Характеристики транзистора 2n2222

История создания

Разработчиком 2N2222 в корпусе ТО-18 считается американская компания Motorola. Её сотрудник (Джек Хайничен) изобрёл кольцевую структуру (annular) при производстве полупроводниковых триодов, позволившую увеличить напряжение p-n-перехода до 100 В. Ряд изделий, изготовленных по новой технологии, в том числе и рассматриваемый транзистор, впервые были продемонстрированы конференции «Института инженеров радиотехники» (IRE) в марте 1962 г. в г.Нью-Йорк.

С 1965 г. его стали производить в пластиковом корпусе ТО-92. У компании Motorola он имел маркировку PN2222, а затем PN2222A. Последний завоевал большую популярность, как среди любителей электроники, так и её производителей. В те времена для зарубежной промышленности он был таким же известным, как например, в Советском союзе КТ315.

В последующем, вместе с внедрением технологий поверхностного монтажа (SMD), появились 2N2222 в корпусах SOT-23, SOT-223. К таким транзисторам можно отнести: MMBT2222(Motorola), PMBT2222(Philips), FMMT2222(Zetex) и др. Их производством в настоящее время занимаются и другие компании.

Более поздние модификации рассматриваемого транзистора имеют маркировку 2N2222ADCSM. Они производятся в герметичном керамическом корпусе LCC (для поверхностного монтажа на плату) английской компанией Semelab.

Биполярный транзистор 2N2222AUA — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N2222AUA

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30

Корпус транзистора:

2N2222AUA
Datasheet (PDF)

0.1. 2n2222aua.pdf Size:186K _optek

0.2. 2n2221a 2n2221al 2n2221aua 2n2221aub 2n2222a 2n2222al 2n2222aua 2n2222aub.pdf Size:377K _aeroflex

Radiation Hardened NPN Silicon Switching Transistors2N2221A, 2N2221AL, 2N2221AUA, 2N2221AUB2N2222A, 2N2222AL, 2N2222AUA, 2N2222AUBFeatures Qualified to MIL-PRF-19500/255 Levels: CommericalJANSJANSM-3K Rads (Si) JANSD-l0K Rads (Si) JANSP-30K Rads (Si) JANSL-50K Rads (Si) JANSR-l00K Rads (Si) TO-18 (TO-206AA), Surface mount UA & UB PackagesAbsolute Maximum Ra

 6.1. 2n2222aub.pdf Size:250K _optek

Product Bulletin JANTX, JANTXV, 2N2222AUBSeptember 1996Surface Mount NPN General Purpose TransistorType JANTX, JANTXV, 2N2222AUBFeature Absolute Maximum Ratings (TA = 25o C unless otherwise noted)Collector-Base Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75 VCeramic surface mount packageCollector-Emitter Voltage. . . . . . .

6.2. 2n2222aubc.pdf Size:138K _microsemi

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com RADIATION HARDENED NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/255 DEVICES LEVELS JANSM 3K Rads (Si) 2N2221A 2N2222A JANSD 10K Rads (Si) 2N2221AL 2N2222AL JANSP 30K Rads (Si) 2N2221AUA 2N2222AUA

 6.3. 2n2222au.pdf Size:326K _first_silicon

SEMICONDUCTOR2N2222AUTECHNICAL DATAGeneral Purpose TransistorNPN SiliconThese transistors are designed for general purpose amplifierapplications. They are housed in the SC-323/SC-70 package which 3is designed for low power surface mount applications.Features 12compliance with RoHS requirements. We declare that the material of product SC-70 / SOT 323 ORDERING INFO

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

Замена импортных транзисторов отечественными

Нужно заменить диод или стабилитрон? — аналоги и замены диодов и полупроводников.

P2N2222A Datasheet (PDF)

0.1. mtp2n2222a p2n2222a.pdf Size:238K _motorola

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby P2N2222A/DAmplifier TransistorsNPN SiliconP2N2222ACOLLECTOR12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit

0.2. p2n2222a-d.pdf Size:164K _onsemi

P2N2222AAmplifier TransistorsNPN SiliconFeatures These are Pb—Free Devices*http://onsemi.comCOLLECTOR1MAXIMUM RATINGS (TA =25C unless otherwise noted)Characteristic Symbol Value Unit2BASECollector—Emitter Voltage VCEO 40 VdcCollector—Base Voltage VCBO 75 Vdc3Emitter—Base Voltage VEBO 6.0 VdcEMITTERCollector Current — Continuous IC 600 mAdcTotal Devi

 0.3. p2n2222ag.pdf Size:165K _onsemi

P2N2222AAmplifier TransistorsNPN SiliconFeatures These are Pb—Free Devices*http://onsemi.comCOLLECTOR1MAXIMUM RATINGS (TA =25C unless otherwise noted)Characteristic Symbol Value Unit2BASECollector—Emitter Voltage VCEO 40 VdcCollector—Base Voltage VCBO 75 Vdc3Emitter—Base Voltage VEBO 6.0 VdcEMITTERCollector Current — Continuous IC 600 mAdcTotal Devi

Характеристики

JEDEC регистрация номера устройства обеспечивает определенные номинальные значения будут выполнены все части предлагаемых под этим номером. Параметры, зарегистрированные в JEDEC, включают габаритные размеры, усиление тока слабого сигнала , , максимальные значения выдерживаемого напряжения, номинальный ток, мощность рассеивания и температуру и другие параметры, измеренные в стандартных условиях испытаний. Другие номера деталей будут иметь другие параметры. Точные характеристики зависят от производителя, типа корпуса и разновидности

Поэтому важно обращаться к техническому описанию, чтобы узнать точный номер детали и производителя.

Все варианты имеют коэффициент или текущий коэффициент усиления (h _fe ) не менее 100 в оптимальных условиях. Он используется в различных приложениях аналогового усиления и коммутации.

Модификации транзистора 2N3904

Практически все изделия с кодом 2N3904 многочисленных производителей обладают завидной повторяемостью электрических и временных параметров. Некоторые отличия наблюдаются в параметрах, характеризующих динамические свойства транзистора (f_T, С_obo), и которые вполне могут быть отнесены к расхождениям в методиках контроля этих параметров у производителя.

2N2222AUA Datasheet (PDF)

0.1. 2n2222aua.pdf Size:186K _optek

0.2. 2n2221a 2n2221al 2n2221aua 2n2221aub 2n2222a 2n2222al 2n2222aua 2n2222aub.pdf Size:377K _aeroflex

Radiation Hardened NPN Silicon Switching Transistors2N2221A, 2N2221AL, 2N2221AUA, 2N2221AUB2N2222A, 2N2222AL, 2N2222AUA, 2N2222AUBFeatures Qualified to MIL-PRF-19500/255 Levels: CommericalJANSJANSM-3K Rads (Si) JANSD-l0K Rads (Si) JANSP-30K Rads (Si) JANSL-50K Rads (Si) JANSR-l00K Rads (Si) TO-18 (TO-206AA), Surface mount UA & UB PackagesAbsolute Maximum Ra

 6.1. 2n2222aub.pdf Size:250K _optek

Product Bulletin JANTX, JANTXV, 2N2222AUBSeptember 1996Surface Mount NPN General Purpose TransistorType JANTX, JANTXV, 2N2222AUBFeature Absolute Maximum Ratings (TA = 25o C unless otherwise noted)Collector-Base Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75 VCeramic surface mount packageCollector-Emitter Voltage. . . . . . .

6.2. 2n2222aubc.pdf Size:138K _microsemi

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com RADIATION HARDENED NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/255 DEVICES LEVELS JANSM 3K Rads (Si) 2N2221A 2N2222A JANSD 10K Rads (Si) 2N2221AL 2N2222AL JANSP 30K Rads (Si) 2N2221AUA 2N2222AUA

 6.3. 2n2222au.pdf Size:326K _first_silicon

SEMICONDUCTOR2N2222AUTECHNICAL DATAGeneral Purpose TransistorNPN SiliconThese transistors are designed for general purpose amplifierapplications. They are housed in the SC-323/SC-70 package which 3is designed for low power surface mount applications.Features 12compliance with RoHS requirements. We declare that the material of product SC-70 / SOT 323 ORDERING INFO

Технические характеристики

Рассмотрим более подробно транзистор 2N2222, его технические характеристики и особенности. Они справедливы при температуре окружающей среды (Т_А) не более +25оС. В datasheet указано, что устройство предназначено для работы с высокой скоростью переключений и обеспечивает эффективное усиление в широком диапазоне частот.

Максимальные параметры

2n2222 имеет следующие максимально допустимые эксплуатационные параметры (при Т_А < +25оС):

• предельное напряжение между выводами: К-Б (V_CBO) до 60 В (при I_E=0); К-Э (V_CEO) до 30 В (при I_B=0); Э-Б (V_EBO) до 5 В (при I_B=0);
• пиковый ток коллектор (I_B) до 0,8 А;
• рассеиваемая мощность (P_tot) до 500 мВт (при Т_Сase <+25оС); 1,2 Вт (с теплоотводом);
• температура хранения (T_STG) -65 … +200оС;
• температура кристалла (T_J) до +175оС.

Новые устройства изготавливаются с использованием безсвинцовых технологий (Lead Free) и соответствуют европейскому стандарту RoHS. У некоторых из них рабочая температура кристалла (T_J), согласно datasheet, может достигать +200 оС.

Электрические параметры

Электрические характеристики 2N2222 (на русском языке) сведены в единую таблицу, которая представлена ниже. Их величины, как и для максимальных указаны для температуры (Т_А) не более +25 оС. В отдельном столбце выведены условия измерений.

Коэффициент усиления

Коэффициент усиления по току (H_FE) рассматриваемого триода, как и у большинства подобных электронных компонентов из 60-х, сильно разнится и находится в диапазоне от 100 до 300. Даже у устройств одного производителя значения параметра H_FE могут быть разные. Обычно их H_FE выясняют предварительно, зачастую с помощью мультиметра и непосредственно перед использованием в проекте.

Комплементарная пара

Комплементарной парой считается 2N2907(ТО-18). Можно сказать, что последний имеет «зеркальные» характеристики, по отношению к рассматриваемому и отличается только PNP-структурой. Внешне они очень похожи между собой и довольно часто встречаются вместе в схемах дифференциальных каскадов усиления.

Биполярный транзистор P2N2222A — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: P2N2222A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6
A

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора:

P2N2222A
Datasheet (PDF)

0.1. mtp2n2222a p2n2222a.pdf Size:238K _motorola

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby P2N2222A/DAmplifier TransistorsNPN SiliconP2N2222ACOLLECTOR12BASE3EMITTERMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit

0.2. p2n2222a-d.pdf Size:164K _onsemi

P2N2222AAmplifier TransistorsNPN SiliconFeatures These are Pb—Free Devices*http://onsemi.comCOLLECTOR1MAXIMUM RATINGS (TA =25C unless otherwise noted)Characteristic Symbol Value Unit2BASECollector—Emitter Voltage VCEO 40 VdcCollector—Base Voltage VCBO 75 Vdc3Emitter—Base Voltage VEBO 6.0 VdcEMITTERCollector Current — Continuous IC 600 mAdcTotal Devi

 0.3. p2n2222ag.pdf Size:165K _onsemi

P2N2222AAmplifier TransistorsNPN SiliconFeatures These are Pb—Free Devices*http://onsemi.comCOLLECTOR1MAXIMUM RATINGS (TA =25C unless otherwise noted)Characteristic Symbol Value Unit2BASECollector—Emitter Voltage VCEO 40 VdcCollector—Base Voltage VCBO 75 Vdc3Emitter—Base Voltage VEBO 6.0 VdcEMITTERCollector Current — Continuous IC 600 mAdcTotal Devi

Другие транзисторы… 2SC4360
, 2SC4361
, 2SC4362
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, D882
, 2SC4369
, 2SC437
, 2SC4370
, 2SC4371
, 2SC4372
, 2SC4373
, 2SC4374
, 2SC4375
.

Биполярный транзистор 2N2222AUB — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N2222AUB

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: CERSOT23

2N2222AUB
Datasheet (PDF)

0.1. 2n2222aub.pdf Size:250K _optek

Product Bulletin JANTX, JANTXV, 2N2222AUBSeptember 1996Surface Mount NPN General Purpose TransistorType JANTX, JANTXV, 2N2222AUBFeature Absolute Maximum Ratings (TA = 25o C unless otherwise noted)Collector-Base Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75 VCeramic surface mount packageCollector-Emitter Voltage. . . . . . .

0.2. 2n2222aubc.pdf Size:138K _microsemi

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com RADIATION HARDENED NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/255 DEVICES LEVELS JANSM 3K Rads (Si) 2N2221A 2N2222A JANSD 10K Rads (Si) 2N2221AL 2N2222AL JANSP 30K Rads (Si) 2N2221AUA 2N2222AUA

 0.3. 2n2221a 2n2221al 2n2221aua 2n2221aub 2n2222a 2n2222al 2n2222aua 2n2222aub.pdf Size:377K _aeroflex

Radiation Hardened NPN Silicon Switching Transistors2N2221A, 2N2221AL, 2N2221AUA, 2N2221AUB2N2222A, 2N2222AL, 2N2222AUA, 2N2222AUBFeatures Qualified to MIL-PRF-19500/255 Levels: CommericalJANSJANSM-3K Rads (Si) JANSD-l0K Rads (Si) JANSP-30K Rads (Si) JANSL-50K Rads (Si) JANSR-l00K Rads (Si) TO-18 (TO-206AA), Surface mount UA & UB PackagesAbsolute Maximum Ra

Другие транзисторы… 2N2221DCSM
, 2N2222
, 2N2222A
, 2N2222ACSM
, 2N2222ACSM4
, 2N2222ADCSM
, 2N2222AQCSM
, 2N2222AQF
, 2SC828
, 2N2222CSM
, 2N2222DCSM
, 2N2223
, 2N2223A
, 2N2223L
, 2N2224
, 2N2225
, 2N2226
.

Другие переключающие транзисторы

Распиновка вариантов 2Н2222 в пластиковом корпусе ТО-92 .

Кремниевые NPN-транзисторы с аналогичными свойствами также производятся в различных небольших корпусах для сквозного монтажа и поверхностного монтажа, включая TO-92 , SOT-23 и SOT-223.

Замены для 2N2222 обычно доступны в более дешевой упаковке TO-92 , где он известен как PN2222 или P2N2222, который имеет аналогичные характеристики, за исключением более низкого максимального тока коллектора. P2N2222 имеет другой порядок выводов, чем металлический корпус 2N2222, с коммутационными соединениями эмиттера и коллектора; другие транзисторы в пластиковом корпусе также имеют разное расположение выводов.

Одиночные транзисторы также доступны в нескольких различных корпусах для поверхностного монтажа, и ряд производителей продают корпуса для поверхностного монтажа, которые включают несколько транзисторов типа 2N2222 в одном корпусе в виде массива транзисторов. Общие характеристики различных вариантов схожи, самая большая разница заключается в максимально допустимом токе и рассеиваемой мощности.

Семейство BC548 , в том числе от BC547A до BC550C, представляет собой транзисторы общего назначения с низким напряжением и током в корпусах TO-92 европейского производства, которые часто используются в схемах усиления и переключения слабых сигналов того типа, в котором 2N2222 может иначе можно использовать. Это не настоящая замена, а сопоставимые устройства, которые могут быть заменены только в цепях, в которых не превышаются максимальные значения тока и напряжения.

2N2907 является одинаково популярны ПНП транзистор комплементарной к 2N2222.

2N3904 является транзистором NPN , который может переключаться только одну трети тока 2N2222 , но имеет иной сходные характеристики. 2N3904 демонстрирует свой пик прямого усиления (бета) при более низком токе, чем 2N2222, и может использоваться в усилителях с пониженным I _c , например (пик усиления при 10 мА для 2N3904 и 150 мА для 2N2222).

Версия 2N2222A в более крупном металлическом корпусе TO-39 , 2N2219A имела более высокую мощность рассеивания (3 Вт при подключении к радиатору, поддерживающему температуру корпуса на уровне 25 ° C, или 0,8 Вт на открытом воздухе, по сравнению с 1,8 Вт). Ватт и 0,5 Вт (соответственно) для 2N2222A.

Графические данные

Рис.1 Зависимость коэффициента усиления по току h_FE от величины тока коллектора I_C при различных температурах (V_CE – напряжение коллектор-эмиттер).

Рис.2 Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) от тока коллектора (IB – ток перехода база-эмиттер).

Рис.3 Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер VBE(sat) от тока коллектора (IB – ток перехода база-эмиттер).

Рис.4 Зависимость напряжения включения база-эмиттер VBE(ON) тока коллектора (VCE – напряжение коллектор-эмиттер).

Рис.5 Зависимость тока выключения ICBO транзистора от температуры окружающей среды Ta (VCB – напряжение коллектор-база).

Рис.6 Зависимость рассеиваемой транзистором мощности (PC) от температуры окружающей среды Ta.

Рис.7 Зависимость коэффициента усиления тока hfe от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).

Рис.8 Зависимость полной выходной проводимости hoe от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).

Рис.9 Зависимость величины входного импеданса от величины тока коллектора IC (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, f – частота режима работы транзистора).

Рис.10 Зависимость коэффициента обратной связи по напряжению hre от тока коллектора IC.

Рис.11 Зависимости емкостей переходов эмиттер-база (Cob) и коллектор-база (Cib) от величин напряжений обратного смещения переходов эмиттер-база (VEB) и коллектор-база (VCB).

Рис.12 Зависимость коэффициента шума транзистора (NF) от частоты передаваемого сигнала f (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, IC – ток коллектора, RS – выходное сопротивление источника сигнала).

Рис.13 Зависимость коэффициента шума транзистора (NF) от величины внутреннего сопротивления источника сигнала (VCE – напряжение коллектор-эмиттер, IC – ток коллектора, f – частота входного сигнала, поступающего от внешнего источника).

Рис.14 Зависимости отрезков времени переключения (t) от величины тока коллектора (IC) (IB1, IB2 – значения тока базы при переключениях; td – время задержки переключения; tr – время нарастания выходного сигнала; tf – время спадания выходного сигнала; ts – время рассасывания объемного заряда (или — время сохранения tstg)).

Рис.15 Зависимости времени включения (ton) и выключения (toff) от величины коллекторного тока IC (VBE(OFF) – напряжение база-эмиттер при выключении; IB1, IB2 – значения тока базы при включении и выключении).

Рис.16 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени задержки (t_d) и времени нарастания (t_r). Коэффициент заполнения импульсной последовательности 2%.

Рис.17 Диаграмма входного напряжения и схема измерений времени рассасывания (t_stg) заряда коллекторного перехода и времени спадания (t_f). Коэффициент заполнения импульсной последовательности 2%. C_S – суммарная емкость монтажа и коннекторов.

2N2222AUB Datasheet (PDF)

0.1. 2n2222aub.pdf Size:250K _optek

Product Bulletin JANTX, JANTXV, 2N2222AUBSeptember 1996Surface Mount NPN General Purpose TransistorType JANTX, JANTXV, 2N2222AUBFeature Absolute Maximum Ratings (TA = 25o C unless otherwise noted)Collector-Base Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75 VCeramic surface mount packageCollector-Emitter Voltage. . . . . . .

0.2. 2n2222aubc.pdf Size:138K _microsemi

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com RADIATION HARDENED NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/255 DEVICES LEVELS JANSM 3K Rads (Si) 2N2221A 2N2222A JANSD 10K Rads (Si) 2N2221AL 2N2222AL JANSP 30K Rads (Si) 2N2221AUA 2N2222AUA

 0.3. 2n2221a 2n2221al 2n2221aua 2n2221aub 2n2222a 2n2222al 2n2222aua 2n2222aub.pdf Size:377K _aeroflex

Radiation Hardened NPN Silicon Switching Transistors2N2221A, 2N2221AL, 2N2221AUA, 2N2221AUB2N2222A, 2N2222AL, 2N2222AUA, 2N2222AUBFeatures Qualified to MIL-PRF-19500/255 Levels: CommericalJANSJANSM-3K Rads (Si) JANSD-l0K Rads (Si) JANSP-30K Rads (Si) JANSL-50K Rads (Si) JANSR-l00K Rads (Si) TO-18 (TO-206AA), Surface mount UA & UB PackagesAbsolute Maximum Ra

Похожие записи:

Как выставить зажигание с помощью стробоскопа? Ретро проводка в современном доме Где используется фидерный кабель Маркировка smd компонентов: кодовые обозначения Как сделать веб-приложение для вашего собственного bluetooth low energy девайса? Как подключить усилитель в машине