Содержание
AMS1117 схема включения
Схема включения стабилизатора на фиксированное напряжение проще некуда:
Схема включения стабилизатора программируемого резисторами такая же как например у LM317:
На рисунке также приведена формула позволяющая рассчитать выходное напряжение для заданных резисторов.
В документации на стабилизатор указаны графики зависимости опорного напряжения и тока подстроечного входа от температуры. Из этих графиков видно, что при подогреве AMS1117 выходное напряжение будет подрастать. И если влияние тока подстроечного входа можно компенсировать снизив сопротивления резисторов, то изменение опорного напряжения ни как не компенсировать.
Технические характеристики
Если вы хотите построить собственный вариант стабилизатора на микросхеме серии 1117, можете воспользоваться данными из табл. 1.
Таблица 1.
| Наименование параметра | Режим измерения | He менее | Тип | Не более |
| Выходное напряжение, В | ||||
| IL1117А —Adj (Регулируемый) | Ін = 10 мА… 1 А, Ubx -UH = 1,5…13,75 В | 1.238 | 1,250 | 1,262 |
| IL1117A-1.8 | Ін = 0…1 А, Ubx = 3,3. .12 В | 1.773 | 1,800 | 1,827 |
| IL1117A-2.5 | Ін = 0…1 А, Ubx = 4,0… 12 В | 2462 | 2,500 | 2,538 |
| ІИ117А-2.85 | Ін = 0…1 А, Ubx = 4,4…12 В | 2.807 | 2,850 | 2,893 |
| ІИ117А-З.3 | Ін = 0…1 А, Ubx = 4,8. ..12 В | 3.250 | 3,300 | 3,350 |
| IL1117А—5.0 | Ін = 0…1А, Ubx = 6,5 В…15 В | 4.925 | 5,000 | 5,075 |
| Выходное напряжение, В | ||||
| IL1117A (Регулируемый) | Tj = 0°C…+125°C. Ін = 10 МА…1 А, Ubx -Uh = 1,5…13,75 В | 1,225 | 1,250 | 1,280 |
| IL1117A-1.8 | Ін = 0…1 А, Ubx = 3,3…12 В | 1,764 | 1,800 | 1,836 |
| IL1117А—2.5 | Ін = 0…1 А, Ubx = 4,0…12 В | 2,450 | 2,500 | 2,550 |
| IL.1117А—2.85 | Ін = 0…1 А, Ubx = 4,4…12 В | 2,790 | 2,850 | 2,910 |
| IL1117A-3.3 | Ін = 0…1 А, Ubx = 4,8…12 В | 3,240 | 3,300 | 3,360 |
| IL1117A-5.0 | Ін = 0…1 А,Ubx = 6,5…15 В | 4,900 | 5,000 | 5,100 |
| Коэффициент нестабильности по току | ||||
| IL1117A—Adj (Регулируемый) | Ін = 10 мА, Ubx-U0= 1.5 …13,75 В | 0,1 % | 0,2 % | |
| IL1117A -1.8 | Ін = 0, Ubx = 3,3 …12 В | 2 мВ | 7 мВ | |
| IL1117A-2.5 | Ін = 0, Ubx = 4,0…12 В | 2 мВ | 7 мВ | |
| IL1117A-2.85 | Ін = 0, Ubx = 4,4 …12 В | 2 мВ | 7 мВ | |
| IL1117A -3.3 | Ін = 0, Ubx = 4,8 …12 В | 3 мВ | 7 мВ | |
| IL1117A -5.0 | Ін = 0, Ubx = 6,5 …15 В | 4 мВ | 10 мВ | |
| Коэффициент нестабильности по напряжению | ||||
| IL1117А-Adj (Регулируемый) | Ін = 10 мА… 1 А, Ubx — Uh = 2 В | 0.2 % | 0.4 % | |
| IL1117A-1.8 | Ін = 0…1 А, Ubx = 3,8 В | 3 мВ | 10 мВ | |
| IL1117A-2.5 | Ін = 0…1 А, Ubx = 4,5 В | 3 мВ | 10 мВ | |
| IL1117A-2.85 | Ін = 0…1 А, Ubx = 4,85 В | 3 мВ | 10 мВ | |
| IL1117A-3.3 | Ін = 0…1 А, Ubx = 5,3 В | 4 мВ | 12 мВ | |
| Ток потребления | Ubx-Uh = 5B | 5,2 мА | 10мА | |
| Ток по управляющему выводу | Ін = ЮмА, Ubx — Uh = 1,4…10 В | 50 мкА | 120 мкА | |
| Температурный дрейф | Tj= 0°C… + 125°C | 0.5 % | ||
| IL1117A-5.0 | Ін = 0…1 A, Ubx = 7,0 В | 5 мВ | 15 мВ | |
| Напряжение насыщения, для всех типов, В | ||||
| Ін = 800 мА І н = 1 A | 1,10 1,20 | 1,20 1,30 | ||
| Ін = 1 A (Tj = 0°C…+125°C) | 1,20 | 1,48 | ||
| Ограничение по выходному току, мА | ||||
| I | Ubx — Uh = 5 В | | 1000 | 1250 | 1600 |
| Входной ток для регулируемого варианта | ||||
| Ubx- Uh = 13.75 В | | 5 мА |
Цоколёвка микросхемы показана на рис. 1. Теплоотводящий фланец соединён с выходом микросхемы. Если необходимо увеличить выходное напряжение стабилизатора, например, на 0,3…0,7 В, то в разрыв цепи питания и общего вывода микросхемы можно установить соответствующий маломощный кремниевый диод, например, КД521А, анодом к микросхеме, зашунтированный оксидным конденсатором на 47 мкФ 3,3… 10 В.
При этом, нестабильность выходного напряжения микросхемы заметно возрастёт, но, всё же останется вполне допустимой для большинства применений.
Бутов А. Л. РК-06-08.
Литература: beacomponent.ru
Datasheet Download — Advanced Monolithic Systems
| Номер произв | AMS1117 | ||
| Описание | 1A Adjustable/Fixed Low Dropout Linear Regulator | ||
| Производители | Advanced Monolithic Systems | ||
| логотип | |||
|
1Page
AMS1117 The AMS1117-ADJ and AMS1117-1.2,-1.5,-1.8,-2.5,-2.85, -3.3 and-5 are low dropout three-terminal regulators with 1A output current capability. These devices have been rent of the AMS1117 flows into the load, increasing effi- ciency. The AMS1117 series regulators are available in the indus- try-standard SOT-223 and TO-252 power packages. Figure 1. Typical Applications of AMS1117 Notice: The distance between Vout pin and Capacitor should not exceed 4cm for excellent performance
AMS1117 Figure 2. Pin Assignments of AMS1117 *With package soldered to 0.5 square inch copper area over backside ground plane or internal power plane, ΘJA can vary from 30°C/W to more than 50°C/W. Other mounting techniques may provide better thermal resistance than 30°C/W. VIN VIN – V )OUT * IOUT Operating Junction Temperature Range °C °C °C 2
AMS1117 VIN Thermal VOUT GND (fixed output) Figure 3. Block Diagram of AMS1117 Substrate Typicals and limits appearing in normal type apply for TJ=2 operation, -20 to 125 .Limits appearing in Boldface type apply over the entire junction temperature for VREF VOUT Parameter Note 2) Note 1) Note 2) Units Reference AMS1117 1.5V<=(VIN-VOUT)<=7V,10mA<=IOUT<=1A IOUT = 10mA, VIN = 3.2V AMS1117-1.2 ,2.7V<= VIN<=8.2V AMS1117-1.5 ,3.0V<= VIN<=8.5V 1.225 AMS1117-1.8 ,3.3V<= VIN<=8.8V Output Voltage IOUT<=1A AMS1117-2.5 ,4V<= VIN<= 9.5V AMS1117-2.85 , 4.35V <= VIN<= 9.85V 1.764 AMS1117-3.3 , 4.8V<= VIN <=10.3V 3.234 AMS1117-5.0,6.5V<=VIN <= 12V 4.900 |
|||
| Всего страниц | 9 Pages | ||
| Скачать PDF |
Принципиальная схема
На рис. 1 приводится схема блока питания — стабилизатора напряжения положительной полярности на фиксированное выходное напряжение 3,3 В. Входное напряжение стабилизатора может быть в пределах 4,6..12 В.
Рис. 1. Схема блока питания и стабилизатора напряжения положительной полярности на 3,3 В.
Этот стабилизатор идеально подходит для питания различных мобильных карманных устройств с автономным питанием 3 В. На нём можно построить как миниатюрный блок питания, так и использовать как подключаемый стабилизатор к сетевым адаптерам — традиционным трансформаторным и современным импульсным, например, используемым для зарядки сотовых телефонов.
Этот стабилизатор также можно подключать к бортовой сети автомобиля +12 В через LC помехоподавляющий фильтр. Диод VD2 предназначен для того, чтобы защитить стабилизатор от неправильного подключения.
Дроссель L1 и конденсаторы С1-C3 предназначены для подавления сетевых помех.
Умощнение схемы
Если вам требуется более мощный стабилизатор, то его схему нужно немного усложнить, добавив в неё один транзистор VT1 и резистор R1, рис. 2.
Транзистор серии КТ818 в пластмассовом корпусе может рассеивать до 1 Вт мощности, в металлическом корпусе до 2,5…3 Вт. Если требуется большая мощность, то транзистор следует установить на теплоотвод. Лучшим решением будет то, если и транзистор, и микросхема будут установлены на общий теплоотвод, максимально близко один корпус к другому.
Рис. 2. Схема усиленного стабилизатора напряжения на микросхеме AMS1117-3,3 и транзисторе КТ818Б.
Поскольку, при такой схеме включения защита микросхемы от перегрузки по току не будет работать, чтобы ощутимо не усложнять схему устройства, питать стабилизатор можно через самовосстанавливающийся предохранитель.
Если использован транзистор в пластмассовом корпусе, например, КГ818А, то максимальный ток нагрузки может быть до 8А, если в металлическом, например, КТ818БМ, то 12 А.
Обзор микросхем
Выпускаются на фиксированные напряжения:
- 1,2,
- 1,5,
- 1,8,
- 2,5,
- 2,85,
- 3,3,
- 5,0 вольт
- и 1,25 В регулируемый.
Выходной ток микросхем до 1 А, максимальная рассеиваемая мощность 0,8 Вт для микросхем в корпусе SOT-223 и 1,5 Вт выполненных в корпусе D-Pack.
В микросхемы встроена система защиты по температуре и рассеиваемой мощности. Встроенная система защиты от перегрева снижает выходное напряжение и ток, не позволяя повысится температуре кристал-ла выше 150°C.
Система температурной защиты не заменяет теплоотвод. В его качестве может быть полоска медной фольги печатной платы, небольшая медная, латунная пластинка, теплопроводящая керамика.
Микросхема крепится к теплоотводу пайкой теплопроводящего фланца или приклеивается корпусом и фланцем с помощью теплопроводного клея.
Применение микросхем этих серий обеспечивает повышенную стабильность выходного напряжения (до 1%), низкие коэффициенты нестабильности по току и напряжению (менее 10мВ), более высокий КПД, что позволяет снизить входные напряжения питания.
Микросхемы серии 1117 широко используются в компьютерной технике: в составе схем системных плат, видео, звуковых картах, ТВ-тюнерах, разнообразных контроллерах.
