Одноканальный усилитель 200 вт: транзисторы 2sc5200 2sa1943

Схема одноканального усилителя мощностью 200 Вт на 2SC5200 2SA1943

Силовые транзисторы схемы усилителя на 200 Вт не требуют классической настройки тока покоя выходных транзисторов 2SC5200 и 2SA1943. Одноканальный усилитель может выдавать среднеквадратичную мощность 100 Вт с сопротивлением динамика 8 Ом и 200 Вт с нагрузкой 4 Ом.

Рабочее постоянное напряжение одноканального усилителя должно быть 2X50V и ток 6A (можно использовать готовые трансформаторы 2X33VAC или 2X36VAC), конденсаторы фильтра в цепи питания нужно устанавливать от 4700uf до 10.000uf. В качестве диодных мостов можно использовать готовую сборку KBU10M на 1000v/10A или четыре выпрямительных диода P600J, с максимальным постоянным обратным напряжением 600v и максимальным постоянным прямым током 6А.

Керамический конденсатор 330pF защищает усилитель от высокочастотных колебаний. Если вы не можете найти 330pF, тогда вместо него можете установить емкость на 270pF.

Что касается транзисторов 2SA1015, установленных в дифференциальном каскаде, то автор заявляет, что продавцов сбывающих поддельные транзисторы на рынке очень много. Поэтому, нужно быть внимательнее при покупке. Чтобы понять, что транзисторы оригинальные, необходимо измерить коэффициент усиления транзистора по току (hFE) цифровым мультиметром.

Транзистор 2SA1015 должен показать параметр 180 или чуть меньше при измерении hFE. Вместо 2SA1015 можно использовать 2N5401, но соединения выводов будут несколько другие, поэтому будьте осторожны. При сборке печатной платы следует менять ножки базы и коллектора (я экспериментировал с транзисторами 2SA733, которые у меня есть)

Транзисторы 2SC5200 и 2SA1943 должны быть установлены на радиаторы через изоляционные прокладки, хорошо пропускающие тепло, например, керамические или слюдяные.

Кроме этого, для эффективного охлаждения транзисторов TIP41-TIP42 можно использовать кулер, я пока оставил отверстие для его установки, посмотрю как все будет работать, потом видимо установлю и вентилятор.

Катушка на выходе усилителя имеет параметр 5 мкГн и намотана медным проводом диаметром 1мм в количестве 11 витков на резисторе 10 Ом, рассчитанным на мощность 1 Вт.

Тестирование усилителя 200 Вт и измерения напряжения

Представленная здесь схема заслуживает доверия, так как источник проекта довольно надежен, и, поскольку схема была сделана нашими читателями раньше, то у меня получилось быстро собрать аппарат и сразу приступил к тесту. В моем распоряжении были готовый трансформатор 2X30V и басовый громкоговоритель на 50 Вт, а также среднечастотный динамик 30 Вт. Я не мог увеличить громкость более чем на 50%, так как было уже слишком громко, качество звука при этом было отличным. Резистор 27 Ом 1 Вт я не использовал, вместо него я применил 2 параллельно соединенных резюка 56 Ом.

Размеры печатной платы составляют 100X49 мм, а чертеж однослойной печатной платы был выполнен с помощью программы Sprint Layout PCB.

Максимальное напряжение питания при использовании выходных транзисторов 2SC5200 и 2SA1943 (2SD1047 (NPN) 2SB817 (PNP)), может быть 2X62v постоянного тока, в этом случае напряжение используемых конденсаторов должно быть более 63v и вместо TIP41 следует установить TIP42 2SCC2073 (NPN) 2SA940 (PNP) или 2SA1837 (PNP) 2SC4793 (NPN). Я думаю, 2X50V или 2x30v будет достаточно, даже если вы захотите громкого звука.

Перечень компонентов одноканального усилителя 200 Вт:

Транзисторы

2X 2SC5200 2X 2SA1943 3X A1015 2X TIP41C 2X TIP42C

Резисторы

2 резистора 6,8 Ом — 1 Вт; (синий, серый, золотой) 2X 100-Ом — 1 Вт; (коричневый, черный, коричневый) 2X 10 Ом — 1 Вт; (коричневый, черный, черный) 270 Ом — 1 Вт; (красный, фиолетовый, коричневый) 56 Ом — 1 Вт; (зеленый, синий, черный) 27 Ом — 1 Вт; (красный, фиолетовый, черный) 4X0,47 Ом — 5Вт или 0,33 Ом — 5Вт; керамический резистор 820 Ом — 1/4 Вт; (серый, красный, коричневый) 10 кОм — 1/4 Вт; (коричневый, черный, оранжевый) 330 Ом — 1/4 Вт; (оранжевый, оранжевый, коричневый) 18 кОм — 1/4 Вт; (коричневый, серый, оранжевый) 1 кОм — 1/4 Вт; (черно-коричневый, красный)

Конденсаторы

100НФ (104) 100В 47 мкФ 63 В 2,2 мкФ 63 В 330 пФ (331) (керамический или многослойный)

Диоды

5X 1N4004

Скачать: Макет печатной платы

Предыдущая запись Что такое низкоуровневое форматирование SD-карты

Следующая запись Стерео усилитель на TDA1554Q

Datasheet Download — Toshiba Semiconductor

Номер произв

2SC5200

Описание

NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

Производители

Toshiba Semiconductor

логотип

1Page

No Preview Available !

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type
2SC5200
Power Amplifier Applications
2SC5200
Unit: mm

• High breakdown voltage: VCEO = 230 V (min)

• Complementary to 2SA1943

• Suitable for use in 100-W high fidelity audio amplifier’s output stage

Maximum Ratings (Tc = 25°C)

Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
(Tc = 25°C)
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

Tstg

Rating
230
230
5
15
1.5
150
150

−55 to 150

Electrical Characteristics (Tc = 25°C)

http://www.DataSheet4U.net/
Unit
V
V
V
A
A
W
°C
°C
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
2-21F1A
Weight: 9.75 g (typ.)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
Collector-emitter breakdown voltage
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter voltage
Transition frequency
Collector output capacitance

ICBO

VCB = 230 V, IE = 0

IEBO

VEB = 5 V, IC = 0

V (BR) CEO IC = 50 mA, IB = 0

hFE (1)

(Note)

VCE = 5 V, IC = 1 A

hFE (2)

VCE (sat)

VBE

Cob

VCE = 5 V, IC = 7 A

IC = 8 A, IB = 0.8 A

VCE = 5 V, IC = 7 A

VCE = 5 V, IC = 1 A

VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz

Note: hFE (1) classification R: 55 to 110, O: 80 to 160

Min Typ. Max Unit

― ― 5.0 µA

230 ―

―
V

55 ― 160

35 60 ―

― 0.4 3.0

― 1.0 1.5

― 30 ― MHz

― 200 ―

pF
1 2004-07-07
datasheet pdf — http://www.DataSheet4U.net/

No Preview Available !

Marking
TOSHIBA
2SC5200
JAPAN
Part No. (or abbreviation code)
Lot No.
A line indicates
lead (Pb)-free package or
lead (Pb)-free finish.
2SC5200
http://www.DataSheet4U.net/
2 2004-07-07
datasheet pdf — http://www.DataSheet4U.net/

No Preview Available !

IC – VCE

20
Common emitter
Tc = 25°C

16 800

600
400
300

12 250

200
150

8 100

IB = 10 mA 50

4 40

30
20

0 2 4 6 8 10

Collector-emitter voltage VCE (V)

2SC5200

IC – VBE

20
Common emitter
VCE = 5 V
16
12

8 Tc = 100°C

4
25

−25

0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0

Base-emitter voltage VBE (V)

VCE (sat) – IC

3
1
0.3

0.1 −25

0.03
0.01
0.01
Tc = 100°C
25
Common emitter
IC/IB = 10
0.1 1
10 100

Collector current IC (A)

Safe Operating Area
50

30 IC max (pulsed)*

1 ms*
IC max (continuous)
10 ms*
10
DC operation
Tc = 25°C
5

3 100 ms*

1
0.5
0.3
*: Single nonrepetitive pulse

0.1 Tc = 25°C

Curves must be derated

0.05 linearly with increase in

temperature.
0.03
3
10 30
100
VCEO max
300 1000

Collector-emitter voltage VCE (V)

300
Tc = 100°C
100
25

30 −25

hFE – IC

http://www.DataSheet4U.net/
3 Common emitter
VCE = 5 V
1
0.01
0.1
1
10

Collector current IC (A)

100
3 2004-07-07
datasheet pdf — http://www.DataSheet4U.net/

Всего страниц

4 Pages

Скачать PDF

2SC5200 Datasheet (PDF)

0.1. 2sc5200.pdf Size:148K _st

2SC5200High power NPN epitaxial planar bipolar transistorPreliminary dataFeatures High breakdown voltage VCEO = 230 V Typical fT = 30 MHzApplication Audio power amplifier321DescriptionTO-264This device is a NPN transistor manufactured using new BiT-LA (bipolar transistor for linear amplifier) technology. The resulting transistor shows good gain linearity

0.2. 2sc5200.pdf Size:121K _toshiba

2SC5200 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SC5200 Power Amplifier Applications Unit: mm High breakdown voltage: V = 230 V (min) CEO Complementary to 2SA1943 Suitable for use in 100-W high fidelity audio amplifiers output stage Maximum Ratings (Tc = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 230 VCollector-emitter

0.3. 2sc5200n.pdf Size:153K _toshiba

2SC5200NBipolar Transistors Silicon NPN Triple-Diffused Type2SC5200N2SC5200N2SC5200N2SC5200N1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Power Amplifiers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High collector voltage: VCEO = 230 V (min)(2) Complementary to 2SA1943N(3) Recommended for 100-W high-fidelity audio frequency amplifier output

0.4. 2sc5200 fjl4315.pdf Size:476K _fairchild_semi

January 20092SC5200/FJL4315NPN Epitaxial Silicon TransistorApplications High-Fidelity Audio Output Amplifier General Purpose Power Amplifier Features High Current Capability: IC = 17A.TO-2641 High Power Dissipation : 150watts. High Frequency : 30MHz. 1.Base 2.Collector 3.Emitter High Voltage : VCEO=250V Wide S.O.A for reliable operation. Excel

0.5. 2sc5200.pdf Size:171K _utc

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC5200 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR POWER AMPLIFIER APPLICATIONS FEATURES * Recommended for 100W High Fidelity Audio Frequency Amplifier Output Stage. * Complementary to UTC 2SA1943 ORDERING INFORMATION Order Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 2SC5200-x-T3L-T 2SC5200-x-T3L-T TO-3PL B C E Tubeww

0.6. 2sc5200bl.pdf Size:213K _nell

RoHS 2SC5200BL Series RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsSilicon NPN triple diffusion planar transistor15A/230V/150W5.0020.000.2018.003.300.20TO-3PLFEATURESHigh breakdown voltage, VCEO = 230V (min) Complementary to 2SA1943BL0.603.20TO-3PL package which can be installed to the 5.450.05 5.450.05heat sink with one screw1 2 3 APPLICATIONSSuit

0.7. 2sc5200.pdf Size:216K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5200DESCRIPTIONHigh Current CapabilityHigh Power DissipationHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 230V(Min)(BR)CEOComplement to Type 2SA1943Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 100W high fidelity audio frequency ampl

0.8. 2sc5200n.pdf Size:212K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5200NDESCRIPTIONHigh Current CapabilityHigh Power DissipationHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 230V(Min)(BR)CEOComplement to Type 2SA1943NMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 100W high fidelity audio frequency am

0.9. 2sc5200h.pdf Size:216K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5200HDESCRIPTIONHigh Current CapabilityHigh Power DissipationHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 300V(Min)(BR)CEOMinimum Lot-to-Lot variations for robust device performanceand reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsRecommend for 100W high fidelity audio frequency amplifieroutput stage applicati

2SC5200N Datasheet (PDF)

0.1. 2sc5200n.pdf Size:153K _toshiba

0.2. 2sc5200n.pdf Size:212K _inchange_semiconductor

7.1. 2sc5200.pdf Size:148K _st

7.2. 2sc5200.pdf Size:121K _toshiba

7.3. 2sc5200 fjl4315.pdf Size:476K _fairchild_semi

7.4. 2sc5200.pdf Size:171K _utc

7.5. 2sc5200bl.pdf Size:213K _nell

7.6. 2sc5200.pdf Size:216K _inchange_semiconductor

7.7. 2sc5200h.pdf Size:216K _inchange_semiconductor

Биполярный транзистор 2SC5200N — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC5200N

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 230
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 230
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35

Корпус транзистора:

2SC5200N
Datasheet (PDF)

0.1. 2sc5200n.pdf Size:153K _toshiba

0.2. 2sc5200n.pdf Size:212K _inchange_semiconductor

7.1. 2sc5200.pdf Size:148K _st

7.2. 2sc5200.pdf Size:121K _toshiba

7.3. 2sc5200 fjl4315.pdf Size:476K _fairchild_semi

7.4. 2sc5200.pdf Size:171K _utc

7.5. 2sc5200bl.pdf Size:213K _nell

7.6. 2sc5200.pdf Size:216K _inchange_semiconductor

7.7. 2sc5200h.pdf Size:216K _inchange_semiconductor

Другие транзисторы… 2SC4793AF
, 2SC4853A-4-TL-E
, 2SC4938
, 2SC5027A
, 2SC5027AF
, 2SC5161
, 2SC5198B
, 2SC5200BL
, TIP31
, 2SC5226A-4-TL-E
, 2SC5226A-5-TL-E
, 2SC5227A-4-TB-E
, 2SC5227A-5-TB-E
, 2SC5231A-8-TL-E
, 2SC5245A-4-TL-E
, 2SC5277A-2-TL-E
, 2SC5305
.

2SC5200 Datasheet PDF — Fairchild Semiconductor

Part Number	2SC5200
Description	NPN Epitaxial Silicon Transistor
Manufacturers	Fairchild Semiconductor
Logo
There is a preview and 2SC5200 download ( pdf file ) link at the bottom of this page. Total ( 6 pages )

Preview 1 page

No Preview Available !

2SC5200/FJL4315
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Applications
• High-Fidelity Audio Output Amplifier
• General Purpose Power Amplifier
Features

• High Current Capability: IC = 17A.

• High Power Dissipation : 150watts.
• High Frequency : 30MHz.

• High Voltage : VCEO=250V

• Wide S.O.A for reliable operation.
• Excellent Gain Linearity for low THD.
• Complement to 2SA1943/FJL4215.
• Thermal and electrical Spice models are available.
• Same transistor is also available in:
— TO3P package, 2SC5242/FJA4313 : 130 watts
— TO220 package, FJP5200 : 80 watts
— TO220F package, FJPF5200 : 50 watts

Absolute Maximum Ratings* Ta = 25°C unless otherwise noted

Symbol
Parameter

BVCBO

BVCEO

BVEBO

Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current(DC)
Base Current

Total Device Dissipation(TC=25°C)

Derate above 25°C

TJ, TSTG

Junction and Storage Temperature
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

Thermal Characteristics* Ta=25°C unless otherwise noted

Symbol
Parameter

RθJC

Thermal Resistance, Junction to Case
* Device mounted on minimum pad size

hFE Classification

Classification

hFE1

R
55 ~ 110
2009 Fairchild Semiconductor Corporation
2SC5200/FJL4315 Rev. C
1
January 2009

1 TO-264

1.Base 2.Collector 3.Emitter
Ratings
250
250
5
17
1.5
150
1.04
— 50 ~ +150
Units
V
V
V
A
A
W

W/°C

°C

Max.
0.83
Units

°C/W

O
80 ~ 160
www.fairchildsemi.com

Package Dimensions
TO-264

20.00 ±0.20

(8.30)
(8.30)
(1.00)
(2.00)
(R1.00)
(7.00) (7.00)
(0.50)

4.90 ±0.20

(1.50)

2.50 ±0.20

5.45TYP

[5.45 ±0.30

(1.50)

3.00 ±0.20

1.00
+0.25
–0.10
5.45TYP

[5.45 ±0.30

(1.50)
0.60
+0.25
–0.10

2.80 ±0.30

2009 Fairchild Semiconductor Corporation
2SC5200/FJL4315 Rev. C
5
Dimensions in Millimeters
www.fairchildsemi.com

Preview 5 Page

Information	Total 6 Pages
Link URL
Product Image and Detail view	1. NPN Transistor, 230V — Toshiba
Download

Share Link :

Electronic Components Distributor

SparkFun Electronics	Allied Electronics	DigiKey Electronics	Arrow Electronics
Mouser Electronics	Adafruit	Element14	Chip One Stop

Featured Datasheets

Part Number	Description	Manufacturers
2SC5200	The function is NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS).	Toshiba Semiconductor
2SC5200	The function is NPN Epitaxial Silicon Transistor.	Unisonic
2SC5200	The function is NPN Epitaxial Silicon Transistor.	Fairchild Semiconductor
Quick jump to: 2SC5 1N4 2N2 2SA 2SC 74H ADC BC BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA

2SC5200 Datasheet (PDF)

0.1. 2sc5200.pdf Size:148K _st

0.2. 2sc5200.pdf Size:121K _toshiba

0.3. 2sc5200n.pdf Size:153K _toshiba

0.4. 2sc5200 fjl4315.pdf Size:476K _fairchild_semi

0.5. 2sc5200.pdf Size:171K _utc

0.6. 2sc5200bl.pdf Size:213K _nell

0.7. 2sc5200.pdf Size:216K _inchange_semiconductor

0.8. 2sc5200n.pdf Size:212K _inchange_semiconductor

0.9. 2sc5200h.pdf Size:216K _inchange_semiconductor

Схема одноканального усилителя 200 вт

Схема одноканального усилителя мощностью 200 Вт на 2SC5200 2SA1943

Тестирование усилителя 200 Вт и измерения напряжения

Перечень компонентов одноканального усилителя 200 Вт:

Datasheet Download — Toshiba Semiconductor

2SC5200 Datasheet (PDF)

2SC5200N Datasheet (PDF)

Биполярный транзистор 2SC5200N — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

2SC5200N Datasheet (PDF)

2SC5200 Datasheet PDF — Fairchild Semiconductor

Electronic Components Distributor

Featured Datasheets

2SC5200 Datasheet (PDF)

Похожие записи:

2SC5200N
Datasheet (PDF)