-251 CHARA

0.12. ksd13005a.pdf Size:558K _semihow

KSD13005A KSU13005A SEMIHOW REV.A1,August 2013 KSD13005A_KSU13005AKSU13005A/KSU13005A Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 40 Watts TO-252 / TO-251 CHARA

0.13. ksh13005a.pdf Size:227K _semihow

KSH13005AKSH13005A SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130005AKSH13005ASwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls4 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted75 WattsTO-220

0.14. ksh13005af.pdf Size:223K _semihow

KSH13005AFKSH13005AF SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130005AFKSH13005AFSwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls4 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted75 WattsTO

Другие транзисторы… , , , 13001-0
, 13001-2
, 13001-A
, 13003AD
, 13003B
, S9012
, 13005AD
, 13005ADL
, 13005D
, 13005DL
, 13005ED
, 13005F
, 13005S
, 13005SD
.

Модификации и группы транзистора C3198

Модель PC UCB UCE UBE IC TJ fT CC hFE ٭ NF (типовое) dB Корпус
C3198 0,625 60 50 5 0,15 150 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
C SC3198 (O, Y, GR, BL) 0,625 60 50 5 0,15 125 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
FTC3198 0,625 60 50 5 0,15 150 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
KTC3198 0,625 60 50 5 0,15 150 80 3,5 25…700 ≤ 10 TO-92
KTC3198A 0,4 60 50 5 0,15 150 80 2 25…700 1 TO-92
KTC3198L ٭٭ 0,625 60 50 5 0,15 150 80 2 25…700 0,5 (1) 0,2 (2) TO-92

٭ — диапазон значений параметра hFE разделяется производителями во всех модификациях на четыре подгруппы (O, Y, GR, BL).

٭٭ — значения коэффициента шума транзистора KTC3198L: 0,5 (1) и 0,2 (2) определены при частотах сигнала соответственно 100 Гц и 1 кГц.

Биполярный транзистор KT972A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT972A

  • Тип материала: Si
  • Полярность: NPN
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ972А обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.

Параметры транзистора КТ972
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение
Аналог КТ972А BD877, BD263 *2, SK9255 *3, BD321A *3
КТ972Б BD875, BD477, BSP50 *3, SMD3303 *3, BD675A *2
Структура — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ972А — 8*
КТ972Б — 8*
КТ972В — 8*
КТ972Г — 8*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h21б, f**h21э, f***max КТ972А — ≥200
КТ972Б — ≥200
КТ972В — ≥200
КТ972Г — ≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ972А 1к 60*
КТ972Б 1к 45*
КТ972В 1к 60*
КТ972Г 1к 60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб., КТ972А — 5,00
КТ972Б — 5,00
КТ972В — 5,00
КТ972Г — 5,00
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ972А — 4*
КТ972Б — 4*
КТ972В — 2,00
КТ972Г — 2,00
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ972А 60 В ≤1*
КТ972Б 45 В ≤1*
КТ972В 60 В ≤1*
КТ972Г 60 В ≤1*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э, h*21Э КТ972А 3 В; 1 А ≥750*
КТ972Б 3 В; 1 А ≥750*
КТ972В 3 В; 1 А 750…5000
КТ972Г 3 В; 1 А 750…5000
Емкость коллекторного перехода cк, с*12э КТ972А — ≤3
КТ972Б — ≤3
КТ972В — ≤3
КТ972Г — ≤1.9
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. КТ972А — —
КТ972Б — —
КТ972В — —
КТ972Г — —
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ972А — —
КТ972Б — —
КТ972В — —
КТ972Г — —
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) КТ972А — ≤200*
КТ972Б — ≤200*
КТ972В — ≤200*
КТ972Г — ≤200*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость времени задержки td и времени нарастания импульса tr от коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.

При измерении времени задержки td установлено напряжение смещения UBE(OFF) = 5 В.

Рис. 2. Зависимость времени сохранения ts и времени спадания импульса tf от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления hFE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята для различных значений температуры структуры Tj и напряжений коллектор-эмиттер UCE.

Рис. 4. Изменение падения напряжения на транзисторе UCE при изменении управляющего тока базы IB. Зависимости сняты при различных нагрузках IC и температуре структуры Tj = 25°C.

Рис. 5. Изменение напряжения насыщения на базовом переходе UBE(sat) при разных нагрузках IC и разных температурах структуры Tj. Соотношение токов IC / IB = 3.

Пунктиром показано изменение напряжения включения UBE(ON) при напряжении на коллекторе UCE = 2 В.

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от коллекторного тока IC при различных температурах и соотношении токов IC/ IB = 3.

Рис. 7. Область выключения транзистора. Зависимость коллекторного тока IC от напряжения база-эмиттер UBE.

Характеристика снята при разных температурах Tj структуры и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 250 В.

FORWARD – напряжение база-эмиттер приложено в прямом направлении.

REVERS — напряжение база-эмиттер приложено в обратном направлении.

Рис. 8. Зависимости входной емкости Cib перехода эмиттер-база и выходной емкости Cob коллекторного перехода от величины обратного приложенного напряжения. Температура структуры Tj= 25°С.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке.

Предельные токи ограничены: значением максимального постоянного тока IC = 1,5 А и максимального импульсного тока ICM = 3,0 А.

При этих значениях тока разрушаются паяные соединения подводящих проводов со слоями п/п структуры. Показано штрихпунктирной линией.

Предельные напряжения ограничены максимальным рабочим напряжением UCEO(SUS) = 400 В.

Общее тепловое разрушение структуры наступает при превышении ограничений по току и напряжений, показанных пунктирной линией.

Сплошная линия обозначает ограничения, связанные с вторичным необратимым пробоем п/п структуры транзистора. Во всех режимах работы линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ограничений.

Рис. 10. Ограничение величины рассеиваемой мощности (нагрузки) транзистора при возрастании температуры окружающей среды Ta.

Характеристика снята для условий работы на резистивную нагрузку.

Рис. 11. Область безопасной работы транзистора с обратным смещением для случая с введенными ограничениями перенапряжений.

Предельное ограничение по напряжению (перенапряжению) UCLAMP = 700 В.

Величины напряжений обратного смещения UBE(OFF) соответственно 9 В, 5 В, 3 В и 1,5 В.

Характеристики построены для температуры структуры в пределах 100°С и при токе базы IB1 = 1 А.

Такая ОБР с обратным смещением характерна для схем работы транзистора на индуктивную нагрузку.

В этих режимах работы, линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ОБР ограничений.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, применяемые в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, преобразователях и другой аппаратуре общего применения.

Отечественное производство

Тип PC UCB UCE UBE IC TJ fT Cob hFE Временные параметры: ton / tstg / tf мкс. Корпус
2SC5027 50 1100 800 7 3 150 15 60 8…40 0,5 / 3 /0,3 TO-220
КТ840А 60 900 400 5 6 150 8 — 10…60 0,2 / 3,5 / 0,6 TO-3
2Т856А/Г 125 1000 950/850 5 10/12 — — — 10…60 — / — / 0,5 TO-3
КТ859А 40 800 800 10 3 150 ˃ 25 — ˃ 10 0,5 / 3,5 / 0,35 TO-220AB
КТ872А 100 1500 700 6 8 150 — — 6 — / 6,7 / 0,8 TO-218
КТ878А 100 — 900 5 25 150 10 500 12…50 — / 3 / — TO-3
2Т886 175 — 1400 7 10 150 — — — — / — / 0,7 TO-3
КТ8107А 100 1500 700 6 10 125 ˃ 7 — 2,3 — / 3,5 / 0,5 TO-220
КТ8108А/В 70 800/900 — 5 3 150 15 75 10…50 — / 3 / 0,3 TO-220
КТ8114А/Б/В 125 1500 700 6 8 150 — — — — / — / 0,5 TO-218
КТ8118А 50 900 800 5 3 150 15 — 10…40 — / 2 / 0,7 TO-220
КТ8121А 75 700 400 5 4 150 ˃ 4 — 8…60 — / 3 / 0,4 TO-220
КТ8126А1/Б1 80 700 400 9 8 150 ˃ 4 — 8…60 — / 1,7 / — TO-220
КТ8137А 40 700 700 9 1,5 150 ˃ 4 — 8…40 1 / 4 / 0,7 КТ-27
КТ8164А/Б 75 700 400 9 4 150 ˃ 4 110 8…60 0,8 / 4 / 0,9 TO-220
КТ8170А1 40 700 400 9 1,5 150 ˃ 4 35 8…40 1,1 / 4 / 0,7 TO-126

Зарубежное производство

Тип PC UCB UCE UBE IC TJ fT Cob hFE Врем. параметры: ton / tstg / tf мкс. Корпус
2SC5027 50 1100 800 7 3 150 15 60 8…40 0,5 / 3 /0,3 TO-220
2SD1290 50 1500 — 5 3 130 — — 3…8 — / 3 / 1 TO-3PN
2SD1291 65 1500 — 5 3 150 — — 4…12 — / 4 / 1 TO-3PN
BUJ302A 80 1050 400 24 4 150 — — 25…100 — /3,5 / 0,5 TO-220AB
BUJ303A 100 1000 — — 5 150 — — 10…35 0,7 / 4 / 0,45 TO-220AB
BUJ403A 100 1200 550 — 6 150 — — 15 0,5 / 3 /0,3 TO-220AB
BUL216 90 1600 800 9 4 150 — — 10…40 — / 3 / 0,6 TO-220
BUL218D-B 70 700 400 — 4 150 — — 10…32 — / 0,6 / 0,1 TO-220
BUL416 110 1600 800 9 6 150 — — 10…32 — / 3 / 0,7 TO-220
BUL416T 800 9 6 150 — — 10…32 — / 1,5 / 0,8 TO-220A
FJP2145 120 1100 800 7 5 125 15 11,4 8…40 — TO-220
KSC5603D 100 1600 800 12 3 150 5 56 6…46 1 / 0,18 / 0,2 TO-220
2SC2979 40 900 800 7 3 150 — — 7…15 1 / 3 / 1 TO-220
3DD5023/24 40 1500 800 5 6 150 ˃ 2 — 5…30 — / — / 1,0 TO-220F
FJPF5021 40 800 500 7 5 150 15 80 8…50 0,5 / 3 /0,3 TO-220F
FJPF5321 40 800 500 7 5 150 14 65 8…40 0,5 / 3 /0,3 TO-220F
FJPF5200 50 250 250 5 17 150 30 200 35…160 — TO-220F
MJE15028 50 120 120 5 8 150 30 — 20…40 — TO-220C

Примечание: FJPF5200 — Маркировка J5200.

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителя.

Похожие записи:

Выбор импульсных зарядных устройств для автомобильного аккумулятора Как подключить бра с выключателем шнурком, цепочкой Гофрированная труба для вытяжки и ее преимущества Оптоволоконные линии связи: неограниченные возможности Default ThumbnailКакой дифавтомат поставить? Default ThumbnailРекани анжело люстры