1gw smd транзистор

Содержание

DIP светодиоды

Сокращение DIP расшифровывается как Direct In-line Package. Именно их в первую очередь начали массово выпускать в недалеком прошлом.

Трудно представить, но первые неказистые экземпляры для рядовых пользователей стоили от 200$ за штуку.

На сегодняшний день они уже не так распространены, но все же применяются:

в устройствах индикации

в панелях электронных приборов

световых табло

или елочных украшениях

По форме корпуса они могут быть круглыми, овальными или прямоугольными. Самые популярные типоразмеры с выпуклыми линзами – 3,5,8,10мм.

Напряжение питания 2,5-5В, при токе до 25мА.

Бывают разноцветными и многоцветными (RGB). Это когда в одном корпусе спрятано 3 перехода, а внизу есть 4 вывода.

В электрических схемах все светодиоды обозначаются как обычный диод с двумя стрелочками.

Несмотря на малые размеры и свою “древность”, отдельные модели из-за специфической формы корпуса, могут выдать в 1,5-2 раза больше яркости, чем некоторые SMD.

К тому же потребление энергии у DIP меньше чем SMD, да и стоят они дешевле. Однако SMD технология не стоит на месте и с каждым годом их параметры стремительно сближаются.

Биполярный транзистор L8550 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: L8550

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85

Корпус транзистора:

L8550
Datasheet (PDF)

0.1. l8550m.pdf Size:407K _blue-rocket-elect

L8550M Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-23 PNP Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package. / Features L8050M Complementary pair with L8050M. / Applications Power amplifier applications. / Equivalent Circuit / Pinning 3 2

0.2. l8550.pdf Size:603K _blue-rocket-elect

L8550(BR3CA8550K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 PNP Silicon PNP transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features PC, IC , L8050(BR3DA8050K) High PC and IC, complementary pair with L8050(BR3DA8050K). / Applications 2W 2W output amplifier of portable radios in cl

 0.3. l8550plt1g.pdf Size:234K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550PLT1G SeriesPNP SiliconS-L8550PLT1GFEATURE SeriesWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.312DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONSOT

0.4. l8550hslt1g.pdf Size:83K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L8550HPLT1GGeneral Purpose TransistorsSeriesS-L8550HPLT1GPNP SiliconFEATURESeries High current capacity in compact package. Epitaxial planar type.3 PNP complement: L8550H We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site1and Control Change Requir

 0.5. l8550hplt1g.pdf Size:89K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.L8550HPLT1GGeneral Purpose TransistorsSeriesPNP Silicon S-L8550HPLT1GSeriesFEATURE High current capacity in compact package. Epitaxial planar type.3 PNP complement: L8550H We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1and Control Change Requirem

0.6. l8550hqlt1g.pdf Size:85K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550HPLT1GSeriesPNP SiliconS-L8550HPLT1GFEATURESeries High current capacity in compact package. Epitaxial planar type. PNP complement: L8550H3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site1and Control Change Requir

0.7. l8550qlt1g.pdf Size:202K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550PLT1G SeriesPNP SiliconS-L8550PLT1GFEATURE SeriesWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.312DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATIONSOT

0.8. l8550hrlt1g.pdf Size:84K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsL8550HPLT1GSeriesPNP SiliconS-L8550HPLT1GFEATURESeries High current capacity in compact package. Epitaxial planar type. PNP complement: L8550H 3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1and Control Change Requir

Другие транзисторы… KSA928T
, KSC2328T
, KTA1273T
, KTC2022I
, KTC3199M
, KTC3205T
, L8050
, L8050M
, 2N2222
, L8550M
, M28M
, MJE13009ZJ
, MMBR911
, MMBT5401T
, MMBT5551T
, MMBTA42T
, MMBTA44N
.

О многослойных платах

Монтаж в аппаратуре с SMD компонентами часто бывает достаточно плотным. Поэтому и дорожек самим платам надо больше, чтобы при дальнейшей эксплуатации не возникало проблем. На одну поверхность все дорожки влезть не могут, потому и был разработан многослойный вариант плат.

В плате будет больше слоёв, если само оборудование применяют достаточно сложное. Прямо внутри платы размещаются сами дорожки, увидеть их практически невозможно. Платы компьютеров и мобильных телефонов — пример использования подобных технологий на практике.

Обратите внимание! При перегреве многослойных плат они просто вздуваются, как пузырь. Межслойные связи начинают рваться, из-за чего главный компонент выходит из строя

Правильно подобранная температура — самый важный фактор при любом ремонте.

Иногда применяют обе стороны печатной платы для работы. Из-за этого плотность монтажа становится в два раза больше. Ещё одно преимущество современных SMT технологий. Материала для производства таких компонентов тоже уходит в несколько раз меньше. Себестоимость благодаря такой конструкции уменьшают.

Допустимые схемы

Модификации и маркировка транзистора S8050

Модель PC UCB UCE UBE IC TJ fT Cob hFE Корпус Маркировка
S8050A 0,625 40 25 6 0,8 150 100 9 85 TO-92
GS8050T 0,625 40 25 6 0,8 150 100 9 45 TO-92
GSTSS8050 1 40 25 5 1,5 150 100 85 TO-92
MPS8050 0,625 40 25 6 1,5 150 190 9 85 TO-92
S8050A/B/C/D/G 0,625 40 25 6 0,8/0,5 150 100/150 9 85…300 TO-92
S8050T 0,625 40 25 6 0,5 150 150 85 TO-92
SPS8050 0,625 15 12 6,5 1,5 150 260 5 200 TO-92
SS8050/C/D/G 1 40 25 5 1,5 150 100 85…400 TO-92
SS8050T 1 40 25 5 1,5 150 100 85 TO-92
STS8050 0,625 30 25 6 0,8 150 120 19 85 TO-92
Транзисторы исполнения SMD и их маркировка
MMSS8050W-H/J/L 0,2 40 25 5 1,5 150 100 15 120…400 SOT-323 Y1
S8050W 0,25 40 25 6 0,8 150 100 9 85 SOT-323 Y1
SS8050W 0,2 40 25 5 1,5 150 100 120 SOT-323 Y1
GSTSS8050LT1 0,225 40 25 5 1,5 150 100 100 SOT-23 1HA
MMSS8050-L/H 0,3 40 25 5 0,5 150 150 120…350 SOT-23 Y1
MPS8050S 0,35 40 25 6 1,5 150 190 85 SOT-23
MPS8050SC 0,35 40 25 5 1,2 150 150 85…300 SOT-23
MS8050-H/L 0,2 40 25 6 0,8 150 150 80…300 SOT-23 Y11
S8050 0,3 40 25 5 0,5 150 150 120 SOT-23
S8050M-/B/C/D 0,45 40 25 6 0,8 150 100 9 85…300 SOT-23 HY3B/C/D
SS8050LT1 0,225 40 25 5 1,5 150 150 120 SOT-23 KEY
KST8050D 0,25 50 50 6 1,2 150 100 100…320 SOT-23 Y1C, Y1D
KST8050M 0,3 40 25 6 0,8 150 150 40…400 SOT-23 Y11
KST8050X 0,3 40 20 5 1,5 150 100 20 40…350 SOT-23 Y1+
KST9013 0,3 40 25 5 0,5 150 150 200…400 SOT-23 J3
KST9013C 0,3 40 25 5 0,5 150 150 40…200 SOT-23 J3Y
S8050LT1 0,3 40 25 5 0,5 150 150 120 SOT-23 J3Y
MMS8050-L/H 0,3 40 25 5 0,5 150 150 50…350 SOT-23 J3Y
DMBT8050 0,3 40 25 5 0,8 150 100 120 SOT-23 J3Y
KST8050S 0,3 40 25 5 0,5 150 150 50…400 SOT-23 J3Y
KTD1304S 0,2 25 20 12 0,3 150 50 10 20…800 SOT-23 J3Y
KTD1304 0,2 25 20 12 0,3 150 60 20…1000 SOT-23 J3Y или MAX

Миниатюрные размеры SMD-корпусов (SOT-23, SOT-323) не позволяют производителю использовать традиционные способы маркировки продукции. Поэтому обычно применяется 2-4 символьный буквенно-цифровой код, наносимый на лицевую поверхность корпуса. Какая-либо единая система среди производителей отсутствует. Кроме того, некоторые предприятия используют одинаковые обозначения, не позволяющие однозначно идентифицировать производителя. Во многих случаях отличающиеся одним символом коды используются и для обозначения групп одного и того же изделия в разных диапазонах значений параметра hFE.

Наиболее часто встречающийся маркировочный код “J3Y” соответствует транзисторам S8050 компаний-производителей: «DC COMPONENTS», «KEXIN», «SECOS», «Jin Yu Semiconductor», «LGE», «WEITRON», «MCC», «GLOBALTECH Semiconductor», «Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technologies».

Маркировка SMD диодов — справочник кодовых обозначений

Маркировка SMD диодов фирмы Hewlett Packard

# Конфигурация Тип корпуса Цоколевка
Одиночный диод SOT23 D1a
2 Два последовательно включенных диода SOT23 D1i
3 Два диода с общим анодом SOT23 D1j
4 Два диода с общим катодом SOT23 D1h
5 Два отдельных диода SOT143 D6d
7 Кольцо из четырех диодов SOT143 D6c
8 Мост из четырех диодов SOT143 D6a
9 Перевернутая четверка диодов SOT143
B Одиночный диод SOT323 D2a
C Два последовательно включенных диода SOT323 D2b
E Два диода с общим анодом SOT323 D2c
F Два диода с общим катодом SOT323 D2d
K Два отдельных диода SOT363 D7b
L Три отдельных диода SOT363 D7f
M Четыре диода с общим катодом SOT363 D7g
N Четыре диода с общим анодом SOT363 D7h
P Мост из четырех диодов SOT363 D7i
R Кольцо из четырех диодов SOT363 D7j
T Диод с низкой индуктивностью SOT363
U Последовательно-параллельная пара диодов SOT363

Маркировка SMD диодов в цилиндрических корпусах

Тип 1 полоса 2 полоса Эквивалент
BA682 Красная Нет BA482
BA683 Красная Желтая BA483
BAS32 Черная Нет 1N4148
BAV100 Зеленая Черная BAV18
BAV101 Зеленая Красная BAV19
BAV102 Зеленая Красная BAV20
BAV103 Зеленая Желтая BAV21
BB219 Нет Нет BB909

Маркировка диодов и диодных сборок

Наименование Маркировка Кол-во диодов Обратное напр. Прямой ток Время рас. Емкость диода Корпус
LL 4148 один 70 В 100 мА 4 нс 4,0 пФ mini-МELF
BAS 216 один 75 В 250 мА 4 нс 1,5 пф SOD110
BAT254 NEW один 30 В 200 мА 5 нс 10 пФ SOD110
BAS 16 JU/A6 один 75 В 200 мА 6 нс 2,0 пФ SOT23
BAS 21 JS один 200 В 200 мА 50 нс 5 пФ SOT23
BAV 70 JJ/A4 2 диода 70 В 250 мА 6 нс 1,5 пФ SOT23
BAV 99 JK, JE, A7 2 диода 70 В 250 мА 6 нс 1,5 пФ SOT23
BAW 56 JD, A1 2 диода 70 В 250 мА 6 нс 2,0 пФ SOT23
BAT54S L44 2 шотки 30 В 200 мА 5 нс 10 пФ SOT23
BAT54C L43 2 шотки 30 В 200 мА 5 нс 10 пФ SOT23
BAV23S L31 2 диода 200В 225 мА 50 нс 5 пФ SOT23

Маркировка стабилитронов BZX84

Тип Маркировка Uст при 5мА min Uст при 5мА nom Uст при 5мА max Max R ДИФ Uст в диапазоне -60 … +125°С
BZX84C2V7 W4 2,4B 2,7B 3,1B 85 Oм -0,06%
BZX84C3V0 W5 2,8B 3,0B 3,2B 85 Oм -0,06%
BZX84C3V3 W6 3,1В 3,3В 3,5В 85 Ом -0,06%
BZX84C3V9 W8 3,7В 3,9В 4,1В 85 Ом -0,06%
BZX84C4V3 Z0 4,1B 4,3B 4,5B 80 Ом -0,03%
BZX84C4V7 Z1 4,4В 4,7В 5,0В 80 Ом -0,03%
BZX84C5V1 Z2 4,9B 5,1B 5,3B 60 Ом 0,03%
BZX84C5V6 Z3 5,2В 5,6В 6,0В 40 Ом 0,03%
BZX84C6V2 Z4 5,8В 6,2В 6,6В 10 Ом 0,05%
BZX84C6V8 Z5 6,4В 6,8В 7,2В 15 Ом 0,05%
BZX84C7V5 Z6 7,1В 7,5В 7,9В 15 Ом 0,05%
BZX84C8V2 Z7 7,7В 8,2В 8,7В 15 Ом 0,06%
BZX84C9V1 Z8 8,8В 9,1В 9,5В 20 Ом 0,05%
BZX84C10 Z9 9,4В 10,0В 10,6В 20 Ом 0,07%
BZX84C12 Y2 11,4В 12,0В 12,7В 25 Ом 0,07%
BZX84C15 Y4 13,8В 15,0В 15,6В 30 Ом 0,08%
BZX84C18 Y6 16,8В 18,0В 19,1В 45 Ом 0,08%
BZX84C20 Y8 17,8В 20,0В 21,0В 45 Ом 0,08%

Маркировка стабилитронов BZT52

Тип Маркировка Uст при 5мА min Uст при 5мА nom Uст при 5мА max Max R ДИФ Uст в диапазоне -60 … +125°С
BZT52-C3V3S W4 3,1B 3,3B 3,5B 95 Oм -0,055%
BZT52-C3V9S W6 3,7B 3,9B 4,1B 95 Oм -0,050%
BZT52-C4V3S W7 4,0В 4,3В 4,6В 95 Ом -0,035%
BZT52-C4V7S W8 4,4В 4,7В 5,0В 75 Ом -0,015%
BZT52-C5V1S W9 4,8B 5,1B 5,4B 60 Ом -0,005%
BZT52-C6V8S WB 6,4B 6,8B 7,2B 8 Ом 0,045%

Как проверить SMD компоненты

Предыдущая запись Маркировка SMD транзисторов — кодовые обозначения

Следующая запись Маркировка SMD конденсаторов — коды электролитических емкостей

Корпуса чип-компонентов

Достаточно условно все компоненты поверхностного монтажа можно разбить на группы по количеству выводов и размеру корпуса: 

выводы/размер Очень-очень маленькие Очень маленькие Маленькие Средние
2 вывода SOD962 (DSN0603-2), WLCSP2*, SOD882 (DFN1106-2), SOD882D (DFN1106D-2), SOD523, SOD1608 (DFN1608D-2) SOD323, SOD328 SOD123F, SOD123W SOD128
3 вывода SOT883B (DFN1006B-3), SOT883, SOT663, SOT416 SOT323, SOT1061 (DFN2020-3) SOT23 SOT89, DPAK (TO-252), D2PAK (TO-263), D3PAK (TO-268) 
4-5 выводов WLCSP4*, SOT1194, WLCSP5*, SOT665 SOT353 SOT143B, SOT753 SOT223, POWER-SO8
6-8 выводов SOT1202, SOT891, SOT886, SOT666, WLCSP6* SOT363, SOT1220 (DFN2020MD-6), SOT1118 (DFN2020-6) SOT457, SOT505 SOT873-1 (DFN3333-8), SOT96
> 8 выводов WLCSP9*, SOT1157 (DFN17-12-8), SOT983 (DFN1714U-8) WLCSP16*, SOT1178 (DFN2110-9), WLCSP24* SOT1176 (DFN2510A-10), SOT1158 (DFN2512-12), SOT1156 (DFN2521-12) SOT552, SOT617 (DFN5050-32), SOT510

Конечно, корпуса в таблице указаны далеко не все, так как реальная промышленность выпускает компоненты в новых корпусах быстрее, чем органы стандартизации поспевают за ними. 

Корпуса SMD-компонентов могут быть как с выводами, так и без них. Если выводов нет, то на корпусе есть контактные площадки либо небольшие шарики припоя (BGA). Также в зависимости от фирмы-производителя детали могут могут различаться маркировкой и габаритами. Например, у конденсаторов может различаться высота. 

Большинство корпусов SMD-компонентов предназначены для монтажа с помощью специального оборудования, которое радиолюбители не имеют и врядли когда-нибудь будет иметь. Связано это с технологией пайки таких компонентов. Конечно, при определённом упорстве и фанатизме можно и в домашних условиях паять BGA-микросхемы. 

Типы корпусов SMD по названиям 

Название Расшифровка кол-во выводов
SOT small outline transistor 3
SOD small outline diode 2
SOIC small outline integrated circuit >4, в две линии по бокам
TSOP thin outline package (тонкий SOIC) >4, в две линии по бокам 
SSOP усаженый SOIC >4, в две линии по бокам
TSSOP тонкий усаженный SOIC >4, в две линии по бокам
QSOP SOIC четвертного размера >4, в две линии по бокам
VSOP QSOP ещё меньшего размера >4, в две линии по бокам
PLCC ИС в пластиковом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J >4, в четыре линии по бокам 
CLCC ИС в керамическом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J  >4, в четыре линии по бокам 
QFP квадратный плоский корпус >4, в четыре линии по бокам 
LQFP  низкопрофильный QFP >4, в четыре линии по бокам 
PQFP  пластиковый QFP >4, в четыре линии по бокам 
CQFP  керамический QFP >4, в четыре линии по бокам 
TQFP  тоньше QFP >4, в четыре линии по бокам 
PQFN силовой QFP без выводов с площадкой под радиатор >4, в четыре линии по бокам 
BGA Ball grid array. Массив шариков вместо выводов массив выводов
LFBGA  низкопрофильный FBGA массив выводов
CGA  корпус с входными и выходными выводами из тугоплавкого припоя массив выводов
CCGA  СGA в керамическом корпусе массив выводов
μBGA  микро BGA массив выводов
FCBGA Flip-chip ball grid array. Массив шариков на подложке, к которой припаян кристалл с теплоотводом массив выводов
LLP безвыводной корпус  

Из всего этого зоопарка чип-компонентов для применения в любительских целях могут сгодиться: чип-резисторы, чип-конденсаторы , чип-индуктивности, чип-диоды и транзисторы, светодиоды, стабилитроны, некоторые микросхемы в SOIC корпусах. Конденсаторы обычно выглядят как простые параллелипипеды или маленькие бочонки. Бочонки — это электролитические, а параллелипипеды скорей всего будут танталовыми или керамическими конденсаторами.  

Светодиод SMD 5630: особенности и характеристики

Светодиод SMD 5630 – представляет класс высокоэффективных светодиодов средней мощности, предназначенных для поверхностного монтажа.

SMD 5630 производства Philips, Epistar, Samsung отличаются высоким коэффициентом цветопередачи, что позволяет конструировать на их основе светильники для качественного освещения внутри помещений.

В качестве примера рассмотрим светодиод LUXEON 5630 Mid-Power, выпускаемый компанией Philips lumileds.

Конструктивные особенности

SMD 5630 выполнен в корпусе размером 5,6х3,0х0,9 мм.

Электрический контакт осуществляется через 4 вывода, как показано на рисунке.

Они имеют следующее назначение:

  • 1 – катод;
  • 2 – катод;
  • 3 – анод;
  • 4 – не задействован.

По центру нижней части корпуса SMD 5630 предусмотрена контактная площадка размером 1,62х1,28 мм, предназначенная для эффективного отвода тепла от излучающего кристалла.

Во время монтажа она обязательно должна быть припаяна к печатной плате. При этом контакт теплоотвода электрически должен быть изолирован от анода и катода.

Для визуального определения анода и катода со стороны выводов катода на люминофоре имеется срез.

Технические характеристики

Белые светодиоды SMD 5630 на номинальном токе 100 мА излучают световой поток от 32 лм (2700К) до 36 лм (6500К). При этом падение напряжения на p-n-переходе может варьироваться от 2,9 до 3,4 В.

Для своих светодиодов Philips lumileds гарантирует коэффициент цветопередачи CRI не ниже 80 ед. и угол рассеивания света 2ϴ1/2 равный 120°.

Для пайки рекомендуется использовать низкотемпературные оловянные сплавы, придерживаясь международного стандарта JEDEC J-020B. Пайку светодиодов следует производить при температуре не выше 260°C на протяжении не более 10 сек.

Зависимость прямого напряжения от протекающего тока показана на вольт-амперной характеристике (t=25°C). Из приведенного графика следует, что падение напряжения на номинальном токе для большинства белых светодиодов SMD 5630 составляет 3,1 В. Яркость светодиода напрямую зависит от соблюдения его температурного режима работы. Как видно из графика повышение температуры в точках припоя до 85°C вызывает снижение светового потока примерно на 15%

В связи с этим очень важно избегать перегрева кристалла. Например, светодиодную ленту на SMD 5630 нужно обязательно клеить на алюминиевый профиль. На следующем графике показана зависимость светового потока от величины прямого тока

Полная светоотдача обеспечивается на токе 100 мА. При этом производитель светодиодов делает акцент на том, что замеры в контрольных точках с последующим построением характеристики производились при температуре 25°C

На следующем графике показана зависимость светового потока от величины прямого тока. Полная светоотдача обеспечивается на токе 100 мА. При этом производитель светодиодов делает акцент на том, что замеры в контрольных точках с последующим построением характеристики производились при температуре 25°C.

Область применения

Так же как и SMD 5730, светодиоды SMD 5630 устойчивы к вибрации и резким перепадам температуры (-40/+65°C), что в значительной мере расширяет их сферу применения.

Благодаря высоким эксплуатационным показателям, данный тип светодиодов устанавливают в светильники уличного, промышленного и аварийного освещения. В розничной торговой сети можно свободно купить светодиодные ленты и модули на 12 В, а также линейки на 220 В, собранные на базе SMD 5630.

Опираясь на технические данные, радиолюбителям будет несложно произвести расчёты и своими руками сделать подсветку на светодиодах SMD 5630.

К сожалению, найти в продаже фирменные светодиоды форм-фактора 5630 непросто. Вместо них на рынке превалируют китайские аналоги с сильно заниженными техническими характеристиками.

Такое несоответствие параметров объясняется установкой в корпус 5,6х3,0 мм кристалла значительно меньших размеров, который не может длительно пропускать ток в 150 мА.

Поэтому производители светодиодных ламп и лент, собранных на поддельных SMD 5630, подбирают рабочий ток на своё усмотрение, в результате чего снижается срок службы изделия.

Аналоги

Для замены подойдут транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные. Предназначены для применения в высокочастотных устройствах и узлах радиоэлектронной аппаратуры общего применения.

Производство российское и белорусское

Модель PC Ta = 25°C UCB UCE UBE IC TJ fT Cob hFE Корпус
S8050A 0,625 40 25 6 0,8 150 100 9 85 TO-92
КТ6111 А/Б/В/Г 1 40 25 6 0,1 150 100 1,7 45…630 TO-92
КТ6114 А/Б/В 0,45 50 45 5 0,1 150 150 3,5 60…1000 TO-92
КТ968 В 4 300 200 5 0,1 150 90 2,8 35…220 TO-39

Зарубежное производство

Модель PC UCB UCE UBE IC TJ fT Cob hFE Корпус
S8050A 0,625 40 25 6 0,8 150 100 9 85 TO-92
3DG8050A 0,625 40 25 6 0,8 150 100 9 85 TO-92
BC517S 0,625 40 30 10 1 150 200 33000 TO-92
BTN8050A3 0,625 40 25 6 1,5 150 100 6 160 TO-92
BTN8050BA3 0,625 40 25 6 1,5 150 100 160 TO-92
CX908B/C/D 0,625 40 25 6 1 150 100 120…260 TO-92
KTC3203 0,625 30 0,8 150 190 100 TO-92
KTC3211 0,625 40 25 6 1,5 150 190 9 85 TO-92
KTS8050 0,625 25 0,8 175 100 TO-92
M8050-C/D 0,625 40 25 6 150 150 120…160 TO-92
S8050 0,3 409 25 5 0,5 150 150 120 SOT-23
8050HQLT1 0,3 40 25 5 1,5 150 150 SOT-23
8050QLT1 0,3 40 25 5 0,8 150 150 SOT-23
8050SLT1 0,3 40 25 5 0,5 150 150 120 SOT-23
CHT9013GP 0,3 45 25 5 0,5 150 150 120 SOT-23
F8050HPLG 0,3 40 25 5 0,5 150 150 120 SOT-23
KTC9013SC 0,35 40 30 5 0,5 150 150 200 SOT-23
MMBT8050D 0,3 40 25 5 0,5 150 150 200 SOT-23
MMS9013-H/L 0,3 40 25 5 0,5 150 150 200 SOT-23
NSS40201L 0,54 40 25 4 150 150 120 SOT-23
NSS40201LT1G 0,54 40 40 6 2 150 200 SOT-23
NSV40201LT1G 0,54 40 40 6 2 150 150 200 SOT-23
PBSS4140T 0,3 40 40 5 1 150 150 300 SOT-23
S9013 0,3 40 25 5 0,8 150 150 120 SOT-23
ZXTN2040F 0,35 40 1 150 300 SOT-23
ZXTN25040DFL 0,35 40 1,5 190 300 SOT-23
ZXTN649F 0,5 25 3 200 SOT-23

Примечание: все данные в таблицах взяты из даташит компаний-производителей.

Расчёт мощности для выбора блока питания

Залог надёжной работы любой светодиодной ленты – это правильно подобранный блок питания. Выбирать БП для одноцветной led-ленты на SMD 5050 следует по двум параметрам: выходному напряжению и мощности, которую он способен выдать в нагрузку. Выходное напряжение БП должно совпадать с напряжением питания светодиодной ленты. В большинстве случаев оно равно 12 В, реже 24 В. Мощность рассчитывается исходя из длины ленты и её плотности. Для облегчения расчётов существует специальная таблица, где указана мощность потребления 1 метра с учётом типа светодиодов и плотности монтажа. Касательно ленты на SMD 5050 имеем следующие данные:

  • 30 led/m – 7,2 Вт;
  • 60 led/m – 14,4 Вт;
  • 120 led/m – 28,8 Вт;
  • 240 led/m – 57,6 Вт.

Здесь значения мощности указаны для режима максимальной яркости. Это значит, что RGB-лента, работая в режиме одно цвета, будет потреблять энергии в 3 раза меньше, т.к. задействован будет только 1 из 3 кристаллов.

Мощность БП определим по формуле:

  • P1м – мощность потребления одного метра, Вт;
  • N – общая длина всех отрезков, подключаемых к БП, м;
  • K – коэффициент запаса по мощности. Обычно К=1,2.

Для подключения RGB-светодиодной ленты на SMD 5050 кроме блока питания понадобится RGB-контроллер. Как правильно выбрать RGB-контроллер, в каких случаях нужен усилитель сигнала и какая схема подключения лучше? Ответы на эти вопросы можно найти в статье «Подключение RGB-лент разной длины».

Маркировка транзисторов в соответствии с советской системой классификации.

У транзисторов,разработанных до 1964
года условные обозначения типа состоят из двух или трех элементов.
Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно,
транзистором.
Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала
модернизацию.

Второй элемент обозначения — одно, двух или
трехзначное число, которое определяет порядковый
номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала,
значениям допустимой рассеиваемой мощности и
граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и
СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ
мощные транзисторы.
Третьим элементом может быть буква, определяющая классификацию по параметрам транзисторам, изготовленной по одной технологии.
Например: МП42 — транзистор германиевый, низкочастотный, маломощный, номер разработки — 42
П401 — транзистор германиевый, маломощный,высокочастотный, номер разработки — 1.

Начиная с 1964 года была введена другая система обозначений, действовшая до 1978 года.
Ее появление было связано с появлением большого числа новых серий разнообразных
полупроводниковых приборов, в частности — полевых транзисторов.
Для обозначения исходного материала используются следующие символы(первый элемент обозначения):
Буква Г или цифра 1 — германий.
Буква К или цифра 2 — кремний.
Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.
Второй элемент — буква Т, означает биполярный
транзистор, буква П — транзистор полевый.
В качестве третьего элемента обозначения используются девять цифр, характеризующих подклассы транзисторов по значениям рассеиваемой мощности и граничной частоты.
1 -транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4- транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 -транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6-транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные
и СВЧ.
7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8- транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
Четвертый и пятый элементы обозначения —
определяют порядковый номер разработки.
Пример: КТ315А кремниевый биполярный транзистор,
маломощный, высокочастотный,подкласс А.
С 1978 года были введены изменения,
первые два символа обозначающие материал
и подкласс транзистора остались преждними.
Изменения коснулись обозначения функциональных
возможностей — третьего элемента.
Для биполярных транзисторов:
1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2- транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до
1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более
1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.

Те же обозначения действительны и для полевых транзисторов.
Для обозначения порядкового номера разработки
используют трехзначные числа от 101 до 999(следующие три знака).
Для дополнительной классификации используют
буквы русского алфавита, от А до Я.
Цифра, написанная через дефис после седьмого элемента — обозначения модификаций бескорпусных транзисторов:
1 — с гибкими выводами без кристаллодержателя.
2 -с гибкими выводами на кристаллодержателе.
3 — с жесткими выводами без кристаллодержателя.
4 — с жесткими выводами на кристаллодержателе.
5 — с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
6 — с контактными площадками на кристаллодержателе, но без выводов.
Пример:КТ2115А-2 кремниевый биполярный транзистор для устройств широкого применения,
маломощный, высокочастотный, бескорпусный с гибкими выводами на кристаллодержателе.
В общем, — без хорошего каталога не разберешься.

Маркировка транзисторов в соответствии с европейской системой классификации.

В соответствии с европейской системой классификации обозначение транзистора состоит из двух букв и трех
цифр (приборы общего применения) или трех букв и двух цифр(приборы специального применения).
Первая буква характеризует материал, из которого сделан транзистор:
А-германий; В- кремний. Вторая буква обозначает область применения прибора:
С-маломощный низкочастотный прибор; D-мощный низкочастотный прибор;F- маломощный высокочастотный прибор;
L-мощный высокочастотный прибор.
Третья буква(если она есть) не несет особой смысловой нагрузки.
Например: транзистор AF115 — общего назначения, германиевый,маломощный, высокочастотный.
Транзистор BD135 — общего назначения, большой мощности, низкочастотный.

Маркировка SMD компонентов G-1 G-2

Расположение и назначение выводов    A B C D E FАналоги корпусовТипоразмеры SMD корпусов

     код             Тип                  Примечание      Рисунок/ корпус
G BAR63-02W СВЧ транзистор 3.3ГГц E1 / SCD80
G BAR63-03W СВЧ транзистор 3.3ГГц E1 / SOD323
G KV1181E варикап (2-16пф) E1 / URD
G MRF947A n-p-n СВЧ транзистор 8ГГц A14 / SOT323
G0 HSMP-3890 pin-диод аналог HP3890 A3 / SOT23
G0 HSMP-389B pin-диод аналог HP3890 A3 / SOT323
G08 DTD133HKA n-p-n транз. R1=3.3k R2=10k A14 / SC59
G1 BFS20 аналог BF199 A14 / SOT23
G1p BFS20 аналог BF199 A14 / SOT23
G1t HSMP-3891 pin-диод аналог HP3890 A11 / SOT23
G1 MMBT5551 n-p-n транз.аналог 2N5551 A14 / SOT23
tG1 PMBT5551 n-p-n транз.аналог 2N5551 A14 / SOT23
tG1 PMST5551 n-p-n транз.аналог 2N5551 A14 / SOT323
G1E BC847A аналог BC547A A14 / SOT23
G1F BC847B аналог BC547B A14 / SOT23
G1G BC847C аналог BC547C A14 / SOT23
G1J BC848A аналог BC548A A14 / SOT23
G1K BC848B аналог BC548B A14 / SC70
G1K BC848B аналог BC548B A14 / SOT23
G1L BC848C аналог BC548C A14 / SOT23
G2 HSMP-3892 2pin-диода аналог HP3890 A4 / SOT23
G3 HSMP-3893 2pin-диода аналог HP3890 A1 / SOT23
pG3 PMST5551 аналог 2N5551 A14 / SOT323
G3 BAR63 pin-диод 3ГГц A3 / SOT23
G3C DTB122JK p-n-p транз.R1=220 R2=470 A14 / SC59
G3E BC857A аналог BC557A A14 / SOT23
G3F BC857B аналог BC557B A14 / SOT23
G3J BC858A аналог BC558A A14 / SOT23
G3K BC858B аналог BC558B A14 / SOT23
G3K BC858B аналог BC558B A14 / SC70
G3L BC858C аналог BC558C A14 / SOT23
G4 BFS20R аналог BF199 A14 / SOT23
G4 HSMP-3894 два;аналог HP3890 A2 / SOT23
G4 BAR63-04 2pin-диода 3ГГц A4 / SOT23
G4C DTD122JK n-p-n транз.R1=220 R2=470 A14 / SC59
G4s BAR63-04W 2pin-диода 3ГГц A4 / SOT323
G5 HSMP-3895 2pin-диода аналог HP3890 B3 / SOT143
     код                 Тип                  Примечание      Рисунок/ корпус
G5 BAR63-05 2pin-диода 3ГГц A2 / SOT23
G5s BAR63-05W 2pin-диода 3ГГц A2 / SOT323
G5B BC807-25 аналог BC327-25 A14 / SOT23
G6 BAR63-06 2pin-диода 3ГГц A1 / SOT23
G6s BAR63-06W 2pin-диода 3ГГц A1 / SOT323
G6A BC817-16 аналог BC337-16 A14 /
G6B BC817-25 аналог BC337-25 A14 / SOT23
G7 BF579 p-n-p СВЧ транз. 1.75ГГц A14 /
G11 DTB113ZKA p-n-p транз.R1=1k R2=10k A14 / SC59
G21 DTD113ZKA n-p-n транз.R1=1k R2=10k A14 / SC59
G98 DTB133HKA p-n-p транз.R1=3.3k R2=10k A14 / SC59
GA HSMP-4890 2pin-диода 3ГГц A2 / SOT23
GA BAW78A переключающий диод 50В B12/SOT89
GAB BCW60B аналог BCY58 A14 / SOT23
GAC BCW60C аналог BCY58 A14 / SOT23
GAD BCW60D аналог BCY58 A14 / SOT23
GAH BCX70H аналоги BCY59 BC107B A14 / SOT23
GAJ BCX70J аналоги BCY59 BC107 A14 / SOT23
GAK BCX70K аналоги BCY59 BC107 A14 / SOT23
GB BAW78B переключающий диод 100В B12/SOT89
GBB BCW61B аналог BCY78 A14 / SOT23
GBC BCW61C аналог BCY78 A14 / SOT23
GBG BCX71G аналог BCY79 A14 / SOT23
GBH BCX71H аналог BCY79 A14 / SOT23
GBJ BCX71J аналог BCY79 A14 / SOT23
GC BAW78C перекл. диод 200В B12/SOT89
GC1 BCW29 аналог BC178A A14 / SOT23
GC2 BCW30 аналог BC178B A14 / SOT23
GD BAW78D перекл. диод 400В B12/SOT89
GD1 BCW31 аналог BC108C A14 / SOT23
GD2 BCW32 аналог BC108B A14 / SOT23
GD3 BCW33 аналог BC108A A14 / SOT23
GE BFR35AP аналог BFR34A A14 / SOT23
GE BAW79A 2переключающий диода 50В C19 /SOT89
GEC BCW65C n-p-n транз.32V 800mA A14 / SOT23
GF BFR92P аналог BFR90 A14 / SOT23
GF BAW79B 2перекл. диода 100В C19 /SOT89