Характеристики транзистора 2n5551

CXT5551 Datasheet (PDF)

0.1. cxt5551e.pdf Size:290K _central

CXT5551Ewww.centralsemi.comENHANCED SPECIFICATIONSURFACE MOUNTDESCRIPTION:NPN SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT5551E is an NPN Silicon Transistor, packaged in an SOT-89 case, designed for general purpose amplifier applications requiring high breakdown voltage.MARKING: FULL PART NUMBERFEATURES: High Collector Breakdown Voltage: 250VSOT-89 CASE Low

0.2. cxt5551hc.pdf Size:283K _central

CXT5551HCwww.centralsemi.comSURFACE MOUNTHIGH CURRENTDESCRIPTION:NPN SILICON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT5551HC type is an high current NPN silicon transistor manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for high voltage and high current amplifier applications. MARKING: FULL PART NUMBERSOT-89 CASEMAXIMUM RAT

 0.3. cxt5551.pdf Size:731K _htsemi

CXT5551TRANSISTOR (NPN) SOT-89 FEATURES Switching and amplification in high voltage 1 Applications such as telephony 1. BASE Low current(max. 600mA) 2. COLLECTOR High voltage(max.180v) 3. EMITTER Marking: 1G6 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage 180 V VCEO Collector-Emitter Voltage 160 V

0.4. cxt5551.pdf Size:248K _lge

CXT5551 SOT-89 Transistor(NPN)1. BASE 2. COLLECTOR 1 3. EMITTER SOT-894.6B4.41.61.81.41.4Features2.64.25 Switching and amplification in high voltage 2.43.75Applications such as telephony 0.8MINLow current(max. 600mA) 0.530.400.480.442x)0.13 B0.35 High voltage(max.180v) 0.37 1.53.0Marking: 1G6 Dimensions in inches and (mil

 0.5. cxt5551.pdf Size:1000K _kexin

SMD Type TransistorsNPN TransistorsCXT5551 (KXT5551)Features 1.70 0.1High current (max. 600mA).Low voltage (max. 160 V). Comlementary to CXT54010.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.EmitterAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector — Base Voltage VCBO 180 Collector — Emitter Voltage VCEO 160 V Emitter — Base Voltage VEBO 6 Collector

Основные параметры ИМС серии 555

Внутреннее устройство NE555 включает в себя пять функциональных узлов, которые можно видеть на логической диаграмме. На входе расположен резистивный делитель напряжения, который формирует два опорных напряжения для прецизионных компараторов. Выходные контакты компараторов поступают на следующий блок – RS-триггер с внешним выводом для сброса, а затем на усилитель мощности. Последним узлом является транзистор с открытым коллектором, который может выполнять несколько функций, в зависимости от поставленной задачи.

Рекомендуемое напряжение питания для ИМС типа NA, NE, SA лежит в интервале от 4,5 до 16 вольт, а для SE может достигать 18В. При этом ток потребления при минимальном Uпит равен 2–5 мА, при максимальном Uпит – 10–15 мА. Некоторые ИМС 555 КМОП-серии потребляют не более 1 мА. Наибольший выходной ток импортной микросхемы может достигать значения в 200 мА. Для КР1006ВИ1 он не выше 100 мА.

Качество сборки и производитель сильно влияют на условия эксплуатации таймера

Например, диапазон рабочих температур NE555 составляет от 0 до 70°C, а SE555 от -55 до +125°C, что важно знать при конструировании устройств для работы в открытой окружающей среде. Более детально ознакомиться с электрическими параметрами, узнать типовые значения напряжения и тока на входах CONT, RESET, THRES, и TRIG можно в datasheet на ИМС серии XX555

Описание и область применения

NE555 является разработкой американской компании Signetics, специалисты которой в условиях экономического кризиса не сдались и смогли воплотить в жизнь труды Ганса Камензинда

Именно он в 1970 году сумел доказать важность своего изобретения, которое на тот момент не имело аналогов. ИМС NE555 имела высокую плотность монтажа при низкой себестоимости, чем заслужила особый статус

Впоследствии её стали копировать конкурирующие производители из разных стран мира. Так появилась отечественная КР1006ВИ1, которая так и осталась уникальной в данном семействе. Дело в том, что в КР1006ВИ1 вход останова (6) имеет приоритет над входом запуска (2). В импортных аналогах других фирм такая особенность отсутствует. Данный факт следует учитывать при разработке схем с активным использованием двух входов.

Однако в большинстве случаев приоритеты не влияют на работу устройства. С целью снижения мощности потребления, ещё в 70-х годах прошлого века был налажен выпуск таймера КМОП-серии. В России микросхема на полевых транзисторах получила название КР1441ВИ1.

Наибольшее применение 555 таймер нашёл в построении схем генераторов и реле времени с возможностью задержки от микросекунд до нескольких часов. В более сложных устройствах он выполняет функции по исключению дребезга контактов, ШИМ, восстановлению цифрового сигнала и так далее.

2N5551C Datasheet (PDF)

0.1. 2n5551cn.pdf Size:249K _auk

2N5551CNSemiconductor Semiconductor NPN Silicon TransistorDescriptions General purpose amplifier High voltage application Features High collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code 2N5551CN 2N5551C TO-92NOutline Dimensions unit : mm 4.20

0.2. 2n5551csm.pdf Size:31K _semelab

2N5551CSM HIGH VOLTAGE NPNSWITCHING TRANSISTOR IN AHERMETICALLY SEALEDMECHANICAL DATACERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGEDimensions in mm (inches)FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS0.51 0.10(0.02 0.004) 0.31 FEATURESrad.(0.012) SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN 3TRANSISTOR HERMETIC CERAMIC SURFACE MOUNTPACKAGE (SOT23 COMPATIBLE)21 CECC SCREENING OPTIONS1.9

 0.3. 2n5551c.pdf Size:32K _kec

SEMICONDUCTOR 2N5551CTECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORGENERAL PURPOSE APPLICATION.HIGH VOLTAGE APPLICATION.B CFEATURES High Collector Breakdwon VoltageN DIM MILLIMETERS: VCBO=180V, VCEO=160VA 4.70 MAXEKLow Leakage Current. B 4.80 MAXGC 3.70 MAXD: ICBO=50nA(Max.), VCB=120VD 0.45E 1.00Low Saturation VoltageF 1.27G 0.85: VCE(sat)=0.2V(Max.),

Где и как использовать ?

Это транзистор частенько встречается в различных схемах с большим напряжением на нагрузке. Напряжение, которое он может пропустить через контакты коллектора и эмиттера достигает 160 В. Может использоваться в качестве электронного ключа для включения нагрузок до 600 мА.

Этого тока достаточно для работы с различными незначительными нагрузками, а так же использования его в качестве транзистора дифкаскада. Для любителей паять электронные схемы в сети интернет широко распространена статья “Собираем Lazar” по сборке усилителя мощности звуковой частоты “Лазар” с полным описанием процесса, в котором 2N5551 используется парно.

Related Datasheets

Номер в каталоге Описание Производители
2N5550 mplifier Transistors(NPN Silicon) ON Semiconductor
2N5550 NPN high-voltage transistors NXP Semiconductors
2N5550 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Samsung semiconductor
2N5550 NPN Silicon Expitaxial Planar Transistor for general purpose/ high voltage amplifier applications Semtech Corporation
Номер в каталоге Описание Производители
6MBP200RA-060

Intelligent Power Module

Fuji Electric
ADF41020

18 GHz Microwave PLL Synthesizer

Analog Devices
AN-SY6280

Low Loss Power Distribution Switch

Silergy
DataSheet26.com    |    2020    |   Контакты    |    Поиск  

Особенности и недостатки

Особенностью таймера является внутренний делитель напряжения, который задаёт фиксированный верхний и нижний порог срабатывания для двух компараторов. Ввиду того что делитель напряжения нельзя исключить, а пороговым напряжением нельзя управлять, область применения NE555 сужается.

Таймер на биполярных транзисторах имеет один существенный недостаток, связанный с переходом выходного каскада из одного состояния в противоположное. Каждое переключение сопровождается паразитным сквозным током, который в пике может достигать 400 мА, увеличивая тепловые потери. Решение проблемы заключается в установке полярного конденсатора ёмкостью до 0,1 мкФ между выводом управления (5) и общим проводом. Благодаря ему, повышается стабильность при запуске и надёжность всего устройства. Кроме того, для повышения помехоустойчивости цепь питания дополняют неполярным конденсатором 1 мкФ.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 0,630 Вт.

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh21э )транзистора для схем с общим эмиттером — 300 МГц;

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 150в.

Максимальное напряжение коллектор — база — 160в.

Максимальное напряжение эмиттер — база — 5в.

Коэффициент передачи тока — от 60 до 240.

Максимальный постоянный ток коллектора — 0,3А, 0,6А — пульсирующий.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА — не выше 0,5в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора50мА, базы 5мА — не выше 1в.

Обратный ток коллектор — база при температуре окружающей среды +25 по Цельсию и напряжению коллектор-база 160в. не более 50нА.

Обратный ток эмиттера — база при напряжении эмиттер-база 4в не более — 50 нА.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Транзистор 2N5551 — биполярный, кремниевый, высокочастотный (30 МГц > FГР —> транзистор типа N-P-N, средней мощности (300 мВт > PК,МАКС

Транзистор
UКЭ0 /UКБ0 ПРОБВ
IК, МАКСмА
PК, МАКСмВт
h21Э
fгрМГц
Изготовитель

мин.
макс.
IКмА
UКЭВ
Название (полное)
Название (сокращённое)

2N5551
160/180
600
350
100
American Microsemiconductor Inc
AmerMicroSC

Advanced Semiconductor tnc
Advncd Semi

Allegro Microsystems Inc
AlegroMicro

Central Semiconductor Corp
CentralSemi

Continental Device India Ltd
Contin Dev

Crimson Semiconductor Inc
CrimsonSimi

Diodes Inc
Diodes Inc

Elm State Electronics lnc
Elm State

Toshiba Corp/Industria Mexicana Toshiba SA
Indust Mexi

KSL Microdevices Ing
KSL Micro

Korea Electronics Со Ltd
Korea Elecs

Micro Electronics Ltd
Micro Еlecs

Mistral SPA
Mistral SpA

Motorola Semiconductor Products Inc
Motorola

NAS Etektronische Halbleiter Gmbh
NAS Elekt

National Semiconductor Corp
Natl Semi

Phitips International BV/Philips Components
PhilipsComp

Samsung Electronics Inc
Samsung

Semelab Plc
Semelab

Semiconductor Technology Inc
SemiconTech

Intex Со Inc/Semitronics Corp
Semitronics

Solid State Inc
Solid Stinc

Swampscott Electronics Со Inc
Swampscott

Space Power Electronics Inc
Space Power

Цоколёвка

Тип
Номера выводов

1
2
3

3 вывода
E
B
C

UКЭ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-эмиттер биполярного транзистора при токе базы, равном нулю.

UКБ0, ПРОБ — пробивное напряжение коллектор-база биполярного транзистора.

UКЭ — напряжение источника питания коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

IК, МАКС — максимально допустимый постоянный ток коллектора биполярного транзистора.

IК — постоянный ток коллектора биполярного транзистора при измерении h21Э.

h21Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

fГР — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером.

PК, МАКС — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора биполярного транзистора.

* — Транзистор не является полным аналогом, но возможна замена.

Datasheet Download — ON Semiconductor

Номер произв 2N5551
Описание mplifier Transistors(NPN Silicon)
Производители ON Semiconductor
логотип  

1Page

No Preview Available !

www.DataSheet4U.com
2N5550, 2N5551
Preferred Device
Amplifier Transistors
NPN Silicon
Features

• These are Pb−Free Devices*

MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector − Emitter Voltage
Symbol
2N5550
2N5551

VCEO

Value
140
160
Unit
Vdc
Collector − Base Voltage

VCBO

Vdc
2N5550
160
2N5551
180
Emitter − Base Voltage
Collector Current − Continuous

Total Device Dissipation @ TA = 25°C

Derate above 25°C

VEBO

IC

PD

6.0 Vdc
600 mAdc
625 mW

5.0 mW/°C

Total Device Dissipation @ TC = 25°C

Derate above 25°C

PD 1.5 W

12 mW/°C

Operating and Storage Junction
Temperature Range

TJ, Tstg −55 to +150 °C

THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit

Thermal Resistance, Junction−to−Ambient RqJA

200 °C/W

Thermal Resistance, Junction−to−Case

RqJC

83.3 °C/W

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
http://onsemi.com
COLLECTOR
3
2
BASE
1
EMITTER
TO−92
CASE 29
STYLE 1
123
STRAIGHT LEAD
BULK PACK
1
2
3
BENT LEAD
TAPE & REEL
AMMO PACK
MARKING DIAGRAM
2N
555x

AYWW G

G
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference
Manual, SOLDERRM/D.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2007

March, 2007 − Rev. 5
1
x = 0 or 1
A = Assembly Location
Y = Year
WW = Work Week

G = Pb−Free Package

(Note: Microdot may be in either location)
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 5 of this data sheet.

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.
Publication Order Number:
2N5550/D

No Preview Available !

2N5550, 2N5551

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic
Symbol
Min Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector−Emitter Breakdown Voltage (Note 1)

(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)

2N5550
2N5551

V(BR)CEO

140
160


Vdc
Collector−Base Breakdown Voltage

(IC = 100 mAdc, IE = 0 )

2N5550
2N5551

V(BR)CBO

160
180


Vdc
Emitter−Base Breakdown Voltage

(IE = 10 mAdc, IC = 0)

Collector Cutoff Current

(VCB = 100 Vdc, IE = 0)

(VCB = 120 Vdc, IE = 0)

(VCB = 100 Vdc, IE = 0, TA = 100°C)

(VCB = 120 Vdc, IE = 0, TA = 100°C)

Emitter Cutoff Current

(VEB = 4.0 Vdc, IC = 0)

ON CHARACTERISTICS (Note 1)

DC Current Gain

(IC = 1.0 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)

(IC = 10 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)

(IC = 50 mAdc, VCE = 5.0 Vdc)

V(BR)EBO

6.0

Vdc
2N5550
2N5551
2N5550
2N5551

ICBO

− 100 nAdc
− 50

− 100 mAdc

− 50

IEBO

− 50 nAdc
2N5550
2N5551
2N5550
2N5551
2N5550
2N5551

hFE

60 −
80 −
60 250
80 250
20 −
30 −

Collector−Emitter Saturation Voltage

(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)

(IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mAdc)

Both Types
2N5550
2N5551

VCE(sat)

− 0.15 Vdc
− 0.25
− 0.20
Base−Emitter Saturation Voltage

(IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc)

(IC = 50 mAdc, IB = 5.0 mAdc)

VBE(sat)

Both Types
− 1.0 Vdc
2N5550
− 1.2
2N5551
− 1.0
SMALL−SIGNAL CHARACTERISTICS
Current−Gain — Bandwidth Product

(IC = 10 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 100 MHz)

Output Capacitance

(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)

Input Capacitance

(VEB = 0.5 Vdc, IC = 0, f = 1.0 MHz)

2N5550
2N5551

fT

Cobo

Cibo

100 300
− 6.0
− 30
− 20
MHz
pF
pF
Small−Signal Current Gain

(IC = 1.0 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)

Noise Figure

(IC = 250 mAdc, VCE = 5.0 Vdc, RS = 1.0 kW, f = 1.0 kHz)

2N5550
2N5551

hfe

NF
50 200
− 10
− 8.0

dB

1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, Duty Cycle ≤ 2.0%.

http://onsemi.com
2

No Preview Available !

2N5550, 2N5551

500
300
200
100
50
30
20
10
7.0
5.0
0.1

TJ = 125°C

25°C

−55 °C

0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0

IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

10
Figure 1. DC Current Gain

VCE = 1.0 V

VCE = 5.0 V

20 30
50 70 100
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1

0.005

IC = 1.0 mA

0.01 0.02
10 mA
30 mA
0.05 0.1 0.2
0.5 1.0 2.0

IB, BASE CURRENT (mA)

Figure 2. Collector Saturation Region
100 mA
5.0 10
20
50

101

VCE = 30 V

10

10−1 TJ = 125°C

IC = ICES

10−2 75°C

10−3 REVERSE

FORWARD

10−4 25°C

10−5

0.4 0.3 0.2 0.1 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6

VBE, BASE−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

Figure 3. Collector Cut−Off Region
1.0

TJ = 25°C

0.8

VBE(sat) @ IC/IB = 10

0.6
0.4
0.2

0.1

VCE(sat) @ IC/IB = 10

0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50

IC, COLLECTOR CURRENT (mA)

100
Figure 4. “On” Voltages
http://onsemi.com
3

Всего страниц 6 Pages
Скачать PDF

Режимы работы NE555

Таймер 555 серии работает в одном из трёх режимов, рассмотрим их более детально на примере микросхемы NE555.

Одновибратор

Принципиальная электрическая схема одновибратора приведена на рисунке. Для формирования одиночных импульсов, кроме микросхемы NE555, понадобится сопротивление и полярный конденсатор. Схема работает следующим образом. На вход таймера (2) подают одиночный импульс низкого уровня, который приводит к переключению микросхемы и появлению на выходе (3) высокого уровня сигнала. Продолжительность сигнала рассчитывается в секундах по формуле:

По истечении заданного времени (t) на выходе формируется сигнал низкого уровня (исходное состояние). По умолчанию вывод 4 объединен с выводом 8, то есть имеет высокий потенциал.

Во время разработки схем нужно учесть 2 нюанса:

  1. Напряжение источника питания не влияет на длительность импульсов. Чем больше напряжение питания, тем выше скорость заряда времязадающего конденсатора и тем больше амплитуда выходного сигнала.
  2. Дополнительный импульс, который можно подать на вход после основного, не повлияет на работу таймера, пока не истечет время t.

На работу генератора одиночных импульсов можно влиять извне двумя способами:

  • подать на Reset сигнал низкого уровня, который переведёт таймер в исходное состояние;
  • пока на вход 2 поступает сигнал низкого уровня, на выходе будет оставаться высокий потенциал.

Таким образом, с помощью одиночных сигналов на входе и параметров времязадающей цепочки можно получать на выходе импульсы прямоугольной формы с чётко заданной длительностью.

Мультивибратор

Мультивибратор представляет собой генератор периодических импульсов прямоугольной формы с заданной амплитудой, длительностью или частотой, в зависимости от поставленной задачи. Его отличие от одновибратора состоит в отсутствии внешнего возмущающего воздействия для нормального функционирования устройства. Принципиальная схема мультивибратора на базе NE555 показана на рисунке.

В формировании повторяющихся импульсов участвуют резисторы R1, R2 и конденсатор С1

Время импульса (t1), время паузы(t2), период (T) и частоту (f) рассчитывают по нижеприведенным формулам: Из данных формул несложно заметить, что время паузы не сможет превысить время импульса, то есть достичь скважности (S=T/t1) более 2 единиц не удастся. Для решения проблемы в схему добавляют диод, катод которого соединяют с выводом 6, а анод с выводом 7

Схема работает следующим образом. В момент подачи питания конденсатор С1 разряжен, что переводит выход таймера в состояние высокого уровня. Затем С1 начинает заряжаться, набирая ёмкость до верхнего порогового значения 2/3 UПИТ. Достигнув порога ИМС переключается, и на выходе появляется низкий уровень сигнала. Начинается процесс разряда конденсатора (t1), который продолжается до нижнего порогового значения 1/3 UПИТ. По его достижении происходит обратное переключение, и на выходе таймера устанавливается высокий уровень сигнала. В результате схема переходит в автоколебательный режим.

Прецизионный триггер Шмитта с RS-триггером

Внутри таймера NE555 встроен двухпопроговый компаратор и RS-триггер, что позволяет реализовывать прецизионный триггер Шмитта с RS-триггером на аппаратном уровне. Входное напряжение делится компаратором на три части, при достижении каждой из которых происходит очередное переключение. При этом величина гистерезиса (обратного переключения) равна 1/3 UПИТ. Возможность применения NE555 в качестве прецизионного триггера востребована в построении систем автоматического регулирования.

Datasheets

Просмотр и загрузка
Datasheet 2N5551 / MMBT5551

PDF, 417 Кб, Язык: анг., Версия: 2, Файл закачен: 30 апр 2019, Страниц: 11NPN General Purpose Amplifier

Выписка из документа

2N5551 / MMBT5551
NPN General-Purpose Amplifier
Description
This device is designed for general-purpose high-voltage
amplifiers and gas discharge display drivers. 2N5551 MMBT5551
3 2 TO-92
1 SOT-23
Marking: 3S
1. Base 2. Emitter 3. Collector Ordering Information
Part Number Package Top Mark Packing Method 2N5551TA 5551 TO-92 3L Ammo 2N5551TFR 5551 TO-92 3L Tape and Reel 2N5551TF 5551 TO-92 3L Tape and Reel 2N5551BU 5551 TO-92 3L Bulk MMBT5551 3S SOT-23 3L Tape and Reel 2009 Semiconductor Components Industries, LLC
2N5551 / MMBT5551 Rev. 2 www.onsemi.com
1 2N5551 / MMBT5551 — NPN General-Purpose Amplifier August 2018 Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be operable above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addition, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The
absolute maximum ratings are stress ratings only. Values are at TA = 25°C unless otherwise noted. Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 160 V VCBO Collector-Base Voltage 180 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V 600 mA -55 to +150 °C Collector current -Continuous IC
TJ, Tstg (2) Junction and Storage Temperature Notes:
2. These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
3. These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 °C.
These are steady-state limits. Fairchild Semiconductor should be consulted on applications involving pulsed
or low-duty cycle operations. Thermal Characteristics
Values are at TA = 25°C unless otherwise noted. Symbol Maximum Parameter Units 2N5551 MMBT5551 Total Device Dissipation 625 350 mW Derate above 25°C 5.0 2.8 mW/°C RθJC Thermal Resistance, Junction to Case 83.3 RθJA Thermal Resistance, Junction to Ambient 200 PD 2009 Semiconductor Components Industries, LLC
2N5551 / MMBT5551 Rev. 2 °C/W
357 °C/W www.onsemi.com
2 2N5551 / MMBT5551 — NPN General-Purpose Amplifier Absolute Maximum Ratings(2) Values are at TA = 25°C unless otherwise noted. Symbol Parameter Test Condition Min. Max. Units Off Characteristics
V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC = 1.0 mA, IB = 0 160 V V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC = 100 μA, IE = 0 180 V IE = 10 μA, IC = 0 6.0 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage ICBO Collector Cut-Off Current IEBO Emitter Cut-Off Current VCB = 120 V, IE = 0 50 nA VCB = 120 V, IE = 0, TA = 100°C 50 μA VEB = 4.0 V, IC = 0 50 nA On Characteristics

2SC5551 Datasheet (PDF)

0.1. 2sc5551.pdf Size:43K _sanyo

Ordering number:ENN6328NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC5551High-Frequency Medium-OutputAmplifier ApplicationsFeatures Package Dimensions High fT : (fT=3.5GHz typ).unit:mm Large current : (IC=300mA).2038A Large allowable collector dissipation (1.3W max).4.51.51.60.4 0.53 2 10.41.53.01 : Base0.752 : Collector3 : EmitterSA

0.2. 2sc5551a.pdf Size:287K _sanyo

Ordering number : ENA1118 2SC5551ASANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon TransistorHigh-Frequency Medium-Output2SC5551AAmplifier ApplicationsFeatures High fT : (fT=3.5GHz typ). Large current : (IC=300mA). Large allowable collector dissipation (1.3W max).SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings Un

 0.3. 2sc5551ae 2sc5551af.pdf Size:185K _onsemi

Ordering number : ENA1118A2SC5551ARF Transistorhttp://onsemi.com30V, 300mA, fT=3.5GHz, NPN Single PCPFeatures High fT : (fT=3.5GHz typ) Large current : (IC=300mA) Large allowable collector dissipation (1.3W max)SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Base Voltage VCBO 40 VCollector-to-Emitter Volta