Транзистор b772

Содержание

B772-Y Datasheet (PDF)

0.1. 2sb772-y.pdf Size:287K _mcc

2SB772-RMCC2SB772-OMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street Chatsworth2SB772-YMicro Commercial ComponentsCA 913112SB772-GRPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates PNP SiliconRoHS Compliant. See ordering information) Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingPlastic-Encapsulat

0.2. b772-r b772-y.pdf Size:245K _mcc

B772-RMCCMicro Commercial ComponentsTMB772-O20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311 B772-YPhone: (818) 701-4933B772-GRFax: (818) 701-4939Features Capable of 1.25Watts of Power Dissipation. PNP Silicon Collector-current 3.0APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 40V Operating and storage junction temperature range: -55O

 9.1. 2sb772-r.pdf Size:287K _mcc

2SB772-RMCC2SB772-OMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street Chatsworth2SB772-YMicro Commercial ComponentsCA 913112SB772-GRPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates PNP SiliconRoHS Compliant. See ordering information) Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingPlastic-Encapsulat

9.2. 2sb772-gr.pdf Size:287K _mcc

2SB772-RMCC2SB772-OMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street Chatsworth2SB772-YMicro Commercial ComponentsCA 913112SB772-GRPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates PNP SiliconRoHS Compliant. See ordering information) Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingPlastic-Encapsulat

 9.3. 2sb772-o.pdf Size:287K _mcc

2SB772-RMCC2SB772-OMicro Commercial ComponentsTM20736 Marilla Street Chatsworth2SB772-YMicro Commercial ComponentsCA 913112SB772-GRPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) («P» Suffix designates PNP SiliconRoHS Compliant. See ordering information) Epoxy meets UL 94 V-0 flammability ratingPlastic-Encapsulat

9.4. b772-gr b772-o.pdf Size:245K _mcc

B772-RMCCMicro Commercial ComponentsTMB772-O20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311 B772-YPhone: (818) 701-4933B772-GRFax: (818) 701-4939Features Capable of 1.25Watts of Power Dissipation. PNP Silicon Collector-current 3.0APlastic-Encapsulate Collector-base Voltage 40V Operating and storage junction temperature range: -55O

 9.5. 2sb772-s.pdf Size:174K _fci

9.6. 2sb772-126.pdf Size:891K _kexin

DIP Type TransistorsPNP Transistors2SB772TO-126Unit:mm8.00 0.30 3.25 0.20 Features PNP transistor High current output up to 3A Low Saturation Voltage3.20 0.10 Complement to 2SD882(1.00) (0.50)0.75 0.101.75 0.201.60 0.100.75 0.101 2 3#1+0.102.28TYP 2.28TYP 0.50 0.05 1. Base2. Collector3. Emitte

2SA772 Datasheet (PDF)

9.1. 2sa777.pdf Size:46K _panasonic

Transistor2SA777Silicon PNP epitaxial planer typeFor low-frequency driver amplificationUnit: mmComplementary to 2SC15095.9 0.2 4.9 0.2FeaturesHigh collector to emitter voltage VCEO.Optimum for the driver stage of a low-frequency and 25 to 30Woutput amplifier.0.7 0.12.54 0.15Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings UnitCollector to base vo

9.2. 2sa777 e.pdf Size:50K _panasonic

Transistor2SA777Silicon PNP epitaxial planer typeFor low-frequency driver amplificationUnit: mmComplementary to 2SC15095.9 0.2 4.9 0.2FeaturesHigh collector to emitter voltage VCEO.Optimum for the driver stage of a low-frequency and 25 to 30Woutput amplifier.0.7 0.12.54 0.15Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings UnitCollector to base vo

 9.3. 2sa778.pdf Size:42K _hitachi

2SA778(K), 2SA778A(K)Silicon PNP EpitaxialApplicationHigh voltage medium speed switchingOutlineTO-92 (1)1. Emitter2. Collector3. Base3212SA778(K), 2SA778A(K)Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol 2SA778(K) 2SA778A(K) UnitCollector to base voltage VCBO 150 180 VCollector to emitter voltage VCEO 150 180 VEmitter to base voltage VEBO 5

9.4. 2sa770 2sa771.pdf Size:152K _jmnic

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA770 2SA771 DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SC1985/1986 Low collector saturation voltage APPLICATIONS For general and industrial purpose applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol3 BaseAbs

 9.5. 2sa775.pdf Size:147K _jmnic

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA775 DESCRIPTION With TO-220 package High breakdown voltage APPLICATIONS For TV vertical output amplifier applicatons PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol3 BaseAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER COND

9.6. 2sa770 2sa771.pdf Size:236K _sanken-ele

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

9.7. 2sa779.pdf Size:181K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SA779DESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 40(Min)@ I = -0.15AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage -: V = -35V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as audio amplifiers and drivers utilizingcomplementary or quasi complementa

9.8. 2sa770 2sa771.pdf Size:123K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA770 2SA771 DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SC1985/1986 Low collector saturation voltage APPLICATIONS For general and industrial purpose applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and sy

9.9. 2sa775.pdf Size:201K _inchange_semiconductor

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA775DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage: V = -100V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general-purpose output amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base V

9.10. 2sa770.pdf Size:216K _inchange_semiconductor

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA770DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-:V = -60(V)(Min.)(BR)CEOComplement to Type 2SC1985Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio and general purpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Vol

9.11. 2sa771.pdf Size:216K _inchange_semiconductor

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA771DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-:V = -80(V)(Min.)(BR)CEOComplement to Type 2SC1986Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio and general purpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Vol

Биполярный транзистор B772M — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: B772M

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

Корпус транзистора: TO252-2L

B772M
Datasheet (PDF)

0.1. b772m.pdf Size:643K _jiangsu

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors TO-252-2L B772M TRANSISTOR (PNP) FEATURES 1. BASE Low Speed Switching 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V VEBO Emitter-Base Voltage -6 V

0.2. 2sb772m.pdf Size:341K _blue-rocket-elect

2SB772M(BR3CG772M) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features , hFE Low saturation voltage, excellent hFE linearity and high hFE. / Applications ,,

 0.3. 2sb772m 3ca772m.pdf Size:220K _lzg

2SB772M(3CG772M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :,, Purpose: Output stage of audio amplifier, voltage regulator, DC-DC converter and relay driver. :, h /Features: Low saturation voltage, excellent h linearity FEFEand high h . FE/Absolut

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

B772P Datasheet PDF — NEC

Part Number B772P
Description 2SB772
Manufacturers NEC 
Logo  

There is a preview and B772P download ( pdf file ) link at the bottom of this page.

Total ( 3 pages )

Preview 1 page

No Preview Available !

www.DataSheet4U.com
www.DataSheet4U.com
DATA SHEET
PNP SILICON POWER TRANSISTOR
2SB772
PNP SILICON POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION
The 2SB772 is PNP silicon transistor suited for the output stage of 3
W audio amplifier, voltage regulator, DC-DC converter and relay
driver.
FEATURES

• Low saturation voltage

VCE(sat) ≤ −0.5 V (IC = −2 A, IB = −0.2 A)

• Excellent hFE linearity and high hFE

hFE = 60 to 400 (VCE = −2 V, IC = −1 A)

• Less cramping space required due to small and thin package and

reducing the trouble for attachment to a radiator.
No insulator bushing required.
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)
8.5 MAX.
3.2 ±0.2
2.8 MAX.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Maximum Temperature
Storage Temperature
Junction Temperature
Maximum Power Dissipation

−55 to +150°C

150°C Maximum

Total Power Dissipation (TA = 25°C)

Total Power Dissipation (TC = 25°C)

Maximum Voltages and Currents (TA = 25°C)

VCBO

Collector to Base Voltage

VCEO

Collector to Emitter Voltage

VEBO

Emitter to Base Voltage

IC(DC)

Collector Current (DC)

IC(pulse)Note Collector Current (pulse)

Note Pulse Test PW ≤ 350 µs, Duty Cycle ≤ 2%

1.0 W
10 W

−40 V

−30 V

−5.0 V

−3.0 A

−7.0 A

12 TYP.
0.55
+0.08
–0.05
0.8
+0.08
–0.05
2.3 TYP.
2.3 TYP.
1.2 TYP.
1: Emitter
2: Collector: connected to mounting plane
3: Base

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)

CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITIONS
DC Current Gain

hFE1

VCE = −2.0 V, IC = −20 mANote

DC Current Gain

hFE2

VCE = −2.0 V, IC = −1.0 mANote

Gain Bandwidth Product

fT VCE = −5.0 V, IC = −0.1 A

Output Capacitance

Cob VCB = −10 V, IE = 0, f = 1.0 MHz

Collector Cutoff Current

ICBO VCB = −30 V, IE = 0 A

Emitter Cutoff Current

IEBO VEB = −3.0 V, IC = 0 A

Collector Saturation Voltage

VCE(sat)

IC = −2.0 A, IB = −0.2 ANote

Base Saturation Voltage

VBE(sat)

IC = −2.0 A, IB = −0.2 ANote

Note Pulse Test: PW ≤ 350 µs, Duty Cycle ≤ 2%

MIN.
30
60
TYP.
220
160
80
55

−0.3

−1.0

MAX.
400

−1.0

−1.0

−0.5

−2.0

UNIT
MHz
pF

µA

µA

V
V

CLASSIFICATION OF hFE

Rank
Range
R
60 to 120
Q
100 to 200
P
160 to 320

Remark Test Conditions: VCE = −2.0 V, IC = 1.0 A

E
200 to 400
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics
sales representative for availability and additional information.
Document No. D17118EJ2V0DS00 (2nd edition)
(Previous No. TC-3569)
Date Published March 2004 N CP(K)
Printed in Japan

DataSheet4 U .com

The mark shows major revised points.
www.DataSheet4U.com

c 2004

www.DataSheet4U.com

Information Total 3 Pages
Link URL
Product Image and Detail view 1. Silicon Power Transistor — NEC
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

SparkFun Electronics Allied Electronics DigiKey Electronics Arrow Electronics
Mouser Electronics Adafruit Element14 Chip One Stop

Featured Datasheets

Part Number Description Manufacturers
B772 The function is MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR. Unisonic Technologies
B772 The function is PNP (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER LOW SPEED SWITCHING). Samsung semiconductor
B772 The function is Audio Frequency Power Amplifier. Fairchild Semiconductor

Quick jump to:

B772 
1N4 
2N2 
2SA 
2SC 
74H 
ADC 
BC 
BF 
BU 
CXA 
HCF 
IRF 
KA 
KIA 
LA 
LM 
MC 
NE 
ST 
STK 
TDA 
TL 
UA 

H772 Datasheet (PDF)

0.1. h772.pdf Size:817K _shantou-huashan

P NP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H772 APPLICATIONS Audio Frequency Power Amplifier , Switching Power Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSTa=25 TO-126ML TstgStorage Temperature -55~150 TjJunction Temperature 150 PCCollect

0.2. ch772gp.pdf Size:102K _chenmko

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCH772GPSMALL FLAT PNP Epitaxial Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 3 AmpereAPPLICATION* Power driver and Dc to DC convertor .FEATURE* Small flat package. (DPAK)DPAK* Low saturation voltage VCE(sat)=-0.5V(max.)(IC=-2A) * High speed switching time: tstg= 1.0uSec (typ.)* PC= 1.5 W (mounted on ceramic substrate)..094 (2.38).086 (2.19)* High s

 0.3. ksh772.pdf Size:224K _semihow

KSH772KSH772 SEMIHOW REV.A2,Mar 2008KSH7722KSH772Audio Frequency Power AmplifierAudio Frequency Power Amplifier- Low Speed Switching- Complement to KSH8823 AmperesPNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 unless otherwise noted1 WattsTO-126CHARACTERISTICS SYMBOL RATING UNIT1. Emitter2. Collector3. BaseCollector-Base Voltage VCBO

HSB772 Datasheet (PDF)

0.1. hsb772.pdf Size:51K _hsmc

Spec. No. : HE6605HI-SINCERITYIssued Date : 1993.05.15Revised Date : 2005.08.18MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HSB772PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HSB772 is designed for using in output stage of 1w audio amplifier, voltageregulator, DC-DC converter and relay driver.TO-126MLAbsolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperat

0.2. hsb772s.pdf Size:59K _hsmc

Spec. No. : HE6549HI-SINCERITYIssued Date : 1992.11.25Revised Date : 2004.08.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HSB772SPNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HSB772S is designed for using in output stage of 0.75W amplifier, voltageregulator, DC-DC converter and driver.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature………………

Электрические параметры

Характеристика
Обозначение
Параметры при измерениях
Значения Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В ٭
UCEO(SUS)
IC = 10 мА, IB = 0 А.
400 Ток коллектора выключения, мА ٭
Ta = 25°C
ICEO
UCEO = номинальное значение, UBE(OFF) = 1,5 В
1 Tc = 25°C
5 Ток эмиттера выключения, мА ٭
IEBO
UEB = 9,0 В, IC = 0
1 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В ٭
UCE(sat)
IC = 0,5 А, IB = 0,1 А
0,5 IC = 1,0 А, IB = 0,25 А
1 IC = 1,2 А, IB = 0,4 А
3 IC = 1,0 А, IB = 0,25 А, Tc = 100°C
1 Напряжение насыщения база-эмиттер, В ٭
UBE(sat)
IC = 0,5 А, IB = 0,1 А
1 IC = 1,0 А, IB = 0,25 А
1,2 IC = 1,0 А, IB = 0,25 А, Tc = 100°C
1,1 Статический коэффициент усиления по току ٭
hFE (1)
UCE = 5,0 В, IC = 0,4 А
14….57 hFE (2)
UCE = 5,0 В, IC = 1,0 А
5…30 Выходная емкость коллектора, pF
Cob
UCB = 10 В, IE = 0, f = 0,1 МГц
21 Частота среза, МГц
fT
UCE = 10 В, IC = 0,1 А
10 Временные параметры транзистора при работе на резистивную нагрузку Время задержки, мкс
td
См

схему измерения временных параметров: UCC = 125 В, IC = 1 А, IB1 = IB2 = 0,2 А, tp = 25 мкс, скважность импульсов ≤ 1%
0,05 Время нарастания импульса тока, мкс
tr
0,5 Время сохранения импульса, мкс
ts
2 Время спадания импульса тока, мкс
tf
0,4 Временные параметры транзистора при работе на индуктивную нагрузку с ограничениями напряжений Время сохранения импульса, мкс
ts
IC = 1 А, UCLAMP = 300 В, IB1 = 0,2 А, UBE(OFF) = 5 В, Tc = 100°C.
1,7 Коммутационный промежуток, мкс
tc
0,29 Время спадания импульса тока, мкс
tf
0,15. ٭ — определено в импульсном режиме: длительность импульса = 300 мкс, скважность импульсов ≤ 2%

٭ — определено в импульсном режиме: длительность импульса = 300 мкс, скважность импульсов ≤ 2%. Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.

B772M Datasheet (PDF)

0.1. b772m.pdf Size:643K _jiangsu

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors TO-252-2L B772M TRANSISTOR (PNP) FEATURES 1. BASE Low Speed Switching 2. COLLECTOR 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V VEBO Emitter-Base Voltage -6 V

0.2. 2sb772m.pdf Size:341K _blue-rocket-elect

2SB772M(BR3CG772M) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features , hFE Low saturation voltage, excellent hFE linearity and high hFE. / Applications ,,

 0.3. 2sb772m 3ca772m.pdf Size:220K _lzg

2SB772M(3CG772M) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :,, Purpose: Output stage of audio amplifier, voltage regulator, DC-DC converter and relay driver. :, h /Features: Low saturation voltage, excellent h linearity FEFEand high h . FE/Absolut

Электрические характеристики (при Ta = 25°C)

Характеристика Обозначение Параметры при измерениях Значения ٭
Ток коллектора выключения, мкА ICBO UCE = 30 В, IE = 0 ≤ 1,0
Ток выключения коллектор-эмиттер, мкА ICEO UCE = 30 В, IB = 0 ≤ 1,0
Ток базы выключения, мкА IEBO UBE = 3 В, IC =0 ≤ 1,0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В UCE(sat) IC = 2 А, IB = 200 мА ≤ 0,5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер, В UBE(sat) IC = 2 А, IB = 200 мА ≤ 2,0
Напряжение пробоя коллектор-база, В U(BR)CBO IC = 100 мкА, IE = 0 ˃ 40
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, В U(BR)CEO IC = 1 мА, IB = 0 ˃ 30
Напряжение пробоя эмиттер-база, В U(BR)EBO IE = 100 мкА, IC = 0 ˃ 5
Статический коэффициент усиления по току hFE (1) UCE = 2 В, IC = 0,02 А ≥ 30
hFE (2) UCE = 2 В, IC = 1,0 А от 100 до 400
Частота среза, МГц fT UCE = 5 В, IC = 0,1 мА 80
Выходная емкость, pF CC UCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц 45

٭ — для транзисторов PNP-структуры все значения токов и напряжений указаны по модулю.

Параметры сняты в импульсном режиме: ширина импульса 300 мкс, коэффициент заполнения (скважность) ≤ 2 %

Биполярный транзистор HSB772 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: HSB772

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 55
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: TO-126ML

HSB772
Datasheet (PDF)

0.1. hsb772.pdf Size:51K _hsmc

Spec. No. : HE6605HI-SINCERITYIssued Date : 1993.05.15Revised Date : 2005.08.18MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HSB772PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HSB772 is designed for using in output stage of 1w audio amplifier, voltageregulator, DC-DC converter and relay driver.TO-126MLAbsolute Maximum Ratings (TA=25C) Maximum TemperaturesStorage Temperat

0.2. hsb772s.pdf Size:59K _hsmc

Spec. No. : HE6549HI-SINCERITYIssued Date : 1992.11.25Revised Date : 2004.08.13MICROELECTRONICS CORP.Page No. : 1/5HSB772SPNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORDescriptionThe HSB772S is designed for using in output stage of 0.75W amplifier, voltageregulator, DC-DC converter and driver.TO-92Absolute Maximum Ratings Maximum TemperaturesStorage Temperature………………

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

Биполярный транзистор FTB772F — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: FTB772F

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

Корпус транзистора:

FTB772F
Datasheet (PDF)

0.1. ftb772f.pdf Size:243K _first_silicon

SEMICONDUCTORFTB772FTECHNICAL DATA AFTB772F PNP TRANSISTORCHG FEATURES Low Speed SwitchingDDKF FDIM MILLIMETERSA 4.70 MAX_+B 2.50 0.20 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) C 1.70 MAX1 2 3D 0.45+0.15/-0.10E 4.25 MAX_+F 1.50 0.10Symbol Parameter Value Unit G 0.40 TYP1. BASEH 1.8 MAX2. COLLECTORVCBO Collector-Base Voltage -40

8.1. ftb772d.pdf Size:245K _first_silicon

SEMICONDUCTORFTB772DTECHNICAL DATAFTB772D TRANSISTORAI FEATURESCJ Low Speed SwitchingDIM MILLIMETERSA 6 50 0 2B 5 60 0 2C 5 20 0 2 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) D 1 50 0 2E 2 70 0 2F 2 30 0 1Symbol Parameter Value Unit HH 1 00 MAXI 2 30 0 2LF FVCBO Collector-Base Voltage -40 V J 0 5 0 1L 0 50 0 101 2 3

8.2. ftb772.pdf Size:112K _first_silicon

SEMICONDUCTORFTB772TECHNICAL DATAAUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER LOW SPEED SWITCHINGDEAFEATURESComplementary to FTD882. CF GDIM MILLIMETERSBA 8.3 MAXMAXIMUM RATING (Ta=25 )B 11.30.3C 4.15 TYP1 2 3D 3.20.2CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITE 2.00.2H F 2.80.1IVCBO -40 VCollector-Base VoltageG 3.20.1H 1.270.1KVCEO -30 VCollector

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

Модификации и группы транзистора B772

Модель PC UCB UCE UBE IC TJ fT CC hFE Корпус
2SB772 12,5 (1,25) 60 30 5 3 150 50 60 TO-126
2SB772 (R, O, Y, GR) 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 40 55 160 TO-126
BTB772ST3 10,0 (1,0) 40 30 5 2 150 80 55 180 TO-126
BTB772T3 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 180 TO-126
CSB772 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 60 TO-126
CSB772 (P, Q, R, E) 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 200 TO-126
FTB772 (1.25) 40 30 6 3 150 80 55 60 TO-126
KSB772 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 60 TO-126
KSB772 (R, O, Y, GR) 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 60 TO-126
KTB772 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 60 TO-126
PMB772 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 60 TO-126
ST2S772T 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 60 TO-126
TSB772CK 10,0 (1,0) 50 30 5 3 150 80 55 100 TO-126
B772C (1.25) 40 30 6 3 150 50 60 TO-126C
B772P 15,0 (1,25) 40 30 6 3 150 50 120 TO-126D
HSB772 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 100 TO-126ML
2SB772B 25,0 (2,0) 40 30 5 3 150 80 55 60 TO-220
2SB772I 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 30 TO-251
B772PC 10,0 (1,0) 40 30 6 3 150 50 120 TO-251
BTB772I3 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 180 TO-251
WTP772 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 30 TO-251
2SB772D 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 60 TO-252
B772 (R, O, Y, GR) 10,0 (1,0) 40 30 6 3 150 50 60 TO-252
BTB772AJ3 15,0 (1,0) 50 30 7 3 150 190 33 180 TO-252
BTB772J3 10,0 (1,0) 40 30 6 3 150 80 55 180 TO-252
FTB772D 10,0 (1,0) 40 30 6 3 150 50 60 TO-252
GSTD772 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 60 TO-252
ST2SB772R 10,0 (1,0) 40 30 6 3 150 50 100 TO-252
B772M (1.25) 40 30 6 3 150 50 60 TO-252-2L
2SB772A (0.5) 70 60 6 3 150 50 60 SOT-89
2SB772GP (1.5) 40 30 5 3 150 100 55 160 SOT-89
2SB772T (0.5) 40 30 5 3 150 80 55 60 SOT-89
BTB772AM3 (2) 50 50 6 3 150 80 25 180 SOT-89
FTB772F (0.5) 40 30 6 3 150 50 60 SOT-89
GSTM772 (0.5) 40 30 5 3 150 80 60 SOT-89
KXA1502 (0.5) 40 20 5 1.5 150 100 20 160 SOT-89
L2SB772 (P, Q) (0.5) 40 30 6 3 150 50 160 SOT-89
ST2SB772U 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 60 SOT-89
ZX5T250 (0.5) 70 60 6 3 150 50 160 SOT-89
2SB772S (0.5) 40 30 5 3 150 80 45 100 SOT-89
ALJB772 (1) 40 30 6 1.5 150 100 200 TO-92
B772S (0.625) 40 30 6 3 150 50 60 TO-92
BTB772SA3 (0.75) 50 50 5 3 150 80 55 180 TO-92
GSTS772 (0.625) 40 30 5 3 150 80 60 TO-92
HB772S (0.75) 40 30 5 3 150 80 55 100 TO-92
HSB772S (0.75) 40 30 5 3 150 80 55 100 TO-92
TSB772SCT (0.625) 50 30 5 3 150 80 55 100 TO-92
2SB772L 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 60 TO-92LM
2SB772M (0.35) 40 30 5 3 150 80 45 100 SOT-23
B772SS 10,0 (0,35) 40 30 5 3 150 80 45 100 SOT-23
2SB772N 10,0 (1,0) 40 30 5 3 150 80 55 60 SOT-223
2SB772ZGP (1.5) 40 30 5 3 150 100 55 160 SOT-223

Примечения:

  1. Столбец корпуса. Уточнения для следующих корпусов: TO-251 или TO-252, TO-252  или DPAK, SOT-89 или TO-92.
  2. В столбце «Модель» в скобках указаны дополнительные символы, вводимые в обозначение транзистора в случаях, когда производитель классифицирует изделия по группам параметра hFE.
  3. В столбце мощности «PC Tc(Ta) = 25°С» в скобках указывается значение рассеиваемой мощности в режиме ограничения температуры внешней среды на уровне TA = 25°C.
  4. В режиме ограничения температуры корпуса транзистора TC = 25°C значение рассеиваемой мощности указывается в основном для транзисторов, выпускаемых в крупных корпусах, например, таких как TO-126. Поскольку такой температурный режим означает присутствие охладителя – устройства, стабилизирующего температуру корпуса, для транзисторов, выпускаемых в малоразмерных корпусах (TO-92, SOT-89), где применение охладителя на практике невозможно или нецелесообразно, значение рассеиваемой мощности для условия TC = 25°C большинством производителей не указывается.
  5. Иногда производитель выпускает изделие в корпусе версии повышенной мощности (например – TO-92LM). В этом случае указывается повышенное значение мощности рассеивания (см. таблицу, транзистор 2SB772L).