Импортные и отечественные аналоги
Из представленной выше информации видно, что транзисторы BC546-550 различаются по допустимым величинам напряжений и имеют хотя не одинаковые, но близкие показатели коэффициента шума. Остальные электрические параметры и типовые характеристики у них идентичны.
Среди транзисторов российского производства наиболее близким к этой группе можно считать КТ3102, который имеет такой же корпус и цоколевку, но более высокий коэффициент усиления (КТ3102Г, Е).
В таблице приведены пригодные для замены BC547 n-p-n транзисторы (в корпусе ТО-92) и их основные параметры.
| Тип | VCEO, В | IC, мA | PC, мВт | hFE | fT, МГц | Цоколевка (слева направо) |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BC547 | 50 | 100 | 500 | 110-800 | 300 | кбэ |
| Отечественное производство | ||||||
| КТ3102 | 20-50 | 100 | 250 | 100-1000 | от 150 | + (кбэ) |
| Импорт | ||||||
| BC171 | 45 | 100 | 350 | 120-800 | 150 | + (кбэ) |
| BC182 | 50 | 100 | 350 | 120-500 | 100 | + (кбэ) |
| BC237 | 45 | 100 | 500 | 120-460 | 100 | + (кбэ) |
| BC414 | 45 | 100 | 300 | 120-800 | 200 | + (кбэ) |
| BC447 | 80 | 300 | 625 | 50-460 | от 100 | + (кбэ) |
| BC550 | 45 | 200 | 500 | 110-800 | 300 | + (кбэ) |
| 2SC2474 | 30 | 100 | 310 | 20 | 2000 | + (кбэ) |
| 2SC828A | 45 | 100 | 400 | 130-520 | 220 | — (экб) |
| 2SC945 | 50 | 100 | 250 | 150-450 | от 150 | — (экб) |
Примечания:
- У КТ3102 значения VCEO и hFE зависит от буквы, следующей за последней цифрой.
- В последнем столбце знак «+» означает совпадение порядка следования выводов с BC547, знак «-» – различие.
- Параметры транзисторов указанные в таблице взяты из производителя.
Транзисторы BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 с буквами A, B, C.
Т ранзисторы BC556 — BC560 — кремниевые, высокочастотные усилительные общего назначения, структуры — p-n-p. Корпус пластиковый TO-92B. Маркировка буквенно — цифровая.
Наиболее важные параметры.
Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 500 мВт.
Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером — 300 МГц;
Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — У транзисторов BC556 65в. У транзисторов BC557, BC560 45в. У транзисторов BC558, BC549 30в.
Максимальное напряжение коллектор — база — У транзисторов BC556 80в. У транзисторов BC557, BC560 50в. У транзисторов BC558, BC559 30в.
Максимальное напряжение эмиттер — база — 5в.
Коэффициент передачи тока: У транзисторов BC556A, BC557A, BC558A, BC559A, BC560A — от 110 до 220. У транзисторов BC556B, BC557B, BC558B, BC559B, BC560B — от 200 до 450. У транзисторов BC556C, BC557C, BC558C, BC559C, BC560C — от 420 до 800.
Максимальный постоянный ток коллектора — 100 мА.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора100мА, базы 5мА — не выше 0,6в.
Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 5мА — 0,9в.
Транзисторы комплиментарные BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 — BC546, BC547, BC548, BC549, BC550.
BC556, BC557, BC558, BC559, BC560 встречаются в самых различных схемах. Эти транзисторы успешно используют, как для усиления сигналов звуковой частоты, так и в радиочастотных каскадах. Пример — популярная схема переговорного устройства(уоки — токи) на 27мГц.
Схема состоит из двух компонентов — LC генератора(емкостная трехточка) на частоту 27мГц и усилителя звуковой частоты с двухтактным выходным каскадом. Режимы прием — передача переключаются с помощью переключателя В1. В режиме передачи миниатюрный громкоговоритель переключается с выхода УЗЧ на вход и используется как динамический микрофон. Усиленный сигнал поступает на генератор 27мГц, производя модуляцию основной частоты.
В режиме приема схема работает как сверхрегнератор с очень большим усилением радиосигнала и прямым преобразованием его модуляции в сигнал звуковой частоты, после усиления в УЗЧ поступающий на громкоговоритель. В LC генераторе применен BC547(VT1), в усилителе звуковой частоты два BC547(VT2 — VT5) и два комплементарных BC557(VT3 — VT4). Все транзисторы лучше брать с буквой C(коэфф. усиления от 450). Резисторы можно взять любого типа с мощностью от 0,1 ватта, за исключением R3 — его мощность должна быть не менее 0,25 ватт.
Конденсаторы C1 — C11 слюдяные, C12 — C13 — оксидные(электролитические), любого типа. Катушка генератора L1 — 4 витка провода ПЭЛ -0,25 с отводом от одного витка, намотанная на каркасе диаметром 0,4 см, с подстроечным стержнем из феррита(от малогаб. импортного приемника). Катушка L2 — 1,5 витка на том же каркасе, тем же проводом. Антенной служит безкаркасная катушка — пружина диаметром 0,5 см содержащая 160 — 170 плотно намотанных витков провода ПЭВ 0,5 (виток, к витку). Длина такой антенны получается от 8 до 10см.
Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».
12 шт. из магазина г.Ижевск2328 шт. со склада г.Москва,срок 3-4 рабочих дня
− +
В корзину
PNP транзистор общего применения
ХарактеристикиТехнические ∙ Корпус TO-92 ∙ Распиновка CBE
Электрические ∙ Мощность 0.5Вт ∙ Ток коллектора -0.1А ∙ Обратный ток коллектор-база -0.015uA ∙ Напряжение эмиттер-база -5В ∙ Напряжение коллектор-эмиттер 45В ∙ Напряжение коллектор-база -50В ∙ Hfe min 420 ∙ Hfe max 800
Общие ∙ Производитель Semtech
Производители
Все DataSheet от указных производителей ВС557 можно скачать здесь. Производители: Diotec Semiconductor, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, Rectron Semiconductor, Unisonic Technologies, Fairchild Semiconductor, Continental Device India Limited, Olitech Electronics, Foshan Blue Rocket Electronics, First Silicon, Semtech Corporation, Boca Semiconductor Corporation, KEC(Korea Electronics), Micro Electronics, ON Semiconductor, NXP Semiconductors, Dc Components, SEMTECH ELECTRONICS, Tiger Electronic, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY, Micro Commercial Components, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, Siemens Semiconductor Group, General Semiconductor.
Электрические параметры
В следующей таблице приведены основные параметры, используемые при расчете электрических схем.
Обратный ток коллектора – обратный ток коллекторногоперехода при свободном (не подключенном никуда) эмиттере. Его наличие приводит к нагреву транзистора. С увеличением температуры быстро растет.
Коэффициент усиления по току – отношение величин коллекторного и базового токов при активном режиме. Его величина определяет способность транзистора к усилению сигналов.
Напряжения насыщения – величина напряжений на p-n переходах транзистора, который находится в состоянии насыщения, то есть оба перехода смещены в прямом направлении (открыты). Такое состояние прибора используется в ключевых схемах.
Граничная частота – частота сигнала, при которой hFE транзистора падает до 1. Обычно приемлемой для работы считается частота 0,1 fT.
Выходная и входная емкости – эквивалентные емкости, являющиеся суммой емкостей Скб и Сбэ. Их величина существенна при работе с сигналами высокой частоты и в переключателях.
Коэффициент шума – отношение полной мощности шумов на выходе к ее части, вызываемой тепловыми шумами генератора шума. Параметр играет роль в случае необходимости усиления слабых сигналов. RG – выходное сопротивление источника сигнала.
| Обозначение | Параметр | Условия измерений | Значение | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Мин. | Тип. | Макс. | ||||
| ICBO | Обратный ток коллектора, nA | VCB =30В, IE =0 | 15 | |||
| hFE (h21) | Коэффициент усиления | VCE =5В, IC =2мА | 110 | 800 | ||
| VCE(sat) (UBEsat) | Напряжение насыщения к-э, мВ | IC=10 мA, IB =0,5мA | 90 | 250 | ||
| IC=100 мA, IB =5мA | 200 | 600 | ||||
| VBE(sat) (UBEsat) | Напряжение насыщения б-э, мВ | IC =10 мA, IB =0,5мA | 700 | |||
| IC =100 мA, IB =5мA | 900 | |||||
| VBE (UBE) | Напряжение б-э (прямое), В | VCE =5 В, IC =2 мA | 580 | 660 | 700 | |
| VCE =5 В, IC =10 мA | 720 | |||||
| fT | Граничная частота, МГц | VCE =5В, IC =10мA, f=100 MГц | 300 | |||
| Cob | Выходная емкость, пФ | VCB =10В, IE =0, f= 1MГц | 3,5 | 6 | ||
| Cib | Входная емкость, пФ | VEB =0,5В, IС =0, f= 1MГц | 9 | |||
| NF (F) | Коэффициент шума, дБ | ВС546-548 | VCE =5В, IC =0,2мA, RG=2кОм, f= 1кГц, Δf=200Гц | 2 | 10 | |
| ВС549, 550 | 1,2 | 4 | ||||
| ВС549 | VCE =5В, IC =0,2мA, RG=2кОм, f= 30-15000 Гц | 1,4 | 4 | |||
| ВС550 | 1,4 | 3 |
Примечания:
- Измерение параметров проводилось при температуре окружающей среды 25° С. Предельно допустимые значения указаны для тех же условий.
- В первом столбце обеих таблиц в скобках указаны обозначения, принятые в соответствии с ГОСТ 15172-70.
Распиновка
Bc547 впервые появился на рынке радиоэлектронных компонентов в апреле 1966 года, благодаря компаниям Philips (Голландия) и Mullard (Великобритания). Это совместная доработка популярного в то время bc107. Он был идентичный по своим техническим характеристикам, но выпускался в отличии от металлического bc107 в пластиковом герметичном корпусе ТО-92. В настоящее время является действующей заменой для более старых BC107 или BC147, которые включены во множество разработок компаний Mullard и Philips.
Цоколевка корпуса ТО-92 (или ТО-226AA) у bc547 имеет три гибких вывода для дырочного монтажа. Если смотреть на скошенную часть спереди, то назначение этих выводов слева направо: коллектор, база, эмиттер. На рисунке показан базовый внешний вид устройства, который будет немного отличаться в зависимости от конкретной марки, однако характеристики и назначения выводов остаются идентичными.
Похожие записи:
Как выставить зажигание с помощью стробоскопа?
Сигнализация действия защиты и автоматики
Подключение потолочного светильника со светодиодами
Маркировка smd компонентов: кодовые обозначения
Как сделать веб-приложение для вашего собственного bluetooth low energy девайса?
Как подключить усилитель в машине