Bt1690 параметры от radio-master.net

Содержание

Схемы тестирования временных параметров транзистора
Аналоги
- Отечественное производство
- Зарубежное производство
Datasheet Download — NXP Semiconductors
Биполярный транзистор 13005A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
13005A Datasheet (PDF)
Модификации и группы транзистора C3198
Биполярный транзистор KT972A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Графические иллюстрации характеристик
Аналоги
- Отечественное производство
- Зарубежное производство

Схемы тестирования временных параметров транзистора

Диаграмма входного сигнала.

Схема измерения при резистивной нагрузке.

Параметры режима:

UCC = 125 В. RC = 125 Ом. RB = 47 Ом. D1 диод 1N5820 или подобный. SCOPE – осциллограф “Tektronics 475” или подобный

tr, tf ˂ 10 нс; скважность ≤ 1%

Схема измерений с параметрами элементов при индуктивной нагрузке транзистора.

Входной сигнал: прямоугольный импульс с амплитудой 5 В и протяженностью фронтов tr и tf не более 10 нс

Скважность импульсов 10%. Протяженность импульса подбирается из требуемой величины коллекторного тока IC

UCC подбирается из требуемой величины IC. RB подбирается из требуемой величины IB1. Диод MR826 выбирается на напряжение 1 кВ. Напряжение ограничения UCLAMP = 300 В.

Диаграммы выходных токов и напряжений.

На рисунке:

t_f CLAMPED – время спадания импульса тока при ограничении напряжения на уровне U_CLAMPED.
I_C₍_PK₎ максимальное достижимое значение тока, по которому подбираются значение U_CC и длительность входного импульса.

Расчетные формулы: t₁= L × I_C_(PK) / U_CC; t₂ = L × I_C_(PK) / U_CLAMP.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, предназначенные для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, схемах управления электродвигателями и др., аппаратуре общего применения.

Отечественное производство

Транзисторы, близкие по параметрам к серии 13003 (MJE13003).

Тип	P_C, Вт	U_CB, В	U_CE, В	U_BE, В	I_C, А	U_CE(sat), В	T_j, °С	f_T, МГц	h_FE	t_on/ t_s/ t_f, мкс	Корпус
MJE13003	40	700	400	9	2	0,6	150	4	5…40	— / 3,5 / 1	TO-126
КТ8170А	40	700	400	9	2,25	3	150	4	5…40	1,1 / 4 / 0,7	TO-126
КТ859А	40	800	800	10	3	1,5	150	˃ 3,3	˃ 10	0,35 / 3,3 / 0,35	TO-220AB
КТ841А/В	50	600/800	350	5	10	1,5	150	10	12…45	0,08 / 0,8 / 0,2	TO-3
КТ8118А	50	900	800	—	3	˂ 2,0	150	˃ 15	10…40	—	TO-220
КТ8120А	60	600	450	5	8	1	150	20	˃ 10	— / 2 / 0,2	TO-220
КТ840А/Б/В	60	900/750/800	400/350/375	5	6	0,6	150	8…15	10…60	0,2 / 3,5 / 0,6	TO-3
КТ868А/Б	70	900/750	400/375	5	6	1,5	150	˃ 8	10…100	—	TO-3PML

Зарубежное производство

Аналоги транзистора E13003 (MJE13003).

Тип	P_C, Вт	U_CB, В	U_CE, В	U_BE, В	I_C, А	U_CE(sat), В	T_j, °С	f_T, МГц	h_FE	t_on/ t_s/ t_f, мкс	Корпус
MJE13003	40	700	400	9	2	0,6	150	4	5…40	— / 3,5 / 1	TO-126
3DD1910	40	700	400	9	2,5	1	150	5	15…30	1 / 5 / 0,8	TO-126A
3DD13005A7	40	800	400	9	3	0,6	150	5	15…35	1 / 5 / 1	TO-126F
WBR13005D1	40	700	400	9	4	1	150	4	10…40	— / 3,6 / 1,6	TO-126
BTN3A60T3	40	900	700	9	3	0,6	150	4	10…40	—	TO-126
HLD133D	35	700	400	9	2	1	150	—	5…40	— / 4 / 0,8	TO-126
ST13007DFP	36	700	400	9	8	3	150	4	8…40	— / 2,2 / 0,15	TO-220FP
BUL310FP	36	1000	500	9	5	1,1	150	—	10	— / 1,8 / 0,5	TO-220FP

Аналоги транзисторов 13003BR (MJE13003BR) и 13003T (KSE13003T).

Тип	P_C, Вт	U_CB, В	U_CE, В	U_BE, В	I_C, А	U_CE(sat), В	T_j, °С	f_T, МГц	h_FE	t_on/ t_s/ t_f, мкс	Корпус
MJE13003BR	30	600	400	9	2	0,85	150	—	5…40	— / 3 / 0,8	TO-126
BLD123D	30	600	400	9	2	0,9	150	—	5…40	— / 4 / 0,8	TO-126
KSE13003T	30	700	400	9	1,5	3	150	4	5…40	1,1 / 4 / 0,7	TO-220
FJPE3305	30	700	400	9	4	1	150	4	8…40	0,8 / 4 / 0,9	TO-220F
KSH13005AF	30	700	400	9	4	1	150	4	8…60	0,8 / 4 / 0,9	TO-220F
MJE13005AF	30	800	400	10	5	1	150	4	8…35	0,15 / 5 / 0,8	TO-220IS
MJE13005F	30	700	400	9	4	1	150	4	10…35	0,8 / 4 / 0,9	TO-220IS
STD13005F/FC	30	700	400	9	4	1	150	4	8…40	0,8 / 4 / 0,9	TO-220F-3L
STL128DFP	30	700	400	—	4	1,5	150	—	10…32	— / 0,6 / 0,1	TO-220FP
TS13005CI	30	700	400	9	4	1	150	4	8…40	0,7 / 3 / 0,5	ITO-220
TSC236CI	30	700	400	9	4	1,3	150	—	8…32	0,5 / 3 / 0,5	ITO-220
BUL128FP	31	700	400	9	4	1,5	150	—	10…45	— / 2,9 / 0,4	TO220FP

Примечание: данные таблиц получены из даташип компаний-производителя.

Datasheet Download — NXP Semiconductors

Номер произв

BT169

Описание

Thyristor logic level

Производители

NXP Semiconductors

логотип

1Page

No Preview Available !

BT169 series
Thyristors logic level
Rev. 5 — 30 September 2011
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Passivated, sensitive gate thyristors in a SOT54 plastic package.
1.2 Features and benefits

 Designed to be interfaced directly to microcontrollers, logic integrated circuits and

other low power gate trigger circuits.
1.3 Applications

 General purpose switching and phase control applications.

1.4 Quick reference data

 VDRM, VRRM  200 V (BT169B)

 VDRM, VRRM  400 V (BT169D)

 VDRM, VRRM  600 V (BT169G)

 IT(RMS)  0.8 A

 IT(AV)  0.5 A

 ITSM  8 A

2. Pinning information
Table 1.
Pin
1
2
3
Discrete pinning
Description
anode (a)
gate (g)
cathode (k)
Simplified outline
Symbol
AK
G
sym037
321
SOT54 (TO-92)

No Preview Available !

NXP Semiconductors
BT169 series
Thyristor logic level
3. Ordering information
Table 2. Ordering information
Type number
Package
Name
Description
BT169B
—
plastic single-ended leaded (through hole) package; 3 leads
BT169D
BT169G
4. Limiting values
Version
SOT54
Table 3. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions

VDRM, VRRM

repetitive peak off-state voltages
BT169B
BT169D
BT169G

IT(AV)

average on-state current
half sine wave;

Tlead  83 C;

see Figure 1

IT(RMS)

RMS on-state current
all conduction angles;

see Figure 4 and 5

ITSM non-repetitive peak on-state current half sine wave;

Tj = 25 C prior to

surge;

see Figure 2 and 3

t = 10 ms
t = 8.3 ms

I2t I2t for fusing

t = 10 ms

dIT/dt

IGM

VGM

VRGM

PGM

PG(AV)

Tstg

repetitive rate of rise of on-state
current after triggering
peak gate current
peak gate voltage
peak reverse gate voltage
peak gate power
average gate power
storage temperature
junction temperature

ITM = 2 A; IG = 10 mA;

dIG/dt = 100 mA/s

over any 20 ms period
Min

—

—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—

40

—
Max Unit
200 V
400 V
600 V
0.5 A
0.8 A
8
9
0.32
50
1
5
5
2
0.1
+150
125
A
A

A2s

A/s

A
V
V
W
W

C

Although not recommended, off-state voltages up to 800 V may be applied without damage, but the thyristor may switch to the on-state.

The rate of rise of current should not exceed 15 A/s.

BT169_SER
Product data sheet
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
Rev. 5 — 30 September 2011
NXP B.V. 2011. All rights reserved.
2 of 13

No Preview Available !

NXP Semiconductors

BT169 series
Thyristor logic level
0.8

Ptot

(W)
0.6
1.9
2.2
a=
1.57

001aab446 77

Tlead(max)

(°C)

89
0.4
0.2

2.8
4
0.1 0.2 0.3
conduction form
angle factor
(degrees) a
30 4
60 2.8
90 2.2
120 1.9
180 1.57
0.4 0.5
α

IT(AV) (A)

101
113
125
0.6

a = form factor = IT(RMS)/IT(AV).

Fig 1. Total power dissipation as a function of average on-state current; maximum values.
10

ITSM

(A)
8
001aab499
6
4

IT ITSM

tp t

Tj(init) = 25 °C max

1 10 102 103

number of cycles
f = 50 Hz.
Fig 2. Non-repetitive peak on-state current as a function of the number of sinusoidal current cycles; maximum
values.
BT169_SER
Product data sheet
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
Rev. 5 — 30 September 2011
NXP B.V. 2011. All rights reserved.
3 of 13

Всего страниц

13 Pages

Скачать PDF

Биполярный транзистор 13005A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 13005A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

Корпус транзистора:

13005A
Datasheet (PDF)

0.1. mje13005a.pdf Size:273K _nell

RoHS MJE13005A(NPN)RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsSwitchmode Series NPN Silicon Power Transistors(4A / 400V / 75W)FEATURESVCEO(SUS) 400V @ lC = 10 mA, lB = 0 VCE(sat) = 1.0V (Max.) @ lC = 4 A, lB = 1 ASwitching time — tf = 0.9 s (Max.) @ lC = 2 A 700V blocking capability123TO-220AB(MJE13005A) DESCRIPTION These devices are designed for high-

0.2. 3dd13005a1.pdf Size:180K _crhj

NPN R 3DD13005 A1 3DD13005 A1 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot Ta=25 0.8 W

0.3. 3dd13005a7.pdf Size:145K _crhj

NPN R 3DD13005 A7 3DD13005 A7 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot W TC=25 40

0.4. 3dd13005a3.pdf Size:143K _crhj

NPN R 3DD13005 A3 3DD13005 A3 NPN VCEO 400 V IC 3 A Ptot W TC=25 40

0.5. s13005a.pdf Size:113K _jdsemi

RS13005A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 22

0.6. 13005adl.pdf Size:121K _jdsemi

R13005ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

0.7. h13005adl.pdf Size:120K _jdsemi

RH13005ADL www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Mainly used for 110V power Fluorescent Lamp Electronic Ballastetc 222

0.8. 13005ad.pdf Size:121K _jdsemi

R13005AD www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast and Switch-mode power supplies 222

0.9. 13005a.pdf Size:113K _jdsemi

R13005A www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 111APPLICATION 1Fluorescent LampElectronic Ballast Charger and Switch-mode power supplies 22

0.10. ksg13005ar.pdf Size:220K _semihow

KSG13005AR SEMIHOW REV.A0,Feb 2009KSG13005ARKSG13005ARSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls3 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted3.8 WattsTO-92LCHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT1. Emitter2. Collec

0.11. ksu13005a.pdf Size:558K _semihow

KSD13005A KSU13005A SEMIHOW REV.A1,August 2013 KSD13005A_KSU13005AKSU13005A/KSU13005A Switch Mode series NPN silicon Power Transistor — High voltage, high speed power switching — Suitable for switching regulator, inverters motor controls 4 Amperes NPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted 40 Watts TO-252 / TO-251 CHARA

0.12. ksd13005a.pdf Size:558K _semihow

0.13. ksh13005a.pdf Size:227K _semihow

KSH13005AKSH13005A SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130005AKSH13005ASwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls4 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted75 WattsTO-220

0.14. ksh13005af.pdf Size:223K _semihow

KSH13005AFKSH13005AF SEMIHOW REV.A1,Oct 2007KSH130005AFKSH13005AFSwitch Mode series NPN silicon Power TransistorSwitch Mode series NPN silicon Power Transistor- High voltage, high speed power switching- Suitable for switching regulator, inverters motor controls4 AmperesNPN Silicon Power Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted75 WattsTO

Другие транзисторы… , , , 13001-0
, 13001-2
, 13001-A
, 13003AD
, 13003B
, S9012
, 13005AD
, 13005ADL
, 13005D
, 13005DL
, 13005ED
, 13005F
, 13005S
, 13005SD
.

Модификации и группы транзистора C3198

Модель	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	C_C	h_{FE ٭}	NF (типовое) dB	Корпус
C3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
C SC3198 (O, Y, GR, BL)	0,625	60	50	5	0,15	125	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
FTC3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
KTC3198	0,625	60	50	5	0,15	150	80	3,5	25…700	≤ 10	TO-92
KTC3198A	0,4	60	50	5	0,15	150	80	2	25…700	1	TO-92
KTC3198L ٭٭	0,625	60	50	5	0,15	150	80	2	25…700	0,5 (1) 0,2 (2)	TO-92

٭ — диапазон значений параметра h_FE разделяется производителями во всех модификациях на четыре подгруппы (O, Y, GR, BL).

٭٭ — значения коэффициента шума транзистора KTC3198L: 0,5 (1) и 0,2 (2) определены при частотах сигнала соответственно 100 Гц и 1 кГц.

Биполярный транзистор KT972A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT972A

Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора КТ972А обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную от базы.

Параметры транзистора КТ972
Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение
Аналог	КТ972А	BD877, BD263 2, SK9255 3, BD321A *3
КТ972Б	BD875, BD477, BSP50 3, SMD3303 3, BD675A *2
Структура	—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,PK, τ max,P*K, и max	КТ972А	—	8*
КТ972Б	—	8*
КТ972В	—	8*
КТ972Г	—	8*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, fh21б, fh21э, f**max	КТ972А	—	≥200
КТ972Б	—	≥200
КТ972В	—	≥200
КТ972Г	—	≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб., UКЭR проб., U*КЭО проб.	КТ972А	1к	60*
КТ972Б	1к	45*
КТ972В	1к	60*
КТ972Г	1к	60*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ972А	—	5,00
КТ972Б	—	5,00
КТ972В	—	5,00
КТ972Г	—	5,00
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	КТ972А	—	4*
КТ972Б	—	4*
КТ972В	—	2,00
КТ972Г	—	2,00
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, IКЭR, I*КЭO	КТ972А	60 В	≤1*
КТ972Б	45 В	≤1*
КТ972В	60 В	≤1*
КТ972Г	60 В	≤1*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э, h*21Э	КТ972А	3 В; 1 А	≥750*
КТ972Б	3 В; 1 А	≥750*
КТ972В	3 В; 1 А	750…5000
КТ972Г	3 В; 1 А	750…5000
Емкость коллекторного перехода	cк, с*12э	КТ972А	—	≤3
КТ972Б	—	≤3
КТ972В	—	≤3
КТ972Г	—	≤1.9
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас, rБЭ нас, К*у.р.	КТ972А	—	—
КТ972Б	—	—
КТ972В	—	—
КТ972Г	—	—
Коэффициент шума транзистора	Кш, rb, P*вых	КТ972А	—	—
КТ972Б	—	—
КТ972В	—	—
КТ972Г	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, tрас, tвыкл, t**пк(нс)	КТ972А	—	≤200*
КТ972Б	—	≤200*
КТ972В	—	≤200*
КТ972Г	—	≤200*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость времени задержки t_d и времени нарастания импульса t_r от коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при напряжении питания U_CC = 125 В, температуре п/п структуры T_j = 25°C, и соотношении токов I_C/ I_B = 5.

При измерении времени задержки t_d установлено напряжение смещения U_BE₍_OFF₎ = 5 В.

Рис. 2. Зависимость времени сохранения t_s и времени спадания импульса t_f от величины коллекторной нагрузки I_C.

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята для различных значений температуры структуры T_j и напряжений коллектор-эмиттер U_CE.

Рис. 4. Изменение падения напряжения на транзисторе U_CE при изменении управляющего тока базы I_B. Зависимости сняты при различных нагрузках I_C и температуре структуры T_j = 25°C.

Рис. 5. Изменение напряжения насыщения на базовом переходе U_BE₍_sat₎ при разных нагрузках I_C и разных температурах структуры T_j. Соотношение токов I_C / I_B = 3.

Пунктиром показано изменение напряжения включения U_BE₍_ON₎ при напряжении на коллекторе U_CE = 2 В.

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) от коллекторного тока I_C при различных температурах и соотношении токов I_C/ I_B = 3.

Рис. 7. Область выключения транзистора. Зависимость коллекторного тока I_C от напряжения база-эмиттер U_BE.

Характеристика снята при разных температурах T_j структуры и напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 250 В.

FORWARD – напряжение база-эмиттер приложено в прямом направлении.

REVERS — напряжение база-эмиттер приложено в обратном направлении.

Рис. 8. Зависимости входной емкости C_ib перехода эмиттер-база и выходной емкости C_ob коллекторного перехода от величины обратного приложенного напряжения. Температура структуры T_j= 25°С.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке.

Предельные токи ограничены: значением максимального постоянного тока I_C = 1,5 А и максимального импульсного тока I_CM = 3,0 А.

При этих значениях тока разрушаются паяные соединения подводящих проводов со слоями п/п структуры. Показано штрихпунктирной линией.

Предельные напряжения ограничены максимальным рабочим напряжением U_CEO₍_SUS₎= 400 В.

Общее тепловое разрушение структуры наступает при превышении ограничений по току и напряжений, показанных пунктирной линией.

Сплошная линия обозначает ограничения, связанные с вторичным необратимым пробоем п/п структуры транзистора. Во всех режимах работы линии нагрузки транзистора (зависимости I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE) не должны превышать обозначенных ограничений.

Рис. 10. Ограничение величины рассеиваемой мощности (нагрузки) транзистора при возрастании температуры окружающей среды T_a.

Характеристика снята для условий работы на резистивную нагрузку.

Рис. 11. Область безопасной работы транзистора с обратным смещением для случая с введенными ограничениями перенапряжений.

Предельное ограничение по напряжению (перенапряжению) U_CLAMP = 700 В.

Величины напряжений обратного смещения U_BE₍_OFF₎соответственно 9 В, 5 В, 3 В и 1,5 В.

Характеристики построены для температуры структуры в пределах 100°С и при токе базы I_B₁ = 1 А.

Такая ОБР с обратным смещением характерна для схем работы транзистора на индуктивную нагрузку.

В этих режимах работы, линии нагрузки транзистора (зависимости I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE) не должны превышать обозначенных ОБР ограничений.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, применяемые в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, преобразователях и другой аппаратуре общего применения.

Отечественное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	C_ob	h_FE	Временные параметры: t_on/ t_stg/ t_f мкс.	Корпус
2SC5027	50	1100	800	7	3	150	15	60	8…40	0,5 / 3 /0,3	TO-220
КТ840А	60	900	400	5	6	150	8	—	10…60	0,2 / 3,5 / 0,6	TO-3
2Т856А/Г	125	1000	950/850	5	10/12	—	—	—	10…60	— / — / 0,5	TO-3
КТ859А	40	800	800	10	3	150	˃ 25	—	˃ 10	0,5 / 3,5 / 0,35	TO-220AB
КТ872А	100	1500	700	6	8	150	—	—	6	— / 6,7 / 0,8	TO-218
КТ878А	100	—	900	5	25	150	10	500	12…50	— / 3 / —	TO-3
2Т886	175	—	1400	7	10	150	—	—	—	— / — / 0,7	TO-3
КТ8107А	100	1500	700	6	10	125	˃ 7	—	2,3	— / 3,5 / 0,5	TO-220
КТ8108А/В	70	800/900	—	5	3	150	15	75	10…50	— / 3 / 0,3	TO-220
КТ8114А/Б/В	125	1500	700	6	8	150	—	—	—	— / — / 0,5	TO-218
КТ8118А	50	900	800	5	3	150	15	—	10…40	— / 2 / 0,7	TO-220
КТ8121А	75	700	400	5	4	150	˃ 4	—	8…60	— / 3 / 0,4	TO-220
КТ8126А1/Б1	80	700	400	9	8	150	˃ 4	—	8…60	— / 1,7 / —	TO-220
КТ8137А	40	700	700	9	1,5	150	˃ 4	—	8…40	1 / 4 / 0,7	КТ-27
КТ8164А/Б	75	700	400	9	4	150	˃ 4	110	8…60	0,8 / 4 / 0,9	TO-220
КТ8170А1	40	700	400	9	1,5	150	˃ 4	35	8…40	1,1 / 4 / 0,7	TO-126

Зарубежное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	C_ob	h_FE	Врем. параметры: t_on/ t_stg/ t_f мкс.	Корпус
2SC5027	50	1100	800	7	3	150	15	60	8…40	0,5 / 3 /0,3	TO-220
2SD1290	50	1500	—	5	3	130	—	—	3…8	— / 3 / 1	TO-3PN
2SD1291	65	1500	—	5	3	150	—	—	4…12	— / 4 / 1	TO-3PN
BUJ302A	80	1050	400	24	4	150	—	—	25…100	— /3,5 / 0,5	TO-220AB
BUJ303A	100	1000	—	—	5	150	—	—	10…35	0,7 / 4 / 0,45	TO-220AB
BUJ403A	100	1200	550	—	6	150	—	—	15	0,5 / 3 /0,3	TO-220AB
BUL216	90	1600	800	9	4	150	—	—	10…40	— / 3 / 0,6	TO-220
BUL218D-B	70	700	400	—	4	150	—	—	10…32	— / 0,6 / 0,1	TO-220
BUL416	110	1600	800	9	6	150	—	—	10…32	— / 3 / 0,7	TO-220
BUL416T	800	9	6	150	—	—	10…32	— / 1,5 / 0,8	TO-220A
FJP2145	120	1100	800	7	5	125	15	11,4	8…40	—	TO-220
KSC5603D	100	1600	800	12	3	150	5	56	6…46	1 / 0,18 / 0,2	TO-220
2SC2979	40	900	800	7	3	150	—	—	7…15	1 / 3 / 1	TO-220
3DD5023/24	40	1500	800	5	6	150	˃ 2	—	5…30	— / — / 1,0	TO-220F
FJPF5021	40	800	500	7	5	150	15	80	8…50	0,5 / 3 /0,3	TO-220F
FJPF5321	40	800	500	7	5	150	14	65	8…40	0,5 / 3 /0,3	TO-220F
FJPF5200	50	250	250	5	17	150	30	200	35…160	—	TO-220F
MJE15028	50	120	120	5	8	150	30	—	20…40	—	TO-220C

Примечание: FJPF5200 — Маркировка J5200.

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителя.

/ bt1690 параметры

Схемы тестирования временных параметров транзистора

Аналоги

Отечественное производство

Зарубежное производство

Datasheet Download — NXP Semiconductors

Биполярный транзистор 13005A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

13005A Datasheet (PDF)

Модификации и группы транзистора C3198

Биполярный транзистор KT972A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Графические иллюстрации характеристик

Аналоги

Отечественное производство

Зарубежное производство

Похожие записи:

13005A
Datasheet (PDF)