Транзистор 2sa1273 (a1273)

Содержание

Светодиод SMD 5630: особенности и характеристики

Светодиод SMD 5630 – представляет класс высокоэффективных светодиодов средней мощности, предназначенных для поверхностного монтажа.

SMD 5630 производства Philips, Epistar, Samsung отличаются высоким коэффициентом цветопередачи, что позволяет конструировать на их основе светильники для качественного освещения внутри помещений.

В качестве примера рассмотрим светодиод LUXEON 5630 Mid-Power, выпускаемый компанией Philips lumileds.

Конструктивные особенности

SMD 5630 выполнен в корпусе размером 5,6х3,0х0,9 мм.

Электрический контакт осуществляется через 4 вывода, как показано на рисунке.

Они имеют следующее назначение:

  • 1 – катод;
  • 2 – катод;
  • 3 – анод;
  • 4 – не задействован.

По центру нижней части корпуса SMD 5630 предусмотрена контактная площадка размером 1,62х1,28 мм, предназначенная для эффективного отвода тепла от излучающего кристалла.

Во время монтажа она обязательно должна быть припаяна к печатной плате. При этом контакт теплоотвода электрически должен быть изолирован от анода и катода.

Для визуального определения анода и катода со стороны выводов катода на люминофоре имеется срез.

Технические характеристики

Белые светодиоды SMD 5630 на номинальном токе 100 мА излучают световой поток от 32 лм (2700К) до 36 лм (6500К). При этом падение напряжения на p-n-переходе может варьироваться от 2,9 до 3,4 В.

Для своих светодиодов Philips lumileds гарантирует коэффициент цветопередачи CRI не ниже 80 ед. и угол рассеивания света 2ϴ1/2 равный 120°.

Для пайки рекомендуется использовать низкотемпературные оловянные сплавы, придерживаясь международного стандарта JEDEC J-020B. Пайку светодиодов следует производить при температуре не выше 260°C на протяжении не более 10 сек.

Зависимость прямого напряжения от протекающего тока показана на вольт-амперной характеристике (t=25°C). Из приведенного графика следует, что падение напряжения на номинальном токе для большинства белых светодиодов SMD 5630 составляет 3,1 В. Яркость светодиода напрямую зависит от соблюдения его температурного режима работы. Как видно из графика повышение температуры в точках припоя до 85°C вызывает снижение светового потока примерно на 15%

В связи с этим очень важно избегать перегрева кристалла. Например, светодиодную ленту на SMD 5630 нужно обязательно клеить на алюминиевый профиль. На следующем графике показана зависимость светового потока от величины прямого тока

Полная светоотдача обеспечивается на токе 100 мА. При этом производитель светодиодов делает акцент на том, что замеры в контрольных точках с последующим построением характеристики производились при температуре 25°C

На следующем графике показана зависимость светового потока от величины прямого тока. Полная светоотдача обеспечивается на токе 100 мА. При этом производитель светодиодов делает акцент на том, что замеры в контрольных точках с последующим построением характеристики производились при температуре 25°C.

Область применения

Так же как и SMD 5730, светодиоды SMD 5630 устойчивы к вибрации и резким перепадам температуры (-40/+65°C), что в значительной мере расширяет их сферу применения.

Благодаря высоким эксплуатационным показателям, данный тип светодиодов устанавливают в светильники уличного, промышленного и аварийного освещения. В розничной торговой сети можно свободно купить светодиодные ленты и модули на 12 В, а также линейки на 220 В, собранные на базе SMD 5630.

Опираясь на технические данные, радиолюбителям будет несложно произвести расчёты и своими руками сделать подсветку на светодиодах SMD 5630.

К сожалению, найти в продаже фирменные светодиоды форм-фактора 5630 непросто. Вместо них на рынке превалируют китайские аналоги с сильно заниженными техническими характеристиками.

Такое несоответствие параметров объясняется установкой в корпус 5,6х3,0 мм кристалла значительно меньших размеров, который не может длительно пропускать ток в 150 мА.

Поэтому производители светодиодных ламп и лент, собранных на поддельных SMD 5630, подбирают рабочий ток на своё усмотрение, в результате чего снижается срок службы изделия.

Зачем нужна маркировка

Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются “SMD”. По-русски это значит “компоненты поверхностного монтажа”. Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово “запекают” и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.

Маркировка на практике

Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся

Другое важное качество компонентов поверхностного монтажа заключается в том, что благодаря своим малым размерам они вносят меньше паразитных явлений

Дело в том, что любой электронный компонент, даже простой резистор, обладает не только активным сопротивлением, но также паразитными ёмкостью и индуктивностью, которые могут проявится в виде паразитных сигналов или неправильной работы схемы. SMD-компоненты обладают малыми размерами, что помогает снизить паразитную емкость и индуктивность компонента, поэтому улучшается работа схемы с малыми сигналами или на высоких частотах.

Разнообразные корпуса транзисторов.

Маркировка SMD компонентов

SMD компоненты все чаще используются в промышленных и бытовых устройствах. Поверхностный монтаж улучшил производительность по сравнению с обычным монтажом, так как уменьшились размеры компонентов, а следовательно и размеры дорожек. Все эти факторы снизили паразитические индуктивности и емкости в электрических цепях.

Код Сопротивление
101 100 Ом
471 470 Ом
102 1 кОм
122 1.2 кОм
103 10 кОм
123 12 кОм
104 100 кОм
124 120 кОм
474 470 кОм

Маркировка импортных SMD

Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.

Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.

Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.

Будет интересно Диод 1n4007: характеристики, маркировка и datasheets

Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.

Расчёт мощности для выбора блока питания

Залог надёжной работы любой светодиодной ленты – это правильно подобранный блок питания. Выбирать БП для одноцветной led-ленты на SMD 5050 следует по двум параметрам: выходному напряжению и мощности, которую он способен выдать в нагрузку. Выходное напряжение БП должно совпадать с напряжением питания светодиодной ленты. В большинстве случаев оно равно 12 В, реже 24 В. Мощность рассчитывается исходя из длины ленты и её плотности. Для облегчения расчётов существует специальная таблица, где указана мощность потребления 1 метра с учётом типа светодиодов и плотности монтажа. Касательно ленты на SMD 5050 имеем следующие данные:

  • 30 led/m – 7,2 Вт;
  • 60 led/m – 14,4 Вт;
  • 120 led/m – 28,8 Вт;
  • 240 led/m – 57,6 Вт.

Здесь значения мощности указаны для режима максимальной яркости. Это значит, что RGB-лента, работая в режиме одно цвета, будет потреблять энергии в 3 раза меньше, т.к. задействован будет только 1 из 3 кристаллов.

Мощность БП определим по формуле:

  • P1м – мощность потребления одного метра, Вт;
  • N – общая длина всех отрезков, подключаемых к БП, м;
  • K – коэффициент запаса по мощности. Обычно К=1,2.

Для подключения RGB-светодиодной ленты на SMD 5050 кроме блока питания понадобится RGB-контроллер. Как правильно выбрать RGB-контроллер, в каких случаях нужен усилитель сигнала и какая схема подключения лучше? Ответы на эти вопросы можно найти в статье «Подключение RGB-лент разной длины».

Корпуса чип-компонентов

Достаточно условно все компоненты поверхностного монтажа можно разбить на группы по количеству выводов и размеру корпуса: 

выводы/размер Очень-очень маленькие Очень маленькие Маленькие Средние
2 вывода SOD962 (DSN0603-2), WLCSP2*, SOD882 (DFN1106-2), SOD882D (DFN1106D-2), SOD523, SOD1608 (DFN1608D-2) SOD323, SOD328 SOD123F, SOD123W SOD128
3 вывода SOT883B (DFN1006B-3), SOT883, SOT663, SOT416 SOT323, SOT1061 (DFN2020-3) SOT23 SOT89, DPAK (TO-252), D2PAK (TO-263), D3PAK (TO-268) 
4-5 выводов WLCSP4*, SOT1194, WLCSP5*, SOT665 SOT353 SOT143B, SOT753 SOT223, POWER-SO8
6-8 выводов SOT1202, SOT891, SOT886, SOT666, WLCSP6* SOT363, SOT1220 (DFN2020MD-6), SOT1118 (DFN2020-6) SOT457, SOT505 SOT873-1 (DFN3333-8), SOT96
> 8 выводов WLCSP9*, SOT1157 (DFN17-12-8), SOT983 (DFN1714U-8) WLCSP16*, SOT1178 (DFN2110-9), WLCSP24* SOT1176 (DFN2510A-10), SOT1158 (DFN2512-12), SOT1156 (DFN2521-12) SOT552, SOT617 (DFN5050-32), SOT510

Конечно, корпуса в таблице указаны далеко не все, так как реальная промышленность выпускает компоненты в новых корпусах быстрее, чем органы стандартизации поспевают за ними. 

Корпуса SMD-компонентов могут быть как с выводами, так и без них. Если выводов нет, то на корпусе есть контактные площадки либо небольшие шарики припоя (BGA). Также в зависимости от фирмы-производителя детали могут могут различаться маркировкой и габаритами. Например, у конденсаторов может различаться высота. 

Большинство корпусов SMD-компонентов предназначены для монтажа с помощью специального оборудования, которое радиолюбители не имеют и врядли когда-нибудь будет иметь. Связано это с технологией пайки таких компонентов. Конечно, при определённом упорстве и фанатизме можно и в домашних условиях паять BGA-микросхемы. 

Типы корпусов SMD по названиям 

Название Расшифровка кол-во выводов
SOT small outline transistor 3
SOD small outline diode 2
SOIC small outline integrated circuit >4, в две линии по бокам
TSOP thin outline package (тонкий SOIC) >4, в две линии по бокам 
SSOP усаженый SOIC >4, в две линии по бокам
TSSOP тонкий усаженный SOIC >4, в две линии по бокам
QSOP SOIC четвертного размера >4, в две линии по бокам
VSOP QSOP ещё меньшего размера >4, в две линии по бокам
PLCC ИС в пластиковом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J >4, в четыре линии по бокам 
CLCC ИС в керамическом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J  >4, в четыре линии по бокам 
QFP квадратный плоский корпус >4, в четыре линии по бокам 
LQFP  низкопрофильный QFP >4, в четыре линии по бокам 
PQFP  пластиковый QFP >4, в четыре линии по бокам 
CQFP  керамический QFP >4, в четыре линии по бокам 
TQFP  тоньше QFP >4, в четыре линии по бокам 
PQFN силовой QFP без выводов с площадкой под радиатор >4, в четыре линии по бокам 
BGA Ball grid array. Массив шариков вместо выводов массив выводов
LFBGA  низкопрофильный FBGA массив выводов
CGA  корпус с входными и выходными выводами из тугоплавкого припоя массив выводов
CCGA  СGA в керамическом корпусе массив выводов
μBGA  микро BGA массив выводов
FCBGA Flip-chip ball grid array. Массив шариков на подложке, к которой припаян кристалл с теплоотводом массив выводов
LLP безвыводной корпус  

Из всего этого зоопарка чип-компонентов для применения в любительских целях могут сгодиться: чип-резисторы, чип-конденсаторы , чип-индуктивности, чип-диоды и транзисторы, светодиоды, стабилитроны, некоторые микросхемы в SOIC корпусах. Конденсаторы обычно выглядят как простые параллелипипеды или маленькие бочонки. Бочонки — это электролитические, а параллелипипеды скорей всего будут танталовыми или керамическими конденсаторами.  

О многослойных платах

Монтаж в аппаратуре с SMD компонентами часто бывает достаточно плотным. Поэтому и дорожек самим платам надо больше, чтобы при дальнейшей эксплуатации не возникало проблем. На одну поверхность все дорожки влезть не могут, потому и был разработан многослойный вариант плат.

В плате будет больше слоёв, если само оборудование применяют достаточно сложное. Прямо внутри платы размещаются сами дорожки, увидеть их практически невозможно. Платы компьютеров и мобильных телефонов — пример использования подобных технологий на практике.

Обратите внимание! При перегреве многослойных плат они просто вздуваются, как пузырь. Межслойные связи начинают рваться, из-за чего главный компонент выходит из строя

Правильно подобранная температура — самый важный фактор при любом ремонте.

Иногда применяют обе стороны печатной платы для работы. Из-за этого плотность монтажа становится в два раза больше. Ещё одно преимущество современных SMT технологий. Материала для производства таких компонентов тоже уходит в несколько раз меньше. Себестоимость благодаря такой конструкции уменьшают.

Допустимые схемы

Маркировка SMD-компонентов

Мне иногда кажется, что маркировка современных электронных компонентов превратилась в целую науку, подобную истории или археологии, так как, чтобы разобраться какой компонент установлен на плату иногда приходитсяпровести целый анализ окружающих его элементов. В этом плане советские выводные компоненты, на которых текстом писался номинал и модель были просто мечтой для любителя, так как не надо было ворошить груды справочников, чтобы разобраться, что это за детали. 

Причина кроется в автоматизации процесса сборки. SMD компоненты устанавливаются роботами, в которых установлены сециальные бабины (подобные некогда бабинам с магнитными лентами), в которых расположены чип-компоненты. Роботу все равно, что там в бабине и есть ли у деталей маркировка. Маркировка нужна человеку. 

Маркировка импортных smd

Маркировка импортных SMD транзисторов происходит в основном по нескольким принятым системам. Одна из них – это система маркировки полупроводниковых приборов JEDEC.Согласно ей первый элемент – это число п-н переходов, второй элемент – тип номинал, третий – серийный номер, при наличие четвертого – модификации.

Вторая распространенная система маркировка – европейская. Согласно ей обозначение SMD транзисторов происходит по следующей схеме: первый элемент – тип исходного материала, второй – подкласс прибора, третий элемент – определение применение данного элемента, четвертый и пятый – основную спецификацию элемента.

Третьей популярной системой маркировки является японская. Эта система скомбинировала в себе две предыдущие. Согласно ей первый элемент – класс прибора, второй – буква S, ставится на всех полупроводниках, третий – тип прибора по исполнению, четвертый – регистрационный номер, пятый – индекс модификации, шестой – (необязательный) отношение к специальным стандартам.

Что бы к Вам ни попало в руки, для полной идентификации данного элемента следует применять маркировочные таблицы и по ним определить все характеристики данного элемента. По оценкам специалистов соотношение между производством ЭРЭ в обычном и SMD-исполнении должно приблизиться к 30:70. Многие радиолюбители уже начинают с успехом осваивать применение SMD в своих конструкциях.

Маркировка smd компонентов — резисторы

Прямоугольные чип-резисторы и керамические конденсаторы
Типоразмер L, мм (дюйм) W, мм (дюйм) H, мм (дюйм) A, мм Вт
0201 0.6 (0.02) 0.3 (0.01) 0.23 (0.01) 0.13 1/20
0402 1.0 (0.04) 0.5 (0.01) 0.35 (0.014) 0.25 1/16
0603 1.6 (0.06) 0.8 (0.03) 0.45 (0.018) 0.3 1/10
0805 2.0 (0.08) 1.2 (0.05) 0.4 (0.018) 0.4 1/8
1206 3.2 (0.12) 1.6 (0.06) 0.5 (0.022) 0.5 1/4
1210 5.0 (0.12) 2.5 (0.10) 0.55 (0.022) 0.5 1/2
1218 5.0 (0.12) 2.5 (0.18) 0.55 (0.022) 0.5 1
2021 5.0 (0.20) 2.5 (0.10) 0.55 (0.024) 0.5 3/4
2512 6.35 (0.25) 3.2 (0.12) 0.55 (0.024) 0.5 1
Цилиндрические чип-резисторы и диоды
Типоразмер Ø, мм (дюйм) L, мм (дюйм) Вт
0102 1.1 (0.01) 2.2 (0.02) 1/4
0204 1.4 (0.02) 3.6 (0.04) 1/2
0207 2.2 (0.02) 5.8 (0.07) 1

Зарубежная маркировка SMD

В таблице ниже обобщена информация о маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм. Для компактности в настоящий справочный материал не включены приборы-двойники, имеющие одинаковую маркировку и одинаковое название, но производимые разными изготовителями. Например, транзистор BFR93A выпускается не только фирмой Siemens, но и Philips Semiconductors, и Temic Telefunken.

Таблица маркировочных кодах полупроводниковых приборов ведущих зарубежных фирм.

Среди 18 представленных типов корпусов наиболее часто встречается SOT-23 – Small Outline Transistor. Он имеет почтенный возраст и пережил несколько попыток стандартизации.

Выше были приведены нормы конструктивных допусков, которыми руководствуются разные фирмы. Несмотря на рекомендации МЭК, JEDEC, EIAJ, двух абсолютно одинаковых типоразмеров в табл.1 найти невозможно.

Приводимые сведения будут подспорьем специалистам, ремонтирующим импортную радиоаппаратуру. Зная маркировочный код и размеры ЭРЭ, можно определить тип элемента и фирму-изготовитель, а затем по каталогам найти электрические параметры и подобрать возможную замену.

Кроме того, многие фирмы используют свои собственные названия корпуса. Следует отметить, что отечественные типы корпусов, такие как КТ-46 – это аналог SOT-23, KT-47 – это аналог SOT-89, КТ-48 – это аналог SOT-143, были гостированы еще в 1988 году.

Выпущенные за это время несколько десятков разновидностей отечественных SMD-элементов маркируют, как правило, только на упаковочной таре, транзисторы КТ3130А9 – еще и разноцветными метками на корпусе. Самые “свежие” типы корпусов – это SOT-23/5 (или, по-другому, SOT-23-5) и SOT-89/5 (SOT-89-5), где цифра “5” указывает на количество выводов.

Назвать такие обозначения удачными – трудно, поскольку их легко можно перепутать с трехвыводными SOT-23 и SOT-89. В продолжение темы заметим, что появились сообщения о сверхминиатюрном 5-выводном корпусе SOT-323-5 (JEDEC specification), в котором фирма Texas Instruments планирует выпускать логические элементы PicoGate Logic серии ACH1G и ACHT1G.

Из всех корпусов “случайным” можно назвать относительно крупногабаритный SOT-223. Обычно на нем помещаются если не все, то большинство цифр и букв названия ЭРЭ, по которым однозначно определяется его тип. Несмотря на миниатюрность SMD-элементов, их параметры, включая рассеиваемую мощность, мало чем отличаются от корпусных аналогов.

Для сведения, в справочных данных на транзисторы в корпусе SOT-23 указывается максимально допустимая мощность 0,25-0,4 Вт, в корпусе SOT-89 – 0,5-0,8 Вт, в корпусе SOT-223 – 1-2 Вт.

Маркировочный код элементов может быть цифровым, буквенным или буквенно-цифровым. Количество символов кода от 1 до 4, при этом полное наименование ЭРЭ содержит 5-14 знаков.

Самые длинные названия применяют:

  • американская фирма Motorola,
  • японская Seiko Instruments
  • тайваньская Pan Jit.
Код Тип ЭРЭ Фирма Рис. Код Тип ЭРЭ Фирма Рис.
7E MUN5215DW1T1 K2 MO 2Q
11 MUN5311DW1T1 L3 MO 2Q 7F MUN5216DW1T1 K2 MO 2Q
12 MUN5312DW1T1 L3 MO 2Q 7G MUN5230DW1T1 K2 MO 2Q
12 INA-12063 U2 HP 2Q 7H MUN5231DW1T1 K2 MO 2Q
13 MUN5313DW1T1 L3 MO 2Q 7J MUN5232DW1T1 K2 MO 2Q
14 MUN5314DW1T1 L3 MO 2Q 7K MUN5233DW1T1 K2 MO 2Q
15 MUN5315DW1T1 L3 MO 2Q 7L MUN5234DW1T1 K2 MO 2Q
16 MUN5316DW1T1 L3 MO 2Q 7M MUN5235DW1T1 K2 MO 2Q
BC847S N5 SI 2Q 81 MGA-81563 U1 HP 2Q
1P BC847PN P6 SI 2Q 82 INA-82563 U1 HP 2Q
31 MUN5331DW1T1 L3 MO 2Q 86 INA-86563 U1 HP 2Q
32 MUN5332DW1T1 L3 MO 2Q 87 INA-87563 U1 HP 2Q
33 MUN5333DW1T1 L3 MO 2Q 91 IAM-91563 U1 HP 2Q
34 MUN5334DW1T1 L3 MO 2Q A2 MBT3906DW1T1 P5 MO 2Q
35 MUN5335DW1T1 L3 MO 2Q A3 MBT3906DW9T1 P5 MO 2Q
36 ATF-36163 A1 HP 2Q A4 BAV70S E4 SI 2Q
3C BC857S P5 SI 2Q E6 MDC5001T1 U3 MO 2Q
3X MUN5330DW1T1 L3 MO 2Q H5 MBD770DWT1 F2 MO 2Q
46 MBT3946DW1T1 P6 MO 2Q II AT-32063 N2 HP 2Q
51 INA-51063 U2 HP 2Q M1 CMY200 U1 SI 2R
52 INA-52063 U2 HP 2Q M4 MBD110DWT1 F2 MO Q
54 INA-54063 U2 HP 2Q M6 MBF4416DW1T1 A3 MO 2Q
6A MUN5111DW1T1 L2 MO 2Q MA MBT3904DW1T1 N5 MO 2Q
6B MUN5112DW1T1 L2 MO 2Q MB MBT3904DW9T1 N5 MO 2Q
6C MUN5113DW1T1 L2 MO 2Q MC BFS17S N5 SI 2Q
6D MBF5457DW1T1 A3 MO 2Q RE BFS480 N5 SI 2Q
6D MUN5114DW1T1 L2 MO 2Q RF BFS481 N5 SI 2Q
6E MUN5115DW1T1 L2 MO 2Q RG BFS482 N5 SI 2Q
6F MUN5116DW1T1 L2 MO 2Q RH BFS483 N5 SI 2Q
6G MUN5130DW1T1 L2 MO 2Q T4 MBD330DWT1 F2 MO 2Q
6H MUN5131DW1T1 L2 MO 2Q W1 BCR10PN L3 SI 2Q
6J MUN5132DW1T1 L2 MO 2Q WC BCR133S K2 SI 2Q
6K MUN5133DW1T1 L2 MO 2Q WF BCR08PN L3 SI 2Q
6L MUN5134DW1T1 L2 MO 2Q WK BCR119S K2 SI 2Q
6M MUN5135DW1T1 L2 MO 2Q WM BCR183S K2 SI 2Q
7A MUN5211DW1T1 K2 MO 2Q WP BCR22PN L3 SI 2Q
7B MUN5212DW1T1 K2 MO 2Q Y2 CLY2 A1 SI 2R
7C MUN5213DW1T1 K2 MO 2Q 6s CGY60 U1 SI 2R
7D MUN5214DW1T1 K2 MO 2Q Y7s CGY62 U1 SI 2R

Будет интересно Что такое фотодиод

Группа смд корпусов по их названию

Название Расшифровка кол-во выводов
SOT small outline transistor 3
SOD small outline diode 2
SOIC small outline integrated circuit >4, в две линии по бокам
TSOP thin outline package (тонкий SOIC) >4, в две линии по бокам
SSOP усаженый SOIC >4, в две линии по бокам
TSSOP тонкий усаженный SOIC >4, в две линии по бокам
QSOP SOIC четвертного размера >4, в две линии по бокам
VSOP QSOP ещё меньшего размера >4, в две линии по бокам
PLCC ИС в пластиковом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J >4, в четыре линии по бокам
CLCC ИС в керамическом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J >4, в четыре линии по бокам
QFP квадратный плоский корпус >4, в четыре линии по бокам
LQFP низкопрофильный QFP >4, в четыре линии по бокам
PQFP пластиковый QFP >4, в четыре линии по бокам
CQFP керамический QFP >4, в четыре линии по бокам
TQFP тоньше QFP >4, в четыре линии по бокам
PQFN силовой QFP без выводов с площадкой под радиатор >4, в четыре линии по бокам
BGA Ball grid array. Массив шариков вместо выводов массив выводов
LFBGA низкопрофильный FBGA массив выводов
CGA корпус с входными и выходными выводами из тугоплавкого припоя массив выводов
CCGA СGA в керамическом корпусе массив выводов
μBGA  микро BGA массив выводов
FCBGA Flip-chip ball grid array. Массив шариков на подложке, к которой припаян кристалл с теплоотводом массив выводов
LLP безвыводной корпус

Все это большое разнообразие электронных элементов обычному радиолюбителю может и не потребоваться, но знать о них нужно, мало ли что. Для паяльщика, который творит у себя дома, вполне может хватить перечня из основных деталей, которыми обычно пользуются все радиолюбители.

Виды записи

Производители транзисторов применяют два основных типа шифрования – это цветовая и кодовая маркировки. Однако ни один, ни другой не имеют единых стандартов. Каждый завод, производящий полупроводниковые приборы (транзисторы, диоды, стабилитроны и т. д.), принимает свои кодовые и цветовые обозначения. Можно встретить транзисторы одной группы и типа, изготовленные разными заводами, и маркированы они будут по-разному. Или наоборот: элементы будут различными, а обозначения на них – идентичными. В таких случаях различать их можно только по дополнительным признакам. Например, по длине выводов эмиттера и коллектора либо по окраске противоположной (или торцевой) поверхности. Маркировка полевых транзисторов ничем не отличается от меток на других приборах. Такая же ситуация и с полупроводниковыми элементами зарубежного производства: каждым заводом-изготовителем применяются свои типы обозначений.

2-1 2-2 2-3 2-4

Расположение и назначение выводов    A B C D E FАналоги корпусовТипоразмеры SMD корпусов

    код                 Тип                    Примечание       Рисунок/корпус
25B 1PMT5925B стабилитрон 10В 37 mA E1 /DO216AA
26 MMBD2103 2 MMBD1201 A4 / SOT23
26 DTC144EKA n-p-n тр.R1,R2=47k A14 / SC59
26 DTC144EUA n-p-n тр.R1,R2=47k A14 / SC70
27 MMBD2104 2 MMBD1201 A2 / SOT23
27 SML4750 стабилитрон 27В 9.5 mA E2/
27 U1ZB27 стабилитрон 27В 10 mA E2/
27B 1PMT5927B стабилитрон 12В 31 mA E1 /DO216AA
270 U1ZB270 стабилитрон 270В 0.5 mA E2/
270X U1ZB270-X стабилитрон 250 — 270В 0.5 mA E2/
270Y U1ZB270-Y стабилитрон 260 — 280В 0.5 mA E2/
270Z U1ZB270-Z стабилитрон 270 — 290В 0.5 mA E2/
27A P6SMB27AT3 супрессор 27В 1 mA E2/
27C P6SMB27CAT3 супрессор 27В 1 mA E2/
27V PZM27NB стабилитрон 27В 300мВт A3 / SOT346
27Y BZV49-C27 стабилитрон 27В 1Вт C8 / SOT89
28 BFP280T n-p-n СВЧ транзистор C1 /
28 MMBD2105 2 MMBD1201 A1 / SOT23
-28 PDTA114WU p-n-p  транзистор A14 / SOT323
29 MMBD1401 кремниевый диод A3 / SOT23
29 DTC115EE n-p-n тр.R1,R2=100k A14 / EMT3
29 DTC144EUA n-p-n тр.R1,R2=100k A14 / SC70
29 DTC144EKA n-p-n тр.R1,R2=100k A14 / SC59
29B 1PMT5929B стабилитрон 15В 25 mA E1 /DO216AA
200 SSTPAD200 диод * A10 /
201 PZM20NB1 стабилитрон 20В 300мВт A3 / SOT346
202 PZM20NB2 стабилитрон 20В 300мВт A3 / SOT346
203 PZM20NB3 стабилитрон 20В 300мВт A3 / SOT346
221 PZM22NB1 стабилитрон 22В 300мВт A3 / SOT346
222 PZM22NB2 стабилитрон 22В 300мВт A3 / SOT346
223 PZM22NB3 стабилитрон 22В 300мВт A3 / SOT346
241 PZM24NB стабилитрон 24В 300мВт A3 / SOT346
242 PZM24NB стабилитрон 24В 300мВт A3 / SOT346
271 PZM2.7NB1 стабилитрон 2.7В 300мВт A3 / SOT346
272 PZM2.7NB2 стабилитрон 2.7В 300мВт A3 / SOT346
     код                Тип                     Примечание       Рисунок/корпус
2A MMBT3906L аналог 2N3906 A14 / SOT23
2A MMBT3906W аналог 2N3906 A14 / SOT323
2A FMMT3906 аналог 2N3906 A14 / SOT23
2A SXT3906 p-n-p  транз. 40V 200mA A7 / SOT89
t2A PMBT3906 аналог 2N3906 A14 / SOT23
t2A PMST3906 аналог 2N3906 A14 / SOT323
p2A PMBT3906 аналог 2N3906 A14 / SOT23
p2A PXT3906 аналог 2N3906 C8 / SOT89
2A4 PZM2.4NB2A 2 стабилитрона 2.4В A1 / SOT346
2A7 PZM2.7NB2A 2 стабилитрона 2.7В A1 / SOT346
2AR 2SC5026R n-p-n транз. 80V 1A A7 / SOT89
2AS 2SC5026S n-p-n транз. 80V 1A A7 / SOT89
2B BC849B аналог BC549B A14 / SOT23
2Bs BC849B аналог BC549B A14 / SOT23
2Bs BC849BW аналог BC549B A14 / SOT323
2Bp BC849B аналог BC549B A14 / SOT23
2Bs BC849BW аналог BC549B A14 / SOT323
2B- BC849BW аналог BC549B A14 / SOT323
2B FMMT2907 аналог 2N2907 A14 / SOT23
2B MMBT2907 аналог MPS2907 A14 / SOT23
p2B PMBT2907 аналог 2N2907 A14 / SOT23
t2B PMBT2907 аналог 2N2907 A14 / SOT23
2BR BC849BR аналог BC549B A15 / SOT23R
2BZ FMMT2907 аналог 2N2907 A14 / SOT23
2C BC849C аналог BC549C A14 / SOT23
2Cs BC849C аналог BC549C A14 / SOT23
2Cs BC849CW аналог BC549C A14 / SOT323
2Cp BC849C аналог BC549C A14 / SOT23
2Ct BC849C аналог BC549C A14 / SOT23
2Ct BC849CW аналог BC549C A14 / SOT323
2C- BC849CW аналог BC549C A14 / SOT323
2C MMBTA70 аналог MPSA70 A14 / SOT23
2CR BC849CR аналог BC549C A15 / SOT23R
2CZ FMMTA70 аналог MPSA70 A14 / SOT23
2D MMBTA92 p-n-p транз.аналог MPSA92 A14 / SOT23

Маркировка транзисторов в соответствии с советской системой классификации.

У транзисторов,разработанных до 1964
года условные обозначения типа состоят из двух или трех элементов.
Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно,
транзистором.
Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала
модернизацию.

Второй элемент обозначения — одно, двух или
трехзначное число, которое определяет порядковый
номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала,
значениям допустимой рассеиваемой мощности и
граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и
СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ
мощные транзисторы.
Третьим элементом может быть буква, определяющая классификацию по параметрам транзисторам, изготовленной по одной технологии.
Например: МП42 — транзистор германиевый, низкочастотный, маломощный, номер разработки — 42
П401 — транзистор германиевый, маломощный,высокочастотный, номер разработки — 1.

Начиная с 1964 года была введена другая система обозначений, действовшая до 1978 года.
Ее появление было связано с появлением большого числа новых серий разнообразных
полупроводниковых приборов, в частности — полевых транзисторов.
Для обозначения исходного материала используются следующие символы(первый элемент обозначения):
Буква Г или цифра 1 — германий.
Буква К или цифра 2 — кремний.
Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.
Второй элемент — буква Т, означает биполярный
транзистор, буква П — транзистор полевый.
В качестве третьего элемента обозначения используются девять цифр, характеризующих подклассы транзисторов по значениям рассеиваемой мощности и граничной частоты.
1 -транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4- транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 -транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6-транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные
и СВЧ.
7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8- транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
Четвертый и пятый элементы обозначения —
определяют порядковый номер разработки.
Пример: КТ315А кремниевый биполярный транзистор,
маломощный, высокочастотный,подкласс А.
С 1978 года были введены изменения,
первые два символа обозначающие материал
и подкласс транзистора остались преждними.
Изменения коснулись обозначения функциональных
возможностей — третьего элемента.
Для биполярных транзисторов:
1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2- транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.

Те же обозначения действительны и для полевых транзисторов.
Для обозначения порядкового номера разработки
используют трехзначные числа от 101 до 999(следующие три знака).
Для дополнительной классификации используют
буквы русского алфавита, от А до Я.
Цифра, написанная через дефис после седьмого элемента — обозначения модификаций бескорпусных транзисторов:
1 — с гибкими выводами без кристаллодержателя.
2 -с гибкими выводами на кристаллодержателе.
3 — с жесткими выводами без кристаллодержателя.
4 — с жесткими выводами на кристаллодержателе.
5 — с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
6 — с контактными площадками на кристаллодержателе, но без выводов.
Пример:КТ2115А-2 кремниевый биполярный транзистор для устройств широкого применения,
маломощный, высокочастотный, бескорпусный с гибкими выводами на кристаллодержателе.
В общем, — без хорошего каталога не разберешься.

DIP светодиоды

Сокращение DIP расшифровывается как Direct In-line Package. Именно их в первую очередь начали массово выпускать в недалеком прошлом.

Трудно представить, но первые неказистые экземпляры для рядовых пользователей стоили от 200$ за штуку.

На сегодняшний день они уже не так распространены, но все же применяются:

в устройствах индикации

в панелях электронных приборов

световых табло

или елочных украшениях

По форме корпуса они могут быть круглыми, овальными или прямоугольными. Самые популярные типоразмеры с выпуклыми линзами – 3,5,8,10мм.

Напряжение питания 2,5-5В, при токе до 25мА.

Бывают разноцветными и многоцветными (RGB). Это когда в одном корпусе спрятано 3 перехода, а внизу есть 4 вывода.

В электрических схемах все светодиоды обозначаются как обычный диод с двумя стрелочками.

Несмотря на малые размеры и свою “древность”, отдельные модели из-за специфической формы корпуса, могут выдать в 1,5-2 раза больше яркости, чем некоторые SMD.

К тому же потребление энергии у DIP меньше чем SMD, да и стоят они дешевле. Однако SMD технология не стоит на месте и с каждым годом их параметры стремительно сближаются.

Группа – 4

Микросхемы этой группы используются в тех случаях, когда необходимо преобразовать напряжение 2,5 – 5,0 вольт в более высокое напряжение ряда 3,3 – 5,0 – 12,0 – 15,0 вольт. Такие преобразователи часто применяются в планшетах, модемах, мониторах и телевизорах, зарядных устройствах, электронных книгах с e-ink дисплеями, устройствах с батарейным питанием.

Специализированные повышающие преобразователи, применяемые для питания светодиодов подсветки экрана, рассматриваются здесь.

Назначение выводов:

  • IN — входное напряжение питания 2,5…5в. (Для некоторых типов до 28в.)
  • GND — земля, общий провод.
  • EN – напряжение включения. При подаче напряжения логической единицы на этот вывод микросхема включается, при соединении с землей — отключается.
  • SW — выход для подключения дросселя.
  • FB — напряжение обратной связи (0,6…1,3в).

Напряжение на выходе преобразователя зависит от соотношения номиналов резисторов R1, R2 и рассчитывается по формуле:

R1 = (Vout / Vfb -1) • R2

здесь Vfb – значение напряжения на входе FB, в.

Значение Vfb указано в таблице для каждой микросхемы. При подборе аналога необходимо брать микросхему с тем же значением Vfb, иначе выходное напряжение сильно изменится. Это может повредить устройство.

Конденсатор C3 служит для повышения стабильности генерации. Обычно он имеет емкость 22 пф, но некоторые производители им пренебрегают. Конденсаторы С1, С4 рекомендуется устанавливать емкостью от 4 до 10 мкф.

Маркировка DC/DC преобразователей в корпусе SOT23-5

Условные обозначения: y – буква, код года изготовления

m – буква, код месяца изготовления

w – буква, код недели изготовления

a – буква, код места изготовления

p – буква, код партии

Маркировка DC/DC преобразователей в корпусе SOT23-6

Условные обозначения: y – буква, код года изготовления

m – буква, код месяца изготовления

w – буква, код недели изготовления

a – буква, код места изготовления

p – буква, код партии