Datasheet bc847 pdf ( даташит )

Содержание

Содержание справочника транзисторов

Параметры полевых транзисторов n-канальных.Параметры полевых транзисторов p-канальных.Добавитьописание полевого транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.Добавитьописание биполярного транзистора.

Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).Добавитьописание биполярного транзистора с изолированным затвором.

Поиск транзистора по маркировке.Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.Поиск полевого транзистора по основным параметрам.Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.

Типоразмеры корпусов транзисторов.Магазины электронных компонентов.

BC847S Datasheet (PDF)

0.1. bc847s.pdf Size:51K _fairchild_semi

BC847SE2B2C1C2SC70-6B1Mark: 1C pin #1 E1NOTE: The pinouts are symmetrical; pin 1 and pin4 are interchangeable. Units inside the carrier canbe of either orientation and will not affect thefunctionality of the device.NPN Multi-Chip General Purpose AmplifierThis device is designed for general purpose amplifier applications at collectorcurrents to 200 mA. Sourced from Pr

0.2. bc847s.pdf Size:119K _siemens

BC 847SNPN Silicon AF Transistor Array For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage Two (galvanic) internal isolated Transistors in one packageType Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBC 847S 1Cs Q62702-2372 1/4=E1/E2 2/5=B1/B2 3/6=C2/C1 SOT-363Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollec

0.3. bc846series bc847series bc848series bc849series bc850series.pdf Size:182K _infineon

BC846…-BC850…NPN Silicon AF Transistors For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage Low noise between 30 Hz and 15 kHz Complementary types: BC856…-BC860…(PNP) Pb-free (RoHS compliant) package1) Qualified according AEC Q1011Pb-containing package may be available upon special request20

0.4. bc847s.pdf Size:279K _secos

BC847SNPN Silicon Elektronische BauelementeMulti-Chip TransistorRoHS Compliant ProductSOT-363o.055(1.40)8.047(1.20)0o .026TYP(0.65TYP) .021REF* Features(0.525)REF.053(1.35).096(2.45)Power dissipation.045(1.15).085(2.15)OPCM : 0.3 W (Tamp.= 25 C)Collector current .018(0.46).010(0.26)ICM : 0.2 A.014(0.35).006(0.15).006(0.15).003(0.08)Col

0.5. bc847s.pdf Size:2746K _htsemi

BC847SMulti-chip transistor (NPN)SOT-363 APPLICATION C1 B2E2 This device is designed for general purpose amplifier applications Marking :1C E1 B1 C2 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 VEBO Emitter-Base Voltage 6 IC Collector Current-Continuous 200 mA

0.6. bc847s.pdf Size:568K _wietron

BC847S2 13Dual General Purpose Transistor654NPN Silicon123P b Lead(Pb)-Free45 6SOT -363(SC-88)NPN+NPNMaximum RatingsRating UnitSymbol ValueCollector-Emitter Voltage VCEO V 45Collector-Base Voltage VCBO 50 VEmitter-Base Voltage VEBO 6 VCollector Current-Continuous IC mA200Thermal CharacteristicsCharacteristics Symbol Max UnitmWTotal Dev

BC847BDW Datasheet (PDF)

0.1. bc846bdw1t1g bc847bdw1t1g bc848cdw1t1g.pdf Size:127K _onsemi

BC846BDW1T1G,BC847BDW1T1G,BC848CDW1T1GDual General PurposeTransistorshttp://onsemi.comNPN Duals(3) (2) (1)These transistors are designed for general purpose amplifierapplications. They are housed in the SOT-363/SC-88 which isdesigned for low power surface mount applications.Q1 Q2Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS(4) (5) (6)Com

0.2. sbc847bdw1t1g.pdf Size:144K _onsemi

BC846BDW1T1G,SBC846BDW1T1G,BC847BDW1T1G,SBC847BDW1T1G Series,NSVBC847BDW1T2G,BC848CDW1T1Ghttp://onsemi.comDual General PurposeTransistorsSOT-363CASE 419BNPN DualsSTYLE 1These transistors are designed for general purpose amplifierapplications. They are housed in the SOT-363/SC-88 which is(3) (2) (1)designed for low power surface mount applications.FeaturesQ1 Q

0.3. nsvbc847bdw1t2g.pdf Size:144K _onsemi

0.4. bc847bdw1t1g bc848cdw1t1g.pdf Size:144K _onsemi

0.5. bc847bdw1t3g bc846bdw1t1g.pdf Size:144K _onsemi

0.6. sbc847bdw1t3g.pdf Size:144K _onsemi

0.7. lbc847bdw1t1g.pdf Size:230K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LBC846ADW1T1GDual General Purpose TransistorsLBC846BDW1T1GLBC847BDW1T1GNPN DualsLBC847CDW1T1G These transistors are designed for general purpose amplifierLBC848BDW1T1Gapplications. They are housed in the SOT363/SC88 which isLBC848CDW1T1Gdesigned for low power surface mount applications.S-LBC846ADW1T1GWe declare that the material of produ

Биполярный транзистор BC847BDW — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BC847BDW

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.38
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора:

BC847BDW
Datasheet (PDF)

0.1. bc846bdw1t1g bc847bdw1t1g bc848cdw1t1g.pdf Size:127K _onsemi

0.2. sbc847bdw1t1g.pdf Size:144K _onsemi

0.3. nsvbc847bdw1t2g.pdf Size:144K _onsemi

0.4. bc847bdw1t1g bc848cdw1t1g.pdf Size:144K _onsemi

0.5. bc847bdw1t3g bc846bdw1t1g.pdf Size:144K _onsemi

0.6. sbc847bdw1t3g.pdf Size:144K _onsemi

0.7. lbc847bdw1t1g.pdf Size:230K _lrc

Другие транзисторы… 3DD13002B
, A1015LT1
, A733LT1
, BC5347B
, BC546C
, BC846BDW
, BC846BPDW
, BC846CW
, BD139
, BC847BPDW
, BC848BDW
, BC848BPDW
, BC856BDW
, BC857BDW
, BC858BDW
, C1815LT1
, C945LT1
.

Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.

Транзисторы КТ817, — кремниевые, универсальные, мощные низкочастотные, структуры — n-p-n. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, преобразователях и импульсных схемах. Корпус пластмассовый, с гибкими выводами. Масса — около 0,7 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная — в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ817 цифра 7, второй знак — буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ817.

Транзисторы — купить… или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы? В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — сломанные телевизоры, магнитофоны, приемники и.

Datasheet Download — STMicroelectronics

Номер произв

BC847

Описание

SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS

Производители

STMicroelectronics

логотип

1Page

No Preview Available !

BC847
SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS
Type
BC847B
Marking
1F

s SILICON EPITAXIAL PLANAR NPN

TRANSISTORS

s MINIATURE PLASTIC PACKAGE FOR

APPLICATION IN SURFACE MOUNTING
CIRCUITS

s LOW LEVEL GENERAL PURPOSE

s PNP COMPLEMENT IS BC857

2
3
1
SOT-23
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
S ym b o l

VCES

V CBO

V CEO

V EBO

ICM

IBM

IEM

Ptot

Tstg

Parameter

Collector-Emit ter Voltage (VBE = 0)

Collector-Base Voltage (IE = 0)

Collector-Emitter Voltage (IB = 0)

Emitter-Base Voltage (IC = 0)

Collector Current
Collector Peak Current
Base Peak Current
Emitter Peak Current

Total Dissipation at Tc = 25 oC

Storage Temperature
Max. O perating Junction Temperature
October 1997
Value
50
50
45
6
0.1
0.2
0.2
0.2
300
-65 to 150
150
Uni t
V
V
V
V
A
A
A
A
mW

1/4

No Preview Available !

BC847
THERMAL DATA

Rthj-amb • Thermal Resistance Junction-Ambient

Rth j-SR • Thermal Resistance Junction-Substrat e

• Mounted on a ceramic substrate area = 10 x 8 x 0.6 mm

Max
Max
420
330

oC/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25 oC unless otherwise specified)

Symb ol
P a ram et er
Test Conditions

ICBO

Collector Cut-off

Current (IE = 0)

VCE = 30 V

Tamb = 150 oC

V(BR)CES ∗ Collect or-Emitter

Breakdown Voltage

(VBE = 0)

V( BR)CBO ∗ Collect or-Base

Breakdown Voltage

(IE = 0)

V( BR)CEO ∗ Collect or-Emitter

Breakdown Voltage

(IB = 0)

V(BR)EBO

Em it t er -Base
Breakdown Voltage

(IC = 0)

VCE(sat)∗ Collect or-Emitter

Saturation Voltage

IC = 10 µA

IC = 2 mA

IC = 10 µA

IC = 10 mA IB = 0.5 mA

IC = 100 mA IB = 5 mA

VBE(s at)∗ Base-Emitt er

Saturation Voltage

IC = 10 mA IB = 0.5 mA

IC = 100 mA IB = 5 mA

VBE(on)∗ Base-Emitt er O n

Voltage

IC = 2 mA

IC = 10 mA

VCE = 5 V

hFE∗ DC Current G ain

IC = 10 µA

IC = 2 mA

VCE = 5 V

fT Transit ion F requency IC = 10 mA VCE = 5 V f = 100MHz

CCB Collect or Base

Capacitance

IE = 0 VCB = 10 V f = 1 MHz

CEB Collect or Emit ter

Capacitance

IC = 0 VEB = 0.5 V f = 1 MHz

NF Noise Figure

VCE = 5 V IC = 0.2 mA f = 1KHz

∆f = 200 Hz RG = 2 KΩ

hie∗ Input Impedance

VCE = 5 V IC = 2 mA f = 1KHz

hre∗ Reverse Voltage Ratio VCE = 5 V IC = 2 mA f = 1KHz

hfe∗ Small Signal Current VCE = 5 V IC = 2 mA f = 1KHz

Gain

hoe∗ Output Admittance

VCE = 5 V IC = 2 mA f = 1KHz

∗ Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle ≤ 2 %

Min. Typ.
50
50
45
6
0.58
200
0.09
0.2
0.75
0.9
0.63
0.7
150
290
300
9
2
3.2 4.5
2
330
30
M a x.
15
5
0.25
0.6
0.7
0.77
450
4.5
10
8.5
60
Unit
nA

µA

V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
MHz
pF
pF
dB

KΩ

10-4

µs

2/4

No Preview Available !

DIM.

A
B
C
D
E
F
G
H
L
M
N
O
MIN.
0.85
0.65
1.20
2.80
0.95
1.9
2.1
0.38
0.3

0.3
0.09
SOT-23 MECHANICAL DATA
mm
TYP.
MAX.
1.1
0.95
1.4
3
1.05
2.05
2.5
0.48
0.6
0.1
0.65
0.17
MIN.
33.4
25.6
47.2
110.2
37.4
74.8
82.6
14.9
11.8

11.8
3.5
mils
TYP.
BC847
MAX.
43.3
37.4
55.1
118
41.3
80.7
98.4
18.8
23.6
3.9
25.6
6.7
0044616/B
3/4

Всего страниц

4 Pages

Скачать PDF

BC847BS Datasheet (PDF)

0.1. bc847bs 2.pdf Size:51K _philips

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETandbook, halfpageMBD128BC847BSNPN general purpose doubletransistor1999 Apr 28Product specificationSupersedes the data of 1997 Jul 14Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose double transistor BC847BSFEATURES PINNING Low collector capacitancePIN DESCRIPTION Low collector-emitter saturation voltage1, 4 e

0.2. bc847bs.pdf Size:193K _fairchild_semi

June 2007BC847BSNPN Multi-chip General Purpose AmplifierThis device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 200 mA.Sourced from Process 07. E2B2 C1 Dual NPN Signal TransisterNOTE: The pinouts are symmetrical; pin 1 and pin4 are interchangeable. Units inside the carrier can SC70-6 C2be of either orientation and will not affect the

0.3. bc847bs.pdf Size:106K _diodes

BC847BS DUAL NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features A Ideally Suited for Automated Insertion SOT-363 For Switching and AF Amplifier Applications Dim Min Max Ultra-Small Surface Mount Package A 0.10 0.30 Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) B CB 1.15 1.35 Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability C 2.00 2.20 «Green» Device

0.4. bc847bs sot-363.pdf Size:280K _mcc

MCCMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street ChatsworthBC847BSMicro Commercial ComponentsCA 91311Phone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant («P» Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information)Dual NPN Small Ideally Suited for Automatic Insertion Ultra-Small Surface Mount Package Signal Transistor

Даташит bc847 pdf ( datasheet )

Содержание справочника транзисторов

BC847S Datasheet (PDF)

BC847BDW Datasheet (PDF)

Биполярный транзистор BC847BDW — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

BC847BDW Datasheet (PDF)

Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.

Транзисторы — купить… или найти бесплатно.

Datasheet Download — STMicroelectronics

BC847BS Datasheet (PDF)

Похожие записи:

BC847BDW
Datasheet (PDF)